JPH0992428A - サージ吸収素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】安定した放電開始電圧と、寿命の長いサージ吸
収素子を得る。 【解決手段】抵抗体４２の片側もしくは両側に絶縁層４
６を介して両側に電極層４８が被着形成されたサージ吸
収セル４０を有し、このサージ吸収セル４０が金属飛散
防止層を有する一対の封止電極５２，５４を介して不活
性ガスを封入したガラス管２０内に封止されてサージ吸
収素子１０が構成される。絶縁層４６によってマイクロ
ギャップが構成される。その膜厚がマイクロギャップ幅
となる。封止電極の管内端面には放電時に金属が飛散し
ないように防止層５８がコーティングされる。絶縁層の
膜厚はＣＶＤ法などによって精密にコントロールできる
ので放電開始電圧を正確に設定できる。放電時金属がガ
ラス管内に飛散しないので放電開始電圧の安定化と素子
の長寿命化を図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子機器内に使
用されている回路素子を誘導雷や静電気から保護するた
めのサージ吸収素子に関する。詳しくは、抵抗体の面上
に形成されるマイクロギャップ用の絶縁層の厚みを正確
に形成することによって、放電開始電圧を正確に設定で
きるようにすると共に、素子の寿命特性を改善したもの
である。

【０００２】

【従来の技術】サージ吸収素子は周知のように電子機器
内に使用される回路系に到来する誘導雷サージや静電気
サージなどの異常電圧（過大電圧）を瞬時に吸収して、
回路素子特に半導体素子が破壊されないようにするため
の保護素子として使用される。

【０００３】サージ吸収素子としては、用途に応じて半
導体素子、バリスタ素子、ガラスチューブアレスタ、マ
イクロ式ギャップ吸収素子などが知られている。これら
は全て同一の特性・特質を持つものではなく、例えば応
答速度では半導体素子やバリスタ素子が優れており、サ
ージ電流耐量に関してはバリスタ素子、ガスチューブア
レスタ、マイクロギャップ吸収素子などが優れている。
さらに静電容量が小さいものとしてはガスチューブアレ
スタ、マイクロギャップ吸収素子などが知られている。

【０００４】この種サージ吸収素子にはサージが発生し
たとき、サージ吸収素子の両端が短絡するものと、瞬間
短絡ののち絶縁素子として復帰する放電型のものとがあ
る。瞬間短絡ののち復帰する放電型のサージ吸収素子の
方が使用上における安全性が高い。

【０００５】図１３に示すサージ吸収素子１０は瞬間短
絡ののち復帰する放電型の従来例である。このサージ吸
収素子１０は「特公昭６３−５７９１８号公報」などに
開示されている。同公報に開示されたサージ吸収素子１
０は図１３に示すように構成されている。

【０００６】同図に示すサージ吸収素子１０はガラス管
２０の内部に封止された円柱状の抵抗体１２で構成さ
れ、抵抗体１２の両端にリング状電極１４，１６が嵌入
され、さらに両電極１４，１６にはリード線１８が接続
されて、ガラス管２０内に封入固定されている。ガラス
管２０内には放電ガスとして機能する不活性ガスが充填
される。

【０００７】円柱状抵抗体１２のほぼ中央部には１条の
溝２４が１周するように形成され、この溝２４がマイク
ロギャップとして作用する。放電開始電圧は主としてリ
ング状溝２４の幅（マイクロギャップ幅）や深さによっ
て変化する。マイクロギャップ幅は３０〜５０μｍであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１３に示すサージ吸
収素子１０では、マイクロギャップ用のリング状溝２４
は、通常レーザビーム（レーザ光）を照射するなどした
切削加工処理で形成される場合が多い。レーザビームは
周知のように余り小さく絞り込むことができなかった
り、レーザ光量が一定でないために、上述したようにマ
イクロギャップ幅は３０μｍから５０μｍまでの範囲で
ばらつくことが知られている。切削加工されたエッジ部
も平坦ではなく曲がって切削加工されることが多い。

【０００９】マイクロギャップ幅が正確に切削加工でき
ないと放電開始電圧が大幅にばらついてしまう。市販の
ものでは±２０％程度ばらつくことが知られている。そ
のため、放電開始電圧の低い方を基準にして回路システ
ムが設計されているのが現状である。

【００１０】抵抗体１２と電極１４，１６との間には、
接触をよくするために半田等を介在させている場合が多
いが、サージ電流（放電電流）が流れるとき半田フラッ
クスや半田が分解してこれらがガラス管２０内に飛散す
ることが考えられる。半田や半田フラックスが飛散する
と、その一部がリング状溝２４内に堆積したりするの
で、これによってマイクロギャップの絶縁性が劣化し、
サージ吸収素子１０の寿命に影響を及ぼす。

【００１１】このような問題を解決する手段として、
「特開昭６２−２３７６８６号公報」に開示された技術
が知られている。これは図１４に示すような構成を採用
している。同図においてサージ吸収セルとしてはシリコ
ンＳｉなどの一対の抵抗体３０，３２で構成され、それ
らが絶縁層３４，３６と接着用のリンガラス層３８を介
して合体されたものの両端がそれぞれ電極１４，１６に
よって圧着・挟持された状態でガラス管２０内に封止さ
れる。ガラス管２０内には放電ガスが充填される。

【００１２】この構成において、一対の抵抗体３０，３
２で挟まれた絶縁層３４，３６とリンガラス層３８とで
マイクロギャップが構成される。しかしながら、抵抗体
を複数使用する割には５００ボルト以上の大きな放電開
始電圧が得られないという問題がある。

【００１３】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、マイクロギャップを正確に形
成できるようにして放電開始電圧のばらつきを抑えると
共に、放電開始電圧の範囲を拡張できるようにし、加え
て素子の長寿命化を図ったものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係るサージ吸収素子
は、抵抗体の片側もしくは両側に絶縁層を介して両端に
電極層が被着形成されたサージ吸収セルを有し、このサ
ージ吸収セルが一対の封止電極を介して不活性ガスを封
入したガラス管内に封止されて構成されると共に、上記
絶縁層によってマイクロギャップが構成されたことを特
徴とする。

【００１５】請求項２記載のサージ吸収素子では、抵抗
体として、Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓで代表される半導体
材料や、ＳｎＯ₂，ＴｉＮ，ＴａＮ，Ｃで代表される導
電性セラミックスが使用されたことを特徴とする。

【００１６】請求項３記載のサージ吸収素子では、金属
飛散防止層として、ＳｎＯ₂，Ｃ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ及びこれらの窒化物や炭化物（Ｃ，Ｓｎ
Ｏ₂，Ｎｉを除く）を用いたことを特徴とする。

【００１７】サージ吸収セルを放電ガスと共にガラス管
内に封着し、両端の封止電極にサージ電圧を加え、これ
が放電開始電圧に達すると、マイクロギャップ用の絶縁
層と電極層間で放電が起こる。放電が終了すると元の状
態に復帰する。

【００１８】抵抗体の片側若しくは両側に形成される絶
縁層はＣＶＤや熱酸化などの成膜法が利用される。この
成膜法は周知のようにミクロン単位でその層厚を制御で
きるので、絶縁層の膜厚を精度よくコントロールでき
る。放電開始電圧は絶縁層の膜厚（この厚みがマイクロ
ギャップ幅となる）によって決まる。両側に絶縁層を有
するサージ吸収セルを複数積層合体することによって、
マイクロギャップ数が積層数分だけ増えるので、セルを
積層するにつれて放電開始電圧を高くできる。実験によ
ると、５００×ｎ（ボルト）の関係が得られた。ここ
に、ｎはセルの積層数である。したがって、両側に絶縁
層を有するサージ吸収セルを使用するとほぼ５００ボル
トの放電開始電圧となり、サージ吸収セルを２層にする
と１０００ボルトの耐圧となるから、高い放電開始電圧
でもその構造が極めて簡単となる。

【００１９】抵抗体の断面積は比較的大きく取れるた
め、大きなサージ電流にも耐えることができ、サージ電
流耐量が改善される。封止電極の管内端面側の金属飛散
防止層としては、飛散しにくかったりスパッタされにく
い金属材料を用いているため、小さなマイクロギャップ
でも短絡がなく、他のサージ吸収素子と比較しても寿命
を長くすることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係るサージ吸
収素子の実施の一形態を、図面を参照して詳細に説明す
る。

【００２１】この発明では抵抗体の片面側のみにマイク
ロギャップを形成するか、両面側にマイクロギャップを
形成してサージ吸収セルが構成され、このサージ吸収セ
ルがガラス管内に封止される構造となっている。図１は
片側にのみマイクロギャップを形成した例である。

【００２２】図１に示すこの発明のサージ吸収素子１０
は、サージ吸収セル４０がガラス管２０内に一対の封止
電極５２，５４によって封止されて構成される。サージ
吸収セル４０はベースとなる立方体状（角柱状）の抵抗
体４２を有する。抵抗体４２としては後述するように半
導体材料や、導電性セラミック材を使用することができ
る。

【００２３】抵抗体４２の片面（図の例では左側の端
面）の全表面には所定の膜厚に制御された絶縁層４６が
形成され、絶縁層４６の表面にはさらに電極層４８が形
成される。絶縁層４６はマイクロギャップとして機能
し、絶縁層４６の膜厚がマイクロギャップ幅となる。電
極層４８は後述する封止電極５２，５４との接合を良好
にするために設けられる。

【００２４】このように構成されたサージ吸収セル４０
が一対の封止電極５２，５４によってその両側から圧着
された状態でガラス管２０内に封着（封止）される。封
着は熱封着であって、その温度は５００〜７００℃の範
囲である。ガラス管２０内には放電ガスとしての不活性
ガスが所要ガス圧となるように充填される。

【００２５】図２は封止電極５２，５４の具体例であっ
て、電極本体６２はガラス管２０の内径と外径の差にほ
ぼ合致した段部を有する。電極本体６２はニッケルＮｉ
と鉄Ｆｅの合金材で構成されたジュメット電極が使用さ
れる。電極本体６２の外表面には銅Ｃｕの金属薄膜層６
４が被着形成され、さらにその表面が酸化処理されてＣ
ｕＯの酸化処理層６６が形成される。

【００２６】このように電極本体６２としてジュメット
電極を使用すると共に、その表面を酸化処理層６６で被
覆したのは、使用するガラス管２０との熱膨張係数をで
きるだけ等しくなるようにするためである。

【００２７】酸化処理層６６の表面のうち、ガラス管２
０を封着したときガラス管２０内に露出する部分、した
がって、サージ吸収セル４０と対向する面側にはさらに
金属飛散防止層５８がコーティングされる。この金属飛
散防止層５８とは、電極本体６２の素材金属（Ｎｉ，Ｆ
ｅ）や金属薄膜層６４の構成金属（Ｃｕ）が放電によっ
て、ガラス管２０内に飛散したり、スパッタされて漏出
しないようにするためである。

【００２８】このような金属が放電のたびにガラス管２
０内に飛散すると、その一部が絶縁層４６の露出面に付
着することによってマイクロギャップの絶縁性が劣化
し、それによって放電開始電圧が低くなるなどの変動を
起こす。放電開始電圧の変動はまた素子自体の劣化につ
ながり、最終的には素子の寿命を短くしてしまうことに
なるからである。

【００２９】金属飛散防止層５８として本例では窒化チ
タンＴｉＮが使用されているが、この他にもタングステ
ンＷ，チタンＴｉ，シリコンＳｉ，炭素Ｃ，タンタルＴ
ａ，ニッケルＮｉ，ジルコニュームＺｒ，酸化スズＳｎ
Ｏ₂及びこれらの窒化物や炭化物（Ｃ，ＳｎＯ₂，Ｎｉは
除く）などを使用することができる。

【００３０】このように構成されたサージ吸収素子１０
の使用寸法の一例を示すと、ガラス管２０としてはその
外径が２．６ｍｍ、内径が１．５ｍｍのものが使用さ
れ、抵抗体４２の厚みは４００μｍ，絶縁層４６は２μ
ｍ、そして電極層４８は５０００オングストロームの厚
みとなるように選定されている。金属飛散防止層５８は
０．２５μｍの厚みである。したがって、このサージ吸
収素子１０自体は非常に小型で軽量な素子である。

【００３１】図３はサージ吸収セル４０の製造方法の一
例を示すもので、抵抗体基板としてはＳｉ基板４２′が
使用され、このＳｉ基板４２′が拡散炉（図示はしな
い）に収容され、１１００℃の温度下で２時間熱酸化処
理されて、絶縁層としての酸化膜（ＳｉＯ₂）４６′が
成膜される（図３Ａ）。その厚みは２μ程度である。

【００３２】次にスパッタ装置を用いて熱酸化膜４６′
上に溶着力の強いＴｉやクロムＣｒを付着させた状態
で、さらに連続的にニッケルＮｉ又はＮｉと錫Ｓｎの合
金をスパッタさせて電極層４８′が被着形成される（同
図Ｂ）。

【００３３】絶縁層４６′と電極層４８′をそれぞれ形
成した図４に示すＳｉ基板（ウエハー）４２′はダイサ
ーを使用して、この例では３００μｍ×３００μｍの大
きさとなるように切断する。切断された１つのサージ吸
収セル４０をガラス管２０に入れ、一対の封止電極５
２，５４で圧着・挟持する。その後真空封止装置により
放電ガスとしての不活性ガス（Ａｒガス、Ｎ₂ガス等な
ど）が充填されて封着される。封着温度は約７００℃で
ある。

【００３４】抵抗体４２としてはＳｉ以外に、ＳｉＣ，
ＧａＡｓ等の半導体材料を使用することができる。半導
体材料以外でもよい。例えば導電性セラミックスでもよ
く、この場合には特に（ＳｎＯ₂：Ｓｂ）をドープした
セラミックス材や、ＴｉＮ，ＴａＮなどのセラミックス
材を使用することができる。ＴｉＮやＴａＮを使用する
場合にはその表面に酸化膜や窒化膜を絶縁層として用
い、これがマイクロギャップとして働くことになる。絶
縁層としては酸化膜（ＳｉＯ₂）や窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）
をＴＥＯＳ法（Tetra Ethoxide Siliane:Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ
₅）₄）やＰＣＶＤ法（Plasma Chemical Vapor Depositi
on）を用いて形成したものを使用すればよい。

【００３５】ＣＶＤ法、スパッタ法や熱酸化法などによ
って絶縁層４６を成膜すると、その膜厚はミクロン単位
でコントロールできるので、従来のレーザビーム加工よ
りも遥かに高精度で膜厚制御が可能になる。

【００３６】以上のような製法に基づいて製造されたサ
ージ吸収素子１０は図５に示すような等価回路で表すこ
とができる。つまりサージ吸収素子１０は抵抗Ｒとギャ
ップＧとの直列回路として構成され、抵抗Ｒは抵抗体４
２の高抵抗分であり、ギャップＧは絶縁層４６に対応す
る。ギャップＧの幅（マイクロギャップ幅）は絶縁層４
６の膜厚で決まる。

【００３７】図１に示すサージ吸収素子１０にあって、
両リード端子１８，１８間に直流電圧を印加すると、２
３０ボルトで放電することが分かった。この直流電圧の
印加回数に対する放電開始電圧を図示したのが図６であ
る。曲線Ｌａが図１３あるいは図１４構成のサージ吸収
素子を使用したときの特性であって、放電回数が増える
にしたがって放電開始電圧が２０％程度低下することが
判る。

【００３８】これに対して図１に示すこの発明に係るサ
ージ吸収素子１０の場合には曲線Ｌｂのような特性とな
り、放電回数が増えても放電開始電圧は僅かに変化する
だけである。実測によると５００回位までは殆ど一定で
あって、１０００回を越える当たりから２０００回の放
電回数に至ると、放電開始電圧が１０％程度低下するこ
とが判明した。

【００３９】実機に搭載された場合にはこのような放電
数を経験することは極めて希なことから、この発明に係
るサージ吸収素子１０では放電開始電圧のばらつきを実
際上無視できる程度まで改善できることが判る。放電開
始電圧のばらつきを５００Ｖ±１０％以内に押えること
ができることは、換言すれば素子寿命が伸びることであ
り、素子の長寿命化を達成できる。

【００４０】図７Ａはこの発明に係るサージ吸収素子１
０の他の実施の形態を示すもので、図１と対応する部分
には同一符号を付す。この例では抵抗体４２の両面にマ
イクロギャップを構成した場合であって、抵抗体４２の
両面には絶縁層４６ａ，４６ｂがそれぞれ形成され、こ
れら絶縁層４６ａ，４６ｂの上面にさらに電極層４８
ａ，４８ｂが被着形成されてサージ吸収セル４０が構成
される。図７Ｂはまた、さらに放電電圧の安定化を図る
ために、絶縁層４６ａ，４６ｂの両面に高抵抗のＣ，Ｓ
ｎＯ₂（ノンドープ），Ｓｉを抵抗層４７ａ，４７ｂと
して被着形成し、その両面電極層４８ａ，４８ｂを被着
形成してもよい。

【００４１】このサージ吸収セル４０が一対の封止電極
５２，５４を用いてガラス管２０内に不活性ガスを充填
した状態で封着されてサージ吸収素子１０が構成され
る。サージ吸収セル４０の構成以外は図１の構成と全く
同一に構成されているので、これ以上の説明は割愛す
る。

【００４２】図７Ａ，Ｂに示すサージ吸収素子１０は図
８Ａ，Ｂのような等価回路となり、抵抗Ｒ及びＲａ，Ｒ
ｂ，Ｒｃを介してその左右にそれぞれマイクロギャップ
Ｇａ，Ｇｂが形成されることになる。

【００４３】図７Ａに示すサージ吸収セル４０は図９の
工程を経て製造することができる。同図ＡのＳｉ基板４
２′の上下両面に対して絶縁層である酸化膜４６ａ′，
４６ｂ′が形成され（同図Ｂ）、その上にさらに電極層
（Ｔｉ層やＮｉとＳｎの合金層）４８ａ′，４８ｂ′が
被着形成される（同図Ｃ）。電極層が被着形成されたＳ
ｉ基板（ウエハー）４２′が所望形状となるようにダイ
シングされる。

【００４４】図７Ａの構成は図１０のようにも拡張する
ことができる。図１０の例はサージ吸収セルを２個積層
合体したものを封入してサージ吸収素子１０を構成した
場合である。この場合には同一構成のサージ吸収セル４
０Ａ，４０Ｂが使用される。

【００４５】そのため、絶縁層と電極層を有する同一構
成のＳｉ基板を２枚用意し、これらを合わせた状態で真
空焼成炉内に収納する。そして加圧しながら内部温度を
６００℃まで上げることによって接合・合体する。接合
・合体されたＳｉ基板４２′をダイサーにて切断するこ
とによって図１０に示すサージ吸収セル４０が得られ
る。

【００４６】このように２層構造のサージ吸収セル４０
を使用するとその等価回路は図１１のように表すことが
できる。抵抗Ｒａ，Ｒｂは抵抗体４２ａ，４２ｂの抵抗
分であり、ギャップＧａ〜Ｇｄは絶縁層４６ａ〜４６ｄ
の膜厚によって形成される。

【００４７】両面がマイクロギャップ構造となされた図
１０に示すサージ吸収素子１０を使用した時の放電特性
を調べた。その結果は１０００ボルトで放電が開始し
た。したがって、図１０の構造では直流放電開始電圧は
１０００Ｖであることが判る。そのときの放電回数によ
る放電開始電圧のばらつきは図６に示した場合と同様に
±１０％程度であった。

【００４８】図示はしないが、３層構造以上のサージ吸
収セルを使用したサージ吸収素子も製造可能である。そ
の場合にも同一構成のＳｉ基板（ウェハー）を３枚重ね
て上述した方法で真空焼成炉内で押圧しながら温度６０
０℃にて加熱処理して合体処理したのち、３枚合わせた
Ｓｉ基板をダイシングする。この場合５００μｍ×５０
０μｍの大きさに切断した。そのときのセルの静電容量
値は１ｐＦ以下であるので、実用上問題はない。

【００４９】このように３層構造のサージ吸収セル４０
を使用したときの放電開始電圧は１５００ボルトである
ことが確認された。そのときの放電回数による放電開始
電圧のばらつきも±１０％程度であることが確認され
た。以上のことから、積層するサージ吸収セルの数をｎ
としたとき、セル積層数と放電開始電圧との関係は、大
凡 放電開始電圧＝５００×ｎボルト で与えられることが判る。したがって、セルの積層数だ
けで放電開始電圧を設定できるし、放電開始電圧の管理
が行えることになる。

【００５０】サージ吸収セル同士の接合・合体方法とし
て上述では真空焼成炉を用いたが、同じ真空焼成炉内で
接合電極を上下に設け、６００Ｖ位の直流電圧を上下接
合電極間に印加しながら、内部を約３００℃位まで加熱
することによって２つのサージ吸収セルを接合・合体さ
せる陽極接合法によっても、図１０に示すサージ吸収セ
ル４０を形成できる。

【００５１】図示はしないが、図１に示す片面ギャップ
構成のサージ吸収セルと、図７に示す両面ギャップ構成
のサージ吸収セルを適当に組み合わせて積層・合体した
ものをサージ吸収セルとして使用し、これを封入してサ
ージ吸収素子を構成することもできる。これによって放
電開始電圧に細かに設定することが可能になる。

【００５２】上述した各サージ吸収セルは、ダイシング
による切断加工したままのセルを使用したが、図１２に
示すように切断加工した後、ＨＦ−ＮＮＯ₃系エッチン
グ液またはエチレンジアミンとピロカテコールと水の３
種から構成されるいわゆるＥＤＰ（エチレン ジアミン
ピロカテロール）異方性エッチング液に浸けてＳｉ基
板（抵抗体４２）の中心部を侵食させて凹み７０を形成
することもできる。

【００５３】凹み７０があるときには、サージ吸収素子
１０に大きな異常電圧がかかりサージ電流耐量以上の瞬
間電流が流れたときでも抵抗体４２と絶縁層４６との間
の絶縁性が劣化しないことが判明した。その結果、寿命
の長いサージ吸収素子を提供できる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明では半導体
材料や導電性セラミック材を使用した抵抗体の片面若し
くは両面に絶縁層を介して電極層を被着形成することに
よってサージ吸収セルを構成し、このサージ吸収セルを
ガラス管内に放電ガスと共に封止してサージ吸収素子を
構成したものである。

【００５５】これによればマイクロギャップを構成する
絶縁層の膜厚を正確にコントロールできるため、放電開
始電圧を精度よく設定でき、ばらつきのない安定した放
電開始電圧をもつサージ吸収素子を提供できる。

【００５６】また封止電極に金属飛散防止層をコーティ
ングしたので放電によって封止電極の素材金属などがガ
ラス管内に飛散するのを効果的に防止できる。そのため
飛散した金属の一部が絶縁層の露出面に付着するなどし
て放電開始電圧の低下や素子寿命が劣化したりすること
がない。したがって、常時安定した放電開始電圧を維持
できると共に素子の長寿命化を図ることができる。

【００５７】サージ吸収セルの使用積層数で放電開始電
圧を高くすることができるため、異常に高いサージ電圧
が発生する可能性のある電子機器に適用すれば、それに
用いられている回路素子を有効に保護できることにな
る。

【００５８】サージ吸収セルの構造も極めて簡単であ
り、その製法も半導体分野の製法をそのまま流用できる
から、安価な素子を提供でき、その工業的な価値は計り
知れない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るサージ吸収素子の実施の一形態
を示す要部断面図である。

【図２】サージ吸収素子に使用される封止電極の一例を
示す断面図である。

【図３】サージ吸収素子に使用されるサージ吸収セルの
一製造工程例を示す工程図である。

【図４】ダイシングする前の半導体ウエハーの斜視図で
ある。

【図５】サージ吸収素子の等価回路である。

【図６】放電開始電圧特性を示す曲線図である。

【図７】図１の他の例を示すサージ吸収素子の要部断面
図である。

【図８】その等価回路である。

【図９】図７に使用されるサージ吸収セルの一製造工程
例を示す工程図である。

【図１０】図１のさらに他の例を示すサージ吸収素子の
要部断面図である。

【図１１】その等価回路である。

【図１２】サージ吸収セルの他の例を示す斜視図であ
る。

【図１３】サージ吸収素子の従来例を示す要部断面図で
ある。

【図１４】サージ吸収素子の従来例を示す要部断面図で
ある。

【符号の説明】

１０ サージ吸収素子 １８ リード線 ２０ ガラス管 ４０ サージ吸収セル ４２，４２ａ，４２ｂ 抵抗体 ４６，４６ａ〜４６ｄ 絶縁層 ４７，４７ａ〜４７ｂ 抵抗層 ４８，４８ａ〜４８ｄ 電極層 ５２，５４ 封止電極 ５８，６０ 金属飛散防止層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 抵抗体の片側もしくは両側に絶縁層を介
   して両端に電極層が被着形成されたサージ吸収セルを少
   なくとも１つ以上有し、 このサージ吸収セルが一対の金属飛散防止層を有する封
   止電極を介して不活性ガスを封入したガラス管内に封止
   されて構成されると共に、 上記絶縁層によってマイクロギャップが構成されたこと
   を特徴とするサージ吸収素子。
2. 【請求項２】 上記抵抗体として、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｇａ
   Ａｓで代表される半導体材料や、ＳｎＯ₂，ＴｉＮ，Ｔ
   ａＮ，Ｃで代表される導電性セラミックスが使用された
   ことを特徴とする請求項１記載のサージ吸収素子。
3. 【請求項３】 上記金属飛散防止層として、ＳｎＯ₂，
   Ｃ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ及びこれらの窒
   化物や炭化物（Ｃ，ＳｎＯ₂，Ｎｉを除く）を用いたこ
   とを特徴とする請求項１記載のサージ吸収素子。