19 Изобретение относитс к оптоэлектронике , в частности к технологии изготовлени преобразователей изображений . Известен способ изготовлени преобразователей изображений, включающий процесс вакуумного нанесени фоточувствительного сло на прозрачную подложку поверх провод щего сло . Недостатком данного способа изгот товлени вл етс нетехнологичность процесса вакуумного нанесени фоточувствительного сло на подложку прозрачного провод щего покрыти , поскольку трудно обеспечить достаточную адгезию полупроводникового сло на провод щем покрытии. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту вл етс способ изготовлени преобразователей изображений, включающий формирование прозрачнрго электрода, диэлектрического сло и закрепление отполированной стороной полупроводниковой пластины на подложке. В этом слу чае электрод нанос т на подложку, затем поверх него нанос т диэлектрический слой, на котором закрепл ют плартину полупроводника толщиной 3-5 мм, отполированную предварительно с оДной стороны, и сполировывают до толщины 10-100 мкм. Недостатком такого способа вл етс малый процент выхода годных преобразователей , поскольку при полировке приклеенной пластины абразив нарушает диэлектрический слой; скалывающиес куски полупроводника замыкают полупроводник с электродом; кроме того, замыкание возможно при выкрашивании диэлектрического сло из-под краев полупроводника. В результате структура тер ет свойства симметричной структуры МДПДМ и становитс неработоспособной . Помимо этого, эатрудни- тельно выполнить диэлектрический слой достаточно тонким (тоньше 4-5 мкм) и однородным (с неоднородностью не более 1 мкм). Целью изобретени вл етс повьш1ение процента выхода годных преобразователей . Цель достигаетс тем, что по способу изготовлени преобразователей изображений, включающему формирование прозрачного электрода, диэлектрического сло и закрепление отполированной стороной полупроводниковой 7 2 пластины на подложке, формируют по крайней мере одно отверстие, в котором размещают перемвдчку, а диэлектрический слой формируют на отполированной стороне полупроводниковой пластины, на диэлектрический слой нанос т электрод, пластину закрепл ют на подложке и осуществл ют контакт электрода с перемычкой. На фиг.1 показана конструкци преобразовател ; на фиг.2 - последовательность операций при изготовлении преобразовател . Устройство содержит (см. фиг.1) подложки 1 с отверсти ми 2, в которых размещены перемычки 3, соедин ющие контакты 4 с электродами 5, полупроводниковую пластину 6, диэлектрический слой 7, жидкий кристалл 8, прокладку 9. Устройство работает следующим образом . При подаче на контакты 4, соединенные перемычками 3 с электродами 5, импульса питающего напр жени достаточной амплитуды полупроводник 6 переходит в обедненное состо ние. При этом лишь мала часть питающего напр жени падает на слое жидкого кристалла 8. Однако при экспозиции полупроводниковой пластины 6, экранировка электрического пол в нем приводит к перераспределению напр жени на жидкий кристалл 8 и вызывает в нем электрооптический эффект. Способ реализуетс следующим образом (см. фиг.2). Пластину полупроводника 6, например кремни , полируют с одной стороны, протравливают дл сн ти -нарушенного при полировке сло . Затем на очищенной стороне полупроводника 6 формируют диэлектрический слой 7 - окислением пoлyпpoвo никa,/ вакуумным напылением, либо химическим осаждением и другим доступным способом . Толщину диэлектрического сло 7 выбирают по соображени м электрической прочности и максимально возможной удельной (на ед. площади) электрической емкости. Например, пленки двуокиси титана - двуокиси кремни , наносимые термическим разложением, выбирают толщиной .0,1-0,3 мкм. Затем на уже сформированный слой диэлектрика нанос т электрод 5, при этом край электрода 5 должен отсто ть от кра диэлектрического покрыти 7 на 0,5 1 мм дл устранени возможных замыканий между электродом 5 и полупровод39 НИКОМ 6. Электрод 5 нанос т вакуумным напьшенией или термическим разложением , необходимую его форму создают применением трафарета при напылении, либо последующим стравливанием его краев. Затем полупроводниковую пластину 6 приклеивают электродом 5 к подложке 1, в которой предварительно вьшолн ют отверстие 2. Приклеивание производитс с помощью оптического кле ОК-60, либо ОК-72, дающие малые механические напр жени после полимеризации . Приведение электрода 5 в контакт с перемычкой 3 производ т до полимеризации кле введением перемычек 3 в отверстие 2 подложки 1 до получени контакта (в этом случае перемычки 3 выполн ют из проволоки), либо до приклейки перемычка 3 припаиваетс к электроду 5 и вводитс в отверстие 2 при приклейке пластины 6 к подложке 1, либо перемычку 3 выполн ют из легкоплавкого металла (индий, олово-свинец и т.д.), выступающей над поверхностью подложки. На электрод 5 в этом случае также нанос т (например, кольцо ) слой, вьтолненный из аналогичного материала. При приклейке перемычку 3 и указанный слой совмещают и привод т в контакт. Последующий разогрев до температуры плавлени металла (но не вьше температуры разложени кле ) и охлаждение надежно соедин ют перемычку 3 с электродом 5. Соединение перемычки 3 с электродом 5 может быть осуществлено также аналогичным способом . После полимеризации (затвердевани ) кле производ т полировку пластины 6, жестко закрепленной на подложке 1. Сколы пластины 6 на кра х привод т к замыканию ее с электродом 5. Кроме того, абразивный порошок при полировке не нарушает электрическое соединение электрода 5 с контактами 4, поскольку соедин юща их перемычка 3 размещена внутри подложки 1 в отверстии 2. Дп того . чтобы пластина 6 не прогибалась при полировке, отверстие 2 должно иметь возможно малый диаметр (не более 0,3 мм) при полировке пластины 6 до толщины менее 50 мкм. По окончании полировки производ т сборку преобразовател путем приведени в контакт обеих подложек через прокладки 9, задающие толщину жидкого кристалла 8. Заливку Жидкого кристалла производ т через отверстие 2 во второй из подложек 1. Пространство же между ттодложками 1 и отверсти 2 в них после сборки заливают герметизирующим составом (клей Эластосил). Подложки выбраны из стекла К8 толщиной 5 мм и диаметром 40 мм и имеют по два отверсти диаметром 0,8 мм, рассто ние между которыми было равно 17 мм. Пластина полупроводника (кремни ) диаметром 20 мм, толщиной 5 мм отполирована с одной стороны и протравлена в травителе СР-4А..При этом, подложка и пластина имеют неплоскостность N 5. На пластину затем нанесен диэлектрический слой двуокиси титана-двуокиси кремни толщиной 0,2мкм, на который нанос т электродный прозрачный слой чере.з маску с отверстием диаметром 18мм. По краю электродного сло выполн ют хорошо провод щее кольцо (внутренний диаметр 16 мм) путем последовательного напылени хрома , меди и никел , к которому припаивают две перемычки из золотой проволоки диаметром 0,3 мм, которые затем ввод т в отверсти подложки; При этом пластина прижимаетс к подложке с нанесенной на нее каплей кле ОК-60. Толщина кле путем сдавливани доводитс до.5-10 мкм, при этом клей затекает в отверсти подложки, закрепл перемычки в отверсти х подложки. Концы перемычек припаивают к контактам . Дл скорейшей полимеризации собранную конструкцию нагревают,до 100 С и выдерживают до полной полимеризации . Затем полупроводниковую пластину сполировывают до толщины 200 мкм, неплоскостность ее составл ет N 1-2. Кольцева прокладка толщиной 5 мкм накладыва,етс на полупроводник , затем накладываетс втора подложка с электродом. Вс конструкци зажимаетс в специальной оправе , после чего через отверстие во второй подложке заливаетс жидкий кристалл. Изготовленный таким способом пре-, образователь имеет следующие параметры: чувствительность до 10 Дж/см при времени включени отклика около 1 мс, неоднородность контраста по апертуре не превьшгает 30% при среднем значении контраста около 120:1, однородность остальных параметров также не превьшает 30%. Преимущество данного способа из-, готовлени преобразователей заключаетс в следующем.