TH10792B - กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง - Google Patents

กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง

Info

Publication number
TH10792B
TH10792B TH9301000690A TH9301000690A TH10792B TH 10792 B TH10792 B TH 10792B TH 9301000690 A TH9301000690 A TH 9301000690A TH 9301000690 A TH9301000690 A TH 9301000690A TH 10792 B TH10792 B TH 10792B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
substrate
thin films
irradiated
thin film
oxidizing atmosphere
Prior art date
Application number
TH9301000690A
Other languages
English (en)
Other versions
TH37256A (th
TH37256EX (th
Inventor
สึโบว์ชิ นายคาซูโอะ
มาสุ นายคาซูยะ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH37256A publication Critical patent/TH37256A/th
Publication of TH37256EX publication Critical patent/TH37256EX/th
Publication of TH10792B publication Critical patent/TH10792B/th

Links

Abstract

กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบางประกอบด้วยตัวอย่างเช่น การฉายรังสีซับสเตรท ด้วยรังสีพลังงานแบบที่เลือกได้ ให้แก่พื้นผิวของซัลสเตรท ซึ่งประยุกต์ใช้การปฏิบัติแก่พื้นผิวเพื่อ ให้อะตอมไฮโดรเจน โดยวิธีนี้ก่อเกิดบริเวณที่ถูกฉายแสงและบริเวณที่ไม่ถูกฉายแสงบนพื้นผิว ของซับสเตรทนี้ และก่อเกิดฟิล์มบางที่เลือกได้บนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนี้

Claims (8)

1. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางบนซับสเตรทหนึ่งๆ ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน : (a) การปฏิบัติกับพื้นผิวของซับสเตรทเพื่อให้อะตอมไฮโดรเจนบนพื้นผิว; (b) การฉายรังสีพื้นผิวอย่างเลือกได้ด้วยลำพลังงานเพื่อสร้างบริเวณที่ถูกฉายรังสี และบริเวณ ไม่ถูกฉายรังสีบนพื้นผิว; (c) การนำพื้นผิวเข้าไปในบรรยากาศออกซิไดซิงเพื่อออกซิไดซ์บริเวณที่ถูกฉายรังสี; และ (d) การสร้างฟิล์มบางอย่างเลือกได้บนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีด้วยการสะสมไอทางเคมี โดย ที่ชักนำการสะสมไอทางเคมีด้วยแอลคิลแอลูมินัมไฮโดรด์ และไฮโดรเจน
2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ลำพลังงาน คือ ลำไอออนออกซิเจน
3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ทำขั้นตอน (b) และ (c) โดยการชักนำการฉายลำพลัง งานในบรรยากาศออกซิไดซิง
4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่บรรยากาศออกซิไดซิงประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง บรรยายกาศที่เลือกจากออกซิเจน, โอโซน และความชื้นในบรรยากาศ
5. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ทำการปกฏิบัติกับพื้นผิวด้วย กรดไฮโดรฟลูออริก
6. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ลำพลังงาน คือลำอิเล็กตรอน หรือ ลำไอออน
7. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ซับสเทรท คือ ซับสเทรทสาร กึ่งตัวนำ
8. กรรมวิธีสำหรับการสร้างฟิล์มบางตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ แอลคิลอะลูมินัมไฮไดรด์ คือ ไดเมทิลอะลูมินัมไฮไดรด์
TH9301000690A 1993-04-26 กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง TH10792B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH37256A TH37256A (th) 2000-02-22
TH37256EX TH37256EX (th) 2000-02-22
TH10792B true TH10792B (th) 2001-08-08

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930022602A (ko) 박막형성법
DE69326651D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Mustern
JPH04137728A (ja) 集束イオンビームエッチング装置
JPS631097B2 (th)
JPH022102A (ja) 半導体素子の製造方法
TH10792B (th) กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง
TH37256A (th) กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง
JPS63224233A (ja) 表面処理方法
JPH05190517A (ja) 微細パターン形成方法
EP0684632B1 (en) Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device
TH37256EX (th) กรรมวิธีสำหรับการก่อเกิดฟิล์มบาง
JPS59165422A (ja) ドライプロセス装置
JPS57160127A (en) Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure
JPH0437129A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JPS6043824A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5727029A (en) Formation of mo pattern
JPS614224A (ja) 図形状膜形成装置
US4368215A (en) High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams
JPH0371632A (ja) エッチング方法
JPH0452613B2 (th)
KR940008365B1 (ko) 반도체 기판의 표면청정방법
JPS6424422A (en) Formation of fine pattern
JPS566434A (en) Manufacture of semiconductor device
JP3132963B2 (ja) シリコン酸化膜の形成方法
JPS614231A (ja) 図形状エツチング装置