SU1633486A1 - Полевой транзисторный ключ - Google Patents
Полевой транзисторный ключ Download PDFInfo
- Publication number
- SU1633486A1 SU1633486A1 SU894704289A SU4704289A SU1633486A1 SU 1633486 A1 SU1633486 A1 SU 1633486A1 SU 894704289 A SU894704289 A SU 894704289A SU 4704289 A SU4704289 A SU 4704289A SU 1633486 A1 SU1633486 A1 SU 1633486A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- key
- shunt
- base
- output
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в силовой коммутационной п арату- ре . Цель изобретени - повышение быстродействи и уменьшени м ости, рассеиваемой ключевым МДП-тран з :стором - достигаетс путем включени luvHTnpy-ii te т.-анчистора 2 между за- тртром и нет ,ом ключевого МДП-тран- 1 .1 введени конденсатора 9. Ппч чагъ-.рании . левого МЛП-транзисто- ра чсTIP з конденсатор 9 происходит поьышенн-3 ьа.чр жгчи на базе шунтирующего ттн чнстора 2, что увеличивает степень его насыщени и преп тствует повышению напр жени на затворе ключевого МЛП-тран гч- тора 1. В результате К- ДТ ТГ чгтор форсированно закрываетс . IPBOH транзисторный члюч СОДР;ЖЬ:ГГ т открывающий транчь :тор 3, рклн ча ощий транзистор 4 допопнительного типа, диод 5, три речист ира Ь-Л, донолнительнь й диол IS. 1 ил. Ъ (О (Л
Description
-FLFLОд
со со
4Ь
00
&
пг
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано -в силовой коммутационной аппаратуре, устройствах автоматики и источниках вторичного электропитани .
Целью изобретени вл етс повышение быстродействи и уменьшение мощности, рассеиваемой ключевым МДП- транэистором.
Цепь достигаетс за счет увеличени скорости запирани ключевого МДП-транзистора путем подключени меж ду его затвором и истоком шунтирующего транзистора, база которого через введенный конденсатор соединена цепью обратной св зи с выходом ключа. При этом обеспечиваютс насыщение шунтирующего транзистора, снижение отрицательного вли ни емкости затвор- исток и тем самым быстрое запирание ключевого МДП-транзистора.
На чертеже приведена принципиальна схема полевого транзисторного ключа.
Устройство содержит ключевой МДП- транзистор I, например, n-типа, шунтирующий 2 и открывающий 3 транзисторы также n-p-n-типа, включающий транзистор 4 дополнительного типа, диод 5, три резистора 6-8 и конденсатор 9.
Ключевой МДП-транзистор I включен между силовым 10 и общим 11 выводами ключа.
Конденсатор 9 и первый резистор 6 включены параллельно между силовым выводом 10 ключа и первым выводом вто рого резистора 7, второй вывод которого подключен к базе шунтирующего 2 коллектору открывающего 3 транзистора и катоду диода 5.
Затвор ключевого МДП-транзистора 1 соединен с коллектором шунтирующего транзистора 2 и с базой включающего транзистора 4 дополнительного типа, эмиттер которого подключен к управл ю тему выводу 12 ключа, а коллектор через третий резистор 8 - к базе открывающего транзистора 3.
Эмиттеры шунтирующего 2 вающего 3 транзисторов и да 5 подключену к общему ключа.
Силовой вывод 10 ключа череч нагрузку 13 подключаетс к клемме 14 питани .
Между эмиттером и коллектором вк.чю чающего транзистора 4 допо житс льного
и откры- анод диг- выводу 11
0
5
0
5
0
5
0
5
0
типа в обратном включении может быть соединен дополнительный диод 15,
Устройство функционирует следующим образом.
При поступлении положительного импульса на управл ющий вывод 12 ключа открываетс транзистор 4 и далее транзистор 3. Вследствие этого шунтирующий транзистор 2 запираетс , а через пр мосмещенный эмиттерно-базо- вый переход транзистора 4 на затвор ключевого МДП-транзистора 1 подаетс положительное напр жение. Транзистор открываетс , и через нагрузку 13 протекает ток. I
При поступлении управл ющего импульса отрицательной пол рности включающий транзистор 4 закрываетс и прекращаетс подача положительного напр жени аа затвор ключевого МДП- транзистора 1. При этом открывающий транзистор 3 самозапираетс за счет отсутстви базового тока, чему способствует также дополнительный диод 15. После этого током через резисторы 6 и 7 открываетс шунтирующий транзистор 2, обуславлива быстрый разр д емкости затвор-исток ключевого МДП-транзистора 1, в результате чего ток через него начинает уменьшатьс , а напр жение на силовом выводе 10 увеличиваетс . Конденсатор 9 при этом начинает зар жатьс , что приводит к увеличению тока базы шунтирующего транзистора 2 и росту степени его насыщени . Паразитна емкость затвор-сток МДП-транзистора 1 преп тствует запиранию этого транзистора , так как напр жение на его затворе также увеличиваетс . Дл устранени этого э&фекта и служит дополнительна цепь положительной обратной св зи через конденсатор 9 и резистор 7 к базе шунтирующего транзистора 2, коллекторный ток которого преп тствует увеличению напр жени на затворе МДП-транэистора 1. Тем самым уменьшаетс длительность спада тока стока и, следовательно, уменьшаетс мощность, рассеиваема транзистором I на этапе его выключени .
Конденсатор 9 разр жаетс во врем открытого состо ни транзистора 1, а защитный диод 5 снимает отрицательное напр жение с база-эмиттерного перехода транзистора 3.
Claims (1)
- Формула изобретениНолевой транзисторный ключ, содержащий ключевой МДП-транзистор, включенный между силовым и общим выводами ключа, шунтирующий и открывающий транзисторы, включающий транзистор дополнительного типа, диод и три резистора , отличающийс тем, что, с целью повышени быстродействи уменьшени мощности, рассеиваемой ключевым МДП-транэистором, в него введен конденсатор, включенный параллельно с первым резистором междусиловым выводом и первым выводом вто- |5 анодом диода и общим выводом ключа.рого резистора, второй вывод которого соединен с базой шунтируюсцего транзистора, коллектором открывающего транзистора и катода диода, причем затвор ключевого МДП-транэистора соединен с коллектором шунтирующего транзистора и базой включающего транзистора дополнительного типа, эмиттер которого подключен к управл ющему выводу ключа, а коллектор через третий резистор - к базе открывающего транзистора , эмиттер которого соединен с эмиттером шунтирующего транзистора,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894704289A SU1633486A1 (ru) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | Полевой транзисторный ключ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894704289A SU1633486A1 (ru) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | Полевой транзисторный ключ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1633486A1 true SU1633486A1 (ru) | 1991-03-07 |
Family
ID=21453775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894704289A SU1633486A1 (ru) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | Полевой транзисторный ключ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1633486A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445300C1 (ru) * | 2010-08-02 | 2012-03-20 | Федеральное казенное предприятие "Научно-испытательный центр ракетно-космической промышленности" | Устройство для включения пироклапана с электрическим запалом |
RU2455727C1 (ru) * | 2010-11-01 | 2012-07-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Полевой транзисторный ключ |
-
1989
- 1989-06-14 SU SU894704289A patent/SU1633486A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент СУД № 4500801, кл. Н 03 К 17/04, 19.02.85, Патент US № 4481434, кл. Н 03 К 17/04, 06.1,84. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445300C1 (ru) * | 2010-08-02 | 2012-03-20 | Федеральное казенное предприятие "Научно-испытательный центр ракетно-космической промышленности" | Устройство для включения пироклапана с электрическим запалом |
RU2455727C1 (ru) * | 2010-11-01 | 2012-07-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Полевой транзисторный ключ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4430586A (en) | Switch with an MIS-FET operated as a source follower | |
US3740581A (en) | Precision switching circuit for analog signals | |
US4612497A (en) | MOS current limiting output circuit | |
US4798983A (en) | Driving circuit for cascode BiMOS switch | |
US4945266A (en) | Composite semiconductor device | |
GB1043621A (en) | Electrical control circuits embodying semiconductor devices | |
US4672245A (en) | High frequency diverse semiconductor switch | |
US3872390A (en) | CMOS operational amplifier with internal emitter follower | |
US5006736A (en) | Control circuit for rapid gate discharge | |
JPH02214219A (ja) | バイポーラmos3値出力バッファ | |
US4948990A (en) | BiCMOS inverter circuit | |
SE7907853L (sv) | Omkopplingskrets | |
US4717845A (en) | TTL compatible CMOS input circuit | |
SU1633486A1 (ru) | Полевой транзисторный ключ | |
US4698519A (en) | Monolithically integratable high-efficiency control circuit for switching transistors | |
US5066874A (en) | Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in cmos semiconductor integrated circuit | |
JPH06500210A (ja) | 3端子非反転形トランジスタスイッチ | |
US4463318A (en) | Power amplifier circuit employing field-effect power transistors | |
US6330172B1 (en) | Switching device | |
SU1598152A1 (ru) | Транзисторное реле | |
SU1427530A1 (ru) | Ключевой усилитель мощности | |
US5723996A (en) | Leadframe for plastic-encapsulated semiconductor device, semiconductordevice using the same, and manufacturing method for the leadframe | |
SU1051717A1 (ru) | Полупроводниковый ключ | |
SU1499473A1 (ru) | Переключатель напр жени | |
SU1721766A1 (ru) | Транзисторный инвертор |