DE19906856A1 - Funkenstrecke für hermetisch gekapselte integrierte Schaltkreise - Google Patents
Funkenstrecke für hermetisch gekapselte integrierte SchaltkreiseInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Funkenstrecke
und hierbei ist die vorliegende Erfindung insbesondere auf
Funkenstrecken gerichtet, welche eine verbesserte thermi
sche Dissipation oder verbesserten Wärmeübergang haben, um
die Ausbildung von offenen Schaltkreisen oder Schaltkreis
unterbrechungen bei Hochspannungsanwendungen zu verhindern.
Integrierte Schaltkreise auf Siliziumbasis bewegen sich
unaufhaltsam in Richtung feinerer Geometrien und höheren
Frequenzen und die Anwendung dieser Schaltkreise dehnt sich
auch in neue Anwendungsgebiete aus, welche verbesserte
Leistungsfähigkeit notwendig machen. Eines der wichtigsten
dieser neuen Gebiete ist der Hochspannungsbereich.
Im Stand der Technik besteht momentan noch das Problem,
daß die Betriebsspannungen der Schaltkreise wesentlich
unterhalb des notwendigen Schutzpegels von elektrostati
schen Entladungen liegen und daß integrierte Dioden, welche
ausreichende Durchbruchspannungen haben, oft nicht zur
Verfügung stehen.
Eine weitere Schwierigkeit bei Hochspannungsanwendungen
ist der gleichzeitige Anstieg der Energiemenge, welche mit
wachsender Spannung in der Diode abgeführt werden muß.
Angesichts der inhärenten Schwierigkeiten im Stand der
Technik haben integrierte Hochspannungsschaltkreise noch
keinen hohen Reifegrad entwickelt.
Über die Jahre hinweg wurde seit der Erfindung von in
tegrierten Schaltkreisen eine größere Anzahl von Hochspan
nungs-Schaltkreisfunktionen in integrierte Schaltkreise auf
Siliziumbasis integriert. Vor dieser Integrierung wurden
Hochspannungs-Schaltkreisfunktionen mit diskreten Bauteilen
verwirklicht oder in Hybridmodulen ausgelegt. Diese beiden
Technologien haben sich als unpraktisch für eine bestimmte
Schaltkreisfunktion angesichts der Kosteneffektivität
herausgestellt.
Im Prinzip könnte eine einzige Funkenstrecke verwendet
werden, um einen Schutz für integrierte Hochspannungs
schaltkreise zu schaffen, insbesondere dann, wenn diese
hohe Spannungen in jeder Richtung abhalten kann. Eine
Funkenstrecke kann hergestellt werden, welche unter 1.000 V
arbeitet. Die beiden noch zu lösenden Probleme sind, wie
eine erhöhte Energiedissipation sicher absorbiert werden
kann und wie die Spannung verringert werden kann.
Die vorliegende Erfindung hat es sich zur Aufgabe ge
macht, die Einschränkungen im Stand der Technik bezüglich
der Spannungshandhabungskapazität und der thermischen
Dissipation zu beseitigen.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch
die in den Ansprüchen 1 bzw. 7 angegebenen Merkmale, was
eine erfindungsgemäße Funkenstrecke betrifft, sowie durch
die im Anspruch 10 angegebenen Merkmale, was ein Verfahren
zum Einschränken der Energiedissipation einer Funkenentla
dung in einer Funkenstrecke betrifft.
Durch Anwenden der erfindungsgemäßen Technologie ist es
möglich, das Dissipationsproblem dadurch zu verringern, daß
der aktive Teil einer Funkenstrecke groß gemacht wird, so
daß die Wärme über eine größere Fläche hinweg dissipiert
oder verteilt wird, was einen viel geringeren Temperaturan
stieg bewirkt. Ohne andere Maßnahmen wären jedoch die
Abmessungen der benötigten Vorrichtung in nachteiliger
Weise groß.
Die vorliegende Erfindung löst dieses Problem durch
Verwenden von Polysilizium als Funkenstreckenmaterial, so
daß das Dissipationsproblem erheblich verringert wird. Der
höhere Schmelzpunkt von Polysilizium unterdrückt die Aus
bildung von offenen Schaltkreisen oder Schaltkreisunterbre
chungen und verringert die Wahrscheinlichkeit von Leitfä
higkeitspfaden, welche aus verdampften Material gebildet
werden.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine
Funkenstreckenanordnung zur Verwendung in einem integrier
ten Schaltkreis vorgesehen, mit:
einer ersten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode;
einer zweiten zumindest teilweise leitfähigen Elek trode, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind;
einer ersten leitfähigen Schicht, welche die erste Elektrode überdeckt und einer zweiten leitfähigen Schicht, welche die zweite Elektrode überdeckt;
einer Funkenstrecke, welche zwischen der ersten leitfä higen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht gebildet ist; und
einer Mehrzahl von getrennten Widerständen in elektri scher Verbindung mit jeder Schicht benachbart der Funken strecke, wobei die Widerstände Energie absorbieren und die in einer Funkenentladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie begrenzen.
einer ersten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode;
einer zweiten zumindest teilweise leitfähigen Elek trode, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind;
einer ersten leitfähigen Schicht, welche die erste Elektrode überdeckt und einer zweiten leitfähigen Schicht, welche die zweite Elektrode überdeckt;
einer Funkenstrecke, welche zwischen der ersten leitfä higen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht gebildet ist; und
einer Mehrzahl von getrennten Widerständen in elektri scher Verbindung mit jeder Schicht benachbart der Funken strecke, wobei die Widerstände Energie absorbieren und die in einer Funkenentladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie begrenzen.
Die diskreten oder getrennten Widerstände können jedes
geeignete Material aufweisen, welches als Widerstandsmate
rial wirkt. Geeignete Beispiele umfassen Polysilizium,
hochschmelzendes Metall und Legierungen mit hohem Schmelz
punkt.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung
ist eine Funkenstreckenanordnung zur Verwendung in einem
integrierten Schaltkreis vorgesehen, mit:
einer hermetisch versiegelten Packung, wobei die Packung enthält:
eine erste zumindest teilweise leitfähige Elektrode mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt;
eine zweite zumindest teilweise leitfähige Elektrode mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Ab schnitt, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind und zwischen sich eine Funkenstrecke definieren; und
eine Mehrzahl von Widerständen in elektrischer Verbin dung mit jeder der Elektroden und der Funkenstrecke, wobei ein elektrischer Strom zwischen den Elektroden durch die Widerstände aufgeteilt wird, um die in einer Entladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie zu verringern.
einer hermetisch versiegelten Packung, wobei die Packung enthält:
eine erste zumindest teilweise leitfähige Elektrode mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt;
eine zweite zumindest teilweise leitfähige Elektrode mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Ab schnitt, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind und zwischen sich eine Funkenstrecke definieren; und
eine Mehrzahl von Widerständen in elektrischer Verbin dung mit jeder der Elektroden und der Funkenstrecke, wobei ein elektrischer Strom zwischen den Elektroden durch die Widerstände aufgeteilt wird, um die in einer Entladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie zu verringern.
Als Alternativen kann ein Metall mit höherem Schmelz
punkt als Aluminium anstelle von Polysilizium verwendet
werden.
Jede Schicht aus Polysilizium oder jede leitfähige
Schicht mit ausreichend hohem Schmelzpunkt kann für den
Funkenstreckenaufbau verwendet werden.
Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung kann bei je
dem integrierten Schaltkreis angewendet werden, der Hoch
spannungsschutz benötigt oder bei jeder Art von integrier
tem Schaltkreis angewendet werden, insbesondere dann, wenn
er nur leitfähige Schichten verwendet, welche einem belie
bigen integrierten Schaltkreis gemeinsam sind (z. B. MOS,
III/V, Siliziumcarbid, bipolar).
Es ist möglich, daß sich Anwendungsfälle außerhalb in
tegrierter Schaltkreise finden lassen, wo sehr fein defi
nierte Funkenstrecken notwendig sind.
Auf mikromechanischem Weg integrierte Schaltkreise sind
eine wachsende Technologie, bei der ESD-Beschädigungen
auftreten (ESD = electric spark discharge = elektrische
Funkenentladung). Diese feinen Komponenten sind sehr anfäl
lig gegenüber ESD, aber in vielen Fällen gibt es keinen
elektronischen Schaltkreis, um Schutzdioden vorzusehen. Es
wäre einfach und kostengünstig, Funkenstrecken in diese
Vorrichtungen zu integrieren und - falls notwendig - ein
spezielles Gas mit dem benötigten Druck einzubringen.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Begrenzen der Ener
gie, welche von einer Funkenentladung in einer Funken
streckenanordnung dissipiert wird, umfaßt die folgenden
Schritte:
Bereitstellen erster und zweiter zumindest teilweise leitfähiger Elektroden;
Ausstatten jeder Elektrode mit einer Mehrzahl von Wi derständen, wobei die Widerstände in elektrischer Verbin dung mit einer jeweiligen Elektrode sind;
Beabstanden der Widerstände, welche einer jeden Elek trode zugeordnet sind, um eine Funkenstrecke dazwischen auszubilden; und
Dissipieren von Energie, welche zwischen den Elektroden über die Widerstände übertragen wird.
Bereitstellen erster und zweiter zumindest teilweise leitfähiger Elektroden;
Ausstatten jeder Elektrode mit einer Mehrzahl von Wi derständen, wobei die Widerstände in elektrischer Verbin dung mit einer jeweiligen Elektrode sind;
Beabstanden der Widerstände, welche einer jeden Elek trode zugeordnet sind, um eine Funkenstrecke dazwischen auszubilden; und
Dissipieren von Energie, welche zwischen den Elektroden über die Widerstände übertragen wird.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegen
stand der jeweiligen Unteransprüche.
Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorlie
genden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Be
schreibung von Ausführungsformen anhand der Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Funken
streckenanordnung nach dem Stand der Technik.
Gleiche Bezugszeichen in der Zeichnung bezeichnen
gleiche oder einander entsprechende Bauteile oder Elemente.
Fig. 3 zeigt eine Funkenstreckenanordnung, wie sie aus
dem Stand der Technik bekannt ist, und welche insgesamt mit
dem Bezugszeichen 10 gekennzeichnet ist. Die Anordnung
umfaßt zwei isolierte metallische Leiter 12 und 14, welche
voneinander beabstandet sind und eine Funkenstrecke 16
bilden oder definieren.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform einer Funken
streckenanordnung 10' gemäß der vorliegenden Erfindung. Bei
dieser Anordnung weisen die Elektroden ein Paar von iso
lierten Metallelektroden 18 und 20 auf, welche voneinander
über eine Funkenstrecke 16 isoliert sind. Die Anordnung 10?
beinhaltet auch eine Polysiliziumschicht unter einem jedem
Bondkissen 22. Somit wird das Metall Aluminium durch mit
dem Metall an dem Bondkissen 22 in Verbindung stehenden
Polysilizium ersetzt, um kleine Kontakte zwischen Metall
und Aluminium zu vermeiden, welche durch Temperatur und
Strom beschädigt werden könnten.
In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform einer Fun
kenstreckenanordnung der vorliegenden Erfindung darge
stellt. Diese Anordnung ist durch das Bezugszeichen 10''
bezeichnet und beinhaltet wieder die Elektroden 18 und 20.
Jede dieser Elektroden weist weiterhin eine Reihe von Last-
oder Ballastwiderständen 24 und 26 auf, die sich hiervon
einstückig erstrecken. Die Anordnung 10'' ist in ihrem
Aufbau sehr ähnlich zu derjenigen von Fig. 1. Die Funken
strecke 16 selbst ist zwischen den langen Streifen von
Polysilizium gebildet, welche über die Widerstände 24 und
26 mit den Elektroden 18 und 20 verbunden sind. Die Wider
stände 24 und 26 verteilen den Strom, der während einer
elektrostatischen Entladung entlang der Streifen erzeugt
wird. Wenn zwischen den beiden Elektroden 18 und 20 eine
elektrostatische Entladung auftritt, bricht die Funken
strecke 16 durch Lawinenionisation durch. Die Spannung wird
über die Widerstände 24 und 26 aufgeteilt, welche Energie
aufnehmen und die Energiedissipation in der Funkenentladung
beschränken. Die Widerstände 24 und 26 helfen, den Strom
gleichmäßig über die Funkenstrecke 16 hinweg aufzuteilen.
Was die Durchbruchsspannung der Funkenstrecke betrifft, so
können Gasart, Streckenlänge und Druck entsprechend gewählt
werden, um gemäß dem Pascal'schen Gesetz die benötigte
Spannung einzustellen. Geeignete Gase umfassen die Edelga
se. Typischerweise werden niedrige Drücke verwendet, um
gemäß dem Panchen'schen Gesetz niedrige Durchbruchspannun
gen zu erhalten.
Durch Bereitstellen der Widerstandsfelder oder -reihen
24 und 26 ergibt sich ein erheblicher Fortschritt bezüglich
Erhitzung und Erosion in der Funkenstrecke 16.
Obgleich Fig. 2 eine Mehrzahl von Widerständen in seit
lich beabstandeter Beziehung darstellt, versteht sich, daß
andere Anordnungen möglich sind und sich dem Fachmann auf
diesem Gebiet ergeben. Was weiterhin das Material der
Widerstände betrifft, kann jedes Material verwendet werden,
das in der Lage ist, elektrischen Strom zu begrenzen.
Geeignete Beispiele beinhalten Polysilizium, hochschmelzen
de Metalle, Nickelchrom (Nichrome) und Siliziumchrom
(Sichrome).
Metallisierungen werden aufgrund der durch die Entla
dung erzeugten hohen Temperaturen ausreichend weit von der
Funkenstrecke weg gehalten. Gemäß einer Möglichkeit wird
die Metallisierung von der Vorrichtung durch Anordnen von
Polysilizium unter dem Bondkissen entfernt, so daß in der
Vorrichtung kein Metall/Polysiliziumkontakt benötigt wird
(vergleiche Fig. 1). Ein Erhitzen und eine Erosion der
Funkenstrecke wird dadurch minimiert, daß die Funkenstrecke
aus massiven parallelen Streifen von Polysilizium anstelle
des bisher üblichen feinen Punktes oder der Punkte gemacht
wird. Der Strom wird begrenzt und gleichmäßig entlang der
Funkenstrecke durch Einbauen von Last- oder Ballastwider
ständen in die Struktur (Fig. 2) verteilt.
Ungeachtet der verwendeten Materialien oder der Breite
der Funkenstrecke (ungefähr 1 Micron) neigt die Durchbruch
spannung dazu, bei ungefähr 800 V zu bleiben. Dies deshalb,
als eine gewisse minimale mittlere freie Wegstrecke notwen
dig ist, um Ionisation auszulösen und weitere Verringerun
gen in der Strecke bewirken einfach, daß sich der Entla
dungsstrom auf dem Leiter weiter nach hinten bewegt, wobei
eine im wesentlichen konstante Lichtbogenlänge aufrecht
erhalten bleibt. Es ist seit langem bekannt, daß die Durch
bruchspannung einer Funkenstrecke mit verringerten Gasdruck
in der Strecke sinkt und im Rahmen der vorliegenden Erfin
dung durchgeführte experimentelle Messungen haben gezeigt,
daß eine Verringerung der Durchbruchspannung auf ungefähr
400 V in einer üblichen Keramikpackung aufgrund eines
verringerten Druckes in dem Hohlraum, bewirkt durch Abküh
len von der hohen Deckelversiegelungstemperatur, möglich
ist.
Tiefere Durchbruchspannungen könnten auch dadurch er
halten werden, daß der Hohlraumdruck gezielt gesteuert
wird. Eine noch niedrigere Durchbruchspannung kann erhalten
werden, indem spezielle Gase in den Hohlraum
(beispielsweise Edelgase) eingebracht werden. Eine Vorrich
tung, welche die wesentlichsten strukturellen Merkmale
zeigt, ist in Fig. 2 dargestellt.
Fig. 2 zeigt exemplarisch die Ausführung einer Funken
strecke, bei der Polysilizium unter die Bondkissen einge
bracht ist und die Verbindung zur Funkenstrecke über eine
kontinuierliche Strecke von Polysilizium hergestellt ist.
Eine Aluminiummetallisierung ist nur auf dem Bondkissen
verwendet, um den Bonddraht über ein großes Kontaktfenster
mit dem Polysilizium zu verbinden. Die Funkenstrecke selbst
ist zwischen zwei langen Streifen auf Polysilizium ausge
bildet, welche mit dem Bondkissen über einen Satz von
parallelen Widerständen verbunden sind, die dafür ausgelegt
sind, den Strom gleichmäßig entlang der Kontaktstreifen
aufzuteilen. Wenn ESD zwischen den beiden Kissen auftritt,
bricht die Funkenstrecke aufgrund einer Lawinenionisation
durch. Die Spannung wird über die beiden Widerstandsfelder
aufgeteilt, welche Energie aufnehmen und die in der Funken
entladung dissipierte Energie begrenzen. Die Widerstände
unterstützen auch die Verteilung des Stroms gleichmäßig
entlang der Funkenstrecke. Die Gasarten und der Gasdruck
können ausgewählt werden, um die gewünschte oder notwendige
Funkenstrecken-Durchbruchspannung zu erhalten.
Wesentliche Variable bei der Auslegung sind der Druck
und die Art des Gases in der hermetischen Packung.
Nachfolgend werden andere Anwendungsmöglichkeiten noch
kurz angerissen.
Die in der vorliegenden Erfindung dargestellten Ideen
können bei jedem integrierten Schaltkreis auf Siliziumbasis
angewendet werden, der einen Schutz bei einer hohen Span
nung benötigt. Sie können auch bei jeder Art von integrier
tem Schaltkreis angewendet werden, insbesondere dann, wenn
er nur leitfähige Schichten verwendet, die zu jeglichem
integrierten Schaltkreis gleich sind (z. B. MOS, III/V,
Siliziumcarbid, bipolar).
Es ist möglich, daß sich Anwendungsfälle außerhalb in
tegrierter Schaltkreise finden lassen, wo sehr fein defi
nierte Funkenstrecken notwendig sind. Auf mikromechanischem
Weg integrierte Schaltkreise sind eine wachsende Technolo
gie, bei der ESD-Beschädigungen auftreten. Diese feinen
Komponenten sind sehr anfällig gegenüber ESD, aber in
vielen Fällen gibt es keinen elektronischen Schaltkreis, um
Schutzdioden vorzusehen. Es wäre einfach und kostengünstig,
Funkenstrecken in diese Vorrichtungen zu integrieren und -
falls notwendig - ein spezielles Gas mit dem benötigten
Druck einzubringen.
Beschrieben wurde eine Funkenstreckenanordnung, sowie
ein Verfahren zu deren Herstellung. Eine Mehrzahl von
Widerständen ist benachbart der Funkenstrecke angeordnet,
um die Energie in der Funkenstrecke während einer elektro
statischen Entladung zu verringern.
Obgleich oben Ausführungsformen der Erfindung beschrie
ben wurden, versteht sich, daß die Erfindung nicht hierauf
beschränkt ist und daß sich dem Fachmann auf diesem Gebiet
eine Vielzahl von Modifikationen und Abwandlungen ergibt,
ohne hierbei vom Gegenstand der vorliegenden Erfindung
abzuweichen, wie er in den nachfolgenden Ansprüchen defi
niert ist.
Claims (11)
1. Funkenstreckenanordnung zur Verwendung in einem in
tegrierten Schaltkreis, mit:
einer ersten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode (18);
einer zweiten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode (20), wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind;
einer ersten leitfähigen Schicht, welche die erste Elektrode (18) überdeckt und einer zweiten leitfähigen Schicht, welche die zweite Elektrode (20) überdeckt;
einer Funkenstrecke (16), welche zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht gebildet ist; und
einer Mehrzahl von getrennten Widerständen (24, 26) in elektrischer Verbindung mit jeder Schicht benachbart der Funkenstrecke (16), wobei die Widerstände Energie absorbie ren und die in einer Funkenentladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie begrenzen.
einer ersten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode (18);
einer zweiten zumindest teilweise leitfähigen Elektrode (20), wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode im Abstand zueinander angeordnet sind;
einer ersten leitfähigen Schicht, welche die erste Elektrode (18) überdeckt und einer zweiten leitfähigen Schicht, welche die zweite Elektrode (20) überdeckt;
einer Funkenstrecke (16), welche zwischen der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht gebildet ist; und
einer Mehrzahl von getrennten Widerständen (24, 26) in elektrischer Verbindung mit jeder Schicht benachbart der Funkenstrecke (16), wobei die Widerstände Energie absorbie ren und die in einer Funkenentladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie begrenzen.
2. Funkenstreckenanordnung nach Anspruch 1, wobei jede
Elektrode (18, 20) Aluminium aufweist.
3. Funkenstreckenanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wo
bei jede leitfähige Schicht Polysilizium aufweist.
4. Funkenstreckenanordnung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrzahl von Wider
ständen (24, 26) in paralleler Beziehung angeordnet ist.
5. Funkenstreckenanordnung nach einem der Ansprüche 1
bis 4 in Kombination mit einem integrierten Schaltkreis.
6. Funkenstreckenanordnung nach Anspruch 5, wobei die
Anordnung und der integrierte Schaltkreis hermetisch ver
siegelt sind.
7. Funkenstreckenanordnung zur Verwendung in einem in
tegrierten Schaltkreis, mit:
einer hermetisch versiegelten Packung, wobei die Packung enthält:
eine erste zumindest teilweise leitfähige Elektrode (18) mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt;
eine zweite zumindest teilweise leitfähige Elektrode (20) mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt, wobei die erste Elektrode und die zweite Elek trode im Abstand zueinander angeordnet sind und zwischen sich eine Funkenstrecke (16) definieren; und
eine Mehrzahl von Widerständen (24, 26) in elektri scher Verbindung mit jeder der Elektroden und der Funken strecke, wobei ein elektrischer Strom zwischen den Elektro den durch die Widerstände aufgeteilt wird, um die in einer Entladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie zu verringern.
einer hermetisch versiegelten Packung, wobei die Packung enthält:
eine erste zumindest teilweise leitfähige Elektrode (18) mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt;
eine zweite zumindest teilweise leitfähige Elektrode (20) mit einem leitfähigen Abschnitt und einem isolierten Abschnitt, wobei die erste Elektrode und die zweite Elek trode im Abstand zueinander angeordnet sind und zwischen sich eine Funkenstrecke (16) definieren; und
eine Mehrzahl von Widerständen (24, 26) in elektri scher Verbindung mit jeder der Elektroden und der Funken strecke, wobei ein elektrischer Strom zwischen den Elektro den durch die Widerstände aufgeteilt wird, um die in einer Entladung in der Funkenstrecke dissipierte Energie zu verringern.
8. Funkenstreckenanordnung nach Anspruch 7, wobei die
Packung ein Edelgas zur Verringerung der Durchbruchspannung
der Anordnung enthält.
9. Funkenstreckenanordnung nach Anspruch 7 oder 8, wo
bei jede Elektrode (18, 20) Polysilizium und Aluminium
beinhaltet.
10. Ein Verfahren zum Begrenzen der Energie, welche
von einer Funkenentladung in einer Funkenstreckenanordnung
dissipiert wird, mit den folgenden Schritten:
Bereitstellen erster und zweiter zumindest teilweise leitfähiger Elektroden (18, 20);
Ausstatten jeder Elektrode mit einer Mehrzahl von Widerständen (24, 26), wobei die Widerstände in elektri scher Verbindung mit einer jeweiligen Elektrode sind;
Beabstanden der Widerstände, welche einer jeden Elek trode zugeordnet sind, um eine Funkenstrecke (16) dazwi schen auszubilden; und
Dissipieren von Energie, welche zwischen den Elektroden über die Widerstände übertragen wird.
Bereitstellen erster und zweiter zumindest teilweise leitfähiger Elektroden (18, 20);
Ausstatten jeder Elektrode mit einer Mehrzahl von Widerständen (24, 26), wobei die Widerstände in elektri scher Verbindung mit einer jeweiligen Elektrode sind;
Beabstanden der Widerstände, welche einer jeden Elek trode zugeordnet sind, um eine Funkenstrecke (16) dazwi schen auszubilden; und
Dissipieren von Energie, welche zwischen den Elektroden über die Widerstände übertragen wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Widerstände
(24, 26) einer jeden Elektrode in seitlich beabstandeter
Beziehung angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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GB9803482A GB2334626B (en) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Spark gap for hermetically packaged integrated circuits |
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DE19906856A1 true DE19906856A1 (de) | 1999-09-02 |
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ID=10827232
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