SU1539993A1 - МДП-инвертор - Google Patents

МДП-инвертор Download PDF

Info

Publication number
SU1539993A1
SU1539993A1 SU884430770A SU4430770A SU1539993A1 SU 1539993 A1 SU1539993 A1 SU 1539993A1 SU 884430770 A SU884430770 A SU 884430770A SU 4430770 A SU4430770 A SU 4430770A SU 1539993 A1 SU1539993 A1 SU 1539993A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
additional
mos
gate
inverter
Prior art date
Application number
SU884430770A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU884430770A priority Critical patent/SU1539993A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1539993A1 publication Critical patent/SU1539993A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может найти применение в цифровых интегральных схемах. Цель изобретени  - снижение потребл емой мощности достигаетс  путем повышени  выходного напр жени  логической единицы МДП - инвертора при использовании лишь одного источника питани . В результате введени  дополнительных МДП-транзисторов 3 и 4, образующих дополнительный инвертор, на выходе которого с помощью конденсатора 6 и диода 5 реализуетс  преобразователь напр жени , увеличиваетс  примерно в два раза отрицательное напр жение, приложенное к затворам МДП-транзисторов 2,4. Это напр жение выполн ет функцию напр жени  смещени  (второго источника питани ) дл  МДП-инвертора, что позвол ет снизить величину напр жени  источника питани . 1 ил.

Description

ы
:н.
,3-г i
521
Изобретение относитс  к импульсной технике и может найти применение в цифровых интегральных схемах.
Целью изобретени   вл етс  сниже- ние потребл емой мощности за счет повышени  выходного напр жени  логической единицы МДП-инвертора при использовании лишь одного источника питани .
На чертеже представлена электрическа  схема МДП-инвертора.
МЛП-инвертор состоит из четырех МДП-транзисторов 1-4 с индуцированным р-каналом , диода 5, конденсатора 6, входной 7 и выходной 8 клемм. Истоки МЛП-транзисторов 1 и 3 подключены к общей шине, а стоки МДП-транзисторов 2 и k - к катоду диода 5 и источнику питани . Сток МДП-транзистора
1подключен к истоку МДП-транзистора
2и клемме 8, а затвор - к затвору МДП-транзистора 3 и клемме 7. Первый вывод конденсатора 6 подключен к
стоку МДП-транзистора 3 и истоку МДП- транзистора k, затвор которого подключен к затвору МДП-транзистора 2, второму выводу конденсатора 6 и аноду диода 5. Подложки МДП-транзисторов 1 - 4 в зависимости от конкретных технических требований и используемой технологии изготовлени  могут быть соединены со своими истоками или подключены к общей шине. МДП-транзисторы 1 и 3  вл ютс , управл емыми и выпол- н ют свои обычные функции активных элементов, а МДП-транзисторы 2 и k - нагрузочными и выполн ют функции резисторов . МДП-транзисторы 1 и 2 образуют основной, а МДП-транзис.торы 3 и 4 - дополнительный инвертор.
При отрицательном напр жении (логическа  единица) на входной клемме 7 МДП-транзисторы t и 3 открыты. Напр жени  на выходе основного (клемма 8) и дополнительного инверторов практически равны нулю. При этом через диод 5 зар жаетс  конденсатор 6 от источника питани  до напр жени , близкого
к
При нулевом напр жении на клемме 7
(логический нуль) МДП-транзисторы 1 и 3 закрыты. Напр жени  на истоках МДП-транзисторов 2 и k станов тс  равными lVgbW| lEn| -lV0| . При этом напр жение на конденсаторе 6 складываетс  с напр жением , и это суммарное (отрицательное) напр жение оказываетс  приложенным к затворам
МДП-транзисторов 2 и k.В результате обеспечиваетс  необходимое открывание этих МДП-транзисторов и повышение (по модулю) УЬ4Ь1Х.
При работе МДП-инвертора образуетс  положительна  обратна  св зь, форсирующа  наращивание отрицательного напр жени  Есм на затворах МДП-тран- зисторрв 2 и 4. Так, увеличение Есм приводит к возрастанию V , что обеспечивает увеличение Е . В результате
ту
V6wx ЕпЭто происходит только при закрытых
МДП-транзисторах 1 и 3. При открытых же МДП-транзисторах 1 и 3 (логическа  единица на входе) напр жение смещени  на затворах МДП-транзисторов 2 и k не может превысить величины Е, что способствует снижению потребл емой мощности.
Таким образом, обеспечиваетс  повышенное выходное напр жение логической единицы МДП-инвертора (на клемме 8) при использовании лишь одного источника питани  посто нной величины.

Claims (1)

  1. Поскольку МДП-транзисторы 2 и k обладают большими входными сопротивлени ми по затвору, то можно использовать конденсатор 6 относительно не- .болыиого номинала. Формула изобретени 
    МДП-инвертор, содержащий два МДП- транзистора с индуцированным р-кана- лом, входную и выходную клеммы, исток первого ЙДП-транзистора подключен к общей шине, затвор - к входной клемме , а сток - к выходной клемме и истоку второго МДП-транзистора, сток которого подключен к шине источника питани , отли -чающийс  тем, что, с целью снижени  потребл емой мощности, в него введены два дополнительных МДП-транзистора с индуцированным р-каналом, диод и конденсатор , первый вывод которого подключен к стоку первого дополнительного МДП-транзистора и истоку второго дополнительного МДП-транзистора, затвор которого подключен к затвору второго МДП-транзистора, второму выводу конденсатора и аноду диода, катод которого подключен к стоку второго дополнительного МДП-транзистора и к шине источника питани , а входна  клемма подключена к затвору первого дополнительного МДП-транзистора, исток которого подключен к общей шине.
SU884430770A 1988-05-30 1988-05-30 МДП-инвертор SU1539993A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884430770A SU1539993A1 (ru) 1988-05-30 1988-05-30 МДП-инвертор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884430770A SU1539993A1 (ru) 1988-05-30 1988-05-30 МДП-инвертор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1539993A1 true SU1539993A1 (ru) 1990-01-30

Family

ID=21377282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884430770A SU1539993A1 (ru) 1988-05-30 1988-05-30 МДП-инвертор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1539993A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Кроуфорд Р. Схемные применени МОП-транзисторов. - М.: Мир, 1970, с. 127, рис.5П, а и б. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Советское радио, 1980, с. 268, рис.8.17(5) МДП-ИНВЕРТОР *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4473757A (en) Circuit means for converting a bipolar input to a unipolar output
US3824447A (en) Booster circuit
JP2733796B2 (ja) スイッチ回路
US4321661A (en) Apparatus for charging a capacitor
US5825695A (en) Semiconductor device for reference voltage
US4365172A (en) High current static MOS driver circuit with low DC power dissipation
KR920000839B1 (ko) 플래쉬 아날로그-디지탈 변환기
KR940027316A (ko) 저전력 모드 및 클럭 증폭기 회로를 가진 집적 회로
US20190245434A1 (en) Detection Circuit and Electronic Device Using the Same
SU1539993A1 (ru) МДП-инвертор
JPH0428226Y2 (ru)
US4954730A (en) Complementary FET circuit having merged enhancement/depletion FET output
JPS63148173A (ja) チヨツパ型比較器
SU1629986A1 (ru) МДП-инвертор
JPH07105709B2 (ja) 電圧変換回路
SU1624623A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
JP2601399Y2 (ja) 昇圧回路
JP2003188696A (ja) 双安定回路
SU1679621A1 (ru) Кмдп-ключ
SU1637004A1 (ru) Формирователь импульсов с амплитудой, превышающей напр жение питани
JPS61214614A (ja) 出力バツフア回路
RU2085030C1 (ru) Устройство преобразования уровней логических сигналов на кмоп-транзисторах
JPS6182530A (ja) Cmos回路
JPS61214817A (ja) Cmos集積回路
SU1681335A1 (ru) Формирователь напр жени смещени подложки