SU1428141A1 - Светоизлучающий диод - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к полупроводниковым приборам, преобразующим электрическую энергию в когерентное излучение. Цель изобретения - повышение квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет стимулированного режима работы светодиода. Светоизлучающий диод содержит варизонную пленку InAsSbP n-типа проводимости и p-n-переход. Диод дополнительно содержит варизонную пленку InAsSb с расположенным в ней p-n-переходом, сопряженную с узкозонной поверхностью пленки InAsSbP толщиной 60 - 90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом α, причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде шаровых слоев с совмещенными центрами кривизны, прилегающая к InAsSbP n-область InAsSb имеет толщину 2 - 4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении от центра кривизны с градиентом gradсвязанным с диффузионной длиной L электронов в p-InAsSb соотношениемугол α между сколотыми гранями удовлетворяет условиямгде c = 7,10·10мкм; b - длина p-n-перехода, заключенного между гранями структуры. Светодиод имеет квантовый выход на λ = 3,9 мкм, в несколько раз превышающий квантовый выход известных светодиодов. 1 ил.