SU1657950A1 - Способ измерени шероховатости поверхности детали - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано, в частности, в оптических рефлектометрических способах в машиностроении, оптической, электронной и других отрасл х промышленности дл  бесконтактного экспрессного измерени  среднеквадратичного отклонени  Rq микронеровностей от средней линии профил . Цель изобретени  - повышение точности определени  за счет проведени  предварительных измерений на аттестованной по шероховатости поверхности и использовани  полученных результатов в измерени х на исследуемых детал х. Облучают поверхность пучком коллимиро- ванного монохроматического естественно пол ризованного излучени  последовательно под двум  углами И, 2 в диапазоне 40-70 град предварительно фотоэлектрически измер ют интенсивность 131 и Э2 зеркальных составл ющих отраженного излучени  соответственно от аттестованной по параметру Rq поверхности, полученной аналогичным образом из того же материала, что и измер ема  деталь,и определ ют параметр А по формуле А 1-M/Ra (i2)-MO(ii), где O(ik)2cos1;25ik/1+ cos ik, М-1з1обр./1з2обР Ф(12)/Ф(м)., 2,а после измерений I3i, 1з2 на исследуемых поверхност х определ ют Rq по формуле Ядт{1-М/А Ф(12)-МФ(м)} 1 ил Ё

Description

Изобретение относитс  к измеритель ной технике и может быть использовано, в частности, в оптических рефлексометри- ческих способах в машиностроении, оптической , электронной и других отрасл х промышленности дл  бесконтактного экспрессного измерени  среднеквадратичного отклонени  микронеровностей от средней линии профил .

Цель изобретени  - повышение точности определени  за счет проведени  предварительных измерений на аттестованной по шероховатости поверхности и использовани  полученных результатов в измерени х на исследуемых детал х

На чертеже представлена принципиальна  схема устройства дл  реализации предлагаемого способа

Устройство содержит источник 1 излучени , фотоэлектрический приемник 2. Позицией 3 обозначена исследуема  деталь.

Способосуществл ют следующим образом .

На предметный столик гониометра (не показан) помещают деталь 3 с известным параметром Rq и облучают от источника 1 излучени  исследуемую поверхность пучО

ел

VJ

о ел о

ком монохроматического коллимированно- го естественно пол ризованного излучени  под углами И, 12, значени  которых наход тс  в диапазоне углов 40° И 12 70°. На зеркальных углах отражени , равных углам облучени , фотоэлектрически регистрируют соответствующие интенсивности 131. 1з2. Предварительно фотоэлектрически измер ют интенсивности 131обр и 32обр составл ющих отраженного излучени  соответственно от аттестованной по параметру Рдобр. поверхности образца, полученного аналогичным методом из того же материала, что и исследуема  деталь 3.

Определ ют параметр А по формуле

1 - Мрбр

А RqSepWfc ) Мо6рФ(И)

гдеВД-О

2CQS1l25ii чо.5 .

1 + cos1l25ii

)°

rTVi ( 2CQS1 25l2 л ,

ФОаМ-г г)

1+cos1-2V

5

0

что облучают исследуемую поверхность детали пучком коллимированного монохроматического излучени  под углами И и 12, измер ют интенсивность 131 и )32 зеркальных составл ющих отраженного излучени  и определ ют среднеквадратичное отклонение Rq микронеровностей от средней линии профил , отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности определени , облучение поверхности провод т естественно пол ризованным излучением в диапазоне углов 40° Н la ТО ополнительно измер ют значени  131обр. и 132обр., при отражении излучени  от аттестованной по параметру Rqo6p поверхности образца, изготовленного аналогичным методом из того же материала, что и исследуема  деталь, а определение среднеквадратичного отклонени  микронеровностей от средней линии профил  производ т из соотношени 

1 Идет1

(12) - Мдет«Р(И)1/

0.8

МобР

1з2обр

Ым 31 Ф(12)

7Г ет-тз2Среднеквадратичное отклонение Rq микронеровностей от средней линии профил  определ ют по формуле

1 м10-8

1 - Мдет

НЯ - (12) - МДвтФ(Н)

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ измерени  шероховатости поверхности детали, заключающийс  в том.

   25

   где,

   0

   А 1 - Мрбр

   КЙбрРВД МобРФ(М) М 31 (l2) , м „ з1о6р Ф(12)

   ет 132 Д) Mo6p-TaW-ад

   м., , 2cos1|25ii л Ф(Н)-(-:гиг)

   1 -f cos

   1,25,

   35

   25h

   «CWKT ril-) 1 -f-COS l2