SE438060B - Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element - Google Patents
Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska elementInfo
- Publication number
- SE438060B SE438060B SE7804900A SE7804900A SE438060B SE 438060 B SE438060 B SE 438060B SE 7804900 A SE7804900 A SE 7804900A SE 7804900 A SE7804900 A SE 7804900A SE 438060 B SE438060 B SE 438060B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- mold
- crystal
- strip
- mold halves
- pattern
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
7804900-4 10 l5 20 25 30 35 40 Materialet måste härdas snabbt och får absolut inte krympa emedan detta skulle föranleda avbrott i kristallernas led- ningar, som vanligen utgörs av guldtrådar, under härdningen av inkapslingsmaterialet. EPOXY-hartsen kan också vara mycket viskös, emedan metoden måste utföras vid lågt insprut- ningstryck i formen. _ Den kända metoden innefattar att successivt införa rem- sorna i ett formverktyg, stänga detta, fylla formkaviteterna och härda EPOXY-hartsen, varefter formen öppnas och rem- sorna med inkapslade kristaller borttages. Eftersom inkapslings- materialet kan förorena formen måste denna först rengöras innan nya remsor kan införas. Sålunda är den kända metoden en diskontinuerlig process, vid vilken vissa serier av kristaller inkapslas samtidigt. Cykeltiden är ganska lång, kring 2 eller 3 minuter. Dessutom måste en mycket dyrbar form användas och produktionsprocessen kan omöjligt automatiseras.
Förfarandet kräver mycket dyrbart inkapslingsmaterial, emedan ett "ingjötsträd“ finnes och mängden EPOXY för varje inkapslad kristall bestämmes av de standardiserade yttre dimensionerna för elementet och inte av den mängd, som är nödvändig för att inkapsla själva kristallen och dess ledare.
Föremålet för uppfinningen är att undanröja dessa nackdelar och att åstadkomma ett förfarande, som kännetecknas av att på varje kristallbärande ledningsmönster på båda sidor om det resmliknande materialet placeras en formhalva med en kavitet på ett sådant sätt, att de två kaviteterna till- sammans bildar en formkavitet för det inkapslande materialet, varvid de båda formhalvorna tjänar som en permanent inneslutning för kristallen efter det att formkaviteten har fyllts.
-Förfarandet enligt uppfinningen har den fördelen att dyrbara formar inte längre behövs. I deras ställe används väsentligt enklare och billigare formhalvor för injektionsgjutningen, vilka dessutom kan vara större, dvs kan ha flera formkaviteter.
Dessutom uppvisar förfarandet enligt uppfinningen den fördelen att tillverkningsprocessen kan automatiseras, varjämte på grund av att formhalvorna permanent innesluter kristallen, mindre mängd inkapslingsmaterial behöver användas.
För att enkelt montera formhalvorna är företrädesvis en av dessa halvor vid två ändar försedd med utskjutande pinnar eller stift, som införes genom motsvarande öppningar i varje 10 15 20 25 30 35 40 7804900- 4 ledningsmönster, medan den andra formhalvan är försedd med öppningar, som snäpper fast runt de pinnar, som skjuter igenom ledningsmönstret.
Formhalvornas yttre form kan i princip väljas fritt.
Företrädesvis överensstämmer de yttre dimensionerna av den sammansatta eller färdiga formen för varje ledningsmönster med gällande internationell standard för inkapslade mikroelektroniska element, medan kaviteten i varje formhalva är sfärisk såväl i längd- som i tvärsnitt, varvid anordningen är sådan att det inkapslingsmaterial, som skall injiceras i formkaviteten, kan begränsas till en mängd, som är tillräcklig för att inkapsla enbart kristallen och dess anslutningar till ledningarna.
Ett automatiskt förfarande för inkapsling av kristaller åstadkommes vid uppfinningen genom att det remslika materialet med kristaller matas från en spole eller i form av skurna remsor från ett matningsmagasin till en station för anbringande av de båda formhalvorna och därefter förflyttas längs en injektionsgjutningsanordning, som väsentligen innefattar en eller flera injektionsmunstycken, placerade med en mot ledningsmönstret svarande delning, för injicering av inkapslings- materialet i formarna, varefter det remslika materialet med de fyllda formhalvorna föres genom en värmeugn - om så är nödvändigt - och därefter lindas upp på en spole eller placeras i en behållare. Andra operationer såsom t.ex. utskärning och/eller bortbrytning av produkterna från remsan kan utföras direkt efter inkapslingen, likaså i en tillverk- ningslinje.
Genom uppfinningen âstadkommes dessutom ett mikroelektro-- niskt element, som väsentligen innefattar en kristall, omgiven av inkapslande material och med utåt utskjutande anslutningar, vid vilket element det yttre höljet av kristallen består av två med varandra förbundna ihåliga element eller formhalvor, som skiljs åt av ledningarna, vilka element är av ett material annat än inkapslingsmaterialet medan inuti detta hölje är infört en mängd inkapslingsmaterial, som direkt omger kristallen och dess förbindningar med anslutningsorganen.
Förfarandet enligt uppfinningen och det därigenom fram- ställda mikroelektroniska elementet förklaras närmare med hänvisning till bifogade ritningar, där 7804900-4 10 15 20 25 230 35 40 fig. l visar det remsliknande utgångsmaterialet för användning såväl enligt känt förfarande som vid förfarande enligt uppfinningen, fig. 2 visar remsan i fig. l, men försedd med in- kapslade kristallelement, fig. 3 visar de vid förfarandet använda formhalvorna, fig. 4 är en tvärgenomskärning genom formen i fig. 3 Kfig. 5 är en längdgenomskärning genom formen i fig. 3 fig. 6 visar schematiskt ett automatiserat för- farande för inkapsling av kristaller.
I fig. l anger hänvisningssiffran l en bit av ett rems- liknande material, som innefattar med varandra förbundna ledningsmönster 2, vilka vart och ett har ett antal anslutnings- organ 3 för anslutning av kristaller till en ledningskrets, varvid kristallen är placerad i ledningsmönstrets 2 mitt 4 och varvid kristallens ledare är förbundna med anslutninge- organen 3. _ Fig; 2 visar remsan i fig. l, innefattande ett antal inkapslade kristallelement 5. Efter kristallernas inkapsling avlägsnas kanten 6 på varje ledningsmönster och det mikroelek- troniska elementet erhålles så, som det kan användas i kretsanordningar. _ Fig. 3 visar den anordning, som består av två gjutforms- halvor av den typ, som användes vid uppfinningen. Den undre formhalvan 8 innefattar en formkavitet 10 medan vid båda ändarna hål 9 är anordnade, vilka kan släppas kring pinnar l2 på den övre formhalvan ll. Dessutom är en ingjutsöppning l3 anordnad i den övre formhalvan ll. Det är självklart att den övre formhalvan ll också innefattar en formkavitet liknande kaviteten 10. De utskjutande pinnarna 12 är anordnade i den övre formhalvan så att de skjuter över de öppningar 7 i ledningsmönstret 2, som visas i fig. 1. De tvâ formhalvorna 8, ll placeras kring varje ledningsmönster 2 på remsan l efter det att kristallerna har placerats i mitten 4 av det remsliknande materialet och har förbundits med sina ledare till anslutningsorganen 3 i ledningsmönstret 2. Genom ingjutöpp- ningen 13 fylles eller injiceras sedan den formkavitet, som bil- das av de två formhalvorna, med inkapslingsmaterial. 10 15 20 25 30 35 7e@49oo~4 Fig. 4 är en vy av ett tvärsnitt genom en inkapslad kristall, tillverkad enligt det uppfunna förfarandet. De övre och undre formhalvorna har anbringats på var sin sida om remsan 1 på det sätt som beskrivits ovan. De ytter di- mensionerna av de element, som bildas från remsan l och de tvâ formhalvorna 8, ll har ytterdimensioner, som motsvarar internationell standard. Enligt tidigare kända förfaranden består hela tvärsnittet av inkapslingsmaterial 16 medan enligt föreliggande metod endast en del av detta tvärsnitt innefattar det dyra inkapslingsmaterialet 16 och återstoden av sektionen upptages av billigare syntetiska material i de två formhal- vorna 8,11.
Figur 5 är en längdgenomskärning av formhalvorna 8,ll, anbringade på det remslika materialet. Denna ritning visar utformningen av formkaviteterna lO och 14 medan fig. 5 också visar den mängd inkapslingsmaterial 16, som kan sparas genom att använda föreliggande förfarande. Det är tydligt att kris~ tallen 15 med sina anslutningar inkapslas tillfredsställande och att återstoden av tvärsnittet upptages av materialet i de två formhalvorna 8,ll.
Fig. 6 visar schematiskt en automatiserad process för inkapsling av kristaller. Ett antal formhalvor 8,ll pressas kring det remslika materialet 1 på det sätt, som angivits ovan.
Remsan föres framåt i den med pilen F angivna riktningen medan över rörelsebanan för den med formhalvor försedda remsan l ett flertal insprutningsmunstycken 17 är_anordnade, givetvis med ett delningsavstånd S som överensstämmer med lednings- mönstret 2. Det förstås också av sig självt att i dessa form- halvor är anordnade stigningsöppningar på lämpliga ställen.
Remsan med kristaller och dessas anslutningar kan matas från en matningsspole till en icke visad station för anbringande av formhalvorna, och kan därefter transporteras vidare till insprutningsanordningen, varefter de sålunda inkapslade kris- tallerna på nytt kan lindas upp på en spole. En avsevärd fördel med det beskrivna förfarandet jämfört med hittillsvarande för- faranden ligger däri, att inkapslingsmaterialet kan stelna i den permanenta förslutning, som bildas av formhalvorna 8,11 och att detta inte längre behöver äga rum i ett formverktyg. 780490Û-4 __._,.___._ _.-.____ ___ Pâ grund härav kan en väsentligt högre tillverkningstakt uppnås och vidare möjliggöres automatisering av på varandra följande operationer i en monteringsbana.
Claims (5)
1. Förfarande för inkapsling av mikroelektroniska element med utgångspunkt från ett remsliknande material, innefattande ett antal med varandra förbundna ledningsmönster, som vart och ett har ett antal ledningar till det mikroelektroniska element, som skall inkapslas, varvid förfarandet innefattar att i mitten av varje ledningsmönster anbringa ett mikroelektroniskt element eller en kristall, vars anslutningsorgan är förbundna med led- ningsmönstrets ledare, att placera det kristallbärande, rems- liknande materialet i en gjutform så, att varje kristall huvud- sakligen befinner sig mitt i formens kavitet samt att fylla kaviteten med syntetiskt inkapslingsmaterial, k ä n n e t e c k - n a t av,att placera två formhalvor (8, ll) med en på vardera sidan av varje kristallbärande ledningsmönster (2) på det rems- lika materialet (1), varvid formhalvorna (8, ll) är försedda med formkaviteter (10, 14), att placera formhalvorna (8, ll) på ett sådant sätt, att de två kaviteterna (10, 14) tillsammans bildar ett formhålrum för inkapslingsmaterialet (16) samt att fylla formkaviteterna (10, 14) med inkapslingsmaterial, varvid de två formhalvorna (8, 11) förbindes och tjänar som permanent inkapsling för kristallen (15).
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av, att använda två formhalvor (8, ll), varav den ena (11) är vid två ändar försedd med utskjutande pinnar (12), anordnade att införas genom motsvarande öppningar (7) i varje lednings- mönster (2), medan den andra formhalvan (8) är försedd med hål (9), 1 vilka pinnarna (12) insnäppas genom ledningsmönstret (2). 7ßo49oo-4 4
3. Förfarande enligt kraven l eller 2, k ä n n e t e c k - n a t av, att den sammansatta formens (8, ll) dimensioner för varje ledningsmönster (2) motsvarar internationell standard för inkapslade mikroelektroniska element (5), medan kaviteterna (10, 14) i varje formhalva (8, 11) är sfärisk såväl i längd- som tvärsnitt, varvid anordningen är sådan, att det inkapslingsmaterial (16), som skall injiceras i formrummet, kan begränsas till en mängd, som är tillräcklig för att inkapsla kristallen (15) och dess förbindningar med anslutningsorganen (3).
4. Förfarande enligt något av kraven 1 - 3, k ä n_n e t e c k n a t av, att mata den remsliknande, med kristaller (15) försedda remsan (1) från en förrâdsbehållare till en ' monteringsstation för anbringande av de båda formhalvorna (8, ll), att förflytta remsan längs en insprutningsanordning, som väsentligen omfattar en eller flera insprutningsmunstycken (17), som är placerade med en delning (S), som motsvarar ledningsmönstrets (2), att inspruta inkapslingsmaterialet (16) i formhalvorna (8, ll) och att upptaga det remsliknande materialet (1) med injicerade formhalvor (8, ll) i en andra förrådsbehållare.
5. Förfarande enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a t därav, att placera formhalvorna med en på vardera sidan av en kristall, omgiven av in- kapslande material, varvid kristallen (15) har utåt riktade ledningar, och ett yttre hölje, innefattande två med va- randra förbundna ihåliga element (8, ll), åtskilda av an- slutningsorgan (3) och bestående av ett syntetiskt material annat än inkapslingsmaterialet (16) medan inuti detta hölje är infört en mängd inkapslingsmaterial (16), som direkt omger kristallen (15) och dess förbíndningar med anslut- ningsorganen (3).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7704937,A NL189379C (nl) | 1977-05-05 | 1977-05-05 | Werkwijze voor inkapselen van micro-elektronische elementen. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7804900L SE7804900L (sv) | 1978-11-06 |
SE438060B true SE438060B (sv) | 1985-03-25 |
Family
ID=19828496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7804900A SE438060B (sv) | 1977-05-05 | 1978-04-28 | Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4250347A (sv) |
JP (1) | JPS53138275A (sv) |
DE (1) | DE2819287A1 (sv) |
FR (1) | FR2390008B1 (sv) |
GB (1) | GB1590158A (sv) |
HK (1) | HK30582A (sv) |
IT (1) | IT1096068B (sv) |
NL (1) | NL189379C (sv) |
SE (1) | SE438060B (sv) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4332537A (en) * | 1978-07-17 | 1982-06-01 | Dusan Slepcevic | Encapsulation mold with removable cavity plates |
DE2930760A1 (de) * | 1979-07-28 | 1981-02-12 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum umhuellen von halbleiterbauelementen mittels spritzgiessens |
DE2944614C2 (de) * | 1979-11-05 | 1986-10-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Vergießen eines Halbleiterbauelements |
US4599062A (en) * | 1981-01-26 | 1986-07-08 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Encapsulation molding apparatus |
JPS57147260A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor |
US4451973A (en) * | 1981-04-28 | 1984-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
CA1195782A (en) * | 1981-07-06 | 1985-10-22 | Mikio Nishikawa | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
NL8203253A (nl) * | 1982-08-19 | 1984-03-16 | Arbo Handel Ontwikkeling | Werkwijze en inrichting voor het met kunststof omhullen van elektronische componenten. |
US4633573A (en) * | 1982-10-12 | 1987-01-06 | Aegis, Inc. | Microcircuit package and sealing method |
JPS5979417A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sony Corp | 磁気ヘツド装置 |
DE3338597A1 (de) * | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
JPS59188372A (ja) * | 1984-03-16 | 1984-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラグ形電力変換装置 |
JPS6150353A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | Eprom装置 |
WO1986002200A1 (en) * | 1984-09-27 | 1986-04-10 | Motorola, Inc. | Lead frame having improved arrangement of supporting leads and semiconductor device employing the same |
DE3604075A1 (de) * | 1986-02-08 | 1987-08-13 | Bosch Gmbh Robert | Verpackung von leistungsbauelementen |
FR2598258B1 (fr) * | 1986-04-30 | 1988-10-07 | Aix Les Bains Composants | Procede d'encapsulation de circuits integres. |
DE3623419A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Junghans Uhren Gmbh | Verfahren zum bestuecken eines leiterbahnen-netzwerkes fuer den schaltungstraeger eines elektromechanischen uhrwerks und teilbestuecktes leiterbahnen-netzwerk eines uhrwerks-schaltungstraegers |
JPS6331149A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4855807A (en) * | 1986-12-26 | 1989-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
KR930004237B1 (ko) * | 1988-02-20 | 1993-05-22 | 도이취 아이티티 인더스트리스 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 반도체장치, 그 제조방법, 그 방법 수행장치 및 조립체설비 |
US4908935A (en) * | 1989-03-22 | 1990-03-20 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method for fabricating electronic devices |
FR2659157B2 (fr) * | 1989-05-26 | 1994-09-30 | Lemaire Gerard | Procede de fabrication d'une carte dite carte a puce, et carte obtenue par ce procede. |
US5047834A (en) * | 1989-06-20 | 1991-09-10 | International Business Machines Corporation | High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices |
US5030796A (en) * | 1989-08-11 | 1991-07-09 | Rockwell International Corporation | Reverse-engineering resistant encapsulant for microelectric device |
JP2656356B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1997-09-24 | 株式会社東芝 | 多重モールド型半導体装置及びその製造方法 |
JP2748592B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1998-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型 |
JPH04330744A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2774906B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1998-07-09 | 三菱電機株式会社 | 薄形半導体装置及びその製造方法 |
US6613978B2 (en) | 1993-06-18 | 2003-09-02 | Maxwell Technologies, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
US5880403A (en) | 1994-04-01 | 1999-03-09 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
US5332944A (en) * | 1993-10-06 | 1994-07-26 | Cline David J | Environmentally sealed piezoelectric switch assembly |
US6720493B1 (en) | 1994-04-01 | 2004-04-13 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
US6455864B1 (en) | 1994-04-01 | 2002-09-24 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Methods and compositions for ionizing radiation shielding |
US6261508B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Method for making a shielding composition |
US5821607A (en) * | 1997-01-08 | 1998-10-13 | Orient Semiconductor Electronics, Ltd. | Frame for manufacturing encapsulated semiconductor devices |
US6100598A (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-08 | Nippon Steel Semiconductor Corporation | Sealed semiconductor device with positional deviation between upper and lower molds |
NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
US6384487B1 (en) * | 1999-12-06 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication |
US6700210B1 (en) | 1999-12-06 | 2004-03-02 | Micron Technology, Inc. | Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages |
JP3627846B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2005-03-09 | 矢崎総業株式会社 | 被覆電線端末接続部の防水処理装置 |
US6368899B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-04-09 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Electronic device packaging |
SG118103A1 (en) * | 2001-12-12 | 2006-01-27 | Micron Technology Inc | BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout |
US7382043B2 (en) * | 2002-09-25 | 2008-06-03 | Maxwell Technologies, Inc. | Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation |
US7191516B2 (en) * | 2003-07-16 | 2007-03-20 | Maxwell Technologies, Inc. | Method for shielding integrated circuit devices |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL269613A (sv) * | 1960-09-27 | |||
US3251015A (en) * | 1964-05-20 | 1966-05-10 | Gen Electric | Miniature magnetic core and component assemblies |
FR1442194A (fr) * | 1964-08-18 | 1966-06-10 | Siemens Ag | élément semi-conducteur et dispositif de fabrication |
US3469684A (en) * | 1967-01-26 | 1969-09-30 | Advalloy Inc | Lead frame package for semiconductor devices and method for making same |
US3629668A (en) * | 1969-12-19 | 1971-12-21 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device package having improved compatibility properties |
NL7114112A (sv) * | 1971-10-14 | 1973-04-17 | ||
US3868725A (en) * | 1971-10-14 | 1975-02-25 | Philips Corp | Integrated circuit lead structure |
US3778685A (en) * | 1972-03-27 | 1973-12-11 | Nasa | Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same |
US4066839A (en) * | 1972-11-16 | 1978-01-03 | Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. | Molded body incorporating heat dissipator |
US3909838A (en) * | 1973-08-01 | 1975-09-30 | Signetics Corp | Encapsulated integrated circuit and method |
US3838316A (en) * | 1973-10-09 | 1974-09-24 | Western Electric Co | Encapsulated electrical component assembly and method of fabrication |
-
1977
- 1977-05-05 NL NLAANVRAGE7704937,A patent/NL189379C/xx not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-04-24 US US05/899,340 patent/US4250347A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-04-25 GB GB16370/78A patent/GB1590158A/en not_active Expired
- 1978-04-28 SE SE7804900A patent/SE438060B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-05-02 DE DE19782819287 patent/DE2819287A1/de not_active Ceased
- 1978-05-03 FR FR7813133A patent/FR2390008B1/fr not_active Expired
- 1978-05-04 IT IT23015/78A patent/IT1096068B/it active
- 1978-05-04 JP JP5288978A patent/JPS53138275A/ja active Granted
-
1982
- 1982-06-30 HK HK305/82A patent/HK30582A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL189379B (nl) | 1992-10-16 |
NL7704937A (nl) | 1978-11-07 |
SE7804900L (sv) | 1978-11-06 |
IT1096068B (it) | 1985-08-17 |
FR2390008A1 (sv) | 1978-12-01 |
HK30582A (en) | 1982-07-09 |
NL189379C (nl) | 1993-03-16 |
JPS6112375B2 (sv) | 1986-04-08 |
DE2819287A1 (de) | 1978-11-09 |
FR2390008B1 (sv) | 1985-03-22 |
GB1590158A (en) | 1981-05-28 |
IT7823015A0 (it) | 1978-05-04 |
JPS53138275A (en) | 1978-12-02 |
US4250347A (en) | 1981-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE438060B (sv) | Forfarande for inkapsling av mikroelektroniska element | |
US3606673A (en) | Plastic encapsulated semiconductor devices | |
EP0100574B1 (en) | Slot transfer molding means and methods | |
US10573537B2 (en) | Integrated circuit package mold assembly | |
DE112008000759B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Geräts mit integrierten Schaltungen betreffend eine mehrstufig gegossene Schaltungspackung | |
CA1043974A (en) | Method for encapsulating electrical components and the mould used for the method | |
CN104795377B (zh) | 具有引线网的半导体器件 | |
KR960700875A (ko) | 반도체 장치의 수지봉지 방법 | |
KR970003930B1 (ko) | 멀티플런저 금형 | |
ITTO20070489A1 (it) | Procedimento e sistema di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore incapsulato | |
US6319450B1 (en) | Encapsulated circuit using vented mold | |
US3145448A (en) | Capacitor fabrication | |
KR930004237B1 (ko) | 반도체장치, 그 제조방법, 그 방법 수행장치 및 조립체설비 | |
US3753634A (en) | Molding means for strip frame semiconductive device | |
EP2161740A2 (en) | Mould part, mould and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier | |
US20040214371A1 (en) | System and method for conventional molding using a new design potblock | |
US20020145181A1 (en) | Method for integrated circuit packaging | |
US5226218A (en) | Device for attaching an electrical connector to an electrical line | |
WO2008036722A2 (en) | Locking feature and method for manufacturing transfer molded ic packages | |
US20150270195A1 (en) | Lead frame with mold lock structure | |
JPH05138699A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
EP0106475A1 (en) | Apparatus and method for semiconductor device packaging | |
JPS5917274A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
DE1514418A1 (de) | Verfahren zum serienmaessigen Herstellen von Halbleiterbauelementen in Kunststoffgehaeusen nach dem Bandmontageprinzip | |
JPS5839868Y2 (ja) | 樹脂封止金型 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7804900-4 Effective date: 19910117 Format of ref document f/p: F |