SU1671047A1 - Dynamical shift register - Google Patents
Dynamical shift register Download PDFInfo
- Publication number
- SU1671047A1 SU1671047A1 SU884615803A SU4615803A SU1671047A1 SU 1671047 A1 SU1671047 A1 SU 1671047A1 SU 884615803 A SU884615803 A SU 884615803A SU 4615803 A SU4615803 A SU 4615803A SU 1671047 A1 SU1671047 A1 SU 1671047A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- reset
- source
- register
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Изобретемте относитс к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано дл хранени и сдвига информации. Цель изобретени - расширение области применени регистра за счет возможности выполнени реверсивного сдвига. Регистр содержит эле- ментм пам ти, разбитые на три группы, в каждый элемент пам ти дополнительно введены второй транзистор записи и второй транзистор управлени сбросом. 2 ил.The invention relates to automation and computing and can be used to store and shift information. The purpose of the invention is to expand the scope of the register due to the possibility of performing a reverse shift. The register contains memory elements divided into three groups, a second write transistor and a second reset control transistor are additionally introduced into each memory element. 2 Il.
Description
Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике н может быть использовано дл хранени и сдвига информации.The invention relates to automation and computer science and can be used to store and shift information.
Целью изобретени вл етс расширение области применени регистра за счет возможности выполнени реверсивного сдвига.The aim of the invention is to expand the scope of the register due to the possibility of performing a reverse shift.
На фиг. 1 приведена принципиальна электрическа схема регистра; на фиг. 2 - временные диаграммы напр жений при сдвиге вправо и влево.FIG. 1 shows the basic electrical circuit of the register; in fig. 2 - time diagrams of stresses when shifting to the right and left.
Регистр содержит элементы пам ти 1,2,3, Имеющие соответственно тактовые входы 4,5,6 и подключенные к шине нулевого потенциала 7. Каждый элемент пам ти (ЭП) состоит из МДП-варактора 8, ключевого транзистора 9, первого 10 и второго 11 транзисторов записи, первого 12 и второго 13 транзисторов управлени сбросом, транзистора сброса 14, транзистора предустановки 15The register contains 1,2,3 memory elements, respectively, having clock inputs 4,5,6 and connected to the zero potential bus 7. Each memory element (EF) consists of a MIS varactor 8, a key transistor 9, the first 10 and the second 11 write transistors, the first 12 and second 13 transistor control reset, reset transistor 14, preset transistor 15
и транзистора управлени предустановкой 16. Каждый ЭП имеет вход 17 и выход 18. На фиг. 1 показаны также левый 19 и правый 20 последовательные входы регистра, левый 21 и правый 22 выходы записи, левый 23 и правый 24 входы сброса регистра.and a preset control transistor 16. Each EA has an input 17 and an output 18. In FIG. 1 also shows the left 19 and right 20 serial inputs of the register, the left 21 and the right 22 recording outputs, the left 23 and the right 24 inputs of the register reset.
На Фиг. 2 показаны следующие напр жени : U4, U5, U6 - на тактовых входах 4,5, - на входе 18 1-го ЭП, i 1,4; U15 - на затворе транзистора 15 1-го ЭП; U14;- на затво- ре транзистора 14 i-ro ЭП; U10; - на выходе 1-го ЭП.FIG. 2 shows the following voltages: U4, U5, U6 - at the clock inputs 4.5, - at the input 18 of the 1st EP, i 1.4; U15 - on the gate of the transistor 15 of the 1st EP; U14; - on the gate of the transistor 14 i-ro ES; U10; - at the output of the 1st EP.
Описание работы устройства дано на примере четырех последовательно соединенных ЭП (фиг. 1). Если до поступлени управл ющего напр жени на тактовый вход 4, соединенный с первым ЭП, на входе 17 напр жение соответствует логическому О (на фиг.2 эта ситуаци в момент tg-t7 на входе первого ЭП), то в этом ЭП ключевойThe description of the operation of the device is given on the example of four series-connected EPs (Fig. 1). If, prior to the arrival of the control voltage, the clock input 4, connected to the first ES, at the input 17, corresponds to the logical O (in Fig. 2, this situation at the moment tg-t7 at the input of the first ES), in this ES, the key
«"
(Л(L
оabout
Јь JJ
транзистор 9 и транзистор управлени предустановкой 16 закрыты, так как их затворы соединены с входом 17, и управл ющее напр жение, поступающее на соответствующий вход управлени , не проходит на транзистор предустановки 15 и на выход 10 этого ЭП, а в соседние ЭП через первый 10 и второй 11 транзисторы записи, открывающиес ю под действием управл ющего напр жени (момент t7-t8), запишетс напр жение логического О (на входы 17).the transistor 9 and the transistor control preset 16 are closed, since their gates are connected to the input 17, and the control voltage supplied to the corresponding control input does not pass to the preset transistor 15 and to the output 10 of this EA, and to adjacent ESs through the first 10 and the second 11 write transistors, which are opened by the control voltage (time t7-t8), will write the voltage of the logic O (to the inputs 17).
Если же до поступлени управл ющего напр жени на тактовый вход, соединенный с вторым ЭП (момент ) на входе 17 напр жение соответствует логической 1, то ключевой транзистор 9 и транзистор управлени предустанов- 20 кой 16 открыты и управл ющее напр жение проходит на затвор транзистора , предустановки 15 (Ш52), открыва его и соедин затвор транзистора сброса J4 с шиной 7, т.е. закрыва его 25 (U14,). В то же врем тактовое напр - жение через открытый транзистор 9 поступает на выход второго ЭП в виде логической 1, и через открывающиес под действием этого напр жени первый эд 10 и второй 11 транзисторы записи записывают эту логическую 1 в следующий (третий ЭП) и предыдущий первый ЭП одновременно. Надо заметить, что- здесь используетс свойство МДП-ва- ракторов - увеличение емкости в наличи потенциала на его затворе (в нашем случае соединенном с входом 17)« Поэтому тактовое напр жение увеличивает напр жение на входе 17 выше логи- ческой/М. Таким образом, ключевой транзистор 9 в момент работает в крутой области, при этом исключаютс потери амплитуды импульсов на выходах 13, обусловленные пороговыми д напр жени ми транзисторов 9, и разброс пороговых напр жений в этом случае не отражаетс на разбросе амплитуд выходных импульсов. По окончании действи тактового напр жени (t) C на входах 17 второго ЭП и соседних с ним ЭП остаютс записанными напр жени логической 1, транзистор предустановки через открытый транзистор управлени предустановкой 16 (затвор торого соединен с входом 17) закрываетс с окончанием импульса на тактовом входе, но транзистор сброса разр да 14 остаетс закрытым, так какIf, prior to the arrival of the control voltage, the clock input connected to the second EA (moment) at input 17 corresponds to logic 1, then the key transistor 9 and the control transistor of preset 20 are open and the control voltage goes to the gate , preset 15 (Ш52), opening it and connecting the gate of the J4 reset transistor to the bus 7, i.e. closing it 25 (U14,). At the same time, the clock voltage through the open transistor 9 arrives at the output of the second EA as logical 1, and through the first ED 10 and second 11 transistors opened by this voltage, write this logical 1 into the next (third EA) and previous first EP at the same time. It should be noted that the property of MDP-variators is used here - an increase in capacitance in the presence of potential at its gate (in our case connected to input 17). Therefore, the clock voltage increases the voltage at input 17 above logic / M. Thus, the key transistor 9 at the moment operates in a steep region, this eliminates the loss of amplitude of the pulses at the outputs 13 due to the threshold voltages of the transistors 9, and the variation of the threshold voltages in this case does not reflect on the variation of the amplitudes of the output pulses. Upon termination of the clock voltage (t) C, the inputs of the second ED and its neighboring ES remain recorded voltages of logical 1, the preset transistor through the open transistor of the preset control 16 (shutter connected to input 17) closes with the end of the pulse at the clock input but the discharge transistor of discharge 14 remains closed because
JJ
ю Yu
20 25 эд « 0 д$ CQ 20 25 ed “0 d $ CQ
5five
(На его затворе записан логический .(On its gate recorded logical.
Если в момент tc-tg тактовое напр жение поступает на вход, соединенный с третьим ЭМ (сдвиг в пр мом направлении ) , то аналогично описанной выше работе ЭП на выходе третьего ЭП вырабатываетс импульс по форме, сов-, падающий с тактовым напр жением и этот импульс через транзистор управлени сбросом 12 второго ЭП запишет иа затвор транзистора сброса логическую 1, этот транзистор сброса откроетс и соединит выход 18 третьего ЭП с шиной 7, обеспечива таким образом хорошую помехозащищенность устройства . Кроме того, в этот момент (ty-tg) через транзисторы записи третьего ЭП логическа 1 запишетс в соседние с ним ЭП.If at the time tc-tg the clock voltage is fed to the input connected to the third EM (shear in the forward direction), then, similarly to the work of the EA described above, the output of the third EA produces a pulse, which coincides with the clock voltage the pulse through the reset control transistor 12 of the second EA will record and the gate of the reset transistor logical 1, this reset transistor will open and connect the output 18 of the third EA with the bus 7, thus ensuring good noise immunity of the device. In addition, at this moment (ty-tg), transistors of the recording of the third EP of logical 1 will be written into the neighboring EP.
Таким образом, по окончании действи тактового напр жени в момент t на входах 17 второго ЭП и соседних с ним ЭП записаны логические 1. В зависимости от дальнейшей очередности поступлени тактовых напр жений на входы 4,5 и б продолжаетс сдвиг 1 вдоль регистра в пр мом или обратном направлении.Thus, at the end of the clock voltage at time t, logical 1 is recorded at the inputs 17 of the second EC and its neighboring EPs. Depending on the further sequence of receipt of the clock voltages at inputs 4.5 and b, the shift 1 continues along the register in the forward or the opposite direction.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884615803A SU1671047A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Dynamical shift register |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884615803A SU1671047A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Dynamical shift register |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1671047A1 true SU1671047A1 (en) | 1992-09-23 |
Family
ID=21413190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884615803A SU1671047A1 (en) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Dynamical shift register |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1671047A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2527188C1 (en) * | 2013-05-06 | 2014-08-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Shift register |
RU2530271C1 (en) * | 2013-07-10 | 2014-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Shift register (variants) |
RU2542913C1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Dynamic shift register |
-
1988
- 1988-12-05 SU SU884615803A patent/SU1671047A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Шило В.П. Попул рные цифровые микросхемы. - М.: Радио н св зь, 1987, с. 130-132, 261-266. Авторское свидетельство СССР 1146731, кл. С 11 С 19/28, 1987. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2527188C1 (en) * | 2013-05-06 | 2014-08-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Shift register |
RU2530271C1 (en) * | 2013-07-10 | 2014-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Shift register (variants) |
RU2542913C1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Dynamic shift register |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4133043A (en) | Shift register type memory | |
SU1671047A1 (en) | Dynamical shift register | |
US5363406A (en) | Pulse width modulation apparatus | |
US5631869A (en) | Semiconductor memory unit having overlapping addresses | |
US4825410A (en) | Sense amplifier control circuit | |
KR960003530B1 (en) | Semiconductor memory device | |
SU1411823A2 (en) | Mos-transistor storage | |
SU1674145A1 (en) | Device to process imperfect data | |
SU1474738A1 (en) | Memory | |
SU1261130A1 (en) | Reception code-interval device | |
SU982094A2 (en) | Buffer storage | |
SU1587593A1 (en) | Mis-transistor-base parallel asynchronous register | |
SU1624530A1 (en) | Parallel asynchronous register | |
SU551702A1 (en) | Buffer storage device | |
SU1410103A1 (en) | Sequential asynchronous register | |
SU736172A1 (en) | Two-cycle shifting register | |
SU1411829A1 (en) | Misfet-transistor asynchronous shift register | |
SU1464215A1 (en) | Asynchronous sequential register | |
SU407396A1 (en) | BUFFER STORAGE DEVICE | |
SU1661754A1 (en) | Device for detecting extreme numbers | |
SU1607016A1 (en) | Parallel asynchronous register | |
SU1665405A1 (en) | Parallel asynchronous register designed with cmis transistors | |
SU1615879A1 (en) | Reset counter | |
SU1427366A1 (en) | Microprogram module | |
SU809397A1 (en) | Storage device with error correction |