DE1514418A1

DE1514418A1 - Verfahren zum serienmaessigen Herstellen von Halbleiterbauelementen in Kunststoffgehaeusen nach dem Bandmontageprinzip

Info

Publication number: DE1514418A1
Application number: DE19651514418
Authority: DE
Inventors: Beyerlein Dipl-Ch Fritz-Werner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1965-03-18
Filing date: 1965-03-18
Publication date: 1969-06-26
Also published as: BE678041A; SE318950B; FR1473478A; NL6601942A; GB1115105A; ES324264A1

Description

Siemens & Halske München 2, 1 8.MRZ 1965

^Aktiengesellschaft Witteisbacherplatz 2

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65/2164

[Dr. Expl.

Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiterbauelementen in Kunststoffgehäusen nach dem Bandmontageprinzip.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Bauelementen, insbesondere-von Mikrohalbleiterbauelementen, in Kunststoffgehäusen, wie Mikroplanartransistoren und Mikroplcr.ordioden.

Es ist bekannt, mit Hilfe des Bandmontageprinzipn, bei dem ein als Transportband während einzelner Arbeitsvorgänge geeigneter

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Trügerkörper für die Halbleiteranordnungen verwendet wird, der aus Kontaktierungsmaterial besteht und als elektrische Zuführung dient, wobei weiterhin zur Anzahl der äußeren Elektroden der zu fertigenden Bauelemente noch fehlenden Anschlüsse in bestimmter geometrischer Zuordnung zum Trägerkörper vorgesehen sind, die in periodischen Abständen mit dem Trägerkörper verbunden sind, bei dem dann die Halbleiteranordnungen auf den Trägerkörper in Abständen, deren Größe durch die Abmessungen des herzustellenden Bauelementes bestimmt wird, auflegiert und die Kontaktierungsdrähte der Halbleiteranordnungen mit den Elektroden verbunden werden, wonach dann die Halbleiteranordnungen und die Verbindungsstellen zwischen Kontaktierungsdrähten und Elektroden mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden, eine Vielzahl von Bauelementen herzustellen, insbesondere Mikrobauelemente, wie beispielsweise Mikroplanartransistoren und Mikroplanardioden, wobei das Umhüllen des Bauelementes entweder durch Eintauchen in die gießfähige Masse oder durch Anwendung eines Formkörpers, der gleichzeitig als Gießform und als Gehäusebestandteil dient, vorgenommen wird. Der zum Verguß verwendete Formkörper kann auch so gestaltet sein, daß er nach dem Aushärten der Vergußmasse entfernt werden kann.

Die Weiterbehandlung der nach den bekannten Verfahren hergestellten Bauelementserien, insbesondere die elektrische Messung,

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Kodierung und Verpackung vor dem Transport, bereitet jedoch auf Grund der geringen mechanischen Stabilität und der Kleinheit der Bauelemente erhebliche Schwierigkeiten.

Die vorliegende Erfindung schafft die Möglichkeit, diese Schwierigkeiten zu umgehen, dadurch_odaß der dem auflegierten Bauelement gegenüberliegende Randstreifen des als Transportband ausgebildeten Trägerlcörpe rs mit den angebrachten Elektroden mit einer niedrig schmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt wird und der vergossene Randstreifen so ausgebildet ist, daß er sowohl als Meßleiste als auch als Transportleiste Verwendung findet.

Zur Umhüllung des dem auflegierten Bauelement gegenüberliegenden Randstreifens werden gießbare Kunststoffe, beispielsweise Epoxidharze, Silikonharze oder Polyesterharze verwendet, die bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelementes eine feste Vergußmasse darstellen.

Auch niedrig schmelzende Gläser, keramische Massen oder anorganische Zemente lassen sich als Vergußmasse verwenden.

Das Verfahren ger.äß der Erfindung eignet sich in besonders vorteilhafter Yfeise zur Herstellung von Mikroplanartransistoren und Mikroplanardioden.

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In gleicher V/eise ist es möglich, mit Hilfe eines entsprechend ausgebildeten Bandes auch andere elektrische mehrpolige Bauelemente, wie integrierte Schaltungen, Widerstände und Kondensatoren gemäß der Lehre der Erfindung herzustellen.

Nähere Einzelheiten gehen aus dem an Hand der Figuren 1 bis 5 beschriebenen Ausführungsbeispiel hervor.

Zur Herstellung eines Mikroplanartransistors wird beispielsweise, wie in Figur 1 in Draufsicht dargestellt, auf ein vergoldetes, aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehendes Band 1, das als Transportband während einzelner Arbeitsgänge verwendet wird und als elektrischer Anschluß dient, auf beiden Seiten des für die aufzulegierende Halbleiteranordnung 3 zwischen den beiden Randstreifen des Transportbandes 1 vorhandenen Steges je eine Elektrode 2 aus Metall, vorzugsweise aus Silber, die als äußere elektrische Anschlüsse dienen, durch Punktschweißung angebracht. Die Halbleiteranordnung 3 wird dann durch ein Kontaktierverfahren, beispielsweise mittels Thermokompression, durch Kontaktierungsdrähte 4 mit den Elektroden verbunden.

In Figur 2 ist an Stelle der zusätzlich durch Punktschweißung zu beiden Seiten des für die Halbleiteranordnung vorgesehenen Steges 13 auf dem Transportband 1 aus Kontaktierungsmaterial angebrachten äußeren Elektroden ein als Transportband während

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einzelner Arbeitsgänge geeigneter Trägerkörper 1 verwendet worden, der entsprechend einem dem herzustellenden Bauelement angepaßten Raster mit Einschnitten, insbesondere durch Ausstanzen, versehen wurde. An Stelle der in Pigur 1 dargestellten ■drahtförmigen Elektroden 2 zeigt Figur 2 die durch das Ausstanzen entsprechend dem für das herzustellende Bauelement angepaßten Easter erhaltenen schmalen bandförmigen Elektroden 12. W

Wie in Figur 3 dargestellt, wird die Halbleiteranordnung mit den Kontaktierungsdrähten und den Anschlußstellen mit einer Vergußmasse, beispielsweise Epoxidharz, umhüllt, die dann in einem Ofen ausgehärtet wird. Durch das derart hergestellte Gehäuse 5 erhält die Halbleiteranordnung die notwendige mechanische Stabilität und wird gleichzeitig vor äußeren Einflüssen, insbesondere vor Feuchtigkeit, geschützt.

Nach dem Aushärten wird, wie aus Figur 4 ersichtlich ist, die vergossene Stirnseite 7 vom Trägerkörper 6 abgetrennt.

Figur 5 zeigt eine Kette von Halbleiterbauelementen 8, bei der die Falbleiteranordnungen mit den Anschlußdrähten an den Stellen 10,vi.1, 12- durch Sägen oder Schneiden abgetrennt worden sind. Der untere Randstreifen 9 des Trägerkörpers, an den die drahtförmigen Elektroden angepunktet sind, wird ebenfalls mit

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einem aushärtbaren Kunststoff, beispielsweise Epoxidharz, vergossen, uia bei Serienmessungen eine besonders günstige Handhabung zu erhalten. Durch diese Ausführungsform wird zusätzlich eine Beschädigung der Halbleiterbauelemente weitgehendst vermieden.

In Figur 6 sind einzelne Halbleiterbauelemente dargestellt, die durch Zerteilen der Meß- oder Transportleiste, beispielsweise mittels eines Sägegatters, erhalten werden. Dabei ist auf die Kennzeichnung des Transisto-rs zu achten.

Das Verfahren gemäß der Erfindung läßt sich in gleich vorteilhafter Weise auf die Herstellung von Mikroplanardioden anwenden. In diesem Falle beträgt die Anzahl der zu verwendenden Elektroden 2.

6 Patentansprüche
6 Figuren

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Claims

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1. Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Bauelementen, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen, in Kunststoffgehäusen, bei dem ein als Transportband während einzelner Arbeitsvorgänge geeigneter Tifägerkörper für die Halbleiteranordnungen verwendet wird, der aus Kontaktierungsmaterial besteht und als elektrische Zuführung dient, bei dem weiterhin zur Anzahl der äußeren Elektroden der zu fertigenden Bauelemente noch fehlende Elektroden in bestimmter, geometrischer Zuordnung zum Trägerkörper vorgesehen sind, die in periodischen Absenden mit dem Trägerkörper verbunden sind, bei dem dann die Halbleiteranordnungen auf den Trägerkörper in Abständen, deren Größe durch die Abmessungen des herzustellenden Bauelemente bestimmt wird, auflegiert und die Kontaktierungsdrähte der HalbIgiteranordnung mit den Elektroden verbunden werden, wonach die Halbleiteranordnungen und die Verbindungsstellen zwischen Kontaktierungsdrähten und Elektroden mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden, und bei den weiterhin Trägerkerper und Elektroden in entsprechender Weise zerteilt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der dem auflegierten Bauelement gegenüberliegende Randstreifen des als Transportband ausgebildeten Trägerkörpers mit den angebrachten Elektroden mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebs-

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temperatur den herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse uinhüllt v/ird, und daß der vergossene Randstreifen so ausgebildet ist,' daß er sowohl als Meßleiste als auch als Transportleiste Verwendung findet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Vergußmasse des dem auflegierten Bauelements gegenüberliegenden Randstreifens des als Transportband ausgebildeten Trägerkörpers gießfähige und aushärtbare Kunststoffe, insbesondere Epoxidharze, verwendet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Vergußmasse keramische Massen, anorganische Zemente und niedrigschnielzende Gläser Verwendung finden.

4. Transistoren, insbesondere Mikroplanartransistoren, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 1 bis 3.

5. Dioden, insbesondere Mikroplanardioden, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 1 bis 3.

6. Elektrische mehrpolige Bauelemente, wie z.B. Widerstände und Kondensatoren, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 1 bis 3.

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