SU1671047A1 - Dynamical shift register - Google Patents

Dynamical shift register Download PDF

Info

Publication number
SU1671047A1
SU1671047A1 SU884615803A SU4615803A SU1671047A1 SU 1671047 A1 SU1671047 A1 SU 1671047A1 SU 884615803 A SU884615803 A SU 884615803A SU 4615803 A SU4615803 A SU 4615803A SU 1671047 A1 SU1671047 A1 SU 1671047A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
gate
reset
source
register
Prior art date
Application number
SU884615803A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.В. Бехтеров
В.Г. Десятков
Н.Н. Путырина
Original Assignee
Организация П/Я А-1889
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-1889 filed Critical Организация П/Я А-1889
Priority to SU884615803A priority Critical patent/SU1671047A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1671047A1 publication Critical patent/SU1671047A1/en

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретемте относитс  к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано дл  хранени  и сдвига информации. Цель изобретени  - расширение области применени  регистра за счет возможности выполнени  реверсивного сдвига. Регистр содержит эле- ментм пам ти, разбитые на три группы, в каждый элемент пам ти дополнительно введены второй транзистор записи и второй транзистор управлени  сбросом. 2 ил.The invention relates to automation and computing and can be used to store and shift information. The purpose of the invention is to expand the scope of the register due to the possibility of performing a reverse shift. The register contains memory elements divided into three groups, a second write transistor and a second reset control transistor are additionally introduced into each memory element. 2 Il.

Description

Изобретение относитс  к автоматике и вычислительной технике н может быть использовано дл  хранени  и сдвига информации.The invention relates to automation and computer science and can be used to store and shift information.

Целью изобретени   вл етс  расширение области применени  регистра за счет возможности выполнени  реверсивного сдвига.The aim of the invention is to expand the scope of the register due to the possibility of performing a reverse shift.

На фиг. 1 приведена принципиальна  электрическа  схема регистра; на фиг. 2 - временные диаграммы напр жений при сдвиге вправо и влево.FIG. 1 shows the basic electrical circuit of the register; in fig. 2 - time diagrams of stresses when shifting to the right and left.

Регистр содержит элементы пам ти 1,2,3, Имеющие соответственно тактовые входы 4,5,6 и подключенные к шине нулевого потенциала 7. Каждый элемент пам ти (ЭП) состоит из МДП-варактора 8, ключевого транзистора 9, первого 10 и второго 11 транзисторов записи, первого 12 и второго 13 транзисторов управлени  сбросом, транзистора сброса 14, транзистора предустановки 15The register contains 1,2,3 memory elements, respectively, having clock inputs 4,5,6 and connected to the zero potential bus 7. Each memory element (EF) consists of a MIS varactor 8, a key transistor 9, the first 10 and the second 11 write transistors, the first 12 and second 13 transistor control reset, reset transistor 14, preset transistor 15

и транзистора управлени  предустановкой 16. Каждый ЭП имеет вход 17 и выход 18. На фиг. 1 показаны также левый 19 и правый 20 последовательные входы регистра, левый 21 и правый 22 выходы записи, левый 23 и правый 24 входы сброса регистра.and a preset control transistor 16. Each EA has an input 17 and an output 18. In FIG. 1 also shows the left 19 and right 20 serial inputs of the register, the left 21 and the right 22 recording outputs, the left 23 and the right 24 inputs of the register reset.

На Фиг. 2 показаны следующие напр жени : U4, U5, U6 - на тактовых входах 4,5, - на входе 18 1-го ЭП, i 1,4; U15 - на затворе транзистора 15 1-го ЭП; U14;- на затво- ре транзистора 14 i-ro ЭП; U10; - на выходе 1-го ЭП.FIG. 2 shows the following voltages: U4, U5, U6 - at the clock inputs 4.5, - at the input 18 of the 1st EP, i 1.4; U15 - on the gate of the transistor 15 of the 1st EP; U14; - on the gate of the transistor 14 i-ro ES; U10; - at the output of the 1st EP.

Описание работы устройства дано на примере четырех последовательно соединенных ЭП (фиг. 1). Если до поступлени  управл ющего напр жени  на тактовый вход 4, соединенный с первым ЭП, на входе 17 напр жение соответствует логическому О (на фиг.2 эта ситуаци  в момент tg-t7 на входе первого ЭП), то в этом ЭП ключевойThe description of the operation of the device is given on the example of four series-connected EPs (Fig. 1). If, prior to the arrival of the control voltage, the clock input 4, connected to the first ES, at the input 17, corresponds to the logical O (in Fig. 2, this situation at the moment tg-t7 at the input of the first ES), in this ES, the key

«"

(L

оabout

Јь JJ

транзистор 9 и транзистор управлени  предустановкой 16 закрыты, так как их затворы соединены с входом 17, и управл ющее напр жение, поступающее на соответствующий вход управлени , не проходит на транзистор предустановки 15 и на выход 10 этого ЭП, а в соседние ЭП через первый 10 и второй 11 транзисторы записи, открывающиес  ю под действием управл ющего напр жени  (момент t7-t8), запишетс  напр жение логического О (на входы 17).the transistor 9 and the transistor control preset 16 are closed, since their gates are connected to the input 17, and the control voltage supplied to the corresponding control input does not pass to the preset transistor 15 and to the output 10 of this EA, and to adjacent ESs through the first 10 and the second 11 write transistors, which are opened by the control voltage (time t7-t8), will write the voltage of the logic O (to the inputs 17).

Если же до поступлени  управл ющего напр жени  на тактовый вход, соединенный с вторым ЭП (момент ) на входе 17 напр жение соответствует логической 1, то ключевой транзистор 9 и транзистор управлени  предустанов- 20 кой 16 открыты и управл ющее напр жение проходит на затвор транзистора , предустановки 15 (Ш52), открыва  его и соедин   затвор транзистора сброса J4 с шиной 7, т.е. закрыва  его 25 (U14,). В то же врем  тактовое напр - жение через открытый транзистор 9 поступает на выход второго ЭП в виде логической 1, и через открывающиес  под действием этого напр жени  первый эд 10 и второй 11 транзисторы записи записывают эту логическую 1 в следующий (третий ЭП) и предыдущий первый ЭП одновременно. Надо заметить, что- здесь используетс  свойство МДП-ва- ракторов - увеличение емкости в наличи  потенциала на его затворе (в нашем случае соединенном с входом 17)« Поэтому тактовое напр жение увеличивает напр жение на входе 17 выше логи- ческой/М. Таким образом, ключевой транзистор 9 в момент работает в крутой области, при этом исключаютс  потери амплитуды импульсов на выходах 13, обусловленные пороговыми д напр жени ми транзисторов 9, и разброс пороговых напр жений в этом случае не отражаетс  на разбросе амплитуд выходных импульсов. По окончании действи  тактового напр жени  (t) C на входах 17 второго ЭП и соседних с ним ЭП остаютс  записанными напр жени  логической 1, транзистор предустановки через открытый транзистор управлени  предустановкой 16 (затвор торого соединен с входом 17) закрываетс  с окончанием импульса на тактовом входе, но транзистор сброса разр да 14 остаетс  закрытым, так какIf, prior to the arrival of the control voltage, the clock input connected to the second EA (moment) at input 17 corresponds to logic 1, then the key transistor 9 and the control transistor of preset 20 are open and the control voltage goes to the gate , preset 15 (Ш52), opening it and connecting the gate of the J4 reset transistor to the bus 7, i.e. closing it 25 (U14,). At the same time, the clock voltage through the open transistor 9 arrives at the output of the second EA as logical 1, and through the first ED 10 and second 11 transistors opened by this voltage, write this logical 1 into the next (third EA) and previous first EP at the same time. It should be noted that the property of MDP-variators is used here - an increase in capacitance in the presence of potential at its gate (in our case connected to input 17). Therefore, the clock voltage increases the voltage at input 17 above logic / M. Thus, the key transistor 9 at the moment operates in a steep region, this eliminates the loss of amplitude of the pulses at the outputs 13 due to the threshold voltages of the transistors 9, and the variation of the threshold voltages in this case does not reflect on the variation of the amplitudes of the output pulses. Upon termination of the clock voltage (t) C, the inputs of the second ED and its neighboring ES remain recorded voltages of logical 1, the preset transistor through the open transistor of the preset control 16 (shutter connected to input 17) closes with the end of the pulse at the clock input but the discharge transistor of discharge 14 remains closed because

JJ

ю Yu

20 25 эд « 0 д$ CQ 20 25 ed “0 d $ CQ

5five

(На его затворе записан логический .(On its gate recorded logical.

Если в момент tc-tg тактовое напр жение поступает на вход, соединенный с третьим ЭМ (сдвиг в пр мом направлении ) , то аналогично описанной выше работе ЭП на выходе третьего ЭП вырабатываетс  импульс по форме, сов-, падающий с тактовым напр жением и этот импульс через транзистор управлени  сбросом 12 второго ЭП запишет иа затвор транзистора сброса логическую 1, этот транзистор сброса откроетс  и соединит выход 18 третьего ЭП с шиной 7, обеспечива  таким образом хорошую помехозащищенность устройства . Кроме того, в этот момент (ty-tg) через транзисторы записи третьего ЭП логическа  1 запишетс  в соседние с ним ЭП.If at the time tc-tg the clock voltage is fed to the input connected to the third EM (shear in the forward direction), then, similarly to the work of the EA described above, the output of the third EA produces a pulse, which coincides with the clock voltage the pulse through the reset control transistor 12 of the second EA will record and the gate of the reset transistor logical 1, this reset transistor will open and connect the output 18 of the third EA with the bus 7, thus ensuring good noise immunity of the device. In addition, at this moment (ty-tg), transistors of the recording of the third EP of logical 1 will be written into the neighboring EP.

Таким образом, по окончании действи  тактового напр жени  в момент t на входах 17 второго ЭП и соседних с ним ЭП записаны логические 1. В зависимости от дальнейшей очередности поступлени  тактовых напр жений на входы 4,5 и б продолжаетс  сдвиг 1 вдоль регистра в пр мом или обратном направлении.Thus, at the end of the clock voltage at time t, logical 1 is recorded at the inputs 17 of the second EC and its neighboring EPs. Depending on the further sequence of receipt of the clock voltages at inputs 4.5 and b, the shift 1 continues along the register in the forward or the opposite direction.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Динамический регистр сдвига, содержащий элементы пам ти, каждый из которых состоит из МДП-варактора, ключевого транзистора, первого транзистора записи,транзистора сброса, первого транзистора управлени  сбросом, транзистора предустановки и транзистора управлени  предустановкой, причем затвор 11ДП-варактора соединен с затвором ключевого транзистора, сток и исток МДП-варактора исток ключевого транзистора соединены с затвором первого транзистора записи, исток ключевого транзистора, сток первого транзистора записи и сток транзистора сброса объединены и  вл ютс  соответствующим параллельным выходом регистра , исток первого транзистора записи каждого элемента пам ти, кроме, последнего, соединен с затвором ключевого транзистора последующего элемента пам ти, исток первого транзистора записи последнего элемента пам ти  вл етс  правым выходом записи регистра , затворы ключевых транзисторов первого и последнего элементов пам тиA dynamic shift register containing memory elements, each of which consists of a MOS-varactor, a key transistor, a first write transistor, a reset transistor, a first reset control transistor, a preset transistor, and a preset control transistor, with the 11DP-varator gate connected to the key transistor gate , the drain and source of the MISVaractor the source of the key transistor is connected to the gate of the first transistor of the record, the source of the key transistor, the drain of the first transistor of the record and the drain of the transistor reset are combined and are the corresponding parallel register output, the source of the first transistor of the recording of each memory element, except the last one, is connected to the gate of the key transistor of the subsequent memory element, the source of the first transistor of the recording of the last memory element is the right register write output, transistors of the first and last memory elements регистра  вл ютс  соответствен левым н правым последовательными входами регистра, истоки транзисторов сброса и предустановки соединены с шиной пулевого потенциала регистра, затвор транзистора сброса соединен со стоками транзистора предустановки н первого транзистора управлени  сбросом, затвор и исток первого транзистора управлени  сбросом каждого элемента пам ти, кроме последнего, соединен со стоком транзистора сброса последующего элемента пам ти, затвор и исток первого транзистора управлени  сбросом последнего элемента пам ти  вл етс  правым выходом сброса регистра, отличающийс  тем, что, с целью расширени  области применени  регистра за счет возможности выполнени  реверсивного сдвига, стоки МДП-ва ра хторов (3i-2)-x, (3i-1)-x и 3i-x элементов пам ти 1 Ј i Ј n, n - число разр дов регистра,  вл ютс  соответственно первым, вторым и третьим такто- выми входами регистра,а в каждый элемент пам ти введены вторые транзистоthe registers are corresponding to the left and right serial inputs of the register, the sources of the reset and preset transistors are connected to the register bullet potential bus, the gate of the reset transistor is connected to the drains of the preset transistor n of the first transistor of the reset control, the gate and source of the first transistor of the reset of each memory element, except of the latter, is connected to the drain of the reset transistor of the subsequent memory element, the gate and the source of the first transistor controlling the reset of the last memory element and is the right output of a register reset, characterized in that, in order to expand the field of application of the register due to the possibility of reversing the shift, the drains of the MDP-va generators (3i-2) -x, (3i-1) -x and 3i- The x memory elements 1 Ј i Ј n, n are the number of register bits, are the first, second, and third register inputs, respectively, and the second transistors are entered into each memory element. 00 5 five ры записи и управлени  сбросом, причем затвор, сток и-исток транзистора управлени  предустановкой соединены соответственно с затвором ключевого Транзистора, стоком МДП-варактора и затвором транзистора предустановки, затвор и сток второго транзистора записи соединены соответственно с затвором и стоком первого транзистора записи , а исток второго транзистора записи каждого элемента пам ти, кроме первого, соединен с затвором ключевого транзистора предыдущего элемента 5 пам ти, исток второго транзистора записи первого элемента пам ти  вл етс  левым выходом записи регистра, сток второго транзистора управлени  сбросом соединен со стоком транзистора предустановки, а затвор и исток второго транзистора управлени  сбросом каждого элемента пам ти, кроме первого, соединен со стоком транзистора сброса предыдущего элемента, а затвор и исток транзистора управлени  сбросом . первого элемента пам ти  вл етс  левым входом сброса регистра.Recording and resetting control signals, the gate, drain and source of the preset control transistor are connected respectively to the gate of the key Transistor, the MOS-Varactor drain and the gate of the preset transistor, the gate and drain of the second transistor of the recording transistor are connected to the gate and drain of the first transistor of the recording transistor, and the source the second transistor recording each memory element, except the first, is connected to the gate of the key transistor of the previous memory element 5, the source of the second transistor recording the first memory element Is the left output of the register entry, the drain of the second transistor of the reset control is connected to the drain of the preset transistor, and the gate and source of the second transistor of the reset control of each memory element except the first one is connected to the drain of the previous transistor of the previous element, and the gate and source of the reset control transistor. the first memory element is the left register reset input. 00 2020 ЯI (pue.f(pue.f Фиг. гFIG. g
SU884615803A 1988-12-05 1988-12-05 Dynamical shift register SU1671047A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884615803A SU1671047A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Dynamical shift register

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884615803A SU1671047A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Dynamical shift register

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1671047A1 true SU1671047A1 (en) 1992-09-23

Family

ID=21413190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884615803A SU1671047A1 (en) 1988-12-05 1988-12-05 Dynamical shift register

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1671047A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2527188C1 (en) * 2013-05-06 2014-08-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Shift register
RU2530271C1 (en) * 2013-07-10 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Shift register (variants)
RU2542913C1 (en) * 2014-03-27 2015-02-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Dynamic shift register

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Шило В.П. Попул рные цифровые микросхемы. - М.: Радио н св зь, 1987, с. 130-132, 261-266. Авторское свидетельство СССР 1146731, кл. С 11 С 19/28, 1987. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2527188C1 (en) * 2013-05-06 2014-08-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Shift register
RU2530271C1 (en) * 2013-07-10 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Shift register (variants)
RU2542913C1 (en) * 2014-03-27 2015-02-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) Dynamic shift register

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4133043A (en) Shift register type memory
SU1671047A1 (en) Dynamical shift register
US5363406A (en) Pulse width modulation apparatus
US5631869A (en) Semiconductor memory unit having overlapping addresses
US4825410A (en) Sense amplifier control circuit
KR960003530B1 (en) Semiconductor memory device
SU1411823A2 (en) Mos-transistor storage
SU1674145A1 (en) Device to process imperfect data
SU1474738A1 (en) Memory
SU1261130A1 (en) Reception code-interval device
SU982094A2 (en) Buffer storage
SU1587593A1 (en) Mis-transistor-base parallel asynchronous register
SU1624530A1 (en) Parallel asynchronous register
SU551702A1 (en) Buffer storage device
SU1410103A1 (en) Sequential asynchronous register
SU736172A1 (en) Two-cycle shifting register
SU1411829A1 (en) Misfet-transistor asynchronous shift register
SU1464215A1 (en) Asynchronous sequential register
SU407396A1 (en) BUFFER STORAGE DEVICE
SU1661754A1 (en) Device for detecting extreme numbers
SU1607016A1 (en) Parallel asynchronous register
SU1665405A1 (en) Parallel asynchronous register designed with cmis transistors
SU1615879A1 (en) Reset counter
SU1427366A1 (en) Microprogram module
SU809397A1 (en) Storage device with error correction