SE438060B - Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element - Google Patents

Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element

Info

Publication number
SE438060B
SE438060B SE7804900A SE7804900A SE438060B SE 438060 B SE438060 B SE 438060B SE 7804900 A SE7804900 A SE 7804900A SE 7804900 A SE7804900 A SE 7804900A SE 438060 B SE438060 B SE 438060B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
mold
crystal
strip
mold halves
pattern
Prior art date
Application number
SE7804900A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7804900L (sv
Inventor
Richardus Henricus Jo Fierkens
Original Assignee
Fierkens Richardus
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fierkens Richardus filed Critical Fierkens Richardus
Publication of SE7804900L publication Critical patent/SE7804900L/sv
Publication of SE438060B publication Critical patent/SE438060B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

7804900-4 10 l5 20 25 30 35 40 Materialet måste härdas snabbt och får absolut inte krympa emedan detta skulle föranleda avbrott i kristallernas led- ningar, som vanligen utgörs av guldtrådar, under härdningen av inkapslingsmaterialet. EPOXY-hartsen kan också vara mycket viskös, emedan metoden måste utföras vid lågt insprut- ningstryck i formen. _ Den kända metoden innefattar att successivt införa rem- sorna i ett formverktyg, stänga detta, fylla formkaviteterna och härda EPOXY-hartsen, varefter formen öppnas och rem- sorna med inkapslade kristaller borttages. Eftersom inkapslings- materialet kan förorena formen måste denna först rengöras innan nya remsor kan införas. Sålunda är den kända metoden en diskontinuerlig process, vid vilken vissa serier av kristaller inkapslas samtidigt. Cykeltiden är ganska lång, kring 2 eller 3 minuter. Dessutom måste en mycket dyrbar form användas och produktionsprocessen kan omöjligt automatiseras.
Förfarandet kräver mycket dyrbart inkapslingsmaterial, emedan ett "ingjötsträd“ finnes och mängden EPOXY för varje inkapslad kristall bestämmes av de standardiserade yttre dimensionerna för elementet och inte av den mängd, som är nödvändig för att inkapsla själva kristallen och dess ledare.
Föremålet för uppfinningen är att undanröja dessa nackdelar och att åstadkomma ett förfarande, som kännetecknas av att på varje kristallbärande ledningsmönster på båda sidor om det resmliknande materialet placeras en formhalva med en kavitet på ett sådant sätt, att de två kaviteterna till- sammans bildar en formkavitet för det inkapslande materialet, varvid de båda formhalvorna tjänar som en permanent inneslutning för kristallen efter det att formkaviteten har fyllts.
-Förfarandet enligt uppfinningen har den fördelen att dyrbara formar inte längre behövs. I deras ställe används väsentligt enklare och billigare formhalvor för injektionsgjutningen, vilka dessutom kan vara större, dvs kan ha flera formkaviteter.
Dessutom uppvisar förfarandet enligt uppfinningen den fördelen att tillverkningsprocessen kan automatiseras, varjämte på grund av att formhalvorna permanent innesluter kristallen, mindre mängd inkapslingsmaterial behöver användas.
För att enkelt montera formhalvorna är företrädesvis en av dessa halvor vid två ändar försedd med utskjutande pinnar eller stift, som införes genom motsvarande öppningar i varje 10 15 20 25 30 35 40 7804900- 4 ledningsmönster, medan den andra formhalvan är försedd med öppningar, som snäpper fast runt de pinnar, som skjuter igenom ledningsmönstret.
Formhalvornas yttre form kan i princip väljas fritt.
Företrädesvis överensstämmer de yttre dimensionerna av den sammansatta eller färdiga formen för varje ledningsmönster med gällande internationell standard för inkapslade mikroelektroniska element, medan kaviteten i varje formhalva är sfärisk såväl i längd- som i tvärsnitt, varvid anordningen är sådan att det inkapslingsmaterial, som skall injiceras i formkaviteten, kan begränsas till en mängd, som är tillräcklig för att inkapsla enbart kristallen och dess anslutningar till ledningarna.
Ett automatiskt förfarande för inkapsling av kristaller åstadkommes vid uppfinningen genom att det remslika materialet med kristaller matas från en spole eller i form av skurna remsor från ett matningsmagasin till en station för anbringande av de båda formhalvorna och därefter förflyttas längs en injektionsgjutningsanordning, som väsentligen innefattar en eller flera injektionsmunstycken, placerade med en mot ledningsmönstret svarande delning, för injicering av inkapslings- materialet i formarna, varefter det remslika materialet med de fyllda formhalvorna föres genom en värmeugn - om så är nödvändigt - och därefter lindas upp på en spole eller placeras i en behållare. Andra operationer såsom t.ex. utskärning och/eller bortbrytning av produkterna från remsan kan utföras direkt efter inkapslingen, likaså i en tillverk- ningslinje.
Genom uppfinningen âstadkommes dessutom ett mikroelektro-- niskt element, som väsentligen innefattar en kristall, omgiven av inkapslande material och med utåt utskjutande anslutningar, vid vilket element det yttre höljet av kristallen består av två med varandra förbundna ihåliga element eller formhalvor, som skiljs åt av ledningarna, vilka element är av ett material annat än inkapslingsmaterialet medan inuti detta hölje är infört en mängd inkapslingsmaterial, som direkt omger kristallen och dess förbindningar med anslutningsorganen.
Förfarandet enligt uppfinningen och det därigenom fram- ställda mikroelektroniska elementet förklaras närmare med hänvisning till bifogade ritningar, där 7804900-4 10 15 20 25 230 35 40 fig. l visar det remsliknande utgångsmaterialet för användning såväl enligt känt förfarande som vid förfarande enligt uppfinningen, fig. 2 visar remsan i fig. l, men försedd med in- kapslade kristallelement, fig. 3 visar de vid förfarandet använda formhalvorna, fig. 4 är en tvärgenomskärning genom formen i fig. 3 Kfig. 5 är en längdgenomskärning genom formen i fig. 3 fig. 6 visar schematiskt ett automatiserat för- farande för inkapsling av kristaller.
I fig. l anger hänvisningssiffran l en bit av ett rems- liknande material, som innefattar med varandra förbundna ledningsmönster 2, vilka vart och ett har ett antal anslutnings- organ 3 för anslutning av kristaller till en ledningskrets, varvid kristallen är placerad i ledningsmönstrets 2 mitt 4 och varvid kristallens ledare är förbundna med anslutninge- organen 3. _ Fig; 2 visar remsan i fig. l, innefattande ett antal inkapslade kristallelement 5. Efter kristallernas inkapsling avlägsnas kanten 6 på varje ledningsmönster och det mikroelek- troniska elementet erhålles så, som det kan användas i kretsanordningar. _ Fig. 3 visar den anordning, som består av två gjutforms- halvor av den typ, som användes vid uppfinningen. Den undre formhalvan 8 innefattar en formkavitet 10 medan vid båda ändarna hål 9 är anordnade, vilka kan släppas kring pinnar l2 på den övre formhalvan ll. Dessutom är en ingjutsöppning l3 anordnad i den övre formhalvan ll. Det är självklart att den övre formhalvan ll också innefattar en formkavitet liknande kaviteten 10. De utskjutande pinnarna 12 är anordnade i den övre formhalvan så att de skjuter över de öppningar 7 i ledningsmönstret 2, som visas i fig. 1. De tvâ formhalvorna 8, ll placeras kring varje ledningsmönster 2 på remsan l efter det att kristallerna har placerats i mitten 4 av det remsliknande materialet och har förbundits med sina ledare till anslutningsorganen 3 i ledningsmönstret 2. Genom ingjutöpp- ningen 13 fylles eller injiceras sedan den formkavitet, som bil- das av de två formhalvorna, med inkapslingsmaterial. 10 15 20 25 30 35 7e@49oo~4 Fig. 4 är en vy av ett tvärsnitt genom en inkapslad kristall, tillverkad enligt det uppfunna förfarandet. De övre och undre formhalvorna har anbringats på var sin sida om remsan 1 på det sätt som beskrivits ovan. De ytter di- mensionerna av de element, som bildas från remsan l och de tvâ formhalvorna 8, ll har ytterdimensioner, som motsvarar internationell standard. Enligt tidigare kända förfaranden består hela tvärsnittet av inkapslingsmaterial 16 medan enligt föreliggande metod endast en del av detta tvärsnitt innefattar det dyra inkapslingsmaterialet 16 och återstoden av sektionen upptages av billigare syntetiska material i de två formhal- vorna 8,11.
Figur 5 är en längdgenomskärning av formhalvorna 8,ll, anbringade på det remslika materialet. Denna ritning visar utformningen av formkaviteterna lO och 14 medan fig. 5 också visar den mängd inkapslingsmaterial 16, som kan sparas genom att använda föreliggande förfarande. Det är tydligt att kris~ tallen 15 med sina anslutningar inkapslas tillfredsställande och att återstoden av tvärsnittet upptages av materialet i de två formhalvorna 8,ll.
Fig. 6 visar schematiskt en automatiserad process för inkapsling av kristaller. Ett antal formhalvor 8,ll pressas kring det remslika materialet 1 på det sätt, som angivits ovan.
Remsan föres framåt i den med pilen F angivna riktningen medan över rörelsebanan för den med formhalvor försedda remsan l ett flertal insprutningsmunstycken 17 är_anordnade, givetvis med ett delningsavstånd S som överensstämmer med lednings- mönstret 2. Det förstås också av sig självt att i dessa form- halvor är anordnade stigningsöppningar på lämpliga ställen.
Remsan med kristaller och dessas anslutningar kan matas från en matningsspole till en icke visad station för anbringande av formhalvorna, och kan därefter transporteras vidare till insprutningsanordningen, varefter de sålunda inkapslade kris- tallerna på nytt kan lindas upp på en spole. En avsevärd fördel med det beskrivna förfarandet jämfört med hittillsvarande för- faranden ligger däri, att inkapslingsmaterialet kan stelna i den permanenta förslutning, som bildas av formhalvorna 8,11 och att detta inte längre behöver äga rum i ett formverktyg. 780490Û-4 __._,.___._ _.-.____ ___ Pâ grund härav kan en väsentligt högre tillverkningstakt uppnås och vidare möjliggöres automatisering av på varandra följande operationer i en monteringsbana.

Claims (5)

7804900-4 Patentkrav
1. Förfarande för inkapsling av mikroelektroniska element med utgångspunkt från ett remsliknande material, innefattande ett antal med varandra förbundna ledningsmönster, som vart och ett har ett antal ledningar till det mikroelektroniska element, som skall inkapslas, varvid förfarandet innefattar att i mitten av varje ledningsmönster anbringa ett mikroelektroniskt element eller en kristall, vars anslutningsorgan är förbundna med led- ningsmönstrets ledare, att placera det kristallbärande, rems- liknande materialet i en gjutform så, att varje kristall huvud- sakligen befinner sig mitt i formens kavitet samt att fylla kaviteten med syntetiskt inkapslingsmaterial, k ä n n e t e c k - n a t av,att placera två formhalvor (8, ll) med en på vardera sidan av varje kristallbärande ledningsmönster (2) på det rems- lika materialet (1), varvid formhalvorna (8, ll) är försedda med formkaviteter (10, 14), att placera formhalvorna (8, ll) på ett sådant sätt, att de två kaviteterna (10, 14) tillsammans bildar ett formhålrum för inkapslingsmaterialet (16) samt att fylla formkaviteterna (10, 14) med inkapslingsmaterial, varvid de två formhalvorna (8, 11) förbindes och tjänar som permanent inkapsling för kristallen (15).
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av, att använda två formhalvor (8, ll), varav den ena (11) är vid två ändar försedd med utskjutande pinnar (12), anordnade att införas genom motsvarande öppningar (7) i varje lednings- mönster (2), medan den andra formhalvan (8) är försedd med hål (9), 1 vilka pinnarna (12) insnäppas genom ledningsmönstret (2). 7ßo49oo-4 4
3. Förfarande enligt kraven l eller 2, k ä n n e t e c k - n a t av, att den sammansatta formens (8, ll) dimensioner för varje ledningsmönster (2) motsvarar internationell standard för inkapslade mikroelektroniska element (5), medan kaviteterna (10, 14) i varje formhalva (8, 11) är sfärisk såväl i längd- som tvärsnitt, varvid anordningen är sådan, att det inkapslingsmaterial (16), som skall injiceras i formrummet, kan begränsas till en mängd, som är tillräcklig för att inkapsla kristallen (15) och dess förbindningar med anslutningsorganen (3).
4. Förfarande enligt något av kraven 1 - 3, k ä n_n e t e c k n a t av, att mata den remsliknande, med kristaller (15) försedda remsan (1) från en förrâdsbehållare till en ' monteringsstation för anbringande av de båda formhalvorna (8, ll), att förflytta remsan längs en insprutningsanordning, som väsentligen omfattar en eller flera insprutningsmunstycken (17), som är placerade med en delning (S), som motsvarar ledningsmönstrets (2), att inspruta inkapslingsmaterialet (16) i formhalvorna (8, ll) och att upptaga det remsliknande materialet (1) med injicerade formhalvor (8, ll) i en andra förrådsbehållare.
5. Förfarande enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a t därav, att placera formhalvorna med en på vardera sidan av en kristall, omgiven av in- kapslande material, varvid kristallen (15) har utåt riktade ledningar, och ett yttre hölje, innefattande två med va- randra förbundna ihåliga element (8, ll), åtskilda av an- slutningsorgan (3) och bestående av ett syntetiskt material annat än inkapslingsmaterialet (16) medan inuti detta hölje är infört en mängd inkapslingsmaterial (16), som direkt omger kristallen (15) och dess förbíndningar med anslut- ningsorganen (3).
SE7804900A 1977-05-05 1978-04-28 Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element SE438060B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7704937,A NL189379C (nl) 1977-05-05 1977-05-05 Werkwijze voor inkapselen van micro-elektronische elementen.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7804900L SE7804900L (sv) 1978-11-06
SE438060B true SE438060B (sv) 1985-03-25

Family

ID=19828496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7804900A SE438060B (sv) 1977-05-05 1978-04-28 Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4250347A (sv)
JP (1) JPS53138275A (sv)
DE (1) DE2819287A1 (sv)
FR (1) FR2390008B1 (sv)
GB (1) GB1590158A (sv)
HK (1) HK30582A (sv)
IT (1) IT1096068B (sv)
NL (1) NL189379C (sv)
SE (1) SE438060B (sv)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332537A (en) * 1978-07-17 1982-06-01 Dusan Slepcevic Encapsulation mold with removable cavity plates
DE2930760A1 (de) * 1979-07-28 1981-02-12 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum umhuellen von halbleiterbauelementen mittels spritzgiessens
DE2944614C2 (de) * 1979-11-05 1986-10-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Vergießen eines Halbleiterbauelements
US4599062A (en) * 1981-01-26 1986-07-08 Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. Encapsulation molding apparatus
JPS57147260A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Matsushita Electronics Corp Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor
US4451973A (en) * 1981-04-28 1984-06-05 Matsushita Electronics Corporation Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor
CA1195782A (en) * 1981-07-06 1985-10-22 Mikio Nishikawa Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
NL8203253A (nl) * 1982-08-19 1984-03-16 Arbo Handel Ontwikkeling Werkwijze en inrichting voor het met kunststof omhullen van elektronische componenten.
US4633573A (en) * 1982-10-12 1987-01-06 Aegis, Inc. Microcircuit package and sealing method
JPS5979417A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Sony Corp 磁気ヘツド装置
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS59188372A (ja) * 1984-03-16 1984-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラグ形電力変換装置
JPS6150353A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Oki Electric Ind Co Ltd Eprom装置
WO1986002200A1 (en) * 1984-09-27 1986-04-10 Motorola, Inc. Lead frame having improved arrangement of supporting leads and semiconductor device employing the same
DE3604075A1 (de) * 1986-02-08 1987-08-13 Bosch Gmbh Robert Verpackung von leistungsbauelementen
FR2598258B1 (fr) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants Procede d'encapsulation de circuits integres.
DE3623419A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-21 Junghans Uhren Gmbh Verfahren zum bestuecken eines leiterbahnen-netzwerkes fuer den schaltungstraeger eines elektromechanischen uhrwerks und teilbestuecktes leiterbahnen-netzwerk eines uhrwerks-schaltungstraegers
JPS6331149A (ja) * 1986-07-25 1988-02-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4855807A (en) * 1986-12-26 1989-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
KR930004237B1 (ko) * 1988-02-20 1993-05-22 도이취 아이티티 인더스트리스 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 반도체장치, 그 제조방법, 그 방법 수행장치 및 조립체설비
US4908935A (en) * 1989-03-22 1990-03-20 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method for fabricating electronic devices
FR2659157B2 (fr) * 1989-05-26 1994-09-30 Lemaire Gerard Procede de fabrication d'une carte dite carte a puce, et carte obtenue par ce procede.
US5047834A (en) * 1989-06-20 1991-09-10 International Business Machines Corporation High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices
US5030796A (en) * 1989-08-11 1991-07-09 Rockwell International Corporation Reverse-engineering resistant encapsulant for microelectric device
JP2656356B2 (ja) * 1989-09-13 1997-09-24 株式会社東芝 多重モールド型半導体装置及びその製造方法
JP2748592B2 (ja) * 1989-09-18 1998-05-06 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
JPH04330744A (ja) * 1990-09-14 1992-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2774906B2 (ja) * 1992-09-17 1998-07-09 三菱電機株式会社 薄形半導体装置及びその製造方法
US6613978B2 (en) 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5880403A (en) 1994-04-01 1999-03-09 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5332944A (en) * 1993-10-06 1994-07-26 Cline David J Environmentally sealed piezoelectric switch assembly
US6720493B1 (en) 1994-04-01 2004-04-13 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
US6455864B1 (en) 1994-04-01 2002-09-24 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Methods and compositions for ionizing radiation shielding
US6261508B1 (en) 1994-04-01 2001-07-17 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Method for making a shielding composition
US5821607A (en) * 1997-01-08 1998-10-13 Orient Semiconductor Electronics, Ltd. Frame for manufacturing encapsulated semiconductor devices
US6100598A (en) * 1997-03-06 2000-08-08 Nippon Steel Semiconductor Corporation Sealed semiconductor device with positional deviation between upper and lower molds
NL1005780C2 (nl) * 1997-04-09 1998-10-12 Fico Bv Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten.
US6384487B1 (en) * 1999-12-06 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication
US6700210B1 (en) 1999-12-06 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages
JP3627846B2 (ja) * 1999-12-09 2005-03-09 矢崎総業株式会社 被覆電線端末接続部の防水処理装置
US6368899B1 (en) * 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
SG118103A1 (en) * 2001-12-12 2006-01-27 Micron Technology Inc BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout
US7382043B2 (en) * 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US7191516B2 (en) * 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL269613A (sv) * 1960-09-27
US3251015A (en) * 1964-05-20 1966-05-10 Gen Electric Miniature magnetic core and component assemblies
FR1442194A (fr) * 1964-08-18 1966-06-10 Siemens Ag élément semi-conducteur et dispositif de fabrication
US3469684A (en) * 1967-01-26 1969-09-30 Advalloy Inc Lead frame package for semiconductor devices and method for making same
US3629668A (en) * 1969-12-19 1971-12-21 Texas Instruments Inc Semiconductor device package having improved compatibility properties
NL7114112A (sv) * 1971-10-14 1973-04-17
US3868725A (en) * 1971-10-14 1975-02-25 Philips Corp Integrated circuit lead structure
US3778685A (en) * 1972-03-27 1973-12-11 Nasa Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same
US4066839A (en) * 1972-11-16 1978-01-03 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. Molded body incorporating heat dissipator
US3909838A (en) * 1973-08-01 1975-09-30 Signetics Corp Encapsulated integrated circuit and method
US3838316A (en) * 1973-10-09 1974-09-24 Western Electric Co Encapsulated electrical component assembly and method of fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
NL189379B (nl) 1992-10-16
NL7704937A (nl) 1978-11-07
SE7804900L (sv) 1978-11-06
IT1096068B (it) 1985-08-17
FR2390008A1 (sv) 1978-12-01
HK30582A (en) 1982-07-09
NL189379C (nl) 1993-03-16
JPS6112375B2 (sv) 1986-04-08
DE2819287A1 (de) 1978-11-09
FR2390008B1 (sv) 1985-03-22
GB1590158A (en) 1981-05-28
IT7823015A0 (it) 1978-05-04
JPS53138275A (en) 1978-12-02
US4250347A (en) 1981-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE438060B (sv) Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element
US3606673A (en) Plastic encapsulated semiconductor devices
EP0100574B1 (en) Slot transfer molding means and methods
US10573537B2 (en) Integrated circuit package mold assembly
DE112008000759B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Geräts mit integrierten Schaltungen betreffend eine mehrstufig gegossene Schaltungspackung
CA1043974A (en) Method for encapsulating electrical components and the mould used for the method
CN104795377B (zh) 具有引线网的半导体器件
KR960700875A (ko) 반도체 장치의 수지봉지 방법
KR970003930B1 (ko) 멀티플런저 금형
ITTO20070489A1 (it) Procedimento e sistema di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore incapsulato
US6319450B1 (en) Encapsulated circuit using vented mold
US3145448A (en) Capacitor fabrication
KR930004237B1 (ko) 반도체장치, 그 제조방법, 그 방법 수행장치 및 조립체설비
US3753634A (en) Molding means for strip frame semiconductive device
EP2161740A2 (en) Mould part, mould and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier
US20040214371A1 (en) System and method for conventional molding using a new design potblock
US20020145181A1 (en) Method for integrated circuit packaging
US5226218A (en) Device for attaching an electrical connector to an electrical line
WO2008036722A2 (en) Locking feature and method for manufacturing transfer molded ic packages
US20150270195A1 (en) Lead frame with mold lock structure
JPH05138699A (ja) 電子部品及びその製造方法
EP0106475A1 (en) Apparatus and method for semiconductor device packaging
JPS5917274A (ja) 半導体装置およびその製造方法
DE1514418A1 (de) Verfahren zum serienmaessigen Herstellen von Halbleiterbauelementen in Kunststoffgehaeusen nach dem Bandmontageprinzip
JPS5839868Y2 (ja) 樹脂封止金型

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7804900-4

Effective date: 19910117

Format of ref document f/p: F