SU543625A1 - Стекло дл защиты полупроводниковых приборов - Google Patents
Стекло дл защиты полупроводниковых приборовInfo
- Publication number
- SU543625A1 SU543625A1 SU2152080A SU2152080A SU543625A1 SU 543625 A1 SU543625 A1 SU 543625A1 SU 2152080 A SU2152080 A SU 2152080A SU 2152080 A SU2152080 A SU 2152080A SU 543625 A1 SU543625 A1 SU 543625A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor devices
- protect semiconductor
- glasses
- protect
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПГОВОДНИКОВЫХ ПРИБОЮВ
1
Изобретение относитс к составам легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике дл стабилизации и защиты пол прово.цниковых приборов и интегральных схем.
В микроэлектронике известны легкоплавкие стекла на основе РЬО, SiO2, 82Оз дл герметизации активных элементов полупроводниковых приборов 1,2.
Эти стекла характеризуютс повышенной влагостойкостью, необходимой адгезией и согласованием с коэффициентом термического расширени полупроводниковых материалов. Но в указанных составах отсутствуют стекла, имеющие одновременно низкую температуру оплавлени (примерно 400° С) и нар ду с этим обладаюпдае еще стабилизирующими свойствами значений параметров полупр ов одников ых приб ор ов.
Наиболее близким к изобретению вл етс стекло, включающее РЬО, SiOj, В20з, TiOa, CdO, ZnO 3.
Температура оплавлени указанного стекла довольно высока (510-520°С), учитьша необходимость нанесени его на пленочную структуру МДП-транзистора. Концентраци зар да в поверхностных состо ни х МДП-транзистора при нанесеНИИ в качестве стабилизирующего сло данного стекла ( ) находитс в пределах (6-10) Ю 1/см , что не обеспечивает необходимых стабилизирующих свойств и приводит к дрейфу параметров прибора.
Целью изобрете1-ш вл етс снижение температуры огшавлени стекла и придание сгеклу стабилизирующих свойств.
Это достигаетс тем, что легкоплавкое стекло содержит указанные ингред11енты в следующих количествах, вес.%:
РЬО65 - 76
Si028-14
В20з6-10
Ti021 - 3
CdO1 - 4
ZnO2-4
В таблице даьгыконкретные составы стекол и их свойства.
По своей химической устойчивости в воде стекла относ тс к первому гидролитическому классу.
Из приведенных в таблице характеристик видно, что температура оплавлени указанных стекол более низка , чем у известного стекла. Кроме
того, значение концентрации зар да в новерхностных состо ни х указьшает на возможность получени полупроводниковых приборов со стабильнылш параметрами.
Таким образом, применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позвол ет снизить температуру процесса оплавлени примерно на 100 С, а следовательно, использовать их в стандартной технологии МДП-транзисторов с алюминием в качестве провод щего сло .
Кроме того, стандартна технологи МДП-транзисторов предусматривает стабилизацию параметров прибора путем дополнительного осаждени си72 ,5 13,5 6,5 2,5 3,0 2,0 76,0 9,8 8,9 1,3 1,0 3,0 65,0 14,0 10,0 3,0 4,0 4,0
Claims (3)
1.Авторское свидетельство СССР №381619, М.Кл. С 03 С 3/10, 1971 г.
2.Авторскор свидетельство СССР № 400541, М.Кл. С 03 С 3/10,19771г.
3.Авторское свидетельство СССР № 258544, М.Кл. С 03 С 3/10, 1966 г. прототип.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2152080A SU543625A1 (ru) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2152080A SU543625A1 (ru) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU543625A1 true SU543625A1 (ru) | 1977-01-25 |
Family
ID=20625250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2152080A SU543625A1 (ru) | 1975-07-07 | 1975-07-07 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU543625A1 (ru) |
-
1975
- 1975-07-07 SU SU2152080A patent/SU543625A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5457875A (en) | Semiconductor nonvolatile memory device | |
| JPS5696854A (en) | Semiconductor memory device | |
| SU543625A1 (ru) | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов | |
| JPS53142196A (en) | Bipolar type semiconductor device | |
| JPS53109487A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS5522831A (en) | Manufacturing of semiconductor device | |
| JPS57155775A (en) | Semiconductor device | |
| GB723996A (en) | Improvements in devices embodying germanium and in the manufacture of such devices | |
| JPS542070A (en) | Manufacture for semiconductor element | |
| JPS53141585A (en) | Manufacture of insulating gate field effect type semiconductor device | |
| JPS5698874A (en) | Preparation of semiconductor device | |
| KR880011888A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPS60121770A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5413279A (en) | Manufacture for semiconductor integrated circuit device | |
| JPS53108366A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS56146232A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5932138A (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
| JPS57113262A (en) | Voltage dividing system for semiconductor integrated circuit | |
| JPS6341861B2 (ru) | ||
| JPS5591871A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5591822A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| SU381619A1 (ru) | Стекло для изоляции полупроводниковых | |
| SU392043A1 (ru) | Масса для изготовления электродов | |
| JPS5513935A (en) | Glass for covering semiconductor | |
| JPS593869B2 (ja) | シリコンゲ−ト型電界効果半導体装置の製造方法 |