SU360009A1 - Способ получени рельефных изображений - Google Patents
Способ получени рельефных изображенийInfo
- Publication number
- SU360009A1 SU360009A1 SU1454547A SU1454547A SU360009A1 SU 360009 A1 SU360009 A1 SU 360009A1 SU 1454547 A SU1454547 A SU 1454547A SU 1454547 A SU1454547 A SU 1454547A SU 360009 A1 SU360009 A1 SU 360009A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- relief images
- obtaining relief
- layers
- silver
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Изобретение относитс к технологии производства afieMeHTOB радиоаппаратуры может быть использовано в микроэлектронике , литографии и оптотехнике.
Известны способы получени рельефных изображений на сло х металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков нанесением этих слоев на подложки с последующим образованием на ни: систеь ы полупроводник-металл , используемой в качестве фоторезЕСта , печатанием изображени и химическим травлением.
Однако известные способы не позвол ют получить четкое рельефное изображение по всей толщине системы, состо тдей из основеого сло , на котором получают р льеф, и слоев сваточувстаи1ельной системы, образукждих фот зрезист, так каж состав травител и фоторезиста не известен.
С пелыо получени четкого рельефного изображени по предлагаемому способу травлени фотореввсуа и основного сло осуществл ют oaHiaM травлением, в качестве -правител используют лишориое железо, т егировавно медью. TOJX, с целью улучшени защитных свойств фоторезиста в качестве фоторезиста используют систему сульфид-мышь ка-серебро , толщиной соответственно 15О- 35О А и 6ОО-1ООО А.
На фиг. 1-5 показана послепозатэльность получени рельефных изображений, где: 1подложка , 2 - основной слой, на котором получают рельефное изображение, 3- слой серебра , 4 - слой сульфид мышь ка, 5 - слой в месте засвечивани , состо щий из продукт-ов фотохимической реакпии.
Спой 2,3 и 4 получают напылением F. вакуумной установке, причем напыление желательно производить без нарушени вакуума , так как при эгом улучшаетс сцепление па границе слоев 2 и 3. Основной слой 2, например нккель, лучше напыл ть на подложку , нагретую до температуры 10О 2ОО°С, так как это улучшает адгезию сло 2 с подложкой. После остывани подложки 1 нанос т слой серебра 3 и слой сульфидмышь ка 4. Толщины этих слоев подбирают таким образом, что в месте засвечивани образца все серебро и сульфид мышь ка вступает в фотохимическую оеакцию между собой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1454547A SU360009A1 (ru) | 1970-07-13 | 1970-07-13 | Способ получени рельефных изображений |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1454547A SU360009A1 (ru) | 1970-07-13 | 1970-07-13 | Способ получени рельефных изображений |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU360009A1 true SU360009A1 (ru) | 1976-08-05 |
Family
ID=20454667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1454547A SU360009A1 (ru) | 1970-07-13 | 1970-07-13 | Способ получени рельефных изображений |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU360009A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2705044C1 (ru) * | 2018-11-22 | 2019-11-01 | Сергей Геннадьевич Каплунов | Способ получения рельефного изображения на металлическом основании |
-
1970
- 1970-07-13 SU SU1454547A patent/SU360009A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2705044C1 (ru) * | 2018-11-22 | 2019-11-01 | Сергей Геннадьевич Каплунов | Способ получения рельефного изображения на металлическом основании |
| WO2020106176A1 (ru) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Сергей Геннадьевич КАПЛУНОВ | Способ получения рельефного изображения на металлическом основании |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1562877A (en) | Manufacture of insulated gate field effect transistors | |
| US3443944A (en) | Method of depositing conductive patterns on a substrate | |
| US3669661A (en) | Method of producing thin film transistors | |
| US3483108A (en) | Method of chemically etching a non-conductive material using an electrolytically controlled mask | |
| JPS5240969A (en) | Process for production of semiconductor device | |
| SU360009A1 (ru) | Способ получени рельефных изображений | |
| KR970067702A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US3737341A (en) | Novel method of manufacturing protective oxide films,and structures embodying such films | |
| US3723178A (en) | Process for producing contact metal layers consisting of chromium or molybdenum on semiconductor components | |
| US3933609A (en) | Method of making coloured photomasks | |
| JPS52119172A (en) | Forming method of fine pattern | |
| JPS5240968A (en) | Process for production of semiconductor device | |
| JPS5730376A (en) | Manufacture of schottky barrier fet | |
| JPS57145340A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR100243369B1 (ko) | 연속적인 리드프레임 제조방법 | |
| JPS5480093A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US4042450A (en) | Method for the production of films having the desired configuration | |
| EP0075889A3 (de) | Verfahren zum Herstellen dünner Siliciumschichten | |
| JPS53113730A (en) | Metallic pattern forming method | |
| JPS5711339A (en) | Formation of metallic image | |
| JPS52123871A (en) | Thin film forming method | |
| US3666634A (en) | Variable depth etching process | |
| JPS5493970A (en) | Patttern forming method of multi-layer metallic thin film | |
| JPS5527659A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS5271980A (en) | Formation of metal wiring |