TH150616A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (26/02/57) การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีการจัดทำบริเวณของไดโอดและ บริเวณที่เป็น IGBT ไว้บนฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำอันเดียวกัน บริเวณของไดโอดประกอบด้วย ชั้นของแอโนดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิว แห่งหนึ่งของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน บริเวณที่เป็น IGBT ประกอบด้วย ชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิว ของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน ชั้นของแอโนดประกอบด้วยชั้นของแอโนด ที่หนึ่งอย่างน้อยหนึ่งชั้นหรือมากกว่านี้ ชั้นของแอโนดที่หนึ่งดังกล่าวถูกจัดทำไว้ในส่วนที่อยู่ใกล้กับ บริเวณที่เป็น IGBT เป็นอย่างน้อยและพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำใน ชั้นของแอโนดที่หนึ่งแต่ละชั้นจะมีขนาดใหญ่กว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสาร กึ่งตัวนำในชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนในส่วนที่อยู่ใกล้กับบริเวณของไดโอดมากที่สุด การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีการจัดทำบริเวณของไอโอดและ บริเวณที่เป็น IGBT ไว้บนฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำอันเดียวกัน บริเวณของไอโอดประกอบด้วย ชั้นของแอโนดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิว แห่งหนึ่งของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน บริเวณที่เป็น IGBT ประกอบด้วย ชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิว ของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน ชั้นของแอโนดประกอบด้วยชั้นของแอโนด ที่หนึ่งอย่างน้อยหนึ่งชั้นหรือมากกว่านี้ ชั้นของแอโนดที่หนึ่งดังกล่าวถูกจัดทำไว้ในส่วนที่อยู่ใกล้กับ บริเวณที่เป็น IGBT เป็นอย่างน้อยและพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำใน ชั้นของแอโนดที่หนึ่งแต่ละชั้นจะมีขนาดใหญ่กว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสาร กึ่งตัวนำในชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนในส่วนที่อยู่ใกล้กับบริเวณของไดโอดมากที่สุด

Claims (1)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 14/7/2559 1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งบริเวณของไดโอดและบริเวณที่เป็น IGBT ถูกขึ้นรูปบนฐานรองที่ เป็นสารกึ่งตัวนำเดียวกัน โดยที่ บริเวณของไดโอดรวมถึง: ชั้นของแอโนดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยัง พื้นผิวแห่งหนึ่งของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน; ชั้นของตัวไดโอดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลังของชั้น ของแอโนดและมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งต่ำกว่าชั้น ของแอโนด; ชั้นเลื่อนไถลของไดโอดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลัง ของชั้นของตัวไดโอดและ ชั้นของแคโทดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลังของชั้น เลื่อนไถลของไดโอดและมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองสูงกว่าชั้นเลื่อนไถล ของไดโอด, บริเวณที่เป็น IGBT รวมถึง: ชั้นของอิมิตเตอร์ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิวของฐานรองที่ เป็นสารกึ่งตัวนำ; ชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผย ออกไปยังพื้นผิวของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำเพื่อให้อยู่ชิดกับชั้นของอิมิตเตอร์และถูกแยกออกจาก กัน; ชั้นของลำตัว IGBT ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลังของ ชั้นของอิมิตเตอร์และชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนและมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่ หนึ่งต่ำกว่าชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วน; ชั้นเลื่อนไถลของ IGBT ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลัง ของชั้นของลำตัว IGBT; ชั้นของคอลเลกเตอร์ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลังของ ชั้นเลื่อนไถลของ IGBT; ฟิล์มที่เป็นฉนวนของเกตที่สัมผัสกับชั้นของอิมิตเตอร์, ชั้นเลื่อนไถลของ IGBT, และชั้น ของลำตัว IGBT และ อิเล็กโทรดของเกต IGBT ที่หันเข้าหาชั้นของลำตัว IGBT ระหว่างชั้นของอิมิตเตอร์และ ชั้นเลื่อนไถลของ IGBT โดยมีฟิล์มที่เป็นฉนวนของเกตอยู่ระหว่างกลาง, ชั้นของแอโนดประกอบด้วยชั้นของแอโนดที่หนึ่งอย่างน้อยหนึ่งชั้นหรือมากกว่านี้, ชั้นของแอโนดที่หนึ่งจำนวนตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไปดังกล่าวถูกจัดทำไว้ในตำแหน่งที่อยู่ใกล้ กับบริเวณที่เป็น IGBT เป็นอย่างน้อย, พื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่หนึ่งแต่ละชั้น มีขนาดใหญ่กว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนในส่วน ที่อยู่ใกล้กับบริเวณของไดโอดมากที่สุด, ชั้นของแอโนดซึ่งมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือชั้นของแอโนดที่สองอย่างน้อยหนึ่งชั้นหรือ มากกว่านี้ซึ่งถูกจัดทำไว้ในตำแหน่งที่อยู่ห่างจากบริเวณที่เป็น IGBT มากกว่าชั้นของแอโนดที่หนึ่ง จำนวนตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไปดังกล่าวและ พื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่สองแต่ละชั้น มีขนาดเล็กกว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่หนึ่ง แต่ละชั้น 2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็น สารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่สองแต่ละชั้นมีขนาดใหญ่กว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรอง ที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วนในส่วนที่อยู่ใกล้กับบริเวณของไดโอดมากที่สุด ------------------------------------------------------------

1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วย บริเวณขอไดโอด (11,31) ซึ่งมี ชั้นของแอโนดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้นซึ่งถูกเผยออกไปยัง พื้นผิวแห่งหนึ่งของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำ (100) และถูกแยกออกจากกัน ชั้นของตัวไดโอดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่ง (114) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลัง ของชั้นของแอโนดและมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งต่ำกว่าชั้น ของแอโนด ชั้นเลื่อนไถลของไดโอดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สอง (113) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณ ด้านหลังของชั้นของตัวไดโอดและ ชั้นของแคโทดชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สอง (111) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณด้านหลังของ ชั้นเลื่อนไถลของไดโอดและมีความเข้มข้นของสิ่งเจอปนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สองสูงกว่าชั้นเลื่อน ไถลของไดโอด และ บริเวณที่เป็น IGBT (13,33) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำอันเดียวกันกับ บริเวณที่เป็นไดโอด โดยที่บริเวณที่เป็น IGBT ดังกล่าวประกอบด้วย ชั้นของอิมิตเตอร์ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สอง (136) ซึ่งถูกเผยออกไปยังพื้นผิวของ ฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำ ชั้นสัมผัสชิ้นส่วนชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่งจำนวนมากกว่าหนึ่งชั้น (135) ซึ่งถูก เผยออกไปยังพื้นผิวของฐานรองที่เป็นฐานกึ่งตัวนำและถูกแยกออกจากกัน ชั้นของลำตัว IGBT ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่ง (134) ซึ่งถูกจำทำไว้บนบริเวณ ด้านหลังของชั้นของอิมิตเตอร์และชั้นสัมผัสชิ้นส่วนและมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนชนิดที่มีสภาพ นำไฟฟ้าที่หนึ่งต่ำกว่าชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วน ชั้นเลื่อนไถลของ IGBT ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่สอง (113) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณ ด้านหลังของชั้นของลำตัว IGBT ชั้นของคอลเลกเตอร์ชนิดที่มีสภาพนำไฟฟ้าที่หนึ่ง (117) ซึ่งถูกจัดทำไว้บนบริเวณ ด้านหลังของชั้นเลื่อนไถลของ IGBTและ อิเล็กโทรดของเกต IGBT (143) ที่หันเข้าหาชั้นของลำตัว IGBT ภายในช่วงที่แยกชั้นของ อิมิตเตอร์ออกจากชั้นเลื่อนไถลของ IGBT โดยมีฟิล์มที่เป็นฉนวน (142) อยู่ระหว่างกลาง โดยที่ชั้นของแอโนดประกอบด้วยชั้นของแอโนดที่หนึ่งอย่างน้อยหนึ่งชั้นหรือมากกว่านี้ (116,316) ชั้นของแอโนดที่หนึ่งจำนวนตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไปดังกล่าวถูกจัดทำไว้ในส่วนที่อยู่ใกล้กับ บริเวณที่เป็น IGBT เป็นอย่างน้อย พื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่หนึ่งแต่ละชั้น มีขนาดใหญ่กว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นสัมผัสตัวชิ้นส่วน (135, 335) ในส่วนที่อยู่ใกล้กับบริเวณของไอโอดมากที่สุด ชั้นของแอโนดซึ่งมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือชั้นของแอโนดที่สอง (115) อย่างน้อยหนึ่งชั้น หรือมากกว่านี้ซึ่งถูกจัดทำไว้ในตำแหน่งที่อยู่ห่างจากบริเวณที่เป็น IGBT มากกว่าชั้นของแอโนดที่หนึ่ง จำนวนตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไปดังกล่าวและ พื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่สองแต่ละชั้น มีขนาดเล็กกว่าพื้นที่ของทิศตามระนาบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำในชั้นของแอโนดที่หนึ่ง แต่ละชั้น