JPS5932138A - 半導体被覆用ガラス - Google Patents
半導体被覆用ガラスInfo
- Publication number
- JPS5932138A JPS5932138A JP57143056A JP14305682A JPS5932138A JP S5932138 A JPS5932138 A JP S5932138A JP 57143056 A JP57143056 A JP 57143056A JP 14305682 A JP14305682 A JP 14305682A JP S5932138 A JPS5932138 A JP S5932138A
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- JP
- Japan
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- glass
- pbo
- weight
- powder
- zno
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコン単結晶を素材としたダイオード、サ
イリスター、トランジスター等の半導体素子のＰＮ接合
部を含む表面を、保護あるいは安定化（パシベーション
）のために、被覆するガラスに係り、特にシリコンウエ
ハーの表面に直接被覆するのに好適なガラスに関する。
イリスター、トランジスター等の半導体素子のＰＮ接合
部を含む表面を、保護あるいは安定化（パシベーション
）のために、被覆するガラスに係り、特にシリコンウエ
ハーの表面に直接被覆するのに好適なガラスに関する。
この半導体被覆用ガラスに要求される特性としては、（
１）ガラスの熱膨張係数が半導体素子のそれに適合する
こと、（２）半導体素子表面に悪影響を与えるアルカリ
成分等の不純物を含まないこと、（３）高温では半導体
素子の特性が劣化する恐れがあるため、封着温度が９０
０℃以下であること、（４）半導体素子に対する密着性
が良いこと、（５）エッチング処理による電極形成など
の半導体製造工程のために良好な耐酸性を有すること、
（６）ガラスが被覆された半導体素子を逆バイアスにし
て、高温で熱処理する、いわゆるブロッキング試験に対
して、特性劣化が生じないこと等があげられる。
１）ガラスの熱膨張係数が半導体素子のそれに適合する
こと、（２）半導体素子表面に悪影響を与えるアルカリ
成分等の不純物を含まないこと、（３）高温では半導体
素子の特性が劣化する恐れがあるため、封着温度が９０
０℃以下であること、（４）半導体素子に対する密着性
が良いこと、（５）エッチング処理による電極形成など
の半導体製造工程のために良好な耐酸性を有すること、
（６）ガラスが被覆された半導体素子を逆バイアスにし
て、高温で熱処理する、いわゆるブロッキング試験に対
して、特性劣化が生じないこと等があげられる。
従来、この種の被覆用ガラスとして、ＺｎＯを主成分と
するＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、いわゆる亜鉛系ガラス
と、ＰｂＯを主成分とするＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス、
いわゆる鉛系ガラスが用いられている。
するＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、いわゆる亜鉛系ガラス
と、ＰｂＯを主成分とするＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス、
いわゆる鉛系ガラスが用いられている。
しかし、この従来の被覆用ガラスのうち、亜鉛系ガラス
は、電気特性、特にブロッキング特性が優れている反面
、耐酸性が劣っており、半導体の製造工程が複雑になる
欠点をもっている。一方、鉛系ガラスは亜鉛系ガラスに
比べ耐酸性が優れているという利点がある反面、高温で
のブロッキング試験において、時間経過とともに、逆漏
れ電流が増加するという欠点をもっている。
は、電気特性、特にブロッキング特性が優れている反面
、耐酸性が劣っており、半導体の製造工程が複雑になる
欠点をもっている。一方、鉛系ガラスは亜鉛系ガラスに
比べ耐酸性が優れているという利点がある反面、高温で
のブロッキング試験において、時間経過とともに、逆漏
れ電流が増加するという欠点をもっている。
本発明の目的は、先記の被覆用ガラスとして要求される
諸特性に優れた半導体被覆用ガラス、特に、従来の鉛系
ガラスと亜鉛系ガラスの欠点を解消し、耐酸性に優れ、
ブロッキング試験に対して安定なガラスを提供すること
である。
諸特性に優れた半導体被覆用ガラス、特に、従来の鉛系
ガラスと亜鉛系ガラスの欠点を解消し、耐酸性に優れ、
ブロッキング試験に対して安定なガラスを提供すること
である。
本発明によれば、ＰｂＯを４０〜７０重量％含有する非
結晶性のＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス粉末に、ＺｎＯ−Ｂ
２Ｏ３系ガラス粉末を重量％比で４５％まで混合するこ
とにより、前記目的に合致する半導体被覆用ガラスを得
ることに成功した。
結晶性のＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス粉末に、ＺｎＯ−Ｂ
２Ｏ３系ガラス粉末を重量％比で４５％まで混合するこ
とにより、前記目的に合致する半導体被覆用ガラスを得
ることに成功した。
本発明の被覆用ガラスにおいて、非結晶性のＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ２系ガラス粉末としては、主たる成分が重量％で、
ＰｂＯ４０〜７０％、ＳｉＯ２２０〜５０％、Ａｌ２Ｏ
３０〜２０％、Ｂ２Ｏ３０〜１５％からなるガラスが使
用され得る。
ｉＯ２系ガラス粉末としては、主たる成分が重量％で、
ＰｂＯ４０〜７０％、ＳｉＯ２２０〜５０％、Ａｌ２Ｏ
３０〜２０％、Ｂ２Ｏ３０〜１５％からなるガラスが使
用され得る。
この鉛系ガラスは、封着温度を９００℃以下にするため
に５５０〜８００℃の軟化点を有すること、またシリコ
ンの熱膨張係数に適合するために３０〜５５×１０−７
／℃（３０〜３００℃）の熱膨張係数を有することが必
要である。前記、ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラスに混合され
るＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末としては、主たる成分
が重量％でＺｎＯ４５〜７５％、Ｂ２Ｏ３１５〜３５％
、ＳｉＯ２２〜２０％からなるガラスが使用され、必要
に応じて更にＰｂＯ、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ
３、Ｔａ２Ｏ５、ＭｎＯ２、ＡＳ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、
Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２等が含有され得る。本発明におい
ては、非結晶性ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス粉末に、Ｚｎ
Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末が重量比で４５％まで混合さ
れる。４５％を超えると耐酸性が大巾に減少するので不
適当である。
に５５０〜８００℃の軟化点を有すること、またシリコ
ンの熱膨張係数に適合するために３０〜５５×１０−７
／℃（３０〜３００℃）の熱膨張係数を有することが必
要である。前記、ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラスに混合され
るＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末としては、主たる成分
が重量％でＺｎＯ４５〜７５％、Ｂ２Ｏ３１５〜３５％
、ＳｉＯ２２〜２０％からなるガラスが使用され、必要
に応じて更にＰｂＯ、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ
３、Ｔａ２Ｏ５、ＭｎＯ２、ＡＳ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、
Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２等が含有され得る。本発明におい
ては、非結晶性ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス粉末に、Ｚｎ
Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末が重量比で４５％まで混合さ
れる。４５％を超えると耐酸性が大巾に減少するので不
適当である。
下記第１表にＰｂＯ−ＳｉＯ２系の鉛系ガラス（Ａ、Ｂ
、Ｃ）とＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系の亜鉛系ガラス（Ｄ、Ｅ）
の組成例を示す。第２表に第１表のガラスを各々混合し
た本発明にかかるガラスの実施例を示す。表中の耐酸性
は、ガラス粉末を焼成したブロックを２５℃の３７％Ｈ
Ｃｌ：４９％ＨＦ＝９：１の溶液に１分間浸漬し、その
ブロックの厚み減を測定することにより行った。
、Ｃ）とＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系の亜鉛系ガラス（Ｄ、Ｅ）
の組成例を示す。第２表に第１表のガラスを各々混合し
た本発明にかかるガラスの実施例を示す。表中の耐酸性
は、ガラス粉末を焼成したブロックを２５℃の３７％Ｈ
Ｃｌ：４９％ＨＦ＝９：１の溶液に１分間浸漬し、その
ブロックの厚み減を測定することにより行った。
以下余白
上記表から、第２表の本発明にかかるガラスは、第１表
中の亜鉛系ガラスＤ、Ｅに比べて優れた耐酸性を示し、
実施例４、８のように、ガラスＤ、Ｅを４０％と多く混
合した場合にも良好な耐酸性を示すことがわかる。第２
表に示した本発明のガラスを半導体素子に被覆し、これ
に７００Ｖの逆方向電圧を印加し、１５０℃で１０００
時間保持するブロッキング試験をしたところ、逆漏れ電
流の増加はなく安定していることが認められた。
中の亜鉛系ガラスＤ、Ｅに比べて優れた耐酸性を示し、
実施例４、８のように、ガラスＤ、Ｅを４０％と多く混
合した場合にも良好な耐酸性を示すことがわかる。第２
表に示した本発明のガラスを半導体素子に被覆し、これ
に７００Ｖの逆方向電圧を印加し、１５０℃で１０００
時間保持するブロッキング試験をしたところ、逆漏れ電
流の増加はなく安定していることが認められた。
以上説明した本発明にかかるガラスは、優れた諸特性、
特に耐酸性が優れているので、電極形成時のエッチング
液にさらしても腐蝕が全く認められず、良好な保護作用
をし、また、高温高電圧のブロッキング試験にも長時間
に亘って安定なため、信頼性の高い半導体素子を得るこ
とができる。
特に耐酸性が優れているので、電極形成時のエッチング
液にさらしても腐蝕が全く認められず、良好な保護作用
をし、また、高温高電圧のブロッキング試験にも長時間
に亘って安定なため、信頼性の高い半導体素子を得るこ
とができる。
本発明のガラスは半導体素子の表面に直接被覆する半導
体装置だけでなく、電極を含めて半導体素子全体を厚い
ガラス層で被覆する、いわゆるモールド型半導体装置に
も適用できる。
体装置だけでなく、電極を含めて半導体素子全体を厚い
ガラス層で被覆する、いわゆるモールド型半導体装置に
も適用できる。
特許出願人
日本電気硝子株式会社
代表者 長崎 準■
Claims (3)
- （１）ＰｂＯを４０〜７０重量％含有し、軟化点が５５
０〜８００℃熱膨張係数が３０〜５５×１０−７／℃（
３０〜３００℃）の非結晶性のＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラ
ス粉末に、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末を重量比で４
５％まで混合してなる半導体被覆用ガラス。 - （２）前記ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラス粉末は、主たる成
分が重量％でＰｂＯ４０〜７０％、ＳｉＯ２２０〜５０
％、Ａｌ２Ｏ３０〜２０％、Ｂ２Ｏ３０〜１５％からな
る特許請求の範囲第１項記載の半導体被覆用ガラス。 - （３）前記ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末は、主たる成
分が、重量％でＺｎＯ４５〜７５％、Ｂ２Ｏ３１５〜３
５％、ＳｉＯ２２〜２０％からなる特許請求の範囲第１
項記載の半導体被覆用ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143056A JPS5932138A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体被覆用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143056A JPS5932138A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体被覆用ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932138A true JPS5932138A (ja) | 1984-02-21 |
| JPS6366417B2 JPS6366417B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=15329880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57143056A Granted JPS5932138A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体被覆用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009008237A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Nok Corp | エンジン騒音低減装置 |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57143056A patent/JPS5932138A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009008237A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Nok Corp | エンジン騒音低減装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366417B2 (ja) | 1988-12-20 |
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