SU1262719A1 - Согласующее устройство - Google Patents

Согласующее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1262719A1
SU1262719A1 SU853897407A SU3897407A SU1262719A1 SU 1262719 A1 SU1262719 A1 SU 1262719A1 SU 853897407 A SU853897407 A SU 853897407A SU 3897407 A SU3897407 A SU 3897407A SU 1262719 A1 SU1262719 A1 SU 1262719A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
transistors
base
additional
Prior art date
Application number
SU853897407A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Васильевич Алюшин
Original Assignee
Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт filed Critical Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт
Priority to SU853897407A priority Critical patent/SU1262719A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1262719A1 publication Critical patent/SU1262719A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике, в частности к интегральным схемам на элементах с инжекционным питанием (ИЛ), и может быть использовано при создании БИС в качестве элемента согласовани  схем ТТЛ и КМДП логики с . Цель изобретени  - уменьшение потребл емой мощности, повьшение быстродействи  и расширение функциональных возможностей согласующего устройства. Устройство содержит транзисторы (Т) 1, 2 и 5, источник 3 тока, выход 4, с шину 6 питани , дополнительные вхо (/) С

Description

ды 10.1-10.X. Дл  достижени  поставленной цели в устройство введены источник 7 ток-а, дополнителыа 1е 8.1 8 .x, диоды 9.1 - 9.x. Наличие начального , всплеска тока у Т 1 ускор ет выключение Т 2 и не приводит к по влению помехи.на выходе устройства.
Задержка переключени  устройства определ етс  только перезар дом емкости базы Т 2. Устройство обладает высокой технологичностью, может быть изготовлено по стандартной бипол рной технологии, имеет большой диапазон изменени  тока питани . 1 ил.

Claims (2)

  1. Изобретение относитс  к импульсной технике, а именно к интегральным схемам на элементахс инжекционным питанием (ИЛ), и может найти применение при создании БИС в качестве элемента согласовани  схем ТТЛ и КМДП логики с . Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности, увелич ние быстродействи  и расширение функ циональных возможностей согласующег устройства. : На чертеже показана принципиальна  схема согласующего устройства. Согласующее устройство содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, эмиттеры которых соединены с общей шиной, первый коллектор первого тра зистора 1 через источник 3 тока под ключен к общей шине и базе транзистора 2, коллектор которого соединен с выходом 4, второй коллектор и база транзистора 1 соединены соответственно с базой и эмиттером третьего транзистора 5, коллектор которого подключен к шине 6 питани  и через дополнительный источник 7 тока соединен с его базой и базами четве того, п того и дополнительных транзисторов 8.1-8.Х, коллекторы которых через соответствующие диоды 9.1-9.X подключены к входам и дополнительны входам 10.1-10.X, а эмиттеры подклю чены к соответствующим дополнительным коллекторам транзистора 1. Согласующее устройство работает следующим образом. При низком потенциале на входах 10.1-10.x диоды 9.1-9.x закрыты,тран зисторы 8.1-8.x наход тс  в насьщении . Транзисторы 1 и 5 работают в активной области и образуют токовое зеркало. Ток первого коллектора транзистора 2 равен 1 + КХ где I, - ток источника 7 тока; К - отношение площади дополнительного коллектора транзистора 1 к площади первого коллектора; X - количество дополнительных коллекторов транзистора 1. При подаче высокого потенциала на Р входов 9 (,5 В) Р диодов 9 открываютс , Р транзисторов 8 начинают работать в активной области.Выходной ток равен ( Г+ К(х-Р) Если Р X, то I 1|. Если I - где Ij - ток источника 3 тока, транзистор 2 открываетс , на выходе 4 по вл етс  низкий потенциал, управл ющий И Л элементами. Выбира  величину источника 3 тока соответствующим образом, можно программировать согласующее устройство на выполнение различных функций.При. 1 1, -1 согласующее устройство выполн ет функцию логйческр-, го элемента ХИ. При J+ fx-P+T) согласующее устройство 1 / вьшолн ет функцию мажоритарного элемента Р из X. Особенностью согласующего устройства  вл етс  то, что после того,как ; транзисторы 8.1-8.x вьШдут из насьпцени  (,5B), входной ток мало зависит от входного напр жени  вплоть 31 до напр жени  пробо  коллекторных пе реходов транзисторов 8.1-8.Х. что позвол ет согласовывать И Л схемы по входу не только с ТТЛ логикой, но и с КМДП схемами с напр жением питани  1.5-30 В. Потребл ема  мощность и быстродействие согласующего устройства при этом не завис т от величины высокого входного логического уровн  В предлагаемом устройстве после прихода положительного перепада напр жени  на входные шины потенциал базы транзистора 5 увеличитс , что приведет к увеличению тока транзистора 1 . Однако из-за наличи  включен ной отрицательной обратной св зи вто рой и дополнительные коллекторы транзистора 1 ограничат увеличение этого тока, кроме того, из-за наличи  транзисторов 8.1-8.Х узлова  емкость базы транзистора 5 имеет большое значение , что также ограничивает величину изменени  потенциала базы. После того, как коллекторные переходы транзисторов 8.1-8.Х закроютс , схема войдет в нормальный режим работы с большим значением тока первого коллектора транзистора. Транзистор 2 закроетс . На выходе 4 по витс  высокий потенциал. Наличие начального всплеска тока у транзистора 1 ускорит выключение транзистора 2 и не приведет к по влению импульса помехи на выходе согла сующего устройства. Задержка перек-; 194 лючени  предлагаемого устройства определ етс  только перезар дом емкости базы транзистора
  2. 2. Формула изобретени  Согласующее устройство, содержащее вход, п ть транзисторов, источник тока, первый вывод которого подключен к общей шине и эмиттером первого и второго транзисторов, причем первый коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора , коллектор которого подключен к выходу, отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  потребл емой мощности, увеличени  быстродействи  и расширени  функциональных возможностей , в него введены ), дополнительный источник тока и дополнительные транзисторы, второй коллектор и база первого транзистора подключены соответственно к базе и эмиттеру третьего транзистора, коллектор которого подключен к шине питани  и через дополнительный источник тока соединен с его базой и базами четвертого, п того и дополнительных транзисторов, коллекторы которых через соответству1ощие диоды соединены с входом и дополнительными входами, а эмиттеры подкда)чены к соответствуюшрим дополнительным коллекторам первого транзистора, второй вывод источника тока подключен к базе второго транзистора.
SU853897407A 1985-05-20 1985-05-20 Согласующее устройство SU1262719A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853897407A SU1262719A1 (ru) 1985-05-20 1985-05-20 Согласующее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853897407A SU1262719A1 (ru) 1985-05-20 1985-05-20 Согласующее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1262719A1 true SU1262719A1 (ru) 1986-10-07

Family

ID=21177959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853897407A SU1262719A1 (ru) 1985-05-20 1985-05-20 Согласующее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1262719A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2506696C1 (ru) * 2012-09-10 2014-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Мажоритарный элемент с многозначным внутренним представлением сигналов

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Алсксеенко А.Г. и Шагурин И.И. Микросхемотехника. П.: Радио и св зь, 1982, с.94, рис.2,33 а. Аваев Н.А., Дулин В.Н., Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М.: Советское радио, 1977, с. 187, рис.5.19. 6 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2506696C1 (ru) * 2012-09-10 2014-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Мажоритарный элемент с многозначным внутренним представлением сигналов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0812488B1 (en) Integrated driver for half-bridge circuit
US4798983A (en) Driving circuit for cascode BiMOS switch
US4931656A (en) Means to dynamically discharge a capacitively charged electrical device
US4109162A (en) Multi-stage integrated injection logic circuit with current mirror
SU1262719A1 (ru) Согласующее устройство
EP0296193A4 (en) TTL COMPATIBLE CMOS INPUT CIRCUIT.
JPH06500210A (ja) 3端子非反転形トランジスタスイッチ
US4880995A (en) Electrically isolated MOSFET drive circuit
CN219164463U (zh) 一种单输入端的马达驱动电路
SU1598158A1 (ru) Трехкаскадный ТТЛШ-вентиль
SU1378049A1 (ru) Мажоритарный элемент
SU1320896A1 (ru) Микромощный инвертор
RU2073935C1 (ru) Комплементарная биполярная схема и-не
SU1413720A1 (ru) Логический элемент
SU1633486A1 (ru) Полевой транзисторный ключ
SU1138942A1 (ru) Устройство согласовани
JP2734254B2 (ja) レベル変換回路
SU1324103A1 (ru) ТТЛ-вентиль
SU1598152A1 (ru) Транзисторное реле
SU1631714A1 (ru) Логический элемент на переключении тока
SU1370732A1 (ru) RS-триггер
SU1390796A1 (ru) Транзисторный ключ
KR960007668Y1 (ko) 논리곱 부정회로
SU1422379A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1045391A1 (ru) Переключатель тока