DE102015111785B4

DE102015111785B4 - Geformtes Sensorgehäuse mit einem integrierten Magneten und Verfahren zur Herstellung geformter Sensorgehäuse mit einem integrierten Magneten

Info

Publication number: DE102015111785B4
Application number: DE102015111785.1A
Authority: DE
Inventors: Choo Tian Ooi; Chew Theng TAI; Klaus Elian; Mohd Hirzarul Hafiz Mohdtahir
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2014-07-21
Filing date: 2015-07-21
Publication date: 2022-12-29
Anticipated expiration: 2035-07-22
Also published as: CN105280807A; US20160018476A1; CN105280807B; DE102015111785A1; US9817079B2

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines geformten Sensorgehäuses, wobei das Verfahren aufweist:Laden eines Magneten und eines Leiterrahmens mit einem an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip in ein Formwerkzeug, sodass der Magnet in dem Formwerkzeug mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichtet ist;Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen; undHärten der Formmasse, sodass der Magnet an dem Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip umhüllt, worin das Laden des Magneten und des Leiterrahmens in das Formwerkzeug aufweist:Platzieren des Magneten in einem Hohlraum einer Form des Formwerkzeugs, wobei der Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die vom Hohlraum nach außen gewandt ist; undPlatzieren des Leiterrahmens in der Form oberhalb des Magneten, sodass die Oberfläche des Magneten mit der Einbuchtung dem Leiterrahmen zugewandt ist und die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt.

Description

TECHNISCHES FELD
Die vorliegende Anmeldung betrifft Sensorgehäuse, insbesondere geformte Sensorgehäuse mit Magneten.
HINTERGRUND
Manche Arten von Sensoren, wie z.B. Hall-Sensoren und Nockenwellensensoren, erfordern zum richtigen Betrieb einen Magneten. Diese Sensoren sind typischerweise als ein Halbleiternacktchip hergestellt, der an einem Leiterrahmen befestigt und in eine Formmasse eingebettet ist, um ein Sensorgehäuse auszubilden.
In manchen Fällen in das Sensorgehäuse umspritzt. Das Umspritzen ist ein Verfahren, das ermöglicht, einen zuvor geformten Teil neuerlich in eine Form einzusetzen, um eine neue Kunststoffschicht um den ersten Teil auszubilden. Das Umspritzen eines Magneten in ein Kunststoffsensorgehäuse beinhaltet typischerweise das Schmelzen von Pellets von magnetisiertem Material und das Einspritzen des geschmolzenen Materials in eine Form, die das Kunststoffgehäuse umfasst. Der Magnet wird aus der gehärteten Formmasse realisiert. Das bedeutet, es liegt kein physikalisch separater Magnet vor. Vielmehr wird der Magnet aus dem umspritzten Kunststoff selbst ausgebildet. Das Umspritzen erfordert eine Formmasse mit relativ hoher Tg (Glasübergangstemperatur), z.B. Tg > 180°C, was zu einer signifikanten thermischen Belastung für das Sensorgehäuse führt. Zudem weisen Formmassen mit Tg > 180°C, wie z.B. multifunktionale Duroplaste, ein hohes Ablösungsrisiko bei Verwendung als Umspritzform auf. Des Weiteren muss das Magnetmaterial im Zusammenhang mit dem Umspritzen hohe Betriebstemperaturen (> 300°C) vertragen, was die Arten von einsetzbaren Materialien einschränkt.
In anderen Fällen ist der Magnet ein eigenes Bauteil, das z.B. mittels eines Haftklebstoffs an der äußeren Oberfläche des geformten Sensorgehäuses befestigt ist. Ein solches Sensorgehäuse weist aufgrund ungenauer Platzierung des Magneten geringe elektrische Genauigkeit auf, weshalb der Sensornacktchip ansonsten eine hohe Toleranz aufweisen muss. Zudem steigen die Gesamtgehäusekosten aufgrund der höheren Herstellungskosten im Zusammenhang mit der seriellen Verarbeitung eines Einfachmagneten zuzüglich eines Polstücks. Des Weiteren sind die Magnetgröße und das Magnetfeld bei diesem Ansatz eingeschränkt.
Die Druckschrift US 2013 / 0 249 029 A1 bezieht sich allgemein auf Magnetfeldsensoren und insbesondere auf Magnetfeldsensoren in integrierter Schaltung mit einem integrierten ferromagnetischen Material.
KURZFASSUNG
Verschiedene Aspekte betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines geformten Sensorgehäuses. Das Verfahren weist auf: ein Laden eines Magneten und eines Leiterrahmens mit einem an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip in ein Formwerkzeug, sodass der Magnet in dem Formwerkzeug mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichtet ist, ein Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen, und ein Härten der Formmasse, sodass der Magnet an dem Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip umhüllt. Das Laden des Magneten und des Leiterrahmens in das Formwerkzeug weist auf: ein Platzieren des Magneten in einem Hohlraum einer Form des Formwerkzeugs, wobei der Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die vom Hohlraum nach außen gewandt ist, und ein Platzieren des Leiterrahmens in der Form oberhalb des Magneten, sodass die Oberfläche des Magneten mit der Einbuchtung dem Leiterrahmen zugewandt ist und die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt.
Verschiedene Aspekte betreffen ein Verfahren zur Herstellung geformter Sensorgehäuse. Das Verfahren weist auf: ein Laden einer Vielzahl von Magneten und einer Vielzahl von Leiterrahmen, die jeweils einen an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip aufweisen, in ein Formwerkzeug, sodass jeder Magnet mit einem der Sensornacktchips in dem Formwerkzeug fluchtend ausgerichtet ist, ein Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen, und ein Härten der Formmasse, sodass jeder Magnet an je einem der Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip dieses Leiterrahmens umhüllt. Das Laden der Vielzahl von Magneten und der Vielzahl von Leiterrahmen in das Formwerkzeug weist auf: ein Platzieren jedes Magneten in einem Hohlraum einer Form des Formwerkzeugs, wobei jeder Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die vom Hohlraum nach außen gewandt ist, und ein Platzieren jedes Leiterrahmens in der Form oberhalb eines der Magneten, sodass die Oberfläche des Magneten mit der Einbuchtung diesem Leiterrahmen zugewandt ist und die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt.
Verschiedene Aspekte betreffen ein geformtes Sensorgehäuse, welches aufweist: einen Leiterrahmen mit einem an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip, einen mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichteten Magneten, und eine einzige Formmasse, die den Sensornacktchip umhüllt und den Magneten an dem Leiterrahmen befestigt, worin der Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die der zweiten Seite des Leiterrahmens zugewandt ist, wobei die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt und worin der Spalt durch die einzige Formmasse ausgefüllt ist, um eine formschlüssige Verbindung zwischen dem Magneten und dem Leiterrahmen auszubilden.
Fachleute werden bei der Lektüre der nachstehenden ausführlichen Beschreibung und bei Betrachtung der begleitenden Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile erkennen.
Figurenliste
Die Elemente der Zeichnungen sind im Verhältnis zueinander nicht zwangsläufig maßstabgetreu. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen jeweils entsprechend ähnliche Teile. Die Merkmale der diversen veranschaulichten Ausführungsformen können kombiniert werden, sofern sie einander nicht ausschließen. Ausführungsformen sind in den Zeichnungen abgebildet und in der nachstehenden Beschreibung im Detail ausgeführt.

1, die die 1A bis 1E umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung eines geformten Sensorgehäuses mit einem Magneten.
2, die die 2A bis 2C umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung einer Charge geformter Sensorgehäuse, wobei die Magneten während des Formvorgangs miteinander verbunden bleiben.
3, die die 3A bis 3D umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung einer Charge geformter Sensorgehäuse, wobei die Magneten vor dem Formvorgang getrennt werden.
4, die die 4A bis 4D umfasst, zeigt Querschnittsansichten unterschiedlicher Ausführungsformen eines von einem geformten Sensorgehäuse umfassten Magneten.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die hierin beschriebenen Ausführungsformen stellen ein Sensorgehäuse bereit, das einen Magneten und einen Sensornacktchip umfasst, die mit derselben Formmasse geformt sind, wobei das Sensorgehäuse mittels eines Einfachformvorgangs hergestellt wird. Der Einfachformvorgang umfasst das Beladen des Magneten und eines Leiterrahmens mit dem Sensornacktchip in ein Formwerkzeug, sodass der Magnet mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichtet ist, das Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse beim Beladen in das Formwerkzeug und das Härten der Formmasse, sodass der Magnet an dem Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip umhüllt. Das resultierende geformte Sensorgehäuse umfasst den Leiterrahmen mit Sensornacktchip, den mit dem Sensornacktchip ausgerichteten Magneten und eine Einfachformmasse, die den Sensornacktchip umhüllt und den Magneten an dem Leiterrahmen befestigt.
1, die die 1A bis 1E umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung eines geformten Sensorgehäuses mit einem Magneten.
In 1A wird ein Magnet 100 in einem Hohlraum 102 einer Form 104 eines Formwerkzeugs 106 platziert, wie dies durch den nach unten zeigenden Pfeil angedeutet wird. Jedes beliebige Standardformwerkzeug, jede beliebige Form und jeder beliebige Magnet können zum Einsatz kommen. Der Magnet 100 wird basierend auf der eingesetzten Sensorart und auf mit der durch den Sensor und den Magneten ausgebildeten Schaltung einhergehenden Parametern ausgewählt. Beispielsweise kann der Sensor ein Hall-Sensor, ein Nockenwellensensor oder jede beliebige sonstige Art von elektronischem Sensor sein, der einen Magneten verwendet. Der Magnet 100 kann eine Oberfläche 101 mit einer Einbuchtung 108 aufweisen, die von dem Formhohlraum 102 nach außen gewandt ist.
In 1B wird ein Leiterrahmen 110 in der Form 104 oberhalb des Magneten 100 platziert, wie dies durch die nach unten zeigenden Pfeile angedeutet wird. Ein Leiterrahmen ist ein geprägter, geätzter oder auf sonstige Weise strukturierter Metallrahmen, der für gewöhnlich durch Drahtbondung mit Bondungskontaktanschlüssen eines Nacktchips verbunden ist, und stellt äußere elektrische Verbindungen für eine eingehauste elektrische Vorrichtung bereit. Der Leiterrahmen 110 weist einen an dem Leiterrahmen 110 befestigten Sensornacktchip 112, wie z.B. einen Hall-Sensornacktchip, einen Nockenwellensensornacktchip etc., auf. Ein Kondensator oder eine sonstige Art von Bauteil 114 kann mit Zuleitungen des Leiterrahmens 110 verbunden sein. Je nach Art des Nacktchips kann der Sensornacktchip 112 an eine Seite 111 des Leiterrahmens 110, z.B. an eine sogenannte Nacktchipauflage, geklebt oder gelötet sein. Beispielsweise kann der Sensornacktchip 112 an den Leiterrahmen 110 gelötet sein, um eine elektrische Verbindung mit der Rückseite des Nacktchips 112 bereitzustellen. Falls keine elektrische Verbindung an der Nacktchiprückseite benötigt wird, kann der Sensornacktchip 112 an den Leiterrahmen 110 geklebt sein, um eine thermische Verbindung mit der Rückseite des Nacktchips 112 bereitzustellen. In jedem Fall ist eine oder sind mehrere elektrische Verbindungen 116 von einem oder mehreren Anschlüssen an der Oberseite des Nacktchips 112 zu Zuleitungen des Leiterrahmens 110 bereitgestellt. Diese elektrischen Verbindungen 116 können Drahtbondungen, Drahtbändchen, Metallklemmen etc. sein. In jedem Fall wird der Leiterrahmen 110 in die Form 104 geladen, sodass der Magnet 100 sich in dem Formwerkzeug 106 mit dem Sensornacktchip 112 fluchtend ausrichtet. Falls die Oberfläche 101 des Magneten 100, die von dem Formhohlraum 102 nach außen gewandt ist, wie in den 1A und 1B gezeigt mit einer Einbuchtung 108 bereitgestellt ist, wird der Leiterrahmen 110 so in die Form 104 geladen, dass die Oberfläche 101 des Magneten 100 mit der Einbuchtung 108 dem Leiterrahmen 110 zugewandt ist und die Einbuchtung 108 einen Spalt 118 zwischen zumindest einem Teil des Magneten 100 und dem Leiterrahmen 110 bereitstellt.
In 1C wird die Form 104 geschlossen und füllt eine Formmasse 120 etwaige nicht ausgefüllte Spalte 118 zwischen dem Magneten 100 und dem Leiterrahmen 110 sowie zwischen den an dem Leiterrahmen 110 und der Form 104 befestigten Bauteilen 112, 114 aus. Die Formmasse 120 wird dann unter Einsatz eines beliebigen Standardhärtungsvorgangs gehärtet. Dieselbe (gehärtete) Formmasse 120, die den Sensornacktchip 112 und andere mögliche an dem Leiterrahmen 110 befestigte Bauteile 114 umhüllt, befestigt auch den Magneten 100 an dem Leiterrahmen 110. Falls die Oberfläche 101 des Magneten 100, die von dem Formhohlraum 102 nach außen gewandt ist, wie in den 1A bis 1C gezeigt mit einer Einbuchtung 108 bereitgestellt ist, wird der Magnet 100 nach dem Härten der Formmasse 120 durch den Teil der (gehärteten) Formmasse 120' an dem Leiterrahmen 110 befestigt, der den durch die Einbuchtung 108 in der Oberfläche 101 des Magneten 100 bereitgestellten Spalt 118 ausfüllt.
Der in den 1A bis 1C dargestellte Einfachformvorgang kann durch jeden beliebigen Standardformvorgang implementiert werden, wie z.B. durch Formpressen, Spritzpressen, Pressformen etc. Die Formmasse 120, die den Sensornacktchip 112 umhüllt und den Magneten 100 an dem Leiterrahmen 110 befestigt, kann jede beliebige Standardformmasse sein, wie z.B. ein Duroplastmaterial mit hoher Tg oder mit niedriger Tg. Beispielsweise können der Magnet 100 und der Sensornacktchip 112 mit einer aromatischen Formmasse geformt werden, wie z.B. einer multiaromatischen, einer Biphenyl-, eine Orthokresolnovolak- oder Polyamidformmasse mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) von unter 180°C, wodurch dem Gehäuse eine geringere thermische Belastung auferlegt wird. In einer anderen Ausführungsform werden der Magnet 100 und der Sensornacktchip 120 mit einer multifunktionalen Formmasse geformt, wie z.B. einer multifunktionalen Masse auf Epoxidharzbasis mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) von über 180°C. Im Allgemeinen hängt die Art der Formmasse von dem Gehäuse und der Anwendung ab, in der das Gehäuse zum Einsatz kommen soll. In jedem Fall wird eine Einfachformmasse 120 dazu verwendet, den Sensornacktchip 112 zu umhüllen und den Magneten 100 an dem Leiterrahmen 110 zu befestigen.
In 1D wird die Form 104 des Formwerkzeugs 106 geöffnet, wie dies durch die nach oben zeigenden Pfeile angedeutet wird.
In 1E wird das geformte Sensorgehäuse 122 mit dem Magneten 100 aus dem Formwerkzeug 106 entnommen, wie dies durch die nach oben zeigenden Pfeile angedeutet wird.
Mittels des Einfachformvorgangs können mehrere geformte Sensorgehäuse parallel zueinander hergestellt werden. Beispielsweise können die Form 104 und das Formwerkzeug 106, die in den 1A bis 1E dargestellt sind, eine Vielzahl von Magneten 100 und eine Vielzahl von Leiterrahmen 110 gleichzeitig aufnehmen. Die in das Formwerkzeug 106 geladenen Magneten 100 können, bevor sie in das Formwerkzeug 106 geladen werden, getrennt (vereinzelt) werden oder während des Formvorgangs miteinander verbunden bleiben.
2, die die 2A bis 2C umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung einer Charge geformter Sensorgehäuse, wobei die Magneten während des Formvorgangs miteinander verbunden bleiben.
In 2A wird eine Anordnung 200 von miteinander verbundenen Magneten 100 in einer Form 104 des Formwerkzeugs 106 platziert. Die Magneten 100 bleiben miteinander verbunden, z.B. durch Verbindungsstege oder Magnetläufer 202.
In 2B werden die Leiterrahmen 110, jeweils mit einem Sensornacktchip 112, in das Formwerkzeug 106 geladen, sodass jeder Leiterrahmen 110 mit einem der Magneten 100 in der Form 104 ausgerichtet ist.
In 2C werden die Sensornacktchips 112 und die Magneten 100 dann mit derselben Formmasse 120, wie z.B. einem Duroplastmaterial, z.B. wie hierin zuvor im Zusammenhang mit 1C beschrieben, geformt. Die geformten Gehäuse 204 werden aus dem Formwerkzeug 106 entnommen, wie dies durch die nach oben zeigenden Pfeile angedeutet wird. Die Zwischenverbindungen zwischen den Magneten 100 werden z.B. durch Laser oder ein Schneidwerkzeug getrennt, nachdem die Magneten 100 und die Sensornacktchips 112 mit derselben Formmasse 120 geformt sind und die Formverbindung 120 gehärtet ist.
3, die die 3A bis 3C umfasst, zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens eines Einfachformvorgangs zur Herstellung einer Charge geformter Sensorgehäuse, wobei die Magneten vor dem Formvorgang getrennt (vereinzelt) werden.
In 3A werden vorab getrennte Magneten 100 z.B. durch Einzelmagnetbehandlung aus einem Wendelförderer in einer Platziereinspannvorrichtung 300 platziert. Die Platziereinspannvorrichtung 300 enthält Schlitze oder Hohlräume 302 zur Aufnahme der einzelnen Magneten 100.
In 3B hält die Platziereinspannvorrichtung 300 die Magneten 100 während des Transports in das Formwerkzeug 106 in der richtigen Ausrichtung.
In 3C werden die vorab getrennten Magneten 100 mittels der Platziereinspannvorrichtung 300 in die Form 104 des Formwerkzeugs 106 geladen. Die Magneten 100 können durch ein Selbstformsystem platziert werden. Die Magneten 100 können z.B. durch Magnetläufer (nicht sichtbar) in der Formvorrichtung 106 verbunden sein.
In 3D wird die Platziereinspannvorrichtung 300 nach der Platzierung des Magneten in der Formvorrichtung 106 entfernt. Dann werden Leiterrahmen mit Sensornacktchips in die Formvorrichtung 106 geladen, sodass jeder Leiterrahmen mit einem der Magneten 100 in der Form 104 fluchtend ausgerichtet ist, die Sensorchips und die Magneten 100 werden mit derselben Formmasse, wie z.B. einer Duroplastformmasse, geformt, und die resultierenden geformten Gehäuse werden aus dem Formwerkzeug 106 entnommen, z.B. so wie hierin zuvor im Zusammenhang mit den 1B bis 1E beschrieben. Die Magneten 100 wurden vor der Platzierung in dem Formwerkzeug 106 gemäß dieser Ausführungsform vorab getrennt (vereinzelt), daher bedarf es nach dem Formen keiner Magnettrennung mehr.
Die dem jeweils entsprechenden Leiterrahmen 110 zugewandte Oberfläche 101 des Magneten 100 kann planar oder nicht planar sein. Beispielsweise weist in der Ausführungsform aus 1 die Oberfläche 101 des Magneten 100, die von dem Formhohlraum 102 nach außen gewandt ist, eine Einbuchtung 108 auf. Der Magnet 100 ist an dem Leiterrahmen 110 durch den Teil 120' der (gehärteten) Formmasse 120 befestigt, der den entsprechenden, durch die Einbuchtung 108 zwischen der Oberfläche 101 des Magneten 100 und dem Leiterrahmen 100 bereitgestellten Spalt ausfüllt. Durch das Verwenden eines Magneten 100 mit einer in der Oberfläche 101 des Magneten 100, die dem Leiterrahmen 110 zugewandt ist, ausgebildeten Einbuchtung wird eine formschlüssige Verbindung zwischen dem Magneten 100 und dem Leiterrahmen 110 mittels des Teils 120' der Formmasse 120 ausgebildet, der den entsprechenden, durch die Einbuchtung 108 bereitgestellten Spalt ausfüllt. Die Einbuchtung 108 kann, falls vorhanden, mehrere Formen aufweisen, um die formschlüssige Verbindung zwischen dem Magneten 100 und dem Leiterrahmen 110 zu ermöglichen.
4, die die 4A bis 4D umfasst, zeigt unterschiedliche Ausführungsformen der in der Oberfläche 101 des Magneten 100, die von dem Formhohlraum 102 nach außen gewandt ist, bereitgestellten Einbuchtung 108.
In 4A ist die Einbuchtung 108 eine U-förmige Vertiefung 400. Die U-förmige Vertiefung 400 weist angeschrägte Seitenwände 402, die sich von der oberen Oberfläche 101 des Magneten 100 in den Körper des Magneten 100 erstrecken, und eine Unterseite 404 auf, die die Seitenwände 402 an der Unterseite der U-förmigen Vertiefung 400 verbinden.
In 4B ist die Einbuchtung 108 eine V-förmige Vertiefung 410. Die V-förmige Vertiefung 410 weist angeschrägte Seitenwände 412 auf, die sich von der oberen Oberfläche 101 des Magneten 100 in den Körper des Magneten 100 erstrecken und an der Unterseite der V-förmigen Vertiefung 410 zusammenfinden.
In 4C weist die Einbuchtung 108 einen breiteren oberen Teil 420, der einem Leiterrahmen benachbart platziert würde, und einen schmaleren unteren Teil 422 in offener Kommunikation mit dem breiteren oberen Teil 420 auf. Der schmalere untere Teil 422 ist von dem Leiterrahmen durch den breiteren oberen Teil 420 beabstandet. Der schmalere untere Teil 422 der Einbuchtung 108 ist eine U-förmige Vertiefung gemäß dieser Ausführungsform. Die U-förmige Vertiefung weist angeschrägte Seitenwände 424 und eine Unterseite 426 auf, die die Seitenwände 424 an der Unterseite der U-förmigen Vertiefung verbindet.
In 4D weist die Einbuchtung 108 einen breiteren oberen Teil 430 und einen schmaleren unteren Teil 432 in offener Kommunikation mit dem breiteren offenen Teil 430 ähnlich der Ausführungsform aus 4C auf. Anders als bei der Ausführungsform aus 4C ist der schmalere untere Teil 432 der Einbuchtung eine V-förmige Vertiefung. Die V-förmige Vertiefung weist angeschrägte Seitenwände 434 auf, die an der Unterseite der V-förmigen Vertiefung zusammenfinden.
Räumliche Begriffe wie „unter“, „unterhalb“, „untere/r/s“, „über“, „obere/r/s“ und dergleichen werden aus Gründen der einfacheren Beschreibung verwendet, um die Positionierung eines Elements relativ zu einem zweiten Element zu erklären. Diese Begriffe sollen zusätzlich verschiedene Orientierungen des Gehäuses umfassen, die sich von den in den Zeichnungen dargestellten Orientierungen unterscheiden. Ferner werden Begriffe wie „der/die/das erste“, „der/die/das zweite“ und dergleichen auch dazu verwendet, um verschiedene Elemente, Regionen, Abschnitte etc. zu beschreiben und sollen nicht beschränkend sein. In der gesamten Beschreibung betreffen ähnliche Begriffe ähnliche Elemente.
Wie hier verwendet sind die Begriffe „aufweisend“, „enthaltend“, „einschließlich“, „umfassend“ und dergleichen offene Begriffe, welche das Vorliegen erwähnter Elemente oder Merkmale anzeigen, schließen aber zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht aus. Die Artikel „ein/eine“ und „der/die/das“ sollen sowohl den Plural als auch den Singular umfassen, solange aus dem Kontext nicht klar etwas Anderes hervorgeht.
Unter Berücksichtigung der obigen Bandbreite der Varianten und Anwendungen sollte verstanden werden, dass die vorliegende Erfindung weder durch die vorhergehende Beschreibung noch durch die beiliegenden Zeichnungen beschränkt wird. Vielmehr wird die vorliegende Erfindung nur durch die folgenden Ansprüche und ihre äquivalenten Ausführungsformen beschränkt.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines geformten Sensorgehäuses, wobei das Verfahren aufweist: Laden eines Magneten und eines Leiterrahmens mit einem an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip in ein Formwerkzeug, sodass der Magnet in dem Formwerkzeug mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichtet ist; Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen; und Härten der Formmasse, sodass der Magnet an dem Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip umhüllt, worin das Laden des Magneten und des Leiterrahmens in das Formwerkzeug aufweist: Platzieren des Magneten in einem Hohlraum einer Form des Formwerkzeugs, wobei der Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die vom Hohlraum nach außen gewandt ist; und Platzieren des Leiterrahmens in der Form oberhalb des Magneten, sodass die Oberfläche des Magneten mit der Einbuchtung dem Leiterrahmen zugewandt ist und die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt.
Verfahren nach Anspruch 1, worin die Formmasse den Spalt zwischen dem Magneten und dem Leiterrahmen während des Formens ausfüllt, sodass der Magnet nach dem Härten der Formmasse durch den Teil der Formmasse, der den Spalt ausfüllt, an dem Leiterrahmen befestigt ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen aufweist: Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit einer aromatischen Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von unter 180°C.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen aufweist: Formen des Magneten und des Sensornacktchips mit einer multifunktionalen Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von über 180°C.
Verfahren zur Herstellung geformter Sensorgehäuse, wobei das Verfahren aufweist: Laden einer Vielzahl von Magneten und einer Vielzahl von Leiterrahmen, die jeweils einen an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip aufweisen, in ein Formwerkzeug, sodass jeder Magnet mit einem der Sensornacktchips in dem Formwerkzeug fluchtend ausgerichtet ist; Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen; und Härten der Formmasse, sodass jeder Magnet an je einem der Leiterrahmen durch dieselbe Formmasse befestigt wird, die den Sensornacktchip dieses Leiterrahmens umhüllt, worin das Laden der Vielzahl von Magneten und der Vielzahl von Leiterrahmen in das Formwerkzeug aufweist: Platzieren jedes Magneten in einem Hohlraum einer Form des Formwerkzeugs, wobei jeder Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die vom Hohlraum nach außen gewandt ist; und Platzieren jedes Leiterrahmens in der Form oberhalb eines der Magneten, sodass die Oberfläche des Magneten mit der Einbuchtung diesem Leiterrahmen zugewandt ist und die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt.
Verfahren nach Anspruch 5, worin die Formmasse den Spalt zwischen jedem Magneten und Leiterrahmen während des Formens ausfüllt, sodass jeder Magnet nach dem Härten der Formmasse durch den Teil der Formmasse, der den Spalt ausfüllt, an einem der Leiterrahmen befestigt ist.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, worin das Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen aufweist: Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit einer aromatischen Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von unter 180°C.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, worin das Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit derselben Formmasse während in das Formwerkzeug geladen aufweist: Formen der Magneten und der Sensornacktchips mit einer multifunktionalen Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von über 180°C.
Verfahren nach Anspruch 5, worin das Laden der Vielzahl von Magneten und der Vielzahl von Leiterrahmen in das Formwerkzeug aufweist: Platzieren einer Anordnung miteinander verbundener Magneten in eine Form des Formwerkzeugs; und fluchtendes Ausrichten jedes Leiterrahmens mit einem der Magneten in der Form.
Verfahren nach Anspruch 9, ferner aufweisend: Durchtrennen der gegenseitigen Verbindungen zwischen den Magneten, nachdem die Magneten und die Sensornacktchips mit derselben Formmasse geformt sind und die Formmasse gehärtet ist.
Verfahren nach Anspruch 5, worin das Laden der Vielzahl von Magneten und der Vielzahl von Leiterrahmen in das Formwerkzeug aufweist: Platzieren vorab getrennter Magneten in einer Einspannvorrichtung; Laden der vorab getrennten Magneten in eine Form des Formwerkzeugs durch die Einspannvorrichtung; und fluchtendes Ausrichten jedes Leiterrahmens mit je einem der vorab getrennten Magneten in der Form.
Geformtes Sensorgehäuse, aufweisend: einen Leiterrahmen mit einem an dem Leiterrahmen befestigten Sensornacktchip; einen mit dem Sensornacktchip fluchtend ausgerichteten Magneten; und eine einzige Formmasse, die den Sensornacktchip umhüllt und den Magneten an dem Leiterrahmen befestigt, worin der Magnet eine Oberfläche mit einer Einbuchtung aufweist, die der zweiten Seite des Leiterrahmens zugewandt ist, wobei die Einbuchtung einen Spalt zwischen zumindest einem Teil des Magneten und dem Leiterrahmen bereitstellt und worin der Spalt durch die einzige Formmasse ausgefüllt ist, um eine formschlüssige Verbindung zwischen dem Magneten und dem Leiterrahmen auszubilden.
Geformtes Sensorgehäuse nach Anspruch 12, worin der Sensornacktchip an eine erste Seite des Leiterrahmens gebondet ist und der Magnet durch die einzige Formmasse an einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Leiterrahmens befestigt ist.
Geformtes Sensorgehäuse nach Anspruch 12 oder 13, worin die Einbuchtung eine U-förmige oder V-förmige Vertiefung ist.
Geformtes Sensorgehäuse nach einem der Ansprüche 12 bis 14, worin die Einbuchtung einen dem Leiterrahmen benachbarten breiteren Teil und einen schmäleren Teil in offener Kommunikation mit dem breiteren Teil und durch den breiteren Teil von dem Leiterrahmen beabstandet aufweist.
Geformtes Sensorgehäuse nach einem der Ansprüche 12 bis 15, worin die einzige Formmasse eine aromatische Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von unter 180°C ist.
Geformtes Sensorgehäuse nach einem der Ansprüche 12 bis 15, worin die einzige Formmasse eine multifunktionale Formmasse mit einer Glasübergangstemperatur von über 180°C ist.