TH10792B - กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง - Google Patents
กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบางInfo
- Publication number
- TH10792B TH10792B TH9301000690A TH9301000690A TH10792B TH 10792 B TH10792 B TH 10792B TH 9301000690 A TH9301000690 A TH 9301000690A TH 9301000690 A TH9301000690 A TH 9301000690A TH 10792 B TH10792 B TH 10792B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- substrate
- thin films
- irradiated
- thin film
- oxidizing atmosphere
- Prior art date
Links
Abstract
กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบางประกอบด้วยตัวอย่างเช่น การฉายรังสีซับสเตรท ด้วยรังสีพลังงานแบบที่เลือกได้ ให้แก่พื้นผิวของซัลสเตรท ซึ่งประยุกต์ใช้การปฏิบัติแก่พื้นผิวเพื่อ ให้อะตอมไฮโดรเจน โดยวิธีนี้ก่อเกิดบริเวณที่ถูกฉายแสงและบริเวณที่ไม่ถูกฉายแสงบนพื้นผิว ของซับสเตรทนี้ และก่อเกิดฟิล์มบางที่เลือกได้บนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนี้
Claims (8)
1. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางบนซับสเตรทหนึ่งๆ ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน : (a) การปฏิบัติกับพื้นผิวของซับสเตรทเพื่อให้อะตอมไฮโดรเจนบนพื้นผิว; (b) การฉายรังสีพื้นผิวอย่างเลือกได้ด้วยลำพลังงานเพื่อสร้างบริเวณที่ถูกฉายรังสี และบริเวณ ไม่ถูกฉายรังสีบนพื้นผิว; (c) การนำพื้นผิวเข้าไปในบรรยากาศออกซิไดซิงเพื่อออกซิไดซ์บริเวณที่ถูกฉายรังสี; และ (d) การสร้างฟิล์มบางอย่างเลือกได้บนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีด้วยการสะสมไอทางเคมี โดย ที่ชักนำการสะสมไอทางเคมีด้วยแอลคิลแอลูมินัมไฮโดรด์ และไฮโดรเจน
2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ลำพลังงาน คือ ลำไอออนออกซิเจน
3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ทำขั้นตอน (b) และ (c) โดยการชักนำการฉายลำพลัง งานในบรรยากาศออกซิไดซิง
4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่บรรยากาศออกซิไดซิงประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง บรรยายกาศที่เลือกจากออกซิเจน, โอโซน และความชื้นในบรรยากาศ
5. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ทำการปกฏิบัติกับพื้นผิวด้วย กรดไฮโดรฟลูออริก
6. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ลำพลังงาน คือลำอิเล็กตรอน หรือ ลำไอออน
7. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ซับสเทรท คือ ซับสเทรทสาร กึ่งตัวนำ
8. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ แอลคิลอะลูมินัมไฮไดรด์ คือ ไดเมทิลอะลูมินัมไฮไดรด์
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH37256A TH37256A (th) | 2000-02-22 |
| TH37256EX TH37256EX (th) | 2000-02-22 |
| TH10792B true TH10792B (th) | 2001-08-08 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930022602A (ko) | 박막형성법 | |
| DE69326651D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mustern | |
| JPH04137728A (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| JPS631097B2 (th) | ||
| JPH022102A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| TH10792B (th) | กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง | |
| TH37256A (th) | กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง | |
| JPS63224233A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH05190517A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| EP0684632B1 (en) | Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device | |
| TH37256EX (th) | กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง | |
| JPS59165422A (ja) | ドライプロセス装置 | |
| JPS57160127A (en) | Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure | |
| JPH0437129A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JPS6043824A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5727029A (en) | Formation of mo pattern | |
| JPS614224A (ja) | 図形状膜形成装置 | |
| US4368215A (en) | High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams | |
| JPH0371632A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH0452613B2 (th) | ||
| KR940008365B1 (ko) | 반도체 기판의 표면청정방법 | |
| JPS6424422A (en) | Formation of fine pattern | |
| JPS566434A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3132963B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JPS614231A (ja) | 図形状エツチング装置 |