SE9900525A0 - Gnistgap för hermetiskt inpackade integrerade kretsar - Google Patents

Gnistgap för hermetiskt inpackade integrerade kretsar

Info

Publication number
SE9900525A0
SE9900525A0 SE9900525A SE9900525A SE9900525A0 SE 9900525 A0 SE9900525 A0 SE 9900525A0 SE 9900525 A SE9900525 A SE 9900525A SE 9900525 A SE9900525 A SE 9900525A SE 9900525 A0 SE9900525 A0 SE 9900525A0
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
spark gap
electrode
resistors
gap
spark
Prior art date
Application number
SE9900525A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9900525D0 (sv
SE9900525L (sv
Inventor
Jonathan Harry Orchard-Webb
Original Assignee
Mitel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Publication of SE9900525L publication Critical patent/SE9900525L/xx
Application filed by Mitel Corp filed Critical Mitel Corp
Publication of SE9900525D0 publication Critical patent/SE9900525D0/sv
Publication of SE9900525A0 publication Critical patent/SE9900525A0/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/08—Overvoltage arresters using spark gaps structurally associated with protected apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

SAMMAND RAG Metod och sammansattning for ett gnistgap. Ett flertal resistorer är placerade narliggande gnistgapet for reducering av energin i gapet under elektrostatisk urladdning. (Figur 2)

Description

IP. VI%••• ..14. .41% :••• ..*:•..: .: "'. .
• • • • ••••••• • ••• Gnistgap fOr hermetiskt inpacicade integrerade kretsar FOreliggande uppfiming avser ett gnistgap och i synnerhet avser fOreliggande uppfinning ett gnistgap med en forbattrad termisk dissipation for fOrhindrande av utformning av oppen krets i hOgsparmingsapplikationer. 1Ciselintegrerade kretsar uppvisar earner fina geometrier och hogre frekvenser, anvandning av dessa kretsar expanderar aven in i nya omraden villca kraver forbattrad prestanda. En av de viktigaste av dessa nya omraden är hogsparming.
I Mild teknik fOreligger ett problem clar lcretsens driftspanning gott och val ligger under kravda skyddsnivan for elektrostatiska urladdning och integrerade dioder vilka uppvisar lampliga breakdownsptinnin gar ofta ej r tillgangliga.
Ytterligare en komplikalion i hOgspanningsapplikationer avser en beledsagande Okning energimangden som miste dissiperas i dioden med Okande spanning. Med hawyn till inneboende komplikationer iIcanda tekniken hat integrerade kretsar for hOgspanning ej fullandats alum.
Under Arens lopp, sedan uppfinningen av integrerade kretsar, liar ett start antal kretsfunktioner .fir hogspan fling integrerats I lciselintegrerade kretsen. Fore denna inkorporering implementerades kretsfunktionema for hOgspanning med diskreta komponenter eller utformades i hybridmoduler. Dessa tva teknologier visade sig vara opraktiska avseende kostnadseffektivtitet fOr en given kretsfunktion. -- - 1 princip bn ett enkelt gnistgap alwAndas-for alt ti1Than.dahallu1cy4s1 fOr integrep.de kretsar fOr htigspanning I synnerhet dâ det jute kan motstft hoga spanningar i nagon riktning. Ett gnistgap kan gams sá. att det arbetar vid mindre an 1000V. Tva problem som skall Iösas är hut sakert absorbera tikade energidissipationen och hut reducera spAnningen.
Nireliggande uppfuming avser Overkomma begnlinsningarna i ifdigare kandatekmiken avseend.e sp5nnhigshanteringskapaciter och termisk dissipation.
• • ••• •••• • :Oa. :: • • ••• •• • 'se: •• • • • se: • ••• •• • : •••• •••• • •••• •••• • • • •:• :• • : Genom aft anvanda teknologin fOr fOreliggande uppfmning är det mOjligt att reducera dissipationsproblemet genom aft gora aktiva delen pa gnistgapet stort sá aft varmen dissiperas Over en storre yta, vilket orsakar en mycket mindre Caning av temperaturen. Emellertid skulle storleken for anorclningen bli okonventionellt stor utan andra &garden Foreliggande uppfinning loser delta problem genom aft anvanda polykisel som gnistgapsmaterial sá aft dissipationsproblemet reduceras avsevart. Den hogre smaltptmkten for polykisel undertrycker bildningen av Oppenkrets ochreducerar sannolikheten for ledande banor som bildas av evaporerat material.
I en aspekt av fOreliggande uppfmning tillhandshalles en gnistgapssammansattning fOr anva.ndning i en integrerad krets, innefattande: -en forsta atminstone partiellt ledande elektrod; -en andra atminstone partiellt ledande elektrod, forsta elektroden och andra elektroden i atskild. relation; -ett forsta ledande lager overliggande fOrsta elektroden och ett andra ledande lager overliggande andra elektroden; -ett gnistgap utbildat mellan forsta ledande lagret och andra ledande lagret; -eft flertal diskretaresistorer i elektrisk kommunikation medvarje lager narliggande gapet; varvid resistorema absorberar energi och begransar energin dissiperad i en gnisturladdning i gapet.
Dislcreta resistorema k.an innefatta godtycichgt lampligt material kapabelt at fungera som en resistor. Lampliga exempel innefattar polykisel, varmebestandiga metaller, legeringar med hog smaltpunkt.
- - - Enligt en snnsn aspekt av ett utfdringsexempel av foreliggande uppfmning tillhandahfilles en guistgapssammansattning lamplig for anvandning i en integrerad krets, innefattande en hennetiskt sluten inpackning, inpaclatingen innefattande: -en forsta Atminstone delvis partiellt ledande elektrod med en isolerad del med en ledande del och en isolerad del; -en andra atninstone delvis partiellt ledande elektrod med en ledande del och en isolerad del, ••••• ••••• •• :••• ..""..:. : : ***. • :• • • • • •• • •• • •••• forsta elektroden och andra elektroden i atsIdld relation och definierande ett gnistgap darmellan; och flertal resistorer i elektrisk kommunikation med vane elektrod och gnistgap, varvid elelcrisk strom mellan elektroderna deras av resistorerna for reducering av termisk energi dissiperad i en gnisturladdning i gapet.
Som altemativ kan en metal med en hogre smaltpunIct an aluminium anvandas i stallet for polykisel. Eft godtycldigt lager av polykisel eller annat ledande lager med tillrackligt hog smaltpunkt kan anvanclas fOr gnistgapsstrulcturen.
Uppfirmingama som beslcrivs liar kan anvandas i godtycldig integrerad krets vilken kraver skydd vid hog spanning eller i annantyp av integrerad krets, i synnerhet da den anvander endast ledande lager som an vanliga i en godtyciciig integrerad krets (exv MOS, MN, kiselkarbid, bipolar).
Det an niojligt att tillampning kan bli funnen utanfor integrerade kretsar, dar mycket fmt definierade gnistgap behovs. Mikromekaniska integrerade kretsar an aven kommande telcnologier som tillkommer fdr att upptacka ESD-skador. Dessa smakomponenter kommer art vara mycket mottagliga DIV ESD, men i manga fall kommer det irate att fmnas nagra elektroniska kretsar for art tillbsndahalla skyddsdioder. Det skulle vara enkelt ochkostnadseffektivt art integrera gnistgap i dessa anordningar och, om nodvandigt introducera en speciell gas vid kravda trycket.
Salunda bar uppfinningenbeslaivits generellt ochhanvisnin.gar kommer nu att gOras till bifogade ritningar, vilka illustrerar fiiredragna utfOringsexempel och i vilka: -figur 1 ar en schematisk illustration av en tidigare-kand-gnistgapssammansattning;_ _ figur 2 an en schematisk illustration av ett utfdringsexempel av foreliggande uppfinning; och figur 3 an en schematisk illustration av ytterligare ett utfOringsexempel av fOreliggande uppfinning; SifEror =van& i beskrivningen avser motsvarande element - • : • • :• • :•• : •. :". :• • ••• • ••• :••• • • :•• • • ••:' • ": • ": • : • : ••• : • : • • • • •• •• •• •• • ••• ••• Nu med hanvisning till ritningama, illustrerar figur 1 en gnistgapsammanasattning, over alit betcknad med siffran 10 som är tidigare kand. Arrangemanget innefattar tva isolerade metallledare 12 och 14 i atslcild relation som utbildar ett wistgap 16.
Figur 2 visar ett forsta utforingsexempel fOr en gnistgapssammansattning 10' enligt ett utforingsexempel. I detta arrangemang innefattar elelctrodema ett par isolerade metallelektroder 18 och 20 vilka ar isolerade fra'n varandra genom gnistgapet 16. Arrangemanget 10' innefattar 'aven lager av polykisel under varje bindningsmellanlagg 22. Detta ersatter Al-metall genom polykiselkontalct till metallens vid bindningsmellanlagg 22 for alt undvika sm. kontakter mellan metall och aluminium, vilka kan bli slcadade av temperatur och strom.
Nu med hanvisning till figur 3, visas ytterligare ett utfbringsexempel av en gnistgapssammansattning av fdreliggande uppfuming. Sammansattningen a.r betecknad 10" och innefattar elektroder 18 och 20. Var och en av elektrodema innefattar vidare en uppsattning av ballastresistorer 24 och 26 vilka stacker integrerat darifran. Sammansattningen 10" dr valdigt Ilk arrangernanget i figur 2. Sjalva gnistgapet 16 är ntbildat mellan langa remsor av polykisel anslutna till elektroder 18 och 20 via resistorema 24 och 26. Resistorema 24 och 26 distribuerar strOmmen som genererats under en elelctrostatisk urladdriMg langs remsoma. Nar en elektrostatisk urladdning upptrader mellan de tva elektrodema 18 och 20 Inyter gnistgapet 16 saitunan pA grund av lavinjonisering. Spanningen är delad Over resistorema 24 och 26 vilka absorberar energi och begransar energidissipation i gnisturladdmingen. Resistorema 24, 26 hjalper till med alt sprida strommen jamnt langs gnistgapet 16. I termer av brealcdownsonning for gnistgapet kan gastypen, gapets land och tryck valjas for aft ge kravda spanningen i enlighet med Pascals lag. Lampliga gaser innefattar adelgasema. Typiskt skulle laga tryck anvandas for -attuppniiaga breakdownspanningar enlighet med P-asoals lag, - Genom alt tillhandahallaresistoruppsattningama 24 och 26 bar del gjorts signifikanta framsteg avseende varmning och erodering i gnistgapet 16.
Aven cm figur 3 illustrerar ett flertal resistorer i en lateralt atskild relation kommer (let aft frirstas aft andra arrangemang är mojliga och kommer alt bli kanda av fackmannen. Vidare avseende '• • •• •• • • •• : a •• •• • 0: •• 9 • • ••• • •• •• • • ••• • •• • • • • •• C • • • •• •••• • ••• • • ••• I • • • ••• materialet for resistorerna kan godtyckligt material kapabelt all begransa elektrisk strom anvAndas. Lkmpliga exempel innefattar polykisel, varmebestAndiga metal ler, kromnickellegering och lciselnickellegering.
Metalliseringen bilks gott och val fran gnistgapet ph grund av de hoga temperaturer som skapas vid urlackiningen. Ett altemativ dr aft ta bort metalliseringen fran anordningen genom aft lagga polykisel under bindningsmellanlagget sá all ingen metall/polykiselkontalct behovs i anordningen (se figur 2). Vamning och erodering av gnistgapet minimeras genom all gora gnistgapet av rnassiva parallella remsor av polykisel istAllet fOr sedvanliga fina punkt eller punkter. Strommen begransas och sprids jib:ant langs gnistgapet genom utformning av ballastresistorer i strukturen (figur 3).
Oavsett om anvanda materialet eller vidden for gnistgapet Over omkring lmikron), tenderar breakdownspAnningen all fOrbli ungefar 800V. Data pa grand av at en viss minimal medel fri bana kravs for at initiem joniseringen, och vidare reduktioner i gapet helt enkelt orsalcar urkuiciningsstrommen all fiyftas balcat pa ledaren, bibehallande en vasentligen konstant gnistlangd. Det bar varit kant range all breakdownspanningen for ett gnistgap kommer aft falla med reducerat gastryck i gapet och vara experimentella mAtningar visar en minslcning av breakdownspanningen till imgefar 400V i eft kommersiellt kerarnisk inpackning pa grund av reducerade trycket i kaviteten som orsakats av kyhiing frail hoga temperatuxen for firseglingen av locket.
LAgre breakdownspanning kanuppnas genom avsiktlig styming av kavitetstrycket En Annu lagre breakdownspAnning kan uppnAs genom introducering av speciella gaser in i kaviteten (exv 25 - Itelgaser)-. En anordning som innefattar viktiga strukturella drag &r visade i figur 3.
Figur 3 visar, medelst exempel, ett praktisk gnistgap diir polykisel at inkorporerat under bindningsmellariltigg och anslutning till gnistgapet gars ett kontinuerligt forlopp av polykisel. AluTniniurnmetallisering anvands endast pa bindningsmellanlagget for aft ansluta bindnin' gsledningen genom ett stort kontaktfOnster till polykislet. *Ilya gnistgapet Ar utbildat mellan tva Angaretnsor avpolykisel anslutna till binclii.ingsmellanlaggen medelst en uppsattning *. :"... .. .. :•••IS I • • • •• • • • • • see ••••••••••••••••••: : :• • • • •• Se WoDO .00SO. • parallella resistorer utformade aft sprida strommen jarant langs kontaktremsoma. Nar ESD upptrader mell an de tva mellanlaggen bryter gnistgapet samman med lavinjonisering. Spanningen delas over de tva resistorema, vilka absorberar energi och begransax energin som dissiperas i gnisturladdningen. Resistorema hjalper aven aft sprida strommen jamnt langs gnistgapet.
Gastyper och tryck kan valjas far aft ge lcravda breakdownsparmingen far gnistgapet. Viktiga utfonnningsvariabler är tryck och typ av gas i hermetiska inpackningen.
Andra tillampningar Ideema som beslcrivs i derma ansokan kan tillampas vid godtycklig kiselintegrerad krets som kraver skydd vid en hag spanning. Den kan aven tilla.mpas vid godtycklig typ av integrerad krets, synnerhet som den anvander endast ledande lager som ar vanliga ii godtycldiga integrerade kretsar Oexv MOS, 1.11N, lciselkarbid, bipolar).
Det är mojligt aft tillampning kan finnas utanfdr integrerade kretsar, clar my cket that definierade gnistgap behovs. Mikromekaniska integrerade kretsar 5r en koramande teknologi somtillkommer alt ESD-skador. Dessa smakomponenter kommer att vara mycket mottagliga ft3r ESD-handelser, men i manga fall kommer det inte aft fumas elektroniska kretsar tillgangliga fdr aft tillhandahilla skyddsdioder. Det skulle vara enkelt och kostnadseffektivt aft integrera gnistgap i dessa anorriningar och, om nodvandigt, introducera en speciell gas vid kravda trycket Aven om utfdringsexempel av uppfinningen bar beskrivits ovan är den inte begransad dartill och det kommer alt vara uppenbart for fackmannen alt ett atsldlliga modifieringar utgor del av fdreliggande uppfmning i den man de inte avlagsnar sig fran andemeningen, beskaffenheten och omfmnget av anspraksgjorda och beskrivna uppfinningen. •••

Claims (11)

"... :. : ••••••• ••••••••• •••• PATENTKRAV
1. Gnistgapsammansattning lamplig for anvandning i en integrerad krets, innefattande: -en forsta atminstone partiellt ledande elektrod; -en andra Atminstone partiellt ledande elektrod, sagda forsta elektrod och sagda andra elektrod i tuskild relation; -ett ftirsta ledande lager overliggande sagda fOrsta elektrod och ett andra ledande lager overliggande sagda andra elektrod; -ett gnistgap utbildat mellan sagda Thrsta ledande lager och sagda andra ledande lager; -ett flertal dislcreta resistorer i elektrisk kommunikation med varje lager narliggande sagda gap; varvid sagda resistorer absorberar energi och begransar energin dissiperad i en gmisturladclning i sagda gap.
2. Gnistgapsammansattning enligt krav 1, kannetecknad dtirav, aft varje elektrod innefattar aluminium.
3. Gnistgapsammansattning enligt krav 1, kannetecknad darav, aft varje ledande lager innefattar polykisel.
4. Gnistgapsammansattning enligt krav 1, kannetecknad dkrav, aft sagda flertal resistorer fir anordnade i parallell relation.
- -5. GnistgapsammansAttning enligt krav I, kInnetecknad darav, aft det ar i kombination med en integrerad krets.
6. Gnistgapsamm 'ansdttning enligt krav 5, kannetecknad darav, aft sagda sammansattning och sagda integrerade krets r hermetislct slutna. %."..". .". :•.
7. Gnistgapsammansattning ldmplig fOr anvAndning i en integrerad krets, innefattande en hermetiskt sluten inpackning, sagda inpackning innefattande: -en forsta atrninstone delvis pardellt ledande elektrod med en isolerad del med en ledande del och en isolerad del; -en andra Atminstone delvis partiellt ledande elektrod med en ledande del och en isolerad del, sagda fOrsta elektrod och sagda andra elektrod i Stskild relation och defmierande ett gnistgap dArmellan; och -ett flertal resistorer i elelctrisk kommunikation med varje sagd elektrod och sagda gnistgap, varvid elelaisk strom mellan elelctrodema Er delad av sagda resistorer far reducering av termisk energi dissiperad i en gnisturladdning i sagda gap.
8 Gnistgapsammansattning enligt lcrav 7, kannetecknad darav, aft sagda inpackning innehdller en Adelgas for reducering av hreakdownspanningen for sagda sammansattning
9. Gnistgapsammansattning enligt krav 7, kannetecknad dara.v, aft sagda elektrod innefattar polykisel och aluminium.
10. Metod fdir begransning av energi som dissiperas frlui en gnisturladdning i en gnistgapsammansattning, hmefattande- -tillhandahillande av fOrsta och andra atminstone partiellt ledande elektroder; -tillhandahillande av vaije elektrod med ett flertal resistorer, sagda resistorer i elektrisk 25- - -kommunikation med en respektive elektrod; -5.tskiljande av sagda resistorer associerade med en respelctive elektrod fat alt defniera ett gnistgap dArmellan; och -dissipering av energi tansmitterad mellan sagda elektroder genom sagda resistorer. -8- A. 1. ,,It, r••••• :,•••• •••• ••••• :••• ., •• • LOS 2. 01: a••: 3. : : "•• • 4. ••• 5. •• • 00 Ne •• • • •• • •• • •
11. Meted enligt krav 10, , kannetecknad darav, att sagda resistorer for varje elektrod är anordnade i en lateralt atskild relation. SAMMAND RAG Metod och sammansattning for ett gnistgap. Ett flertal resistorer är placerade narliggande gnistgapet for reducering av energin i gapet under elektrostatisk urladdning. (Figur 2) • S 26 24 18
SE9900525A 1998-02-20 1999-02-17 Gnistgap för hermetiskt inpackade integrerade kretsar SE9900525A0 (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9803482A GB2334626B (en) 1998-02-20 1998-02-20 Spark gap for hermetically packaged integrated circuits

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9900525L SE9900525L (sv) 1900-01-01
SE9900525D0 SE9900525D0 (sv) 1999-02-17
SE9900525A0 true SE9900525A0 (sv) 1999-08-21

Family

ID=10827232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9900525A SE9900525A0 (sv) 1998-02-20 1999-02-17 Gnistgap för hermetiskt inpackade integrerade kretsar

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6355958B1 (sv)
CA (1) CA2262043A1 (sv)
DE (1) DE19906856A1 (sv)
FR (1) FR2776127B1 (sv)
GB (1) GB2334626B (sv)
SE (1) SE9900525A0 (sv)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508644B2 (en) * 2004-06-30 2009-03-24 Research In Motion Limited Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection
US7161784B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-09 Research In Motion Limited Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection
FR2879348A1 (fr) * 2004-12-14 2006-06-16 St Microelectronics Sa Protection d'un condensateur integre
US7349189B2 (en) * 2005-05-06 2008-03-25 Finisar Corporation Electrical surge protection using in-package gas discharge system
DE102005022665A1 (de) * 2005-05-17 2006-11-23 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
TWI283381B (en) * 2006-05-26 2007-07-01 Au Optronics Corp Active device array substrate
US7948726B2 (en) * 2008-09-25 2011-05-24 Panasonic Automotive Systems Company Of America, Division Of Panasonic Corporation Of North America Electrostatic discharge (ESD) protection circuit and method
KR101609023B1 (ko) * 2009-12-23 2016-04-04 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 표면 마운트 스파크 갭
US9281683B1 (en) * 2015-02-25 2016-03-08 La-Z-Boy Incorporated Electrostatic discharge protection and method in power supply
US11477881B2 (en) * 2019-06-26 2022-10-18 Sandisk Technologies Llc Spark gap electrostatic discharge (ESD) protection for memory cards

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3676742A (en) * 1971-05-24 1972-07-11 Signetics Corp Means including a spark gap for protecting an integrated circuit from electrical discharge
DE2508183A1 (de) 1975-02-26 1976-09-16 Bosch Gmbh Robert Funkenstrecke
JPS55126983A (en) * 1979-03-26 1980-10-01 Hitachi Ltd Discharge gap
US4295176A (en) * 1979-09-04 1981-10-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor integrated circuit protection arrangement
JPS5830297U (ja) * 1981-08-25 1983-02-26 株式会社村田製作所 チツプ形放電素子
US4586105A (en) * 1985-08-02 1986-04-29 General Motors Corporation High voltage protection device with a tape covered spark gap
US4794437A (en) * 1986-08-11 1988-12-27 General Electric Company ARC gap for integrated circuits
US4809044A (en) * 1986-08-22 1989-02-28 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film overvoltage protection devices
DE3829650A1 (de) 1988-09-01 1990-03-15 Telefunken Systemtechnik Kombinierte loeschfunkenstrecke
US5436183A (en) * 1990-04-17 1995-07-25 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge protection transistor element fabrication process
US5357397A (en) * 1993-03-15 1994-10-18 Hewlett-Packard Company Electric field emitter device for electrostatic discharge protection of integrated circuits
JPH07122568A (ja) 1993-10-25 1995-05-12 Omron Corp 半導体装置及びその製造方法
CA2115477A1 (en) * 1994-02-11 1995-08-12 Jonathan H. Orchard-Webb Esd input protection arrangement
FR2717308B1 (fr) * 1994-03-14 1996-07-26 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de protection contre des surtensions dans des circuits intégrés.
US5610790A (en) * 1995-01-20 1997-03-11 Xilinx, Inc. Method and structure for providing ESD protection for silicon on insulator integrated circuits
DE19601650A1 (de) 1996-01-18 1997-07-24 Telefunken Microelectron Anordnung zum Schutz elektrischer und elektronischer Bauelemente vor elektrostatischen Entladungen
US5933307A (en) * 1996-02-16 1999-08-03 Thomson Consumer Electronics, Inc. Printed circuit board sparkgap
US5992326A (en) * 1997-01-06 1999-11-30 The Ensign-Bickford Company Voltage-protected semiconductor bridge igniter elements
GB2335084B (en) * 1998-02-21 2003-04-02 Mitel Corp Spark gap for high voltage integrated circuit electrostatic discharge protection
US6245600B1 (en) * 1999-07-01 2001-06-12 International Business Machines Corporation Method and structure for SOI wafers to avoid electrostatic discharge

Also Published As

Publication number Publication date
SE9900525D0 (sv) 1999-02-17
CA2262043A1 (en) 1999-08-20
FR2776127A1 (fr) 1999-09-17
GB2334626A (en) 1999-08-25
GB2334626B (en) 2003-01-29
SE9900525L (sv) 1900-01-01
GB9803482D0 (en) 1998-04-15
US6355958B1 (en) 2002-03-12
FR2776127B1 (fr) 2001-10-19
DE19906856A1 (de) 1999-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6426561B1 (en) Short-circuit-resistant IGBT module
SE9900525A0 (sv) Gnistgap för hermetiskt inpackade integrerade kretsar
US7538436B2 (en) Press pack power semiconductor module
US5216325A (en) Spark gap device with insulated trigger electrode
KR20010021455A (ko) 열 잉크젯 프린팅 시스템 및 열 잉크젯 프린트헤드
US10685805B2 (en) Gas discharge tube assemblies
TW201810606A (zh) 多層－載體系統、製造多層－載體系統的方法及多層－載體系統的應用
SE9900502A0 (sv) Gnistgap för elektrostatiskt urladdningsskydd för integrerad krets för hög spänning
US6606230B2 (en) Chip-type surge absorber and method for producing the same
US6498715B2 (en) Stack up type low capacitance overvoltage protective device
CA1306514C (en) Process and device for igniting an arc with a conducting plasma channel
JPH1079453A (ja) モールド型電子部品及びその製法
CN1929220B (zh) 片型浪涌吸收器
US20210175042A1 (en) Integrated device having gdt and mov functionalities
DE102014221687B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit kurzschluss-ausfallmodus
KR20010070253A (ko) 칩형 서지 흡수재 및 그 제조 방법
SE9900503A0 (sv) Vertikalt gnistgap för mikroelektroniska kretsar
KR100821277B1 (ko) 칩 세라믹 부품요소, 칩 세라믹 부품 및 그 제조 방법
JPH054232Y2 (sv)
JPH0992429A (ja) サージ吸収素子
TWI231637B (en) Overvoltage protection device
JPH0992428A (ja) サージ吸収素子
TW201810451A (zh) 載體系統
JP4830646B2 (ja) サージアブソーバ
US3123734A (en) Hermetically sealed high energy spark gap

Legal Events

Date Code Title Description
NAV Patent application has lapsed

Ref document number: 9900525-8

Format of ref document f/p: F