JPH11235718A - 半導体インゴットの切断方法 - Google Patents

半導体インゴットの切断方法

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JPH11235718A
JPH11235718A JP3826798A JP3826798A JPH11235718A JP H11235718 A JPH11235718 A JP H11235718A JP 3826798 A JP3826798 A JP 3826798A JP 3826798 A JP3826798 A JP 3826798A JP H11235718 A JPH11235718 A JP H11235718A
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JP
Japan
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cutting
semiconductor ingot
ingot
semiconductor
wire saw
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Pending
Application number
JP3826798A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Masuyama
尚司 増山
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPH11235718A publication Critical patent/JPH11235718A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体インゴットをワイヤソー切断装置へ装着
する際、スライス角度調整が迅速且つ容易にできる。 【解決手段】半導体インゴットの切断開始側端面へ切断
角度調整治具を貼り付け、然る後ワイヤソー切断装置に
より半導体ウェハを切り出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体インゴットの
切断方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】GaAsウェハは発光特性、電子高速移
動性、高周波特性等の優れた特長を有していることから
レーザーダイオード、発光ダイオード、マイクロ波IC
等の半導体デバイスの基礎材として広く用いられてい
る。
【0003】このGaAsウェハの製造は、まず高純度
Gaと高純度As或いはGaAs多結晶を用いてGaA
s単結晶インゴットを育成し、次にその育成したGaA
s単結晶インゴットをスライス加工してGaAsウェハ
を切り出し、次にその切り出したGaAsウェハの表面
を鏡面研磨、洗浄、乾燥することにより鏡面研磨GaA
sウェハとしている。
【0004】ところでGaAs単結晶インゴットのよう
な半導体インゴットのスライス加工は従来次のように行
われている。
【0005】まず、GaAs単結晶インゴットを端末切
断装置に装着し、次にその装着したGaAs単結晶イン
ゴットの切断開始側端部をその長手方向に対して直角方
向に切断する。
【0006】次に、GaAs単結晶インゴットのスライ
ス切断面とワイヤソー切断装置のワイヤソーのスライス
方向とが完全に平行となるように角度調整してから端末
切断GaAs単結晶インゴットをワイヤソー切断装置に
装着し、それからワイヤソー切断装置を稼動させてGa
Asウェハを切り出すようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにGaAs
単結晶インゴットをスライス切断装置へ装着するときに
は、GaAs単結晶インゴットのスライス切断面とワイ
ヤソー切断装置のワイヤソーのスライス方向とが完全に
平行となるように角度調整する必要があり、この角度調
整作業に多くの工数を費やし、またその角度調整の不具
合によりGaAsウェハの厚さのばらつきが発生し、更
にGaAs単結晶インゴットのロスの増大等が起こって
いた。
【0008】本発明はかかる点に立って為されたもので
あって、その目的とするところは前記した従来技術の欠
点を解消し、半導体インゴットをワイヤソー切断装置へ
装着する際には半導体インゴットの切断角度調整が迅速
且つ容易にでき、その結果半導体ウェハの品質と生産性
の顕著なる向上、更に半導体インゴットのロスの大幅な
低減をも達成することができる半導体インゴットの切断
方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、少なくとも切断開始側端面が長手方向に対して垂
直な面を有する半導体インゴットの上記切断開始側端面
へ切断角度調整治具を貼り付けた後、該切断角度調整治
具を貼り付けた半導体インゴットをワイヤソー切断装置
に装着し、然る後ワイヤソー切断装置を稼働させて半導
体ウェハを切り出すことを特徴とする半導体インゴット
の切断方法にある。
【0010】本発明において切断角度調整治具は、半導
体インゴットの切断開始側端面へ貼り付けられる面に対
してその反対側の面が所定の角度をもって傾斜してお
り、該反対側の面に平行に半導体インゴットを切断する
ことが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体インゴット
の切断方法の一実施例を図面により説明する。
【0012】図1は本発明の半導体インゴットの切断方
法の一実施例を示した平面図である。
【0013】図1において1は半導体インゴット、2は
切断角度調整治具、3はスライス切断線、4は切断開始
側端面、5は切断終了側端面、6は平行出し面である。
【0014】即ち、図1は半導体インゴット1をスライ
ス切断線3に沿って図示しないワイヤソーにより半導体
ウェハを切り出す例を示したものであって、この作業は
次のように行う。
【0015】まず、結晶成長させて得られた半導体イン
ゴットを用意し、その半導体インゴットの両側端末をそ
の長手方向に対して直角方向に切断しておく。
【0016】図2はこのようにして得られた半導体イン
ゴット1と切断線との関係を示した平面図である。
【0017】図2において符号は図1と同一である。
【0018】半導体インゴット1のスライス切断線3に
平行する面、即ち平行出し面を有する切断角度調整治具
を用意する。
【0019】図3はこの切断角度調整治具を示した平面
図であって、2は切断角度調整治具、7は垂直面、6は
平行出し面である。
【0020】なお、本発明では予め平行出し面6の角度
が異なる切断角度調整治具を多数用意しておくようにす
る。また、ここにおいて切断角度調整治具2の材質はプ
ラスチック、木、金属、セラミック等のいずれでもよ
い。
【0021】次に、図1に示すように半導体インゴット
1のインゴット切断開始側端面4に、図示しない接着剤
を介して切断角度調整治具2の垂直面7を貼り付ける。
【0022】次に、この図1のようにした切断角度調整
治具2を貼り付けた半導体インゴット1を図示しないワ
イヤソー切断装置に装着する。
【0023】この装着作業だけでワイヤソー切断装置の
ワイヤソーのスライス方向と半導体インゴット1のスラ
イス切断線3との平行合わせが完了する。従って平行合
わせ作業は迅速且つ容易に行うことができる。
【0024】最後に、ワイヤソー切断装置を稼動させる
ことにより半導体インゴット1を設定したスライス方向
で且つ均一な厚さに半導体ウェハを正確に切り出すこと
ができ、その結果半導体ウェハの品質と生産性の顕著な
る向上、更に半導体インゴットのロスの大幅な低減をも
達成することができる。
【0025】
【発明の効果】本発明の半導体インゴットの切断方法に
よれば半導体インゴットを設定したスライス方向で且つ
均一な厚さに半導体ウェハを正確に切り出すことがで
き、その結果半導体ウェハの品質と生産性の顕著なる向
上、更に半導体インゴットのロスの大幅な低減をも達成
することができるものであり、工業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体インゴットの切断方法の一実施
例を示した平面図である。
【図2】本発明の半導体インゴットの切断方法の一実施
例に用いた半導体インゴットと切断線との関係を示した
平面図である。
【図3】本発明の半導体インゴットの切断方法の一実施
例に用いた切断角度調整治具を示した平面図である。
【符号の説明】
1 半導体インゴット 2 切断角度調整治具 3 スライス切断線 4 切断開始側端面 5 切断終了側端面 6 平行出し面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも切断開始側端面が長手方向に対
    して垂直な面を有する半導体インゴットの前記切断開始
    側端面へ切断角度調整治具を貼り付けた後、該切断角度
    調整治具を貼り付けた半導体インゴットをワイヤソー切
    断装置に装着し、然る後ワイヤソー切断装置を稼働させ
    て半導体ウェハを切り出すことを特徴とする半導体イン
    ゴットの切断方法。
  2. 【請求項2】前記切断角度調整治具は、半導体インゴッ
    トの切断開始側端面へ貼り付けられる面に対してその反
    対側の面が所定の角度をもって傾斜しており、該反対側
    の面に平行に半導体インゴットを切断することを特徴と
    する請求項1記載の半導体インゴットの切断方法。
JP3826798A 1998-02-20 1998-02-20 半導体インゴットの切断方法 Pending JPH11235718A (ja)

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