SU577589A1 - Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур - Google Patents
Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллурInfo
- Publication number
- SU577589A1 SU577589A1 SU7602385812A SU2385812A SU577589A1 SU 577589 A1 SU577589 A1 SU 577589A1 SU 7602385812 A SU7602385812 A SU 7602385812A SU 2385812 A SU2385812 A SU 2385812A SU 577589 A1 SU577589 A1 SU 577589A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- samples
- polishing
- mercury
- tellurium
- taken
- Prior art date
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
(54) ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РТУТЫКАДМИЙ ТЕЛЛУР
Изобретение относитс к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенных кристаллов, так и при изготовлении приборов из этих кристаллов, в частности, тройных твердых растворов ртуть«кадмий теллур.
Известен полирующий травитель монокрио таллов, представл к ций собой 5%-ный раст- вор брома в метиловом спирте L--T
Однако при полировании этим травителем на поверхности образцов остаютс трудноудалимые -следы брома, и окисной пленки. Это затрудн ет обработку поверхностей криоталлов дл эпитаксиального наращивани в приборостроении н металлографических исследовани х .
Наиболее близким к изобретению техническим решением вл етс полирующий тр&витель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртуть-кадмий теллур, содержащий водный раствор трехокиси хрома 2.
Использование известного травител дл химической полировки кристаллов ртуть кадр мий -теллур показало, что поверхность образцов покрываетс окисной радужной пленкой.
Кроме того, в результате бурной решсцив . происходит локальное расстравливание поверхности . ,
Целью изобретени вл етс обеспечение гладкой зеркальной поверхности образцов и предотвращение образовани окисной пленки .
Достигаетс это благодар тому, что травитель дополнительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а кокгпонен- тьт вз ты в следующем соотнощении (об.%):
50%-ный водный раствор
трехокиси хрома. 3CV-40
Азотна кислотаЗО-35
Фтористоводородна
кислотаЗО-35
Отклонение значений компонентов от ука занных пределов приводит к окислению поверхности образцов.
Пример. Образны, вырезанные из кристалловCd -Hdrtn e, шлифуют микропо„ О| SOio
Claims (2)
- рошком М-7, тщательно промывакгг водой и химически полируют. Дл приготовлени полирующего состава компоненты берут в следующем соотношении (об.%): 50%-ный водный раствор трехокиси хрома30 Азотна кислота (56%-на )35 Плавикова кислота (35%-на )35 Образцы выдерживают в приготовленном травителе в течение ЗО-бОсек при 25 С и затем промывают деионизированной водо ) в .высушивают фильтровальной бумагой. Все химически полированные образны имеЮт гл кую, зеркальную поверхность без окисной пленки. П р и м е р 2. Образцы, нарезанные из кристаллов .Te , шлифуют микропорош ком M-iO, затем тщательно промывают в деионизированной воде. Дл химической полировки образцов ком роненты берут в следующем соотношении (об.%): 50% -нь1й раствор трехокиси хрома в воде4 О Азотна кислота (б1%-на )30 Плавикова кислота (40%-на )ЗО Образцы выдерживают в приготовленно травителе 30-60 сек при 25 С, а затем Ьромывают в воде и высушивают фильтрова ной бумагой. Все химически полированные образцы обладают зеркальной поверхностью без окисной пленки, Предлагаемый полирующий гравитель обео печивает хорошее качество травлени и дает возможность получить полированную- поверхность образцов тройных твердых растворов ртуть кадмий-теллур. Формула изобретени ПОлирукщий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртуть ка миЛ-теллур , содержащий водный раствор трехокиси хрома, отличающийс тем, что, с целью обеспечени гладкой зеркальной поверхности образцЬв и предотвращени образовани окисной пленки, он допо; нительно содержит азотную и фтористоводородную кислоты, а компоненты вз ты в еледуклдем соотношении (об.%): водный раствор трехокиси хромаЗО-40 Азотна кислота30-35 Фтористоводородна кислотаЗО-35 Источники информации, прни тые во внимание при экспертизе: , 1. - .Pafne -,J.E.PmrteEB.7 eveBat on of Dislocation i(Hg,Cd)Te Ъу a Etch Techhigre J.EEecir.Soc.i971 v.H.a и H8,pi86S- I86f
- 2. Авторское свидетельство СССР Nfe 428485, кл. Н OIL 21/306, ;14.09.72.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7602385812A SU577589A1 (ru) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7602385812A SU577589A1 (ru) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU577589A1 true SU577589A1 (ru) | 1977-10-25 |
Family
ID=20670441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU7602385812A SU577589A1 (ru) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU577589A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2542894C1 (ru) * | 2013-10-25 | 2015-02-27 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | Состав полирующего травителя для теллурида кадмия-ртути |
| RU2619423C1 (ru) * | 2016-06-06 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Состав селективного травителя для теллурида кадмия-ртути |
-
1976
- 1976-07-19 SU SU7602385812A patent/SU577589A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2542894C1 (ru) * | 2013-10-25 | 2015-02-27 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | Состав полирующего травителя для теллурида кадмия-ртути |
| RU2619423C1 (ru) * | 2016-06-06 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Состав селективного травителя для теллурида кадмия-ртути |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4787997A (en) | Etching solution for evaluating crystal faults | |
| JPH04234118A (ja) | 異物粒子の除去方法 | |
| EP0159579A2 (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
| JPH04506528A (ja) | ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液 | |
| FR2478117A1 (fr) | Pigments nacres ameliores au bleu de paris | |
| SU577589A1 (ru) | Полирующий травитель дл монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур | |
| JPH05251416A (ja) | 低表面張力アンモニア水組成物 | |
| US3262825A (en) | Method for etching crystals of group iii(a)-v(a) compounds and etchant used therefor | |
| EP0009677B1 (fr) | Solution quaternaire de décapage chimique du silicium et procédé de décapage utilisant une telle solution | |
| JP2841627B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| KR100193345B1 (ko) | 저 표면장력 황산 조성물 | |
| US2461840A (en) | Method of forming low-reflecting surfaces on optical elements | |
| US3860467A (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO{HD 3 {B and chemically similar materials | |
| Bloem et al. | Etching Ge with Mixtures of HF‐H 2 O 2‐H 2 O | |
| US4071397A (en) | Silicon metallographic etch | |
| JPH1167742A (ja) | 半導体基板用エッチング液およびエッチング方法 | |
| JPS6059303B2 (ja) | クロム・エッチング用の酸性の水性エッチャント組成物 | |
| JP3261819B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPS5836674B2 (ja) | 酸化クロム被膜形成方法 | |
| SU1135382A1 (ru) | Травитель дл прецизионного химического полировани монокристаллов антимонида гали и твердых растворов на его основе | |
| JPH07283209A (ja) | ＧａＡｓウエハの表面処理方法 | |
| JPS63114132A (ja) | 表面処理液 | |
| JPH0653201A (ja) | 化合物半導体基板の表面形成法 | |
| JPS605560B2 (ja) | インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法 | |
| SU1660407A1 (ru) | Травитель дл ниобата бари -стронци |