SU1160896A1 - Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем - Google Patents

Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем Download PDF

Info

Publication number
SU1160896A1
SU1160896A1 SU833575155A SU3575155A SU1160896A1 SU 1160896 A1 SU1160896 A1 SU 1160896A1 SU 833575155 A SU833575155 A SU 833575155A SU 3575155 A SU3575155 A SU 3575155A SU 1160896 A1 SU1160896 A1 SU 1160896A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
rare
aluminum
film
earth metals
thin
Prior art date
Application number
SU833575155A
Other languages
English (en)
Inventor
В.М. Колешко
В.Ф. Белицкий
Н.Р. Бочвар
Е.В. Лысова
Е.И. Лапицкий
Original Assignee
Институт электроники АН БССР
Институт Металлургии Им.А.А.Байкова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электроники АН БССР, Институт Металлургии Им.А.А.Байкова filed Critical Институт электроники АН БССР
Priority to SU833575155A priority Critical patent/SU1160896A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1160896A1 publication Critical patent/SU1160896A1/ru

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

ровностей микрорельефа поверхности пленок (ширина в основании 0,6 мкм и высота 0,2-0,3 мкм), сравнимые с толщиной межуровневого диэлектрика ( 0,3-0,4 мкм), затрудн ют использование пленок из алюмини , содержащего добавки кремни , при многоуровневой разводке межсоединении ИМС за счет отказов, обусловленных разрушением межуровневого диэлектрика неровност ми микрорельефа поверхности пленок и короткого замыкани  между провод щими сло ми.
Наиболее близким техническим решением  вл етс  материал дл  изготовлени  тонкопленочных межсоединений ИМС на основе алюмини , содержащий редкоземельный металл (РМЗ) или смесь редкоземельных металлов.
Достоинства такого материала дл  изготовлени  межсоединений ИМС состо т в высокой устойчивости тонких пленок из него к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокой свариваемости алюминиевой и золотой проволокой. Высока  степень дискретности пленок, средний размер зерен при содержании, например. Но в количестве 0,7 мас.% составл ет 0,1-0,15 мкм, сохран юща с  при термообработке при температуре - 475-500°С, позвол ет формировать межсоединени  ИМС с минимальной шириной 0,5-2,0 мкм.
К недостаткам материала дл  изготовлени  тонкопленочнь Х межсоединений ИМС на основе алюмини  с добавками редкоземельных металлов относитс  то, что переходное контактное сопротивление (Rx) тонких пленок алюмини , содержащ-лх до .бзвки редкоземельных металлов, на 25-35% выше, чем R,c, гтенок алюмини  к кремни n-тмпа, и на 35-40% выше, чем RK пленок алюмини , содержащих добавки кремни .
Цель изобретени  - улучшение электрофизических свойств тонкопленочных межсоединений ИМС м полупроводниковых приборов преимущественно с мелкими р-ппереходами и микронными и субмикронными размерами элементов при сохранении высокой устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокого качества микросварки алюминиевой и золотой проволокой.
Цель достигаетс  тем, что материал дл  изготовлени  тонкопле.ночных межсоединений ИМС на основе алюмини , содержащий редкоземельный металл и/или смесь редкоземельных металАюв, дополнительно содержит кремний при следующем содержании компонентов, мае,%:
Редкоземельные
металлы и/или смеси
редкоземельных
металлов0,01-4,0
Кремний0,1-2,0
АлюминийОстальное
Количественный состав компонентов, вход щих в данный материал, определ етс  по их вли нию на размер зерен тонкой пленки, полученной из этого материала, переходное контактное сопротивление к кремнию, рельеф поверхности пленки.
Нижн   граница вход щих в данный материал ингредиентов определ ет миии5 мальное содержание примеси, при которой наблюдаетс  эффект уменьшени  контактного сопротивлени  тонкой пленки и сохран ютс  необходимые требовани  по размеру зерен, микрорельефу поверхности
0 (см.табл.1, в которой приведены примеры граничных и оптимального количества содержани  ингредиентов), а также сохран ютс  высока  устойчивость к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой. Повышение устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического токаи
0 коррозии, а также качества ультразвуковой микросварки достигаетс  введением в пленку примесей РЗМ. Верхн   граница определ етто максимальное содержание примеси, при которомтакже имеетместо уменьшение
5 RK при сохранении прочих вышеуказанных свойств.
Материал получают обычным способом плавки алюмини , кремни , РЗМ и/или смесей РЗМ в дуговой печи, например, марки
0 L-200 с нерасходуемым вольфрамовым электродом на медном водоохлаждаемом поддоне в атмосфере инертного газа. Перемешивание сплава осуществл етс  в этом случае с помощью дуги. Услови  плавки следующие: давление гели  в печи 400 мм рт.ст., ток- 1200-1600 А при напр жении 30-40 В. Врем  одного переплава 3-5 мин. Дл  более равномерного распределени  РЗМ и SI каждый слиток переплавл ли 3-4
О раза. Затем проводили гомогенизирующий отжиг слитков на воздухе в течение 3-4 ч при температуре 450°С. Слитки имели диаметр 100 мм и высоту 8 мм. Из этих слитков готовили м-ишени дл 
5 магнетронного распылени  материала. Дл  этого их обрабатывали на токарном станке при скорости обработки 63 об/мин. При этом исключалось использование охлаждаемых эмульсий. После обработки на токарном станке мишени имели
размеры: диаметр 95-0,5 мм, толщина 5,5 мм.
Перед помещением в устройство дл  магнетронного распылени  полученные мишени обрабатывались в полирующем растворе следующего состава: НзРО - 16 частей, НМОз- 1 часть, СНзСООН - 1 часть, Н20 - 2 части в течение 3-5 мин, при температуре 30-40 С. Услови  получени  тонких пленок методом магнетронного распылени  мишени диаметром 95 мм и толщиной 5 мм следующие: ток мишени - 1,0-1,5 А, им 520-5бО В, давление аргона в камере 1,3 мм рт.ст., температура кремниевой подложки была равной 170 С. Скорость напылени  пленки при этих услови х 0,02-0,04 мкм/с. При этих же услови х распыл ли и алюминий (марка А99), а также материалы дл  изготовлени  межсоединений на основе алюмини  с добавками РЗМ и S1.
Результаты сравнительных испытаний представлены в табл. 2 При определении переходного контактного сопротивлени  замер ли сопротивление цепочки из 18 контактов натестовом элементе. Доза легировани  n-области была равной 700 мкКл. Из табл.2 следует, что предложенный материал имеет более низкое контактное сопротивление к кремнию, чем известные материалы, при сохранении высокой устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока. Оценка величины нормального электродного потенциала в растворе этиленгликол  пленок алюмини  с добавками РЗМ и SI показала, что он менее отрицателен, чем дл  алюмини , а также алюглини  с добавками SI, и по пор дку величины сравним с нормальным электродным потенциалом алюмини  с добавками РЗМ 0,48 В (см.табл.2). Это позвол ет заключить о высокой коррозионной стойкости тонкопленочных межсоединений ИМС на основе предлагаемого материала.
Были получены также материалы на основе алюмини  и других РЗМ, содержащие кремний. Использовали Y: Yb; Се; Nd и другие РЗМ. Результаты исследовани  RK, среднего размера зерен, микрорельефа поверхности и других свойстз незначительно отл 1чаютс  от представленных в табл.1 и 2. Использовали также мишметалл - смесь РЗМ, содержащий Се - 45-50; Nd - 18; Рг 5: Sm - 1; La - 20-25; остальное: примеси У, Eu,Tb и другие РЗМ, i а также А1; Со; Са; Мп; SI; N1; РЙ: Fe; С. Результаты аналогичны. В частности, РК - 250-300 Ом. Микрорельеф поверхности, средний размер зерен пленок, средн   наработка на отказ, нормальный электродный потенциал - все эти характеристики по величине незначительно отличаютс  от тех, которые были получены на образцах AI+Ho+SI; AI+Tb+Sl; AI+Eu+St.
. Таким образом, данный материал дл  изготовлени  тонкопленочных межсоединений ИМС, используемый и дл  полупроводниковых приборов, имеет существенные преимущества по сравнению с известными: по величине микронеровностей рельефа поверхности пленок, полученных путем его распылени , и более равномерному распределению зерен по размеру, а также величине переходного контактного сопротивлени  к кремнию. При этом сохран етс  высока  устойчивость тонкопленочных проводников из указанного материала к отказам, обусловленным .массопереносом под действием электрического тока и коррозии, а также высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой
Материал можно также использовать при изготовлении межсоединений МОП-интегральных микросхем с мелкими р -п-пере-. ходами и многоуровневой системой разводки, например, при изготовлении микросхем дл  электронных наручных часов, а также микросхем другого назначени .
Зависимость контактного сопротивлени  и размера зерен от состава матеТаблица 1 риала

Claims (1)

  1. (54X57) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (ИМС) на основе алюминия, содержащий редкоземельный металл и/или смесь редкоземельных металлов, отличающийся тем, что. с целью улучшения электрофизических свойств тонкопленочных межсоединений ИМС при сохранении высокой устойчивости к отказам, он дополнительно содержит кремний при следующем содержании компонентов, мас.%:
    Редкоземельный металл и/или смеси редкоземельных металлов 0,01-4,0 Кремний 0,1-2,0 · Алюминий Остальное
SU833575155A 1983-04-08 1983-04-08 Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем SU1160896A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833575155A SU1160896A1 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833575155A SU1160896A1 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1160896A1 true SU1160896A1 (ru) 1991-10-07

Family

ID=21057632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833575155A SU1160896A1 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1160896A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5711858A (en) * 1994-04-12 1998-01-27 International Business Machines Corporation Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate
US8992748B2 (en) 2006-03-06 2015-03-31 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US . N2 3567509, кл. 117-217, опублик. 1972. Авторское свидетельство СССР N2 598458. кн. Н 01 L21/28, 1974. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5711858A (en) * 1994-04-12 1998-01-27 International Business Machines Corporation Process for depositing a conductive thin film upon an integrated circuit substrate
US8992748B2 (en) 2006-03-06 2015-03-31 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6451135B1 (en) High-purity copper sputtering targets and thin films
KR930005072B1 (ko) 전자기기용 구리합금 및 그 제조방법
US5541007A (en) Aluminum alloy wiring layer and aluminum alloy sputtering target
KR20090051267A (ko) 미세 그레인 사이즈 및 높은 전자 이동 저항성을 구비한 구리 스퍼터링 타겟 및 이를 제조하는 방법
WO2007103014A2 (en) Sputtering target
JP2000034562A (ja) スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
SU1160896A1 (ru) Материал дл изготовлени тонкопленочных межсоединений интегральных микросхем
JPS62240739A (ja) 半導体配線材料用b、c、n含有アルミニウム合金
JPS62235451A (ja) 半導体配線材料用Al合金
JP2004193553A (ja) 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層
JP2004193552A (ja) 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット
JPS62240736A (ja) 半導体配線材料用b、c含有アルミニウム合金
JP2004193546A (ja) 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット
JPH0864554A (ja) 薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材
JPS62235454A (ja) 半導体配線材料用N含有Al合金
JP3588011B2 (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US5565380A (en) Semiconductor device and process for production thereof
JPH11176769A (ja) スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
JPH06299354A (ja) Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
JPH034612B2 (ru)
JPS62240737A (ja) 半導体配線材料用b、n含有アルミニウム合金
JPS62235452A (ja) 半導体配線材料用B含有Al合金
JPS62240733A (ja) 半導体配線材料用b含有アルミニウム合金
JPS62240734A (ja) 半導体配線材料用c含有アルミニウム合金
JP3416999B2 (ja) 高強度を有するスパッタリング圧延ターゲット材