SU1261528A1 - POWERFUL RADIATING DIODE - Google Patents
POWERFUL RADIATING DIODEInfo
- Publication number
- SU1261528A1 SU1261528A1 SU3823614/25A SU3823614A SU1261528A1 SU 1261528 A1 SU1261528 A1 SU 1261528A1 SU 3823614/25 A SU3823614/25 A SU 3823614/25A SU 3823614 A SU3823614 A SU 3823614A SU 1261528 A1 SU1261528 A1 SU 1261528A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- recombination centers
- areas
- area
- diode
- content
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S, S- суммарные площади областей каждого типа;- концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров;C, C- коэффициенты захвата рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров.2. Диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения токораспределения по площади диода, области с меньшим содержанием рекомбинационных центров равномерно распределяют по площади структуры, при этом диаметр d области и толщина W n-слоя структуры, границы которой совмещены с областью с большим содержанием рекомбинационных центров, определены соотношением d > 4W.1. Power fast-recovering diode, made on the basis of a semiconductor pn-structure containing recombination centers, characterized in that, in order to reduce switching overload voltage, the pn-structure contains two types of areas with different content of recombination centers, the area and concentration ratios defined by the following ratios: where S, S are the total areas of areas of each type; is the concentration of recombination centers in areas with different content of recombination centers; C, C- capture coefficients of recombination centers in regions with different contents of recombination centers.2. A diode according to claim 1, characterized in that, in order to improve the current distribution over the area of the diode, areas with a lower content of recombination centers are evenly distributed over the area of the structure, while the diameter d of the area and the thickness W of the n-layer of the structure, whose borders are aligned The high content of recombination centers is determined by the ratio d> 4W.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3823614/25A SU1261528A1 (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | POWERFUL RADIATING DIODE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3823614/25A SU1261528A1 (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | POWERFUL RADIATING DIODE |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1261528A1 true SU1261528A1 (en) | 2000-06-20 |
Family
ID=60542764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3823614/25A SU1261528A1 (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | POWERFUL RADIATING DIODE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1261528A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811452C1 (en) * | 2023-09-26 | 2024-01-11 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Fast recovery diode on silicon-on-insulator structure |
-
1984
- 1984-12-10 SU SU3823614/25A patent/SU1261528A1/en active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811452C1 (en) * | 2023-09-26 | 2024-01-11 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Fast recovery diode on silicon-on-insulator structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5713777A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS56165371A (en) | Semiconductor device | |
| KR890004466B1 (en) | Semiconductor device | |
| JPS6445173A (en) | Conductive modulation type mosfet | |
| JPS5710992A (en) | Semiconductor device and manufacture therefor | |
| JPS5596677A (en) | Semiconductor switching element and method of controlling the same | |
| SU1261528A1 (en) | POWERFUL RADIATING DIODE | |
| JPS5473585A (en) | Gate turn-off thyristor | |
| JPS5538058A (en) | Semiconductor device | |
| JPS54127684A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6489569A (en) | Solar cell element | |
| JPS5681982A (en) | Power phototransistor | |
| JPS5688376A (en) | Schottky barrier diode with p-n junction | |
| JPS56112761A (en) | Manufacture of 3-5 group element semiconductor device | |
| JPS5712570A (en) | Semiconductor photoelectric converter | |
| JPS6454765A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5354984A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5771178A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5737884A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5516541A (en) | Reverse-conducting gate turn-off thyristor circuit | |
| JPS56162866A (en) | Composite thyristor | |
| JPS5637676A (en) | Field effect type semiconductor switching device | |
| JPS57208170A (en) | Composite transistor | |
| JPS56101779A (en) | Schottky barrier diode | |
| SU1544124A1 (en) | JOZEFSON TRANSITION WITH DIRECT CONDUCTIVITY |