SU1290512A1 - Преобразователь уровн - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Может быть использовано дл  преобразовани  цифровых сигналов уровней ТТЛ-элементов, МОП-, КМОП- элементов и других в сигналы логических уровней элементов ЭСЛ-типа. Цель изобретени  - расширение области применени  преобразовател  уровн  путем обеспечени  преобразовани  в уровни ЭСЛ элементов, кроме уровней ТТЛ элементов , уровней ДТЛ, КМДП, НДП и РТЛ элементов, Устройство содержит источники тока 1, 2, транзистор 3 типа п-р-п, диоды 6, 7, 8, резисторы 9, .10. Дл  достижени  поставленной цели .в устройство введены транзисторы 4, 5 типа р-п-р. 1 ил. (Л fe CD О сд G -g 72

Description

112

Изобретение относитс  к импульсно технике и предназначено дл  преобразвани  цифровых сигналов уровней ТТЛ- элементов, МОП-, КМОП-элементов и других в сигналы логических уровней элементов ЭСЛ-типа.

Цель изобретени  - расширение области применени  преобразовател  уровн  путем обеспечени  преобразовани  в уровни ЭСЛ-элементов, кроме уровней ТТЛ-элементов, уровней ДТЛКМДП- , МДП- и РТЛ-элемёнтов.

На Чертеже приведена принципиальна  схема преобразовател  уровн .

Устройство содержит первый 1 и вт рой 2 источники тока, п-р-п транзис- тор 3, первый 4 и второй 5 р-п-р-тра зисторы первый 6, второй 7 и третий 8 диоды, первый 9 и второй 10 резисторы . Первые вьгооды источников тока 1 и 2 соединены с шиной 11 питани , второй вьюод источника тока 1 соединен с базой п-р-п-транзистора 3, эмиттер которого соединен с выходом

12устройства, второй вьшод источника тока 2 соединен с коллектором и базой р-п-р-транзистора 4 и базой р-п-р-транзистора 5, эмиттеры р-п-р- транзисторов 4 и 5 соединены с анодами соответственно диодов 7 и 8, катоды которых подключены к входам

13и 14 устройства, коллектор р-п-р- транзистора 5 соединен с катодом диода 6 Через резистор 10, катод диода

7 через резистор 9 соединен с базой п-р-п-транзистора 3, коллектор которого соединен с анодом диода 6 и общей шиной.

Диоды 7 и 8 защищают переходы база - эмиттер транзисторов 4 и 5 от недопустимого обратного напр жени  при уровн х входных сигналов свыше 5В, Диод 6 предотвращает открывание перехода база - коллектор транзистора 3 и ограничивает базовый ток этого транзистора при высоком уровне

сигнала на входе. I

Устройство работает следзпощим образом ,

При более высоком уровне напр жени  на входе 14 по сравнению с уровнем на входе 13 открьгоаетс  транзистор 5 и с превышением тока через резисторы 9 и 10 тока источника тока открываетс  транзистор 3 и формируетс  сигнал высокого уровн  ЭСЛ- элементов. В протийном случае (при более высоком напр жении на входе

25

9051

й о 5

0 ,

н-

50

30

40

45

22

13) транзистор 5 закрыт. Соответственно на выходе устройства формируетс  сигнал низкого уровн  ЭСЛ-схем. Таким образом, в зависимости от

соотношени  сигналов на входах 13 и . 14 преобразовател  уровн  на выходе 12 формируютс  различные уровни ЗСЛ-элементов,

Преобразователь уровн  можно использовать в двух режимах включени : в первом на входы 13 и 14 подаютс  парафазные (взаимно инверсные) сигналы; во втором один из входов 13 или 14 используетс  дл  подачи опорного напр жени , а на другой подаютс  цифровые сигналы.

Ограничени ми по максимальному уровню входного сигнала  вл етс  напр жение пробо  транзистора 5 и активных элементов источника 2 тока. При реализации преобразовател  по стандартной технологии ЭСЛ-схем величина напр жени  пробо  обеспечиваетс  в пределах нескольких дес тков вольт. Минимальна  величина входного сигнала ограничена требуемым током через резистор 10 дл  достаточного повышени  уровн  на базе транзистора 3 и достигает 2,5-3 В.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Преобразователь уровн , содержащий два входа, два источника тока, п-р-п-транзистор, три диода и два резистора , база п-р-п-транзистора через первый источник тока соединена с шиной питани  и первым выводом второго источника тока, базой п-р-п- транзистора через первый резистор соединена с анодом первого диода, катод которого подключен к коллектору п-р-п-транзистора и общей шине, о т- личающийс  тем, что, с целью расширени  области применени , введены два р-п-р-транзистора, базы которых соединены с коллектором первого р-п-р-транзистора и вторым выводом второго источника тока, эмиттеры первого и второго р-п-р- транзисторов соединены соответствен- но через второй и третий диоды с входами устройства, анод первого диода через второй резистор соединен с- коллектором р-п-р транзистора, эмиттер п-р-п-транзистора подключен к выходу устройства.