SU1539993A1 - МДП-инвертор - Google Patents
МДП-инвертор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1539993A1 SU1539993A1 SU884430770A SU4430770A SU1539993A1 SU 1539993 A1 SU1539993 A1 SU 1539993A1 SU 884430770 A SU884430770 A SU 884430770A SU 4430770 A SU4430770 A SU 4430770A SU 1539993 A1 SU1539993 A1 SU 1539993A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- additional
- mos
- gate
- inverter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может найти применение в цифровых интегральных схемах. Цель изобретени - снижение потребл емой мощности достигаетс путем повышени выходного напр жени логической единицы МДП - инвертора при использовании лишь одного источника питани . В результате введени дополнительных МДП-транзисторов 3 и 4, образующих дополнительный инвертор, на выходе которого с помощью конденсатора 6 и диода 5 реализуетс преобразователь напр жени , увеличиваетс примерно в два раза отрицательное напр жение, приложенное к затворам МДП-транзисторов 2,4. Это напр жение выполн ет функцию напр жени смещени (второго источника питани ) дл МДП-инвертора, что позвол ет снизить величину напр жени источника питани . 1 ил.
Description
ы
:н.
,3-г i
521
Изобретение относитс к импульсной технике и может найти применение в цифровых интегральных схемах.
Целью изобретени вл етс сниже- ние потребл емой мощности за счет повышени выходного напр жени логической единицы МДП-инвертора при использовании лишь одного источника питани .
На чертеже представлена электрическа схема МДП-инвертора.
МЛП-инвертор состоит из четырех МДП-транзисторов 1-4 с индуцированным р-каналом , диода 5, конденсатора 6, входной 7 и выходной 8 клемм. Истоки МЛП-транзисторов 1 и 3 подключены к общей шине, а стоки МДП-транзисторов 2 и k - к катоду диода 5 и источнику питани . Сток МДП-транзистора
1подключен к истоку МДП-транзистора
2и клемме 8, а затвор - к затвору МДП-транзистора 3 и клемме 7. Первый вывод конденсатора 6 подключен к
стоку МДП-транзистора 3 и истоку МДП- транзистора k, затвор которого подключен к затвору МДП-транзистора 2, второму выводу конденсатора 6 и аноду диода 5. Подложки МДП-транзисторов 1 - 4 в зависимости от конкретных технических требований и используемой технологии изготовлени могут быть соединены со своими истоками или подключены к общей шине. МДП-транзисторы 1 и 3 вл ютс , управл емыми и выпол- н ют свои обычные функции активных элементов, а МДП-транзисторы 2 и k - нагрузочными и выполн ют функции резисторов . МДП-транзисторы 1 и 2 образуют основной, а МДП-транзис.торы 3 и 4 - дополнительный инвертор.
При отрицательном напр жении (логическа единица) на входной клемме 7 МДП-транзисторы t и 3 открыты. Напр жени на выходе основного (клемма 8) и дополнительного инверторов практически равны нулю. При этом через диод 5 зар жаетс конденсатор 6 от источника питани до напр жени , близкого
к
При нулевом напр жении на клемме 7
(логический нуль) МДП-транзисторы 1 и 3 закрыты. Напр жени на истоках МДП-транзисторов 2 и k станов тс равными lVgbW| lEn| -lV0| . При этом напр жение на конденсаторе 6 складываетс с напр жением , и это суммарное (отрицательное) напр жение оказываетс приложенным к затворам
МДП-транзисторов 2 и k.В результате обеспечиваетс необходимое открывание этих МДП-транзисторов и повышение (по модулю) УЬ4Ь1Х.
При работе МДП-инвертора образуетс положительна обратна св зь, форсирующа наращивание отрицательного напр жени Есм на затворах МДП-тран- зисторрв 2 и 4. Так, увеличение Есм приводит к возрастанию V , что обеспечивает увеличение Е . В результате
ту
V6wx ЕпЭто происходит только при закрытых
МДП-транзисторах 1 и 3. При открытых же МДП-транзисторах 1 и 3 (логическа единица на входе) напр жение смещени на затворах МДП-транзисторов 2 и k не может превысить величины Е, что способствует снижению потребл емой мощности.
Таким образом, обеспечиваетс повышенное выходное напр жение логической единицы МДП-инвертора (на клемме 8) при использовании лишь одного источника питани посто нной величины.
Claims (1)
- Поскольку МДП-транзисторы 2 и k обладают большими входными сопротивлени ми по затвору, то можно использовать конденсатор 6 относительно не- .болыиого номинала. Формула изобретениМДП-инвертор, содержащий два МДП- транзистора с индуцированным р-кана- лом, входную и выходную клеммы, исток первого ЙДП-транзистора подключен к общей шине, затвор - к входной клемме , а сток - к выходной клемме и истоку второго МДП-транзистора, сток которого подключен к шине источника питани , отли -чающийс тем, что, с целью снижени потребл емой мощности, в него введены два дополнительных МДП-транзистора с индуцированным р-каналом, диод и конденсатор , первый вывод которого подключен к стоку первого дополнительного МДП-транзистора и истоку второго дополнительного МДП-транзистора, затвор которого подключен к затвору второго МДП-транзистора, второму выводу конденсатора и аноду диода, катод которого подключен к стоку второго дополнительного МДП-транзистора и к шине источника питани , а входна клемма подключена к затвору первого дополнительного МДП-транзистора, исток которого подключен к общей шине.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884430770A SU1539993A1 (ru) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | МДП-инвертор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884430770A SU1539993A1 (ru) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | МДП-инвертор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1539993A1 true SU1539993A1 (ru) | 1990-01-30 |
Family
ID=21377282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884430770A SU1539993A1 (ru) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | МДП-инвертор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1539993A1 (ru) |
-
1988
- 1988-05-30 SU SU884430770A patent/SU1539993A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Кроуфорд Р. Схемные применени МОП-транзисторов. - М.: Мир, 1970, с. 127, рис.5П, а и б. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Советское радио, 1980, с. 268, рис.8.17(5) МДП-ИНВЕРТОР * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4473757A (en) | Circuit means for converting a bipolar input to a unipolar output | |
US3824447A (en) | Booster circuit | |
JP2733796B2 (ja) | スイッチ回路 | |
US4321661A (en) | Apparatus for charging a capacitor | |
US5825695A (en) | Semiconductor device for reference voltage | |
US4365172A (en) | High current static MOS driver circuit with low DC power dissipation | |
KR920000839B1 (ko) | 플래쉬 아날로그-디지탈 변환기 | |
KR940027316A (ko) | 저전력 모드 및 클럭 증폭기 회로를 가진 집적 회로 | |
US20190245434A1 (en) | Detection Circuit and Electronic Device Using the Same | |
SU1539993A1 (ru) | МДП-инвертор | |
JPH0428226Y2 (ru) | ||
US4954730A (en) | Complementary FET circuit having merged enhancement/depletion FET output | |
JPS63148173A (ja) | チヨツパ型比較器 | |
SU1629986A1 (ru) | МДП-инвертор | |
JPH07105709B2 (ja) | 電圧変換回路 | |
SU1624623A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
JP2601399Y2 (ja) | 昇圧回路 | |
JP2003188696A (ja) | 双安定回路 | |
SU1679621A1 (ru) | Кмдп-ключ | |
SU1637004A1 (ru) | Формирователь импульсов с амплитудой, превышающей напр жение питани | |
JPS61214614A (ja) | 出力バツフア回路 | |
RU2085030C1 (ru) | Устройство преобразования уровней логических сигналов на кмоп-транзисторах | |
JPS6182530A (ja) | Cmos回路 | |
JPS61214817A (ja) | Cmos集積回路 | |
SU1681335A1 (ru) | Формирователь напр жени смещени подложки |