SU940603A1

SU940603A1 - METHOD FOR AUTO EPITAXIAL EXTENSION OF SEMICONDUCTORS FROM LIQUID PHASE

Info

Publication number: SU940603A1
Application number: SU3242775/25A
Authority: SU
Inventors: В.Д. Лисовенко; И.Е. Марончук; Б.И. Сушко; Ю.Е. Марончук; А.М. Тузовский
Original assignee: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date: 1980-10-29
Filing date: 1980-10-29
Publication date: 1999-11-10

Abstract

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по площади S=(0,005-0,5) Dh см., где D - диаметр подложек, см; h - ширина узкого зазора, см.The autoepitaxial buildup of semiconductors from the liquid phase, including the preparation of two saturated solutions-melts containing arsenic, using gallium and indium as a solvent metal, introducing one melt solution into a narrow gap between the substrates, bringing the resulting system into contact with another solution- melt, the volume of which is at least an order of magnitude greater than the volume of the melt in a narrow gap, and isothermal exposure, characterized in that, in order to obtain thick layers of silicon to improve them As a solution, a silicon solution in gallium is introduced into a narrow gap with an arsenic content in solutions of 1–5 wt.% and contacting of solutions — melts over the area S = (0.005–0.5) Dh see, where D is the diameter of the substrates, see; h - narrow gap width, see