SU1108915A1 - Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства - Google Patents

Abstract

1. Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями в ней, в приповерхностном слое которой размещены первая группа разрядных диффузионных шин второго типа проводимости и между ними в углублениях полупроводниковой подложки первого типа проводимости диффузионный слой первого типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, в которых на поверхности полупроводниковой подложки расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого расположен третий диэлектрический слой, на поверхности второго диэлектрического слоя размещены поликремниевые электроды, на поверхности первого и третьего диэлектрических слоев расположена первая группа адресных проводящих шин, на поверхности поликремниевых электродов размещен четвертый диэлектрический слой, на поверхности которого расположены вторая группа адресных проводящих шин над поликремниевыми электродами между адресными поликремниевыми шинами первой группы, пятый диэлектрический слой, вторую группу разрядных проводящих шин, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции матричного накопителя, он содержит шестой и седьмой диэлектрические слои, разрядные проводящие шины второй группы выполнены диффузионными второго типа проводимости и расположены в углублениях в приповерхностном слое полупроводниковой подложки параллельно разрядным проводящим шинам первой группы, адресные проводящие шины первой группы выполнены с выступами и размещены перпендикулярно разрядным диффузионным шинам первой и второй групп, на поверхности адресных проводящих шин первой группы расположен пятый диэлектрический слой, на поверхности торцов выступов которого расположен шестой диэлектрический слой, на поверхности первого, третьего, пятого и шестого диэлектрических слоев расположен седьмой диэлектрический слой с отверстиями, совпадающими с отверстиями в первом диэлектрическом слое.2. Накопитель по п.1, отличающийся тем, что пятый и шестой диэлектрические слои выполнены из двуокиси кремния толщиной в 5 - 10 раз более и в 10 раз менее толщины второго диэлектрического слоя соответственно.