SK286535B6 - Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup - Google Patents

Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup Download PDF

Info

Publication number
SK286535B6
SK286535B6 SK450-2003A SK4502003A SK286535B6 SK 286535 B6 SK286535 B6 SK 286535B6 SK 4502003 A SK4502003 A SK 4502003A SK 286535 B6 SK286535 B6 SK 286535B6
Authority
SK
Slovakia
Prior art keywords
single crystal
cutting
separating
tool
angle
Prior art date
Application number
SK450-2003A
Other languages
English (en)
Other versions
SK4502003A3 (en
Inventor
Ralf Hammer
Andr Kleinwechter
Tilo Flade
Cornelia Kumann
Ralf Gruszynsky
Original Assignee
Freiberger Compound Materials Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freiberger Compound Materials Gmbh filed Critical Freiberger Compound Materials Gmbh
Publication of SK4502003A3 publication Critical patent/SK4502003A3/sk
Publication of SK286535B6 publication Critical patent/SK286535B6/sk

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S125/00Stone working
    • Y10S125/901Stone working forming piezoelectric crystals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Pri spôsobe delenia sa prvý uhol (ró) medzi určitou kryštalografickou orientáciou (K) a smerom (V) posuvu volí tak, že sily (Fx-, Fx+) pôsobiace na deliaci nástroj (2, 8) počas delenia v smere kolmomna deliacu rovinu (T) sa navzájom kompenzujú alebo sa sčítajú na vopred stanovenú silu (F--›). Zariadenie na delenie má meracie zariadenie (6) na meranie vychýlenia (X) deliaceho nástroja (2, 8) v smere kolmom na smer (V) posuvu. Zariadenie je vybavené dorazom (54), upraveným na vertikálne umiestnenom suporte (51) so spodnou hranou (54a), ktorá s vertikálou zviera vopred stanovený tretí uhol (gama). Postup má kroky: delenie monokryštálu (1) na úseky (20a až 20e) kolmo na stredovú pozdĺžnu os (M), spájanie úsekov tak, že charakteristický vonkajší znak (4) každého z úsekov zaujíma vzhľadom na stredovú pozdĺžnu os (M) odlišnú uhlovú polohu, delenie zostaveného monokryštálu (1) na kotúče (20a až 20e), meranie rovinatosti povrchu a/alebo hrúbkytakto vytvorených kotúčov (20a až 20e), zisťovanie optimálneho prvého uhla (ró) určitej kryštalografickej orientácie (K) vzhľadom na smer (V) posuvu deliaceho nástroja (2, 8).

Description

Oblasť techniky
Predložený vynález sa týka spôsobu a zariadenia na delenie monokryštalických materiálov, pričom sa monokryštál určený na rozrezávanie aspoň na dva kusy a deliaci nástroj premiestňujú proti sebe navzájom v smere posuvu a pričom monokryštál je orientovaný tak, že určitá kryštalografická orientácia leží v deliacej rovine . Ďalej sa vynález týka zariadenia na delenie monokryštálov s deliacim nástrojom, držiakom monokryštálu, pohonom na premiestňovanie držiaka a deliaceho nástroja proti sebe navzájom v smere posuvu, ktorý prebieha kolmo na stredovú pozdĺžnu os monokryštálu a otočným zariadením na otáčanie držiaka, ktorým je držiak otáčavý tak, že monokryštál môže byť otáčaný okolo svojej stredovej pozdĺžnej osi. Ďalej sa vynález týka zariadenia i skúšobného postupu zisťovania optimálneho prvého uhla medzi menovitou kryštalografickou orientáciou a smerom posuvu.
Doterajší stav techniky
Monokryštály vytvárané ťahaním kryštálu sa rezaním rozdeľujú na jednotlivé ploché kusy známe ako plátky na použitie v polovodičovej technike. Zo stavu techniky známymi technologickými postupmi používanými na tento účel sú rezanie pílou a rezanie drôtom. Výsledkom pôsobenia rezných síl vyskytujúcich sa pri delení monokryštálov rozrezávaním je bočné vychýlenie otáčajúcej sa kotúčovej píly v prípade rezania pílou alebo drôtu v prípade rezania drôtom. Dôsledkom je vytvárame plátkov nerovnomernej hrúbky alebo plátkov, ktorých povrch má ďalšie nepravidelnosti, napríklad nerovnosti a deformácie. V prípade kremíkových monokryštálov je prevažne sa vyskytujúcim problémom zvlnenie povrchu. Táto skutočnosť má za následok zníženie akosti vytváraných plátkov a tým nižšiu produkciu vysoko akostných plátkov.
Kvôli vyriešeniu tohto problému je, v prípade rezania pílou, známe merať vychýlenie kotúčovej píly a korigovať toto vychýlenie prostredníctvom pôsobenia stlačeného vzduchu. Tento postup má nevýhodu pozostávajúcu v tom, že stlačený vzduch nepriaznivo ovplyvňuje film chladiaceho média aplikovaného kvôli chladeniu kotúčovej píly, čo zase ovplyvňuje vlastné ochladzovanie počas rezania. Ďalej je známe umiestniť monokryštál do držiaka, ktorý je špecificky tvarovaný tak, aby kvôli ich kompenzovaniu pôsobil proti uvedeným silám, ktoré spôsobujú vychyľovanie kotúčovej píly, opačne pôsobiacimi silami. V prípade rezania drôtom žiadne účinné ovplyvňovanie vychyľovania drôtu nie je možné.
Podstata vynálezu
Cieľom predloženého vynálezu je poskytnúť spôsob a zariadenie na delenie monokryštálov, nastavovacie zariadenie a skúšobný postup zisťovania kryštalografickej orientácie monokryštálov pre uvedený spôsob, ktoré odstraňujú uvedené problémy a nedostatky.
Uvedený cieľ sa dosahuje spôsobom delenia monokryštalických materiálov, pričom sa monokryštál určený na rozrezávanie na aspoň dva kusy a deliaci nástroj premiestňujú proti sebe navzájom v smere posuvu, a pričom monokryštál je orientovaný tak, že určitá kryštalografická orientácia leží v deliacej rovine. Podľa vynálezu sa prvý uhol medzi určitou kryštalografickou orientáciou a smerom posuvu volí tak, že sily pôsobiace na deliaci nástroj počas delenia v smere kolmom na deliacu rovinu sa navzájom kompenzujú alebo sa sčítajú na vopred stanovenú silu.
Výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že sa počas delenia meria vychýlenie deliaceho nástroja a že sa monokryštál v závislosti od nameranej hodnoty natáča určitou kryštalografickou orientáciou v deliacej rovine.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že sa delenie vykonáva pomocou rezania prvým deliacim nástrojom, ktorý je tvorený rezacím kotúčom s vnútorným otvorom.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že sa delenie vykonáva pomocou rezania druhým deliacim nástrojom, ktorý je tvorený drôtom.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že sa prvý uhol stanovuje pred delením empiricky.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že nastavovanie prvého uhla sa vykonáva prostredníctvom nastavovacieho zariadenia mimo vlastné deliace zariadenie.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že sa rozrezávajú monokryštály polovodičov
III. až V. skupiny, najmä GaAs.
Uvedený cieľ sa dosahuje zariadením na delenie monokryštálov s deliacim nástrojom, držiakom monokryštálu, pohonom na premiestňovanie držiaka a deliaceho nástroja proti sebe navzájom v smere posuvu, ktorý prebieha kolmo na stredovú pozdĺžnu os monokryštálu a otáčavým zariadením na otáčanie držiaka, ktorým je držiak otáčavý tak, že sa monokryštál môže otáčať okolo svojej stredovej pozdĺžnej osi. Zariadenie podľa vynálezu má meracie zariadenie na meranie vychýlenia deliaceho nástroja v smere kolmom na smer posuvu.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že zariadenie má regulačné zariadenie, ktoré je spojené s meracím zariadením a otáčavým zariadením a ktoré je upravené na riadenie otáčavého zariadenia na otáčanie monokryštálom kvôli v podstate nulovému alebo vopred stanovenému vychýleniu deliaceho nástroja.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že zariadenie obsahuje prvý deliaci nástroj, ktorý je tvorený rezacím kotúčom s vnútorným otvorom.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že zariadenie obsahuje druhý deliaci nástroj, ktorý je tvorený drôtom.
Uvedený cieľ sa dosahuje zariadením na nastavovanie monokryštálu, ktoré je vybavené dorazom, upraveným na vertikálne umiestnenom suporte so spodnou hranou, ktorá s vertikálou zviera vopred stanovený tretí uhol.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že doraz je výškovo nastaviteľný.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že zariadenie je vybavené rôznymi vymeniteľnými dorazmi s odlišnými uhlami.
Ďalšie výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že týmto zariadením je nastavovacie zariadenie na vykonávanie uvedeného spôsobu.
Uvedený cieľ sa dosahuje skúšobným postupom zisťovania optimálneho prvého uhla medzi menovitou kryštalografickou orientáciou a smerom posuvu uvedeného spôsobu, ktorý má kroky:
delenie monokryštálu, pričom monokryštál je v podstate valcového tvaru so stredovou pozdĺžnou osou a má charakteristický vonkajší znak, ktorého orientácia vzhľadom na menovitú kryštalografickú orientáciu monokryštálu je známa, na úseky s vopred stanovenou hrúbkou kolmo na stredovú pozdĺžnu os, spájanie úsekov tak, že charakteristický vonkajší znak každého z úsekov zaujíma vzhľadom na stredovú pozdĺžnu os odlišnú uhlovú polohu, súčasné delenie takto zostaveného monokryštálu (1) v deliacom zariadení na kotúče (20a až 20e) s hrúbkou neskôr vyrábaného plátku, meranie rovinatosti povrchu a/alebo hrúbky takto vytvorených kotúčov, zisťovanie optimálneho prvého uhla určitej kryštalografickej orientácie vzhľadom na smer posuvu deliaceho nástroja.
Výhodné uskutočnenie podľa vynálezu spočíva v tom, že charakteristickým vonkajším znakom je ploché vybranie alebo zárez.
Spôsob a zariadenie podľa vynálezu majú výhodu pozostávajúcu vo zvýšení akosti plátkov a umožnení rozrezávania monokryštálu vyššími rýchlosťami posuvu. Vďaka tomu je rezanie pílou možné použiť najmä pre GaAs a to dokonca aj pre vytváranie plátkov s hrúbkou šesť palcov (152,4 mm), prípadne väčšou. V dôsledku zvýšenej akosti vytváraných plátkov je možné inak obvyklé kroky ich následného spracovania vo väčšine prípadov vypustiť.
Prehľad obrázkov na výkresoch
Ďalšie charakteristické vlastnosti a účelné znaky predloženého vynálezu budú zrejmé z nasledujúceho opisu príkladov jeho konkrétnych uskutočnení s odvolaním na pripojené obrázky, v ktorých predstavuje :
obr. 1 schematické znázornenie zariadenia na rezanie s vnútorným otvorom podľa vynálezu v pohľade v smere stredovej pozdĺžnej osi monokryštálu;
obr. 2 schematické znázornenie zariadenia na rezanie s vnútorným otvorom podľa vynálezu v bokoryse; obr. 3 schematické znázornenie zariadenia na rezanie drôtom podľa vynálezu v perspektívnom pohľade; obr. 4 schematické znázornenie zariadenia na rezanie drôtom podľa vynálezu v bokoryse;
obr. 5 schematické znázornenie plátku pri rezaní zariadením s vnútorným otvorom v bokoryse;
obr. 6 grafické znázornenie síl pôsobiacich počas rezania pílou s vnútorným otvorom;
obr. 7 grafické znázornenie kritickej hĺbky vniknutia pre tvorenie sietí mikroskopických trhliniek ako funkcie smeru posuvu rezného nástroja počas rozrezávania GaAs monokryštálu;
obr. 8 grafické znázornenie extrémnych hodnôt výslednej sily tvorenej zložkami axiálnej odtláčacej sily, ktorej výsledkom je bočné vychyľovanie rezného nástroja ako funkcie smeru posuvu tohto rezného nástroja počas rozrezávania GaAs monokryštálu s použitím rezania pílou;
obr. 9 grafické znázornenie nerovností povrchu plátku ako funkcie nastavenia menovitej kryštalografickej orientácie vzhľadom na smer posuvu rezného nástroja pri rozrezávaní GaAs monokryštálu s použitím rezania pílou;
obr. 10 grafické znázornenie drsnosti povrchu plátku ako funkcie nastavenia menovitej kryštalografickej orientácie vzhľadom na smer posuvu rezného nástroja pri rozrezávaní GaAs monokryštálu;
obr. 11 schematické znázornenie kroku skúšobného postupu podľa vynálezu na zisťovanie optimálneho uhla medzi menovanou kryštalografickou orientáciou a smerom posuvu rezného nástroja pri rezaní drôtom; a obr. 12 schematické znázornenie zariadenia na nastavovanie monokryštálu v perspektívnom pohľade.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Ako môže byť zrejmé z obr. 1 a 2, v prvom uskutočnení zariadenia podľa predloženého vynálezu je týmto zariadením zariadenie na rezanie s vnútorným otvorom. Monokryštál 1 v podstate valcovej konfigurácie so stredovou pozdĺžnou osou M je prichytený a fixovaný prostredníctvom neznázomeného držiaka. Prvý deliaci nástroj 2 tu konkrétne rezací kotúč s vnútorným otvorom, ktorý, ako je známe, pozostáva z kovového kotúča so stredovým otvorom, na ktorého vonkajšom obvode je umiestnené rezacie ostrie 3 vytvorené nanesením diamantových zŕn, je uložený otáčavo okolo osi R otáčania vzhľadom na monokryštál 1 tak, že stredová pozdĺžna os M monokryštálu 1 a os R otáčania kotúčovej píly prebiehajú navzájom paralelne. Ďalej je zabezpečený pohon, nie j c znázornený, ktorý umožňuje otáčanie kotúčovej píly určenou rýchlosťou okolo osi R otáčania v smere A, naznačenom na obr. 1. Monokryštál 1 je pomocou posuvovej jednotky posúvateľný v smere V posuvu prvého deliaceho nástroja 2, naznačeného na obr. 2, smerom ku kotúčovej píle tak, že touto kotúčovou pílou je možné monokryštál 1 v kolmej rovine na jeho stredovú pozdĺžnu os M úplne rozrezať. Okrem toho je zabezpečený pohon na premiestňovanie monokryštálu 1 kolmo vzhľadom na kotúčovú pílu alebo v smere ich stredovej pozdĺžnej osi rýchlosťou w.
Ako je zrejmé najmä z obr. 1, monokryštál 1 nie je úplne valcový, ale má na svojom vonkajšom povrchu určitý vonkajší znak 4, tu rovinný úsek, ktorý je možné tiež označiť ako rovinné ploché vybranie, alebo tiež ako „Fiat“ , ako je bežne označované odborníkmi v odbore, a ktorý po umiestnení monokryštálu 1 definovaným spôsobom tak, žc druhý uhol a, ktorý určitá kryštalografická orientácia K, napríklad orientácia [011] v prípade GaAs, a normála N na vonkajší znak 4 vonkajšieho povrchu medzi sebou zvierajú v rovine kolmej na stredovú pozdĺžnu os M, je známy. Vzhľadom na to, že je známy druhý uhol a, je rovnako tiež známy prvý uhol p zvieraný medzi menovitou kryštalografickou orientáciou K a smerom V posuvu deliaceho nástroja 2 v rovine kolmej na stredovú pozdĺžnu os M monokryštálu 1 a teda v deliacej rovine T. Malo by byť uvedené, že namiesto uskutočnenia vonkajšieho znaku 4 vo forme rovinnej plochy môže byť vonkajší povrch monokryštálu 1 vybavený tiež zárezom, bežne označovaným odborníkmi z daného odboru „Notch“. Jediným smerodajným faktorom je existencia charakteristického vonkajšieho znaku 4 , ktorého usporiadanie vzhľadom na menovitú kryštalografickú orientáciu K je známe.
Okrem toho je, ako môže byť zrejmé z obr. 2, navrhované zariadenie na konci monokryštálu 1, odvrátenom od kotúčovej píly, vybavené otáčavým zariadením 5 na natáčanie monokryštálu 1 okolo jeho stredovej pozdĺžnej osi M. Ďalej je poskytnuté meracie zariadenie 6, napríklad snímač na meranie vychýlenia X prvého deliaceho nástroja 2, tu kotúčovej píly, vzhľadom na deliacu rovinu T počas odrezávania plochého kusu, t. j. kotúčového úseku laz monokryštálu 1, z ktorého sa bude následne vytvárať plátok. Meracie zariadenie 6 a otáčavé zariadenie 5 na natáčanie monokryštálu 1 sú navzájom prepojené cez regulačné zariadenie 7, ktoré je konštrukčne vytvorené takým spôsobom, že v závislosti od nameraného vychýlenia X kotúčovej píly je otáčavé zariadenie 5 ovládané tak, že sa monokryštál 1 natáča do špecifickej uhlovej polohy, v ktorej kryštalografícká orientácia K zaujíma dopredu stanovený uhol p korešpondujúci s nameraným vychýlením X kotúčovej píly vzhľadom na smer V posuvu.
V modifikovanom uskutočnení je zariadením na rozrezávanie monokryštálu 1 druhý deliaci nástroj 8, ktorým je zariadenie na rezanie c|rôtom 8a, 8b, 8c, ktoré je znázornené na obr. 3 a 4. Súčasti, ktoré korešpondujú so súčasťami zariadenia znázorneného na obr. 1 a 2, sú označené rovnakými vzťahovými značkami. Ako môže byť zrejmé z obr. 3, je monokryštál 1 prichytený a zafixovaný v neznázomenom držiaku, ktorý je prostredníctvom posuvovej jednotky priečne posuvný cez oblasť zostavy drôtov 8a, 8b, 8c druhého deliaceho nástroja 8. Druhý deliaci nástroj 8 pozostáva z veľkého počtu paralelne prebiehajúcich drôtov 8a, 8b, 8c, ktoré sú ťahané cez valce (nie sú znázornené) a posúvateľné v smeroch A, B, naznačených na obr. 3 šípkami, v rovinách kolmých na stredovú pozdĺžnu os M monokryštálu 1. Zariadenie ďalej zahŕňa prostriedky 9 na nanášanie pasty, obsahujúce diamantové zrná na drôty 8a, 8b, 8c, usporiadané na jednej strane monokryštálu 1, a druhé zariadenie 10 na čistenie a vynášanie odpadu, t. j. materiálu odbrusovaného počas rezania drôtmi 8a, 8b, 8c prechádzajúcimi cez monokryštál 1. V alternatívnom uskutočnení sú diamantové zrná už pevne začlenené do drôtu 8a, 8b, 8c a uvedené nanášanie pasty nie je teda nutné. Podobne ako zariadenie znázornené na obr. 2 je toto uskutočnenie zariadenia, ako môže byť zrejmé z obr. 4, vybavené otočným zariadením 5 na natáčanie monokryštálu 1, meracím zariadením 6, napr. snímačom na zisťovanie vychýlenia drôtov 8a, 8b, 8c, a regulačným zariadením 7 na ovládanie otáčavého zariadenia 5 na natáčanie monokryštálu 1, ako funkcie zisteného X vychýlenia drôtu 8a, 8b, 8c.
Ďalej bude, s odvolaním na obr. 5 až 10, podrobne opísaná prevádzková činnosť zariadenia podľa obr. 1 a
2.
Po uložení monokryštálu 1 do držiaka sa tento držiak prostredníctvom pohonu premiestňuje v smere W, naznačenom na obr. 2 tak, že sa medzi kotúčovitým úsekom la monokryštálu 1 a kotúčovou pílou vytvorí medzera, ktorej veľkosť je o niečo väčšia ako hrúbka plátku, ktorý sa má vytvárať. Potom sa monokryštál 1 pomocou pohonu premiestni v smere V posuvu naznačeného na obr. 2 a 5 prvou rýchlosťou v proti kotúčovej píle, ktorá sa otáča okolo osi otáčania v smere A, naznačenom na obr. 1. Otáčajúca sa kotúčová píla sa na účely oddelenia kotúčového úseku la, ktorý bude neskôr tvoriť plátok, zarezáva do monokryštálu 1. Počas operácie delenia vytvárajú po dosiahnutí kritickej hĺbky vniknutia prvého deliaceho nástroja 2 do monokryštálu 1 diamantové zrná deliaceho ostria 3 kotúčovej píly, mikroskopické trhlinky, ktorých výsledkom je, v dôsledku recipročného tvorenia sietí, obrusovanie materiálu. Uvedená kritická hĺbka vniknutia je závislá od smeru pohybu diamantových zŕn vzhľadom na menovitú kryštalografickú orientáciu K. Z makroskopického hľadiska je kritická hĺbka vniknutia závislá od uhla p zovretého medzi menovitou kryštalografickou orientáciou K a smerom V posuvu prvého deliaceho nástroja 2 v rovine kolmej na stredovú pozdĺžnu os M monokryštálu 1. Bolo zistené, že na každej z protiľahlých strán S, S' vzhľadom na zaberajúcu kotúčovú pílu sa kritická hĺbka vniknutia odlišuje. Na obr. 7 je graficky znázornená kritická hĺbka vniknutia kotúčovej píly, znázornenej na obr. 5, na uvedenej protiľahlej prednej strane S a zadnej strane S' pre rôzne nastavenia uhlu p menovitej kryštalografickej orientácie K vzhľadom na smer V posuvu prvého deliaceho nástroja 2. Tento rozdiel kritickej hĺbky vniknutia kotúčovej píly na prednej strane S a na zadnej strane S' má za následok odlišné prvé kritické zaťaženie Lx na prednej strane S a druhé kritické zaťaženie Lx + na zadnej strane S'. Za tohto stavu je deliace ostrie 3 kotúčovej píly po jeho uvedení do styku s materiálom monokryštálu 1, čo je znázornené na obr. 6, vystavené, okrem tretej odtláčacej sily Fz pôsobiacej v smere V posuvu, účinku navzájom odlišných odtláčacích síl Fx‘, Fx+, pôsobiacich, v uvedenom poradí, na prednej strane S a na zadnej strane S'. Tieto smerovo závislé sily Fx‘, Fx rozdielnej veľkosti vyvolávajú výslednú silu F, ktorá spôsobuje smerovo závislé bočné vychýlenie X.
Ako môže byť zrejmé z obr. 8, je výsledná sila F, tvorená súčtom jednotlivých síl F/, Fx + a Fz, závislá od smeru V posuvu deliaceho nástroja a od smeru menovitej kryštalografickej orientácie K, čiže , inak povedané, od prvého uhla p, ktorý tieto dva smery medzi sebou zvierajú v rovine rezu kolmej na stredovú pozdĺžnu os M monokryštálu 1. V závislosti od materiálu monokryštálu 1, alebo v prípade polovodičov tiež od obsahu legovacích prímesí, a od ďalších faktorov existujú uprednostňované uhly, pri ktorých sú uvedené odtláčacie sily F/, Fx + navzájom vyvážené a kotúčová píla sa do monokryštálu 1 zarezáva bez výskytu bočného vychýlenia X.
Pri uskutočňovaní spôsobu podľa predloženého vynálezu sa uvedené odtláčacie sily F/, Fx + využívajú na korigovanie bočného vychýlenia X kotúčovej píly počas rezania. Na tento účel sa, ako môže byť zrejmé z obr. 2, meria uvedené vychýlenie X kotúčovej píly alebo zložka Fa, alebo druhá zložka Fb axiálnej deliacej sily prostredníctvom meracieho zariadenia 6. V závislosti od zistenej hodnoty vychýlenia X sa pomocou regulačného zariadenia 7 uvádza do činnosti otáčavé zariadenie 5 na natáčanie monokryštálu 1 takým spôsobom, že sa prvý uhol p zovretý medzi menovitou kryštalografickou orientáciou K a smerom V posuvu nastaví tak, že sa bočné vychýlenie spôsobované odtláčacími silami F/, Fx + v podstate vyrovná na nulu. V určitých prípadoch je rovnako tiež výhodné kotúčovú pílu alebo prvý deliaci nástroj 2 stanoveným spôsobom mierne vychýliť. To je možné vykonávať tiež prostredníctvom nastavenia prvého uhla p.
Tento spôsob je rovnako tiež možné aplikovať v spojení s druhým deliacim nástrojom 8 na rezanie drôtom 8a, 8b, 8c, znázorneným na obr. 3 a 4, pričom v tomto prípade sa potom meria vychýlenie jedného alebo viacerých drôtov 8a, 8b, 8c,.
Výsledkom využitia pôsobiacich odtláčacích síl na účinnú reguláciu bočného vychýlenia X je, ako môže byť zrejmé z obr. 9 a 10, korekcia nerovnosti a drsnosti Ra povrchu docielená natáčaním monokryštálu 1 okolo jeho stredovej pozdĺžnej osi M na nastavenie zodpovedajúceho prvého uhla p medzi menovitou kryštalografickou orientáciou K a smerom V posuvu druhého deliaceho nástroja 8.
Uprednostňované prvé uhly p menovitej kryštalografickej orientácie K vzhľadom na smer V posuvu, pri ktorých sa bočné vychýlenie druhého deliaceho nástroja 8 stáva nulovým, sú závislé od materiálu monokryštálu 1. Tieto prvé uhly p sa stanovujú empiricky pre každý materiál s použitím navrhovaného skúšobného postupu. Pri vykonávaní tohto postupu, ktorého schéma je znázornená na obr. 11, sa monokryštál 1 určeného materiálu rozreže na množstvo plochých kotúčov 20a až 20e, ktorých hrúbka predstavuje násobok hrúbky plátkov, ktoré sa budú z týchto kusov následne vytvárať. Vytvorené kotúče 20a až 20e sa potom uložia do držiaka 21 takým spôsobom, že rovinné úseky 40a až 40e ich vonkajšieho povrchu (rovinné plochy), sú napríklad v zariadení na rezanie drôtom 8a, 8b, 8c, jednotlivo usporiadané v rôznych uhloch vzhľadom na smer V posuvu. Potom sa monokryštál 1, pripravený takto zostavením z kotúčov 20a až 20e, v druhom deliacom nástroji 8 rozreže na jednotlivé plátky a súčasne sa uskutoční kontrola drsnosti Ra a nerovnosti povrchov takto získaných plátkov. Tento postup sa opakuje viackrát až do vymedzenia uprednostňovaných uhlov na optimálne rezanie. Takto vymedzené uhly slúžia ako východisková premenná pre operáciu rezania monokryštálov 1 určených na delenie pomocou deliacich zariadení 8, znázornených na obr. 1 až 4, zatiaľ čo prispôsobo
SK 286535 Β6 vanie nastavenia uhla pomocou otáčavých zariadení 5 a regulačných zariadení 7 slúži na korekciu počas operácie rezania.
Na usadenie monokryštálu 1 v zariadeniach znázornených na obr. 1 až 4 v stanovenom uhle p zvieranom medzi menovitou kryštalografickou orientáciou K a smerom V posuvu je navrhnuté nastavovacie zariadenie, ktoré je znázornené na obr. 12. Toto nastavovacie zariadenie má úložnú dosku 50 a suport 51 rozkladajúci sa z úložnej dosky 50 vertikálne smerom hore. Na suporte 51 je umiestnený jazdec 52, ktorý sa premiestňuje hore a dole vo vertikálnom smere, napríklad v neznázomenom vedení, a môže byť prispôsobený na fixovanie vo vopred stanovenej výške prostredníctvom zariadenia 53. Jazdec 52 je vybavený dorazom 54 v tvare uholníka, ktorého spodná hrana 54a zviera s vertikálnou rovinou vopred stanovený uhol γ. Na účely vkladania a usadzovania monokryštálu 1, ktorý je pevne spriahnutý so spojovacím kusom 55, do jedného z deliacich zariadení 8, znázornených na obr. 1 až 4, je tento monokryštál 1 prilepený k lište 56, vytvorenej napríklad z grafitu, pričom na tento účel použitým lepidlom je lepidlo, ktoré sa vytvrdzuje len po vopred stanovenom čase tak, aby bolo ešte možné monokryštál 1 po určitý časový interval natáčať okolo jeho pozdĺžnej stredovej osi M. Potom sa monokryštál 1 spoločne so spojovacím kusom 55 a lištou 56 vloží do nastavovacieho zariadenia, ktorého jazdec 52 je vopred nastavený a zafixovaný vo výške nevyhnutnej pre tento typ monokryštálu
1. Po zatlačení monokryštálu 1 spoločne so spojovacím kusom 55 a lištou 56 pod doraz 54 v tvare uholníka, je tento monokryštál 1 usporiadaný tak, že vonkajší znak 4 jeho vonkajšieho povrchu spočíva na spodnej hrane 54a uvedeného dorazu 54. Pri vykonávaní tohto kroku sa uhol γ, ktorý spodná hrana 54a dorazu 54 zviera s vertikálou, volí tak, že sa pre každý konkrétny monokryštál 1 nastaví určitý uprednostňovaný prvý uhol p menovitej kryštalografickej orientácie K vzhľadom na vertikálu. Potom sa monokryštál 1, ktorý je napevno spriahnutý s lištou 56, vloží do deliaceho zariadenia 8 tak, že sa smer V posuvu zhoduje s vertikálou, čím sa vymedzí prvý uhol p.
Opísaný vynález má špecifickú výhodu spočívajúcu v tom, že pri jeho použití najmä v spojení s vytváraním GaAs plátkov s priemerom šesť palcov alebo prípadne väčším, možno vďaka zvýšenej rýchlosti r posuvu ich delenie stále ešte bez obtiaží vykonávať pomocou rezania.
Predložený vynález nie je obmedzený len na polovodičové monokryštály (rýdze prvky, polovodiče, zmesi polovodičov). Naopak, spôsob a zariadenie podľa predloženého vynálezu je možné použiť na rozrezávanie akýchkoľvek monokryštálov, napríklad optických monokryštálov, alebo keramických materiálov.

Claims (16)

1. Spôsob delenia monokryštalických materiálov, pričom sa monokryštál (1) určený na rozrezávanie na aspoň dva kusy a deliaci nástroj (2, 8,) premiestňujú proti sebe navzájom v smere (V) posuvu, a pričom monokryštál (1) je orientovaný tak, že určitá kryštalografická orientácia (K) leží v deliacej rovine (T), vyznačujúci sa tým, že prvý uhol (p) medzi určitou kryštalografickou orientáciou (K) a smerom (V) posuvu sa volí tak, že sily (Ff ,FX +) pôsobiace na deliaci nástroj (2, 8) počas delenia v smere kolmom na deliacu rovinu (T) sa navzájom kompenzujú alebo sa sčítajú na vopred stanovenú silu (F-*).
2. Spôsob podľa nároku 1, vyznačujúci sa tým, že sa počas delenia meria vychýlenie (X) deliaceho nástroja (2, 8,), a že sa monokryštál (1) v závislosti od nameranej hodnoty natáča určitou kryštalografickou orientáciou (K) v deliacej rovine (T).
3. Spôsob podľa nároku 1 alebo 2, vyznačujúci sa tým, že sa delenie vykonáva pomocou rezania prvým deliacim nástrojom (2), ktorý je tvorený rezacím kotúčom s vnútorným otvorom.
4. Spôsob podľa nároku 1 alebo 2, vyznačujúci sa tým, že sa delenie vykonáva pomocou rezania druhým deliacim nástrojom (8), ktorý je tvorený drôtom (8a, 8b, 8c).
5. Spôsob podľa niektorého z nárokov 1 až 4, vyznačujúci sa tým, že sa prvý uhol (p) stanovuje pred delením empiricky.
6. Spôsob podľa niektorého z nárokov 1 až 5, vyznačujúci sa tým, že nastavovanie prvého uhla (p) sa vykonáva prostredníctvom nastavovacieho zariadenia mimo vlastné deliace zariadenie.
7. Spôsob podľa niektorého z nárokov 1 až 6, vyznačujúci sa tým, že sa rozrezávajú monokryštály (1) polovodičov III. až V. skupiny, najmä GaAs.
8. Zariadenie na delenie monokryštálov (1) s deliacim nástrojom (2, 8), držiakom (21) monokryštálu (1), pohonom na premiestňovanie držiaka (21) a deliaceho nástroja (2, 8) proti sebe navzájom v smere (V) posuvu, ktorý prebieha kolmo na stredovú pozdĺžnu os (M) monokryštálu (1), a otáčavým zariadením (5) na otáčanie držiaka (21), ktorým je držiak (21) otáčavý tak, že sa monokryštál (1) môže otáčať okolo svojej stredovej pozdĺžnej osi (M), vyznačujúce sa tým, že má meracie zariadenie (6) na meranie vychýlenia (X) deliaceho nástroja (2, 8) v smere kolmom na smer (V) posuvu.
9. Zariadenie podľa nároku 8, vyznačujúce sa tým, že má regulačné zariadenie (7), ktoré je spojené s meracím zariadením (6) a otáčavým zariadením (5) a ktoré je upravené nariadenie otáčavého za riadenia (5) na otáčanie monokryštálom (1) kvôli v podstate nulovému alebo vopred stanovenému vychýleniu deliaceho nástroja (2, 8).
10. Zariadenie podľa nároku 8 alebo 9, vyznačujúce sa tým, že obsahuje prvý deliaci nástroj (2), ktorý je tvorený rezacím kotúčom s vnútorným otvorom.
11. Zariadenie podľa nároku 8 alebo 9, vyznačujúce sa tým, že obsahuje druhý deliaci nástroj (8), ktorý je tvorený drôtom (8a, 8b, 8c).
12. Zariadenie na nastavovanie monokryštálu, vyznačujúce sa tým, že je vybavené dorazom (54), upraveným na vertikálne umiestnenom suporte (51) so spodnou hranou (54a), ktorá s vertikálou zviera vopred stanovený tretí uhol (y).
13. Zariadenie podľa nároku 12, vyznačujúce sa tým, že doraz (54) je výškovo nastaviteľný.
14. Zariadenie podľa nároku 12 alebo 13, vyznačujúce sa tým, že je vybavené rôznymi vymemteľnýnu dorazmi s odlišnými uhlami (y).
15. Skúšobný postup zisťovania optimálneho prvého uhla (p) medzi menovitou kryštalografickou orientáciou (K) a smerom (V) posuvu spôsobu podľa niektorého z nárokov laž8, vyznačujúci sa krokmi: delenie monokryštálu (1), pričom monokryštál (1) je v podstate valcového tvaru so stredovou pozdĺžnou osou (M) a má charakteristický vonkajší znak (4), ktorého orientácia vzhľadom na menovitú kryštalografickú orientáciu (K) monokryštálu (1) je známa, na úseky s vopred stanovenou hrúbkou kolmo na stredovú pozdĺžnu os (M), spájanie úsekov tak, že charakteristický vonkajší znak (4) každého z úsekov zaujíma vzhľadom na stredovú pozdĺžnu os (M) odlišnú uhlovú polohu, súčasné delenie takto zostaveného monokryštálu (1) v deliacom zariadení na kotúče (20a až 20e) s hrúbkou neskôr vyrábaného plátku, meranie rovinatosti povrchu a/alebo hrúbky takto vytvorených kotúčov (20a až 20e), zisťovanie optimálneho prvého uhla (p) určitej kryštalografickej orientácie (K) vzhľadom na smer (V) posuvu deliaceho nástroja (2,8).
16. Skúšobný postup podľa nároku 15, vyznačujúci sa tým, že charakteristickým vonkajším znakom (4) je ploché vybranie alebo zárez.
SK450-2003A 2000-10-20 2001-07-30 Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup SK286535B6 (sk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10052154A DE10052154A1 (de) 2000-10-20 2000-10-20 Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren
PCT/EP2001/008800 WO2002034973A1 (de) 2000-10-20 2001-07-30 Verfahren und vorrichtung zum trennen von einkristallen, sowie eine justiervorrichtung und ein testverfahren zum ermitteln einer kristallorientierung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SK4502003A3 SK4502003A3 (en) 2003-11-04
SK286535B6 true SK286535B6 (sk) 2008-12-05

Family

ID=7660519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SK450-2003A SK286535B6 (sk) 2000-10-20 2001-07-30 Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7137865B2 (sk)
EP (1) EP1332247B1 (sk)
JP (1) JP5087202B2 (sk)
CN (1) CN1270000C (sk)
AT (1) ATE278052T1 (sk)
CZ (1) CZ297783B6 (sk)
DE (2) DE10052154A1 (sk)
RU (1) RU2251598C2 (sk)
SK (1) SK286535B6 (sk)
TW (1) TW521340B (sk)
WO (1) WO2002034973A1 (sk)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10128630A1 (de) 2001-06-13 2003-01-02 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine
JP4525353B2 (ja) * 2005-01-07 2010-08-18 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物基板の製造方法
EP2275241B1 (de) 2005-08-25 2012-10-17 Freiberger Compound Materials GmbH Drahtsäge und Verfahren zum Trennen eines Werkstücks mittels Drahtsägen
DE102005040343A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
TWI402906B (zh) * 2007-06-25 2013-07-21 Saint Gobain Ceramics 單晶體之結晶性再定向之方法
KR20100094484A (ko) * 2007-12-19 2010-08-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 에테르 조성물
WO2010006148A2 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Saint-Gobain Abrasives. Inc. Wire slicing system
CN101486231B (zh) * 2009-01-22 2011-12-07 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
DE102010018570B4 (de) * 2010-04-28 2017-06-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls
US8259901B1 (en) 2010-05-25 2012-09-04 Rubicon Technology, Inc. Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
JP2012045682A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Tokuriki Honten Co Ltd 固定砥粒ワイヤーソー装置
CN102152410A (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 万向硅峰电子股份有限公司 一种旋转单晶棒调整晶向偏移的切割方法
CN107059135B (zh) 2011-06-02 2019-08-13 住友电气工业株式会社 碳化硅基板的制造方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
JP6000235B2 (ja) 2013-12-24 2016-09-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワーク保持治具
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
JP6613482B2 (ja) * 2015-09-03 2019-12-04 日本電波工業株式会社 水晶振動子
CN111638305B (zh) * 2020-06-08 2023-09-22 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法
CN112590032B (zh) * 2020-12-03 2022-12-02 天津市环智新能源技术有限公司 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法
CN114161588B (zh) * 2021-12-09 2024-08-06 浙江翔日科技炭素有限公司 石墨热场柱状料旋切内掏的装置及方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB628508A (en) 1947-05-06 1949-08-30 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to machines for cutting crystalline material
JPS56129114A (en) * 1980-03-17 1981-10-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of cutting monocrystal
JPH0761647B2 (ja) * 1985-06-11 1995-07-05 日立電線株式会社 半導体結晶インゴットのスライス方法
DE3640645A1 (de) 1986-11-28 1988-06-09 Wacker Chemitronic Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben
JPH0635107B2 (ja) * 1987-12-26 1994-05-11 株式会社タカトリハイテック ワイヤソー
JP2655677B2 (ja) * 1988-04-26 1997-09-24 トーヨーエイテック株式会社 スライシングマシン
DE3826698A1 (de) 1988-08-05 1990-02-08 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur kontrolle des schnittverlaufes beim abtrennen von scheiben von nichtmagnetisierbaren werkstuecken
US5131975A (en) * 1990-07-10 1992-07-21 The Regents Of The University Of California Controlled growth of semiconductor crystals
CH690845A5 (de) * 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
CH690422A5 (fr) 1995-04-22 2000-09-15 Hct Shaping Systems Sa Dispositif pour l'orientation de monocristaux en vue d'une découpe dans un plan prédéterminé et selon une direction qui minimise la longueur de coupe.
EP0738572B1 (fr) * 1995-04-22 2004-01-21 HCT Shaping Systems SA Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
JP2842307B2 (ja) * 1995-06-30 1999-01-06 住友電気工業株式会社 Iii−v族化合物半導体結晶の切断方法
JPH0985736A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
CH691045A5 (fr) 1996-04-16 2001-04-12 Hct Shaping Systems Sa Procédé pour l'orientation de plusieurs pièces cristallines posées côte à côte sur un support de découpage en vue d'une découpe simultanée dans une machine de découpage et dispositif pour la
CH690907A5 (fr) * 1996-05-23 2001-02-28 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil
CH692331A5 (de) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
JPH1110510A (ja) * 1997-06-19 1999-01-19 Nippei Toyama Corp ワイヤソー装置及びワーク切削方法
US5878737A (en) * 1997-07-07 1999-03-09 Laser Technology West Limited Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire
JP3205718B2 (ja) 1997-08-29 2001-09-04 株式会社スーパーシリコン研究所 ワイヤソー切断方法及び装置
JPH11235718A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Hitachi Cable Ltd 半導体インゴットの切断方法
DE19825051A1 (de) * 1998-06-04 1999-12-09 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002034973A1 (de) 2002-05-02
CZ20031102A3 (cs) 2003-09-17
DE50103912D1 (de) 2004-11-04
CN1270000C (zh) 2006-08-16
US7137865B2 (en) 2006-11-21
ATE278052T1 (de) 2004-10-15
CZ297783B6 (cs) 2007-03-28
JP5087202B2 (ja) 2012-12-05
DE10052154A1 (de) 2002-05-08
RU2251598C2 (ru) 2005-05-10
EP1332247B1 (de) 2004-09-29
JP2004512251A (ja) 2004-04-22
US20040118338A1 (en) 2004-06-24
CN1469942A (zh) 2004-01-21
SK4502003A3 (en) 2003-11-04
EP1332247A1 (de) 2003-08-06
TW521340B (en) 2003-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SK286535B6 (sk) Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup
US8282761B2 (en) Method for simultaneously cutting a compound rod of semiconductor material into a multiplicity of wafers
EP0798092B1 (en) Method of slicing semiconductor single crystal ingot
JP3498638B2 (ja) ワイヤーソー装置
KR20000071315A (ko) 유리절단기휘일
KR20070004073A (ko) 초박형 실리콘 웨이퍼 절단방법 및 장치
JP2805370B2 (ja) 内周刃式ソーを用いてロッド状のワークピースを薄板にスライス切断する方法
CN1739927A (zh) 大直径SiC单晶的切割方法
JPH08281549A (ja) ワイヤーソー装置
US6981495B2 (en) Wire sawing process and device
RU2003114430A (ru) Способ и устройство для резки монокристаллов, а также устройство для юстировки и способ тестирования для определения ориентации кристалла
JP3166116B2 (ja) 磁気記録媒体の裁断方法及び装置
TWM549782U (zh) 晶棒切片設備及其調整裝置
US6802928B2 (en) Method for cutting hard and brittle material
JP6923067B2 (ja) 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP5530946B2 (ja) 半導体材料から成る結晶から多数のウェハを切断する方法
JP3903934B2 (ja) 硬脆性材料の切断方法
KR100526215B1 (ko) 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 제조장치
JP3205718B2 (ja) ワイヤソー切断方法及び装置
CN112359424B (zh) 一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法
KR20190115649A (ko) 자리바꿈 메인롤러가 별도로 구비되는 멀티 와이어를 이용한 와이어 쏘우장치
JP2000141364A (ja) インゴット切断方法およびワイヤソー装置
JPH07108526A (ja) スライシングマシン
JP2844559B2 (ja) ゴム製キャタピラーの切断方法及び切断用ダイヤモンドホイール
JPH09225931A (ja) 基台付きマルチ電鋳ブレード及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiry of patent

Expiry date: 20210730