SU381619A1

SU381619A1 - Стекло для изоляции полупроводниковых

Info

Publication number: SU381619A1
Application number: SU1720152A
Authority: SU
Inventors: изобретени Авторы
Original assignee: В. Петрова, А. И. Ермолаева , А. Н. Поспелов Московский институт электронной техники
Priority date: 1971-11-30
Filing date: 1971-11-30
Publication date: 1973-05-22

Description

1

Известное стекло дл .изол ции полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В2Оз, SiO2 и ZnO, имеет высокую температуру разм гчени пор дка 640°С.

Дл снижени температуры разм гчени предлагаемое стекло содержит указанные компоненты в следующих количествах, % по весу:

30-40

РЬО

15-25 ВгОз

5--10 SiOa

35-42 ZnO

, кроме того,

2,0-3,5.

Р205

Например, стекло состава (% по весу): РЬО -основа; ВгОз -22,75; SiOz-10; ZnO- 41,6 и Р205 - 3 получают путем мокрого помола компонентов шихты в присутствии изобутилового спирта до образовани суспензии, которую нанос т на подложки. Полученный слой стекла высушивают при 140-150°С в течение 15-20 мин, а затем оплавл ют при температуре 570-580С.

Стекло описанного состава имеет хорошую адгезию и согласование с коэффициентом термического расширени подложек из ситалла ii арсенида галли .

Предмет изобретени

Стекло дл изол ции полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В2О, SiOa, ZnO, отличающеес тем, что, с целью снижени температуры разм гчени , оио содержит указанные компоненты в следующих количествах, % но весу:

РЬО30-40

ВзОз15-25

SiOo5-10

Znd35-42

и, кроме того,

Р.ОЭ2,0-3,5.