SU1020869A1

SU1020869A1 - Способ подгонки сопротивлени тонкопленочного резистора

Info

Publication number: SU1020869A1
Application number: SU792825848A
Authority: SU
Inventors: Зенон Юрьевич Готра; Богдан Антонович Голдованский
Original assignee: Львовский Ордена Ленина Политехнический Институт
Priority date: 1979-10-08
Filing date: 1979-10-08
Publication date: 1983-05-30

Abstract

СПОСОБ ПОДГОНКИСОПРОТИВЛЕНИЯ ТОНКОПЛБНОЧНОГО РЕЗИСТОРА, включающий термообработку резистивной пленки импульсами лазера, отличающийс тем, что,.с целью повышени стабильности резистора , перед каждым импульсом лазера осуществл ют предварительный нагрев резистивной пленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.

Description

S

ff

О)

TTiyj

III v-«

5 flll 2

f

Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использовано в производстве резисторов.

Известен способ подгонки сопротивлени тонкопленочных резисторов путем удалени резистивной пленки сфокусированным лучом лазера

Недостатком данного способа вл етс то, что стабильность резисторов после подгонки в значительной мере зависит, от качества реза, образуемого в результате лазерной обработки , и состо ни резистивного материала на кра х реза. При этом продукты разложени .в зоне реза могут образовыватьс нестабильные шунтирующие токопровод щие мостики за счет локального перегрева на кромке реза. Возможно также образование в резистивной пленке микротрещин, привод щих к нестабильности сопротивлени резистора.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту вл етс способ лазерной подготовки тонкопленочного резистора за счет локального нагрева резистивного материала в зоне воздействи лазерного луча, привод щего к изменению его электрофизических свойств, а следователь но, к изменению сопротивлени тонкопленочного резистора 2.

Изменение сопротивлени резистивного материала определ етс числом импульсов лазера и их мощностью в зависимости от типа задачи.

В процессе подгонки обеспечиваетс последовательное облучение участков резистивного материала путем перемещени тонкопленочного резистора с помощью позиционирующего устройства.

По сравнению со способом подгонки сопротивлени тонкопленочного резистора путем удалени части резистивного материала сфокусированным лучом лазера подгонка тонкопленочного резистора путем лазерной теЕ 1ообработки резистивной пленки обладает теми преимуществами, что в этом случае отсутствует загр знение подложки интегральной схемы частицами удал емого резистивного материала, а также возможна подгонка тонкопленочного резистора в сторону уменьшени их сопротивлени t2 .

Недостатком известного способа вл етс значительное ухудшение стабильности сопротивлени подгон емого резистора за счет образовани локальных напр жений в резистивной пленке при ее высокотемпературной обработке сравнительно короткими импульсами лазера (до нескольких наносекунд). В дальнейшем это приводит к возникновениш микротрещин на участках резистивной пленки, обработанной лазером

вследствие чего происходит интенсификаци окислительных процессов,.

Высокие градиенты температуры, воникающие в резистивной пленке при ее термообработке импульсами лазера, могут приводить к нарушению ее защитного покрыти .

Цель изобретени - повьнаение ста бильности тонкопленочного резистора.

Поставленна цель достигаетс тем что согласно способу подгонки сопро|тивлени тонкопленочного резистора, включающему термообработку резистивной пленки импульсами лазера, перед каждые импульсом лазера осуществл ют предварительный нагрев резистивно пленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.

На чертеже схематически изображен устройство дл осуществлени предлагаемого способа.

Устройство состоит из импульсного оптического генератора 1, оптической системы 2, блока 3 питани , координатного стола 4, подгон емого резистора 5, омметра б, коммутатора 7, игольчатых щупов 8, контактных площадок 9, формировател 10 импульсов тока и задающего генератоЕ а 11.

Оптическа система 2 служит дл фокусировки лазерного излучени 12. Координатный стол 4 служит дл перемещени подгон емого резистора 5 в процессе подгонки. Измерение сопротилени в процессе подготовки ocjmiecTBл етс омметром 6, подкладченнвм через коммутатор 7 с помощью игольчатых щупов 8 к контактным площадкам 9 резистора 5.

Дл получени импульсов электрического тока служит фоЕ лирователь 10 Коммутатор 7 осуществл ет попеременное подключение к подгон емому резистору формировател 10 импульсов электрического тока и омметра б.

Управление работой блока 3 питани лазера и формировател 10 импульсов тока осуществл етс задающим генератором 11, позвол ющим плавно измен ть врем задержки между га«пульсами тока и импульсами лазера. |Кроме того, задающий генератор 11 служит дл прекращени процесва подгонки после получени сигнала от омметра б о достижении требуемого значени сопротивлени подгон емого резистора .

Рёзистивную пленку 5 с удельным сопротивление 1 и номиналом резистора 1-10 ком на основе сплава

PC 3710 предварительно нагревают путем пропускани через нее импульсов электрического тока длительностью 50 мс и амплитудой 100 В до температуры 350°С. Причем нагрев осуществл ют перед каждым импульсом лазера.

Температуре подогрева реэистивной пленки должна равн тьс температуре ПОДЛОЖКИ при напылении реэистивного материала; .Температура, равна 3 , не приёодит к структураьал изменени м в реэистивной пленке , а следовательни, и к изменению ее сопротивлени . Залем осуществл ют последовательное облучение резистивной пленки лучом лазера (врем задержки импульса лазера равно 50 мс) путем перемещени подгон емого резистора с помощью координатного стола ,4.

В результате использовани предлагаемого способа можно повысить стабильность тонкопленочных резисторов на 40% по сравнению с тонкопленочными резисторами, подгон вшими без предварительного подогрева, ) Врем задержки лазерного импульса по отношению к импульсу электрического тока измен етс в диапазоне 50-100 мс. Длительность импульса злектрического тока при этом сое тавл ет 50-100 мс и выбираетс дл каждого резистивнрго материала и геметрических размеров тонкопленочног резистора экспериментально. Период 50-100 мс наиболее предпочтителен.

так как он дает наиболее оптимальные результаты.

Изменение сопротивлени подгон емого тонкопленочного резистора производитс в период между импульсами электрического тока.

При достижении в процессе подгонки тонкопленочного резистора требуемого значени сопротивлени омметр б дает команду задающему ге0 нератору 11 о прекращении процесса подгонки.

Преимуществом пр цлага лого способа вл етс то, что дл получени

5

заметного изменени сопротивлени предварительно подогретого тлпульсами тока,резистора требуетс значительно меньша мсэдность лазерного излучени , чем у неподогре0 того резистора. При этом в пленке ; не возникает больших перепадов температуры и, как следствие, снижаетс возможность возникновени локальных напр жений -как в ее структуре,

5 так и в защитном покрытии, привод ощм к образованию микротрещин.В целом это приводит к повышению стабильности тонкоплёночных резисторрй, прешедших лазерную термообработку.

Claims

СПОСОБ ПОДГОНКЙ'СОПРОТИВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА, включающий термообработку резистивной пленки импульсами лазера, отличающийся тем, что,, с целью повышения стабильности резистора, перед каждым импульсом лазера осуществляют предварительный нагрев резистивной пленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.

О

СО >