SU975831A1 - Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1 - Google Patents

Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1 Download PDF

Info

Publication number
SU975831A1
SU975831A1 SU813256243A SU3256243A SU975831A1 SU 975831 A1 SU975831 A1 SU 975831A1 SU 813256243 A SU813256243 A SU 813256243A SU 3256243 A SU3256243 A SU 3256243A SU 975831 A1 SU975831 A1 SU 975831A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
solution
discs
thermal
chemical treatment
disks
Prior art date
Application number
SU813256243A
Other languages
English (en)
Inventor
Viktor E Mishanin
Vadim M Kurtsin
Vsevolod A Zhuravlev
Evgenij V Ievlev
Tamara A Gorodenskaya
Original Assignee
V Elektrotech I V I Lenina
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Elektrotech I V I Lenina filed Critical V Elektrotech I V I Lenina
Priority to SU813256243A priority Critical patent/SU975831A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU975831A1 publication Critical patent/SU975831A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20Other heavy metals
    • C23G1/205Other heavy metals refractory metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Изобретение относится к химической обработке молибдена, к технологии полупроводникового приборостроения и может быть использовано при подготовке поверхности термокомпенсаторов перед изготовлением контактного соединения с кремниевой структурой, а также перед нанесением металлических покрытий.
В качестве материала термокомпенсаторов используют молибден, вольфрам или сплавы на их основе.
Перед изготовлением контактных соединений поверхность термокомпенсаторов подвергают механической обработке (шлифовке до требуемой толщины, доводке на приточных станках с целью получения заданной неплоскостности), затем диски химически обрабатываются в смеси плавиковой и азотной кислот [1].
При химической обработке в смеси плавиковой и азотной кислот происходит значительное растворение материала дисков термокомпенсаторов. Так, например, за 1мин травления в растворе, содержащем 1 ч. НЕ + 4- 20ч. ΗΝΟ3, растворяется 0,250 г молибдена, в результате чего увеличивается не2
плоскостность поверхности, изменяются геометрические размеры дисков.
Наиболее близким по технической сущности к предложенному раствору является раствор для травления молибдена и воль5 фрама перекиснощелочной, содержащий Η2Ο2 + ΝΗ4ΟΗ [2].
В этом растворе травление дисков термокомпенсаторов происходит равномерно с небольшой скоростью растворения (например,
,0 за 10 мин травления в растворе, содержащем 1 ч. Н2О2 + 1 4.ΝΗ*ΟΗ, растворяется 0,023 г молибдена). При этом диски термокомпенсатора сохраняют Свои заданные геометрические размеры. Однако при данной химической обработке на поверхности дис15 ков термокомпенсаторов образуются гидратированные оксисоединения в виде светлокоричневого налета, которые препятствуют качественному соединению с кремниевой структурой, а также нанесению метаЛли20 ческих покрытий.
Целью изобретения является улучшение
электрических характеристик контактного
соединения путем повышения качества очист975831
4
3
ки поверхности термокомпенсаторов перед изготовлением контактных соединений.
Поставленная цель достигается тем, что раствор, содержащий перекись водорода и гидроксид аммония, дополнительно содержит уксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, об. ч.:
Перекись водорода 1—8
Гидроксид аммония 0,5—5
Уксусная кислота 0,1—4
При содержании СН3СООН менее 0,1 г не удается удалить .с поверхности диска термокомпенсаторов светло-коричневый налет. При содержании СН3СООН более 4 г обработка дисков замедляется и становится не технологичной в условиях серийного производства.
Термокомпенсаторы, изготовленные из молибдена диаметром 30 мм, шлифовались на плоскошлифовальном станке до толщины 2 мм, доводились на притирочном станке с целью получения заданной неплоскостности, равной 5 мкм, затем диски обрабатывались при комнатной температуре в растворе такого состава 4ч.Н2О2 + 24.ΝΗ4ΟΗ + + 2ч.СН3СООН в течение 2 мин. После химической обработки на дисках термокомпенсаторов отсутствовал светло-коричневый налет, поверхность дисков имела характерный металлический цвет.
Для оценки эффективности предлагаемого способа были изготовлены 4 партии дисков термокомпенсаторов из молибдена диаметром 30 мм, толщиной 2 мм в количестве 40 шт.
После химической обработки партия № 1 в количестве 10 шт. обрабатывалась в растворе, содержащем 1ч.Н2О2 + Ιπ.ΝΚ,ΟΗ в течение 2 мин.
Партия № 2 в количестве 10 шт. обрабатывалась в растворе, содержащем 1ч.Н2О2 + 06чЯН4ОН +0,5ч.СН3СООН в течение 2 мин.
Партия № 3 в количестве 10 шт. обрабатывалась в растворе, содержащем 4ч.Н2О2++ 2ч. ΝΓ^ΟΗ + 2ч. СН3СООН в течение 2 мин.
Партия № 4 в количестве 10 шт. обрабатывалась в растворе, содержащем 8ч.Н2О2+ + 54.ΝΗ4ΟΗ + 4ч.СН3СООН в течение 12 мин.
На поверхности дисков термокомпенсаторов партии № 1 после химической обработки образовался светло-коричневый налет. Наповерхности дисков термокомпенсаторов партий № 2, 3, 4 после химической обработки светло-коричневый налет отсутствовал.
После химической обработки поверхности дисков термокомпенсаторов изготовлены контактные соединения с кремниевыми струк турами и измерены электрические характеристики. Данные измерений занесены в табл. 1.
Таблица 1
Партия
№ 1 № 2 1Г 3 У 4
Иобр.(в) Иобр.(в) Иобр.(в) Иобр.(в)
600 1600 1600 1700
700 1750 1800 1800
500 1500 ' 1700 1600
650 1800 1600 1500
750 1750 1600 1600
600. 1550 1700 1 700
580 1600 1900 1600
650 1700 1700 1500
400 1600 1800 1700
450 1500 1700 1600
975831
5
Для определения эффективности очистки контактной поверхности термокомпенсаторов изготовлены 3 партии молибденовых дисков диаметром 24 мм, толщиной 1,5 мм.
Партия № 5 в количестве 5 шт. обрабатывалась при комнатной температуре в раст- 5 воре, содержащем 4 об.ч. Н2.Оа+1 об.ч.Х X ΝΗ4ΟΗ в течение 2 мин.
Партия № 6 в количестве 5 шт. обрабатывалась при комнатной температуре в растворе, содержащем 4 об.ч. Н2О2 + 1.об.ч.Х ю ХСН3СООН в течение 10 мин.
Партия № 7 в количестве 5 шт. обрабаты-. валась при комнатной температуре в растворе, содержащем 4 об.ч. НОг + 1 об.ч. X X ΝΗ+ΟΗ + 1 об. ч. СН^СООН в течение 2 мин.
После химической обработки дисков термокомпенсаторов изготовлены контактные соединения с кремниевой структурой.
Результаты просмотра образцов и измерения электрических характеристик контактного соединения представлены в табл. 2.
Таблица 2
Партия Химическая обработка в растворе, содержащем Визуальный просмотр поверхности дисков после химической обработки Измерение обратного напряжения контактного соединения, В
№5 4 об.ч.Н202 + 1 об.ч.ИЩОН Поверхность диска очи- 300-350
щена от загрязнения микропорошками, но в процессе химической обработки на поверхности образовались гидратированные оксисоединения в виде светло-коричневого налета
4 об.ч. Н2 02 + 1 об.ч. сн3соон
4 об.ч. Н2 02 + 1 об.ч. ΝΗ4ΟΗ + 1 об.ч. СН3С00Н
Диски термокомпенсаторов не очищены от загрязнения микропорошками и имеют грязно-серую матовую поверхность
Поверхность дисков очи- 1800-1900 щена от загрязнения микропорошками и светлокоричневого налета и имеет характерный металлический цвет
Изготовление контактного соединения термокомпенсатора с кремниевой структурой на партии № 6 не проводилось, поскольку химическая обработка дисков в растворе, 50 содержащем 4об.ч.Н202 + 1об.ч.СН3СООН не позволяет очистить контактную поверхность термокомпенсаторов от загрязнения микропорошками.
Эффективность очистки поверхности дисков термокомпенсаторов оценивалась ви- & зуальным просмотром поверхности образцов после химической обработки и измерением электрических характеристик контактного соединения термокомпенсатора с кремниевой полупроводниковой структурой.
Результаты измерений обратных напряжений показали, что на партиях, где обработку поверхности дисков термокомпенсаторов проводили в изобретенном растворе, обратные напряжения в 2—3 раза выше, чем на партиях, где обработку поверхности дисков осуществляли в известном растворе.
Использование предлагаемого раствора
для обработки поверхности дисков термокомпенсаторов перед изготовлением контактных соединений по сравнению с извест975831
7
ными растворами обработки поверхности имеет следующие преимущества: позволяет наиболее полно сохранить заданные геометрические размеры дисков термокомпенсаторов; освободиться от образующихся при химической обработке гидратированных окси- 5 соединений в виде светло-коричневого налета; улучшить качество очистки поверхности дисков термокомпенсаторов, что в свою очередь способствует качественному контактному соединению с кремниевой струк- 10 турой, сохраняя в ней заданные электрические параметры.

Claims (1)

  1. Формула изобретения '
    Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей, содержащий перекись водорода и гидроксид аммония, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки поверхности, раствор дополнительно содержит уксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, об. ч.:
    Перекись водорода 1—8
    Гидроксид аммония 0,5—5
    Уксусная кислота 0,1—4
SU813256243A 1981-03-05 1981-03-05 Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1 SU975831A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813256243A SU975831A1 (ru) 1981-03-05 1981-03-05 Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813256243A SU975831A1 (ru) 1981-03-05 1981-03-05 Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU975831A1 true SU975831A1 (ru) 1982-11-23

Family

ID=20946064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813256243A SU975831A1 (ru) 1981-03-05 1981-03-05 Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU975831A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863344A (en) * 1995-12-20 1999-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning solutions for semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863344A (en) * 1995-12-20 1999-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning solutions for semiconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900000739B1 (ko) 부식제 조성물
US4116714A (en) Post-polishing semiconductor surface cleaning process
KR20000053521A (ko) 금속 부식 방지제 및 세척액
KR100560985B1 (ko) 스퍼터 타깃의 피니시를 개선시키는 방법
CN101130876A (zh) 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液
JPH04506528A (ja) ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液
CN106929867A (zh) 一种用于金属基板抛光后的清洗液及其使用方法
US3553015A (en) Alkaline bath removal of scale from titanium workpieces
SU975831A1 (ru) Раствор для очистки поверхности молибденовых деталей 1
US4692223A (en) Process for polishing silicon wafers
EP0425012B1 (fr) Bains et procédé pour le polissage chimique de surfaces en cuivre ou en alliage de cuivre
US6918938B2 (en) Polishing composition
DE2526052A1 (de) Verfahren zur reinigung polierter halbleiterscheiben
DE60107035T2 (de) Quarzglasvorrichtungen für die Halbleiterindustrie und Verfahren zur deren Herstellung
EP0516653B1 (fr) Bains et procede pour le polissage chimique de surfaces en acier inoxydable
CN110296877A (zh) 一种纯钛金相试样的制备方法
JPS6134188A (ja) 化学研磨併用のバレル研磨法
KR100223971B1 (ko) 반도체장치 제조용 알미늄 쉴드의 티타늄화합물 세정액
CN110102537A (zh) 一种高磨耗度低化学稳定性光学玻璃的清洗方法
JPH05231996A (ja) 金属間化合物評価試片の作製方法及び試薬
JP3416555B2 (ja) ガラス基板の高精度洗浄方法
RU2772820C1 (ru) Способ химической очистки деталей из меди и ее сплавов
SU1555347A1 (ru) Состав дл чистки и удалени оксидов и накипи с металлической поверхности
US2371758A (en) Method of etching
SU577589A1 (ru) Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур