SU1571683A1 - Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем - Google Patents

Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем Download PDF

Info

Publication number
SU1571683A1
SU1571683A1 SU884362218A SU4362218A SU1571683A1 SU 1571683 A1 SU1571683 A1 SU 1571683A1 SU 884362218 A SU884362218 A SU 884362218A SU 4362218 A SU4362218 A SU 4362218A SU 1571683 A1 SU1571683 A1 SU 1571683A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
outputs
inputs
error
information
register
Prior art date
Application number
SU884362218A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Константинович Кейлин
Николай Александрович Шустов
Виктор Борисович Скотников
Original Assignee
Предприятие П/Я Ю-9996
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Ю-9996 filed Critical Предприятие П/Я Ю-9996
Priority to SU884362218A priority Critical patent/SU1571683A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1571683A1 publication Critical patent/SU1571683A1/ru

Links

Landscapes

  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может использоватьс  при построении посто нной пам ти с последовательной выборкой информации массивами. Целью изобретени   вл етс  упрощение устройства. Устройство содержит M-разр дный накопитель, формирователь синдрома ошибки, суммирующий регистр, дешифратор синдрома ошибки, анализатор синдрома ошибки, блок коррекции, информации, коммутатор, регистр адреса и блок управлени . В устройстве считывание массива информации производитс  за N тактов, причем в каждом такте формируетс  частичный синдром по коду Хэмминга дл  M.N-разр дного слова, который накапливаетс  в суммирующем регистре. По окончании считывани  сформированный синдром содержит адрес ошибочного слова накопител  и номер разр да с ошибкой. 2 ил.

Description

Ы
и
Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении посто нной пам ти с последовательной выборкой информации массивами .
Цель изобретени  - упрощение устройства .
На фиг. 1 представлена схема посто нного запоминающего устройства с самоконтролем; на фиг. 2 - временна  диаграмма работы устройства.
Устройство (фиг. 1) содержит регистр 1 адреса, накопитель 2, формирователь 3 синдрома ошибок, суммирующий регистр 4, дешифратор 5, анализатор 6 синдрома ошибки, блок 7 управлени , коммутатор 8, блок 9 коррекции информации, адресные входы 10 и информационные выходы 11 устройства , выходы одиночной 12 и множественной 13 ошибки устройства, выходы 14
адреса ошибочного слова устройства, входы 15 коррекции информации устройства, выходы 16-20 блока 7 управлени  и вход 21 управлени  режимов работы устройства.
Устройство работает в режимах чтени  информации и режиме коррекции одиночных ошибок чтени .
В режиме чтени  на входы 10 регистра 1 поступает адрес первой группы разр дов (слова) первого массива информации. С выхода накопител  2 первое слово массива (группа разр дов) поступает на входы коммутатора 8, далее - на выходы 11 устройства . Одновременно формирователь 3 синдрома ошибки формирует частичный синдром, который поступает на суммирующий регистр 4. В следующем такте режима чтени  аналогично считываетс  из накопител  2 следующее слово массива. Формирователь 3 формирует второй частичный
ел ч
сЈ
00
GJ
синдром данного слова массива, который поступает на вход суммирующего регистра 4 и суммируетс  по mod 2 с предыдущим частичным синдромом. Управление регистром 4, осуществл ет блок 7 управлени  в соответствии с матрицей кодировани .
Аналогично происходит чтение всех J слов массива. По окончании считывани  всех слов данного массива на регистре 4 формируетс  общий синдром по коду Хэм- минга всего массива. Данный синдром поступает на входы дешифратора 5 и анализатора 6 синдрома ошибки. В случае отсутстви  признаков одиночной и множественной ошибок на выходах 12 и 13 устройства разрешаетс  дальнейшее использование считанного массива и начинаетс  считывание следующего. В случае возникновени  одиночной ошибки в считанном массиве на выходе 12 по вл етс  сигнал признака одиночной ошибки, на выходах 14 - адрес слова (группы разр дов) массива, в котором произошла ошибка, в результате ЦВМ (на фиг. 2. не показана) фор- мирует режим корректировки одиночной ошибки. В этом режиме на вход 21 блока 7 поступает начальный адрес микропрограммы корректировки, который обеспечивает работу устройства в режиме корректировки , при зтом осуществл етс  коммутаци  выходов блока 9 коррекции на выходы 11 устройства через коммутатор 8. Далее на выходы 15 из ЦВМ поступает слово (группа разр дов) массива с одиночной ошибкой, соответствующее адресу ошибочной труп1 пы, сформированному на выходе 14, и в соответствии с кодом общего синдрома ошибочный бит слова корректируетс  в блоке 9, а исправленное слово поступает на выходы 11 устройства. Затем осуществл етс  начальна  установка блоков устройства и начинаетс  считывание следующего массива .

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем, содержащее регистр адреса , информационные входы которого  вл ютс  адресными входами устройства, а выходы соединены с адресными входами накопител , выходы которого подключены к входам формировател  синдрома ошибки, дешифратор синдрома ошибки, выходы первой группы которого  вл ютс  выходами адреса ошибочного слова устройства, а выходы второй группы соединены с входами первой группы блока коррекции информации , входы второй группы которого  вл ютс  входами коррекции информации устройства, анализатор синдрома ошибки, первый и второй выходы которого  вл ютс  соответственно выходами одиночной и множественной ошибки, а управл ющий вход
    подключен к третьему выходу блока управлени , первый и второй выходы которого соединены соответственно с синхровходом регистра адреса и входом выборки накопител , вход блока управлени   вл етс  входом управлени  режимом работы
    устройства, отличающеес  тем, что, с
    целью упрощени , в устройство введены
    суммирующий регистр и коммутатор, причем информационные входы суммирующего
    регистра соединены с выходами формировател  синдрома ошибки, синхровходы суммирующего регистра подключены к соответствующим выходам группы блока управлени , четвертый выход которого соединен с управл ющим входом коммутатора, выходы которого  вл ютс  информационными выходами устройства, информационные входы первой и второй групп коммутатора подключены соответственно к
    0 выходам накопител  и к выходами блока коррекции информации, выходы суммирующего регистра соединены с входами дешифратора синдрома ошибки и с входами анализатора синдрома ошибки.
    t $
    СЭ cvj Ј- j. T U- Ю °O СЭ т-Г-Ч- 4-«.. №0 oiCrsO $oC4J
    T V 4. «-, -
    I
SU884362218A 1988-01-08 1988-01-08 Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем SU1571683A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884362218A SU1571683A1 (ru) 1988-01-08 1988-01-08 Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884362218A SU1571683A1 (ru) 1988-01-08 1988-01-08 Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1571683A1 true SU1571683A1 (ru) 1990-06-15

Family

ID=21349131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884362218A SU1571683A1 (ru) 1988-01-08 1988-01-08 Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1571683A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Конопелько В.К., Лосев В.В. Надежное хранение информации в полупроводниковых запоминающих устройствах. М.: Радио и св зь, 1986, с. 114-115, рис 4.1, 4.2. Там же, с. 115-116, рис 4.4. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1571683A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство с самоконтролем
SU1161990A1 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией ошибок
SU1536445A1 (ru) Запоминающее устройство с исправлением дефектов и ошибок
SU970480A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1149313A1 (ru) Запоминающее устройство с обнаружением наиболее веро тных ошибок
SU736177A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1297120A1 (ru) Запоминающее устройство с исправлением ошибок
SU1374284A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1075312A1 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией ошибок
SU1302329A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU920845A1 (ru) Запоминающее устройство с исправлением ошибок
SU1372366A1 (ru) Устройство дл обнаружени и коррекции ошибок
SU1547035A1 (ru) Запоминающее устройство
SU556494A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1149316A1 (ru) Запоминающее устройство
SU733028A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
SU1372367A1 (ru) Устройство дл обнаружени и коррекции ошибок
SU1149314A1 (ru) Запоминающее устройство с обнаружением ошибок
SU1164791A1 (ru) Запоминающее устройство с обнаружением ошибок
SU898510A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU618799A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1547080A1 (ru) Устройство дл декодировани итеративного кода
SU1411834A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU788180A1 (ru) Запоминающее устройство с обнаружением и исправлением ошибок
RU1837364C (ru) Оперативное запоминающее устройство с коррекцией ошибок