SU788381A1 - Коммутатор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к автоматике и коммутационной технике.

Известны коммутаторы, содержащие транзисторы р-п-р и п-р-п типа проводимости, резисторы, диод и конденсаторы 1.

Недостаток этого устройства - низка  помехоустойчивость.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому  вл етс  коммутатор, содержащий первый и второй транзисторы п-р-п типа проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к коллектору третьего транзистора п-р-п типа проводимости , эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питани , а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен с минусовой шиной источника питани , котора  через третий резистор подключена к базе п того транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора п-р-п типа проводимости , база первого транзистора п-р-п типа проводимости соединена с входной ш,иной , а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости , эмиттер которого через параллельно включенные п тый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питани , котора  через шестой резистор подключена к коллектору второго транзистора п-р-п типа проводимости через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, котора  через последовательно включенные восьмой резис10 тор и второй конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питани , при этом база второго транзистора п-р-п типа проводимости подключена к выходной шине, а база п того транзистора р-п-р типа прово , димости через дев тый резистор подключе на к шине управлени  2.

Недостаток известного устройства -- низка  помехоустойчивость.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости коммутатора.

20 Цель аостиг;1етс  тем, что в коммутаторе , гс:,. первый и второй транзисторы .,-п-п р1:13одимости, эмиттеры которых объели;;:: г;ь; и подключены к коллектпру третье п ;;:i3i:cTopa п-р-п типа проводимости , эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питани , а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен минусовой шивторой резистор соединен с минусовой шитий резистор подключена к базе п того транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора п-р-п типа проводимости , база первого транзистора п-р-п типа проводимости соединена с входной шиной , а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости , эмиттер которого через параллельно включенные п тый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питани , котора  через шестой резистор подключена к коллектору второго транзистора п-р-п типа проводимости, через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, котора  через последовательно включенные восьмой резистор и второй конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питани , при этом база второго транзистора п-р-п типа проводимости подключена к выходной шине, а база п того транзистора р-п-р типа проводимости через дев тый резистор подключена к шине управлени , введены п ть дополнительных транзисторов, шесть резисторов и третий конденсатор, при этом база первого дополнительного транзистора п-р-п типа проводимости через третий конденсатор соединена с общей шиной, а через первый дополнительный резистор с эмиттером четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер через второй дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питани , а коллектор - к базе второго р-п-р типа проводимости и коллектору третьего п-р-п типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор к коллектору шестого транзистора р-п-р типа проводимости, базе четвертого п-р-п типа проводимости и коллектору п того р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов, коллектор первого из которых через четвертый дополнительный резистор соединен с плюсовой шиной источника питани , а эмиттер с базами третьего п-р-п типа проводимости и п того р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-п-р типа проводимости и п того р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов и выходной шиной, при этом коллектор второго дополнительного транзистора р-п-р типа проводимости через п тый дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питани , а эмиттеры третьего п-р-п типа проводимости и п того р-п-р типа проводимости дополнительных

Транзисторов ооъединены и через шестой дополнительный резистор соединены с общей шиной.

На чертеже представлена принципиальна  схема коммутатора.

Устройство содержит следующие элементы: первый 1 и второй 2 транзисторы п-р-п типа проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к коллектору третьего транзистора 3 п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор 4

соединен с минусовой шиной 5 источника питани , а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора б п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор 7 соединен с минусовой шиной 5 источника питани , котора  через третий резистор 8 подключена к базе п того транзистора 9 р-п-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной 10, а коллектор через четвертый резистор 11 подключен к базе транзистора 6, база транзистора 1 соединена с входной шиной 12, а коллектор через диод 13 подключен к базе шестого транзистора 14 р-п-р типа проводимости , эмиттер которого через параллельно включенные п тый резистор 15 и первый 16 конденсатор соединен с плюсовой шиной 17 источника питани , котора  через шестой резистор 18 подключена к коллектору транзистора 2, через седьмой резистор 19 к базе транзистора 14, котора  через последовательно включенные восьмой резистор 20 и второй конденсатор 21 соединена с плюсовой шиной 17 источника питани , база транзистора 2 подключена к выходной шине 22, а база транзистора 9 через дев тый резистор 23 подключена к шине 24 управлени , база первого дополнительного

транзистора 25 п-р-п типа проводимости через третий конденсатор 26 соединена с общей щиной 10, а через первый дополнительный резистор 27 с эмиттером транзистора 6, эмиттер через второй дополнительный резистор 28 подключен к минусовой щине 5 источника питани , а коллектор к базе второго 29 р-п-р типа проводимости и коллектору третьего 30 п-р-п типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор 31 к коллектору транзистора 14, базе четвертого 32 п-р-п типа проводимости и коллектору п того 33 р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов, коллектор первого из которых через четвертый дополнительный

Claims (2)

1. 0 резистор 34 соединен с плюсовой шиной 17 источника питани , а эмиттер с базами третьего 30 и п того 33 и эмиттером второго 29 дополнительных транзисторов и выходной шиной 22, коллектор транзистора 29 через п тый дополнительный резистор 35 подключен к минусовой шине .5 источника питани , а эмиттеры транзисторов 30 и 33 объединены и через шестой дополнителный резистор 36 соединены с общей шиной 10. Коммутатор работает следующим образом . При поступлении на шину 24 управлени  нулевого потенциала транзистор 9 открываетс  и на базе транзистора 3 устанавливаетс  потенциал, при котором через транзисторы 1 и 2 протекает ток. В точке соединени  диода 13 с резистором 19 устанавливаетс  потенциал, обеспечивающий усилительный режим транзистора 14. Изменение напр жени  на резисторах 7 и 11 одновременно открывает транзистор 25, составл ющий с транзистором 14 каскад сдвига уровн  Режимы работы транзисторов 14 и 25 по посто нному току таковы, что через них протекают одинаковые по величине встречные токи от источников питани , обеспечивающие одинаковые по величине, но противоположные по пол рности напр жени  начального смещени  транзисторов 29 и 32. В результате равенства напр жений смещени  на выходной шине 22 коммутатора устанавливаетс  нулевой потенциал по посто нному току. Введение конденсатора 26, резистора 27 и транзистора 25 приводит к одновременности возникновени  и продолжительности выбросов при переключении, что устран ет коммутационную помеху на выходе коммутатора . При поступлении на шину 24 управлени  потенциала положительной пол рности транзистор 9 закрываетс , вызыва  последовательное синхронное закрывание всех транзисторов коммутатора, что приводит к сохранению на выходной шине 22 нулевого потенциала. Формула изобретени  Коммутатор, содержащий первый и второй транзисторы п-р-п типа проводимости, SMnfTepbi которых объединены и подключены к коллектору третьего транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питани , а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен с минусовой шиной источника питани , котора  через третий резистор подключена к базе п того транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, база первого транзистора п-р-п типа проводимости соединена с входной шиной, а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого через параллельно включенные п тый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питани , котора  через щестой резистор подключена к коллектору второго транзистора п-р-п типа проводимости , через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, котора  через последовательно включенные вось .мой резистор и второй конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питани , при этом база второго транзистора п-р-п типа проводимости подключена к выходной шине, а база п того транзистора р-п-р типа проводимости через дев тый резистор подключена к шине управлени , отличающийс  тем, что, с целью пов 51шени  помехоустойчивости , введены п ть дополнительных транзисторов, шесть резисторов и третий конденсатор, при этом база первого дополнительного транзистора п-р-п типа проводимости через третий конденсатор соединена с общей шиной, а через первый дополнительный резистор с эмиттером четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер через второй дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питани , а коллектор - к базе второго р-п-р типа проводимости и коллектору третьего п-р-п типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор к коллектору шестого транзистора р-п-р типа проводимости, базе четвертого п-р-п типа проводимости и коллектору п того р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов , коллектор первого из которых через четвертый дополнительный резистор соединен с плюсовой шиной источника питани , а эмиттер с базами третьего п-р-п типа проводимости и п того р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов и выходной щиной, при этом коллектор второго дополнительного транзистора р-п-р проводимости через п тый дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питани , а эмиттеры третьего п-р-п типа проводимости и п того р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов объединены и через шестой дополнительный резистор соединены с общей шиной. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 315292, кл. Н 03 К 17/60. 01.10.71.
2. 2.Авторское свидетельство СССР № 413624, кл. Н 03 К 17/60. 15.03.74 (прототип ) .