SE437441B - Metod for att dirigera en strale elktroner fran en elektronkella mot en malarea, samt apparat for tillempning av metoden - Google Patents

Metod for att dirigera en strale elktroner fran en elektronkella mot en malarea, samt apparat for tillempning av metoden

Info

Publication number
SE437441B
SE437441B SE7801728A SE7801728A SE437441B SE 437441 B SE437441 B SE 437441B SE 7801728 A SE7801728 A SE 7801728A SE 7801728 A SE7801728 A SE 7801728A SE 437441 B SE437441 B SE 437441B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
image
aperture
deflection
source
light spot
Prior art date
Application number
SE7801728A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7801728L (sv
Inventor
H C Pfeiffer
P M Ryan
E V Weber
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of SE7801728L publication Critical patent/SE7801728L/sv
Publication of SE437441B publication Critical patent/SE437441B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

780 - 1728 2 alla är anordnade på välkänt sätt. Typiska elektronstrålerör med tillhörande komponenter beskrivs mer ingående i de amerikanska patenten 3}9h9.228 och 3.98Ä.6Tö. Typiska optiska system och komponenter för dylika rör beskrivs också i det amerikanska ' patentet 3.930.181 och i publikationen "New Imaging and Deflection Concept for Probe-Forming Microfabriction Systems", H C Pfeiffer, J Vac Sci Technol, november/december 1975, vol 12, nr 6, sid ll70 - ll73. ' Fördelarna med en kvadratisk elektronstråle framför den mera traditionella runda strålen har beskrivits i detalj i ovannåmnda Pfeiffer-artikel liksom även i ovannämnda patent 3.6hÄTO0 och 3.9Ä9.228. Såsom framgår av dessa.publikationer bestäms upplösningen och strömtåtheten i elektronoptiksystem av elektronoptikkonfigura- tionen och är i praktiken oberoende av storleken på målbilden.
'Pfeiffer-artikeln indikerar, att en stråle med relativt enhetLig intensitet och tjugofem gånger arean för den vanliga Gauss-ljus- fläcken vid i huvudsak samma kantdosgradient kan åstadkommas genom projiceríng av en kvadratisk stråle på ett mål.
Detta resultat sammanfattas i samband med jämförelsen av den runda strålen och den kvadratiska strålen i fig. 2 på ritningarna.
Jämförelsen illustrerar fördelen med en kvadratisk stråle i för- hållande till en rund stråle-med identisk upplösning. I fig. 2 jämförs formen och_storleken på en Gauss~strålljusfläck'25 med en kvadratisk strålljusfläck 26, och i diagrammet under varje strål- ljusfläck har intensitetsfördelníngen eller intensiteten angivits i förhållande till ljusflåcksarean. Såsom anges i Pfeiffer* artikeln är vid ett konventionellt rundstrålesystem intensitetsför- delningshalvvärdesbredden (d) lika med rymdupplösningen. Upplösningen hos en rund stråle bestäms av överlagringen av samtliga n abberations- skivor di plus den förminskade_Gauss-källan, som generellt är lika med kvadratsumman av abberationerna för optimal strömtåthet: fâ dGauss _ (šë di abberationerz + dGauss2) l/2 För att åstadkomma en sann kopia av mönstret måste ljusflåckens halvvärdesbredd vara minst fem-gånger mindre än mönstrets minsta element. För den-kvadratiska ljusfläcken bestämmas upplösningen -av kantförloppet hos intensitetsfördelningen, som orsakas enbart av överlagringen av alla n abberationsskivor: ~f i Pfooaassnrï s . bundenhet i den resterande fotoresist, vso172s-2 33 dkvadrat 2). l/2, /.-_.\_ s abberationer |-' ll Källans Gauss-skiva bidrar ej till kantformen. Storleken på den kvadratíska ljusfläcken är oberoende av upplösningen och-kan väljas att passa mönstrets minsta segment. Detta hela mönstersegment exponeras genast, vilket accelerar exponeringshastigheten med en faktor.25 i förhållandet till ett jämförbart rundstrålesystem.
Av fig._2 framgår, att vid användning av den kvadratiska strålen kan rätlinjearean 27 (d.v.s¿ en area, som definieras av räta linjer) fullständigt exponeras genom sex stegade exponeringar (1 t.0.m. 6) med kvadratstrålen 26, medan samma rätlinjearea 27' skulle kräva i storleksordningen etthundrafyrtío stegexponeringar med den runda Gauss-strålen 25. W Även om nuvarande system med kvadratisk stråle har utmärkt elektronstrålekapacitet vid framställning av integrerade kretsar, kan man förutse en framtida teknologi, där delar av mönster, som skall exponeras, kan ha dimensioner under två mikron, vilket gör att utnyttjandet av den formade elektronstrålen vid framställning av dylika mönster kan bli begränsat. Vid sådana tätt integrerade kretsar med öppningsbredd och/eller ledningsbredder, vars minsta dimensioner underskrider tvä mikron, kan den överstrålningseffekt, som uppträder vid dubbla eller ännu fler exponeringar, för vilka vissa mönsterareor kan bli föremål, när apparatur med formad öppning används, göra att de integrerade kretsarnas dimensionsto- leranser överskridas. Problemet med dubbelexponering behandlas mer ingående i samband med fig. 3 och Ä. I sin enklaste form visas det emellertid vid arean 27, som'har exponerats av den kvadratiska strålen i fig. 2. Vid utnyttjandet av en stråle, som ger en kvadratisk area 26, exponeras arean 27 i sex stegexponeringar. som skall exponeras, ej har dimensioner, n del 28 Eftersom den valda arean, som är heltalsmultipler av ljusfläcken 26, kommer e (snedstreckad) att bli dubbelexponerad. Denna dubbelexponering rar i den kända överstrålningseffekten, som gör att de resulte dubbelexponerade areorna exempelvis i fotoresisten framkallas i en snabbare takt än de normala, enkelexponerade areorna under framkallningen. Detta ger upphov till underskärning och kantoregel- som definierar den exponerade arean. Vid nuvarande integrerade kretsar, som har ledningsbredder och öppningar med minsta mönsterdimensioner om åtminstone två mikron ligger denna överstrålningseffekt inom dimensionstoleranserna Vid de tätare, mera avancerade integrerade PÖQRQÜMvYÉY-W och utgör intet problem. 7801728-2 u kretsar, som har sidodimensioner under två mikron, kan emellertid överstrålningseffekten skapa dimensionsoregelbundenheter i konflikt med sidotoleranserna.
Vid avancerad integrerad kretsteknologi torde det dessutom vara synnerligen önskvärt om tiden som behövs för elektronstråle- exponering av valda mönster kunde reduceras, så att genomström- ningen vid framställning av integrerade kretsar ökar.
Huvudändamålet med föreliggande uppfinning är sålunda att 'åstadkomma en metod och en apparat för att exponera valda mönster för en elektronstråle, varvid områden som utsättas för flera exponeringar minimeras. _ Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en metod och en apparat för att låta valda mönster på substratareor exponeras för en elektronstråle, varvid-funktionens hastighet ökas samtidigt som de areor minimeras, vilka utsättas för flera exponeringar. _ Ännu ett ändamål är att åstadkomma elektronstråleapparatur, vid vilken storleken och formen på den strålljusfläck, som riktas mot målet, lätt kan varieras.
Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en metod och en apparat för att variera storleken och formen på elektronstrålljusfläcken vid ett mål under bevarande av en konstant strömtäthet vid målet. l _ 7 Enligt föreliggande uppfinning_åstadkommes en-apparat, som ger en varierbart formad rätlinjig strålljusflåck, företrädesvis en rektangulär strålljusfläck, vid vilken de ortogonala sidodimen- sionerna kan varieras. Med en sådan varierbar ljusfläck kan problemet med flera exponeringar och den resulterande överstrålnings- effekten fullständigt elimineras. Eftersom dimensionen pä den rektangulära ljusfläck, för vilken det valda målmönstret exponeras, sålunda är varierbar, kan ljusfläckens dimensioner i varje expone- ringssteg varieras, så att maximindimensionerna uppnås inom gränserna för den del av rätlinjemönstret, som exponeras under 'nämnda steg, samtidigt som blott kant i kant-anliggning men ej överlappning råder vid den del av nämnda mönster, som exponerats i ett tidigare steg. ._Den elektronstråleformande delen enligt föreliggande uppfinning» är anordnad'i en elektronstråleapparat med en elektronkälla och en målarea eller ett plan, mot vilket elektronerna riktas. Den elektronstråleformande delen är placerad utmed vågen från källan till målarean och omfattar en första strålformare med en första ljusfläckformande öppning, en andra strålformare med en andra Gain-rr e 7801728-2 ljusfläckformande öppning och medel för att fokusera den första öppningens bild i planet för den andra ljusfläckformande öppningen i och för ästadkommande av en sammansatt ljusfläcksform, som definieras av bilden och den andra öppningen. Vidare finns organ för att fokusera den sammansatta ljusfläckens bild i målarean. Öpp- ningarna är företrädesvis rektangulära, varför den sammansatta ljus- fläckens form också blir rektangulär.
I enlighet med en mera speciell aspekt på uppfinningen innehåller apparaten medel för att avlänka bilden från den första öppningen i sidled relativt den andra öppningen och därigenom möjliggöra variering av den sammansatta ljusfläckens form och dimensioner. Vidare finns organ för att trygga_att källans bild på intet sätt interferrerar med den sammansatta ljusfläckens form, som definieras av kombinationen av den andra öppningen och den första öppningens bild. Detta åstadkommes genom fokusering av källans bild i ett plan, som ligger utanför fokaldjupet hos den första öppningens bild.
I enlighet med uppfinningen är vidare medlen för att avlänka den första öppningens bild.i sidled elektrostatiska medel, som är anord- nade utmed strälvägen mellan öppningarna l och 2.
Det finns också organ för att trygga att alla bilder från källan kvarstanna vid en fixerad plats utmed strålens identiska axiella väg under avlänkningen i sidled av den första öppningens bild i förhål- lande till den andra öppningen. För att elektronstråleapparaten skall fungera effektivt måste den formade strålvägen nedanför den andra öppningen hållas orienterad relativt förminskningslinssystemet och projektionslinssystemet, vilka ha till uppgift att fokusera bilden av den sammansatta ljusfläck, som alstras på målet av de kombinerade öppningarna. Om strålvägen icke förblir konstant orienterad på detta sätt, kan strålvägen förflyttas till positioner inom förminsknings- och projektionslinssystemen, vilka icke äro centrerade. Eftersom blott de centrala delarna av sådana linssystem har tillräcklig kvalitet för att åstadkomma optimal fokusering av strålen, kommer varje förflytt- ning av strälvägen bort från dylika optimala positioner att försämra den fokuserade ljusfläckens kantupplösning.
Dessutom är dylik konstant orientering av strâlvägen viktig när elektronstråleapparaten utnyttjar en cirkelöppningsplatta längs strålvägen under den andra öppningen. En sådan platta är standard i viss elektronstråleapparatur, t. ex. den som beskrivs i det ameri- kanska parentes 3.6h14.7oo, där den har till uppgift att begränsa strålkanterna, så att enbart elektroner som passerar genom förminsk- ningslinsernas centrum användas och ljusfläcksdistorsion därigenom Äjäš fzfegøäíqxä '7801728-2 _ 6 7 minimeras. När en sådan rund öppning utnyttjas; kan den - om strål- vägen icke är konstant orienterad relativt öppningen - skära en K del av strålen, vilket reducerar den effektiva öppningsvinkeln och därmed strömtätheten. ' I och för bevarande av den konstanta strålvägen; när den första öppningens bild avlänkas i sidled, finns organ anordnade för att fokusera källans bild i ett plan mellan de formande öppningarna l och 2 och för att föra avböjningens virtuella centrum till koincidens med planet för den fokuserade ursprungliga bildkällan. _ K Ovannämnda och andra ändamål, egenskaper och fördelar med upp- finningen, som definieras i nedanstående patentkrav, framgår av följande mera detaljerade beskrivning av föredragna utföringsformer, som illustreras på bifogade ritningar. K .
Fig. l är en schematisk illustration av den elektronstrålformande apparaten enligt föreliggande uppfinning.
Fig. 2 är en förenklad schematisk jämförelse, som visar arrange- I manget och antalet-exponeringar, som krävs för att exponera en given area med en rund stråle och en kvadratisk formad stråle i förhållande till den varierbart formade strålen enligt föreliggande uppfinning.
Figuren visar också stråldiagram gällande strömtätheten för den runda strålljusfläcken, den kvadratiskt formade strålljusfläcken och den varierbara strålljusfläcken.' Fig. 3 är en schematisk planillustration av en del av ett orto- gonalt rätlinjigt målmönster och visar exponeringsstegen, som krävs för fullständig exponering av denna del av mönstret med utnyttjande av tidigare känd teknik med kvadratisk stråle och fasta dimensioner.
Fig. Ä är samma schematiska planillustration av det ortogonala rätlinjiga målmönstret, vilket nu modifierats för att visa de elek- tronstråleexponeringssteg, som krävs vid exponering av samma del av mönstret med en stråle enligt uppfinningen, vars form är varierbar.
Fig. 5 är en schematisk illustration av en tidigare känd apparat med kvadratisk elektronstråle och visar ett länkat strålsvep enligt den grundläggande avbildningsprincipen.
Fig. 6'är en schematisk illustration av apparaten enligt före- liggande uppfinning med varierart formad elektronstråle och visar ett ekvivalent länkat strålsvep för rörfunktion, där ingen avböjníng sker.
I Fig. Y är samma schematiska illustration som i fig. 6 och visar modifieringen av det länkade strålsvepet, när avböjning sker av den 'första öppningens bild i förhållande till den andra öppningen. '7801728-2 7 Pig. 8 är en schematisk illustration av avböjningsutrustning, som kan användas för att i sidled avlänka den första öppningens bild under strålljusfläcksformning.
Fig. 9_är samma illustration av apparaten i figl 8 och visar funktionsmodifikationer vid förflyttning av det virtuella avböjnings- centret till koincidens med planet för den fokuserade källbilden.
Med hänvisning till fig. l beskrivs allmänt apparaten för att forma strålljusfläcken. En elektronkälla 10 riktar en stråle elekt- roner ll utmed en axel 12 i ett elektronstrålerör mot ett mål, som ej visas.-Strålen formas till en varierbar rektangulär ljusfläck genom att den först passerar genom den kvadratiska öppningen lÄ i formaren l3. Samlingslinsen 15 fokuserar samtidigt bilden lä' i planet för formarens l7 kvadratiska öppning 16 och fokuserar bilden från källan vid en position l8 i ett plan, som sammanfaller med centret i den avlänkning, som åstadkommas av avlänkaren 19, vilken flyttar den första öppníngens lh fokuserade bild lh' i sidled relativt öppningen 16. I utföringsformen enligt fig. l utgöres avlänkaren 19 av konven- tionella elektrostatiska avlänkningsplattor, varvid plattorna 20 och 20' har till uppgift att avlänka bilden lä i X-riktningen, medan plattorna 21, 21' avlänkar bilden lä' i Y-riktningen. För optimala resultat har bilden lh' samma dimensioner och form som öppningen l6.
Den slutliga strâlljusfläcksformen bestämmes av den bild 22 av bilden lÄ', som icke blockeras av formarens 17 platta och passerar genom öppningen 16 som den formade sammansatta bilden 23. Även om funktionen har visats med hänvisning till en avlänkning i X-riktningen, är det givetvis underförstått att med olika kombinationer av bildens lä' avlänkningar i X- och Y-riktningen kan en stor mängd rektangulära former åstadkommas för den sammansatta ljusflâcken 23.
Den utrustning för att forma en varierbar ljusfläck, som visas generellt i fig. l, kan användas i kombination med standardelektron- strålrör, t. ex. de som beskrivs i ovannämnda Pfeiffer-artikel eller i det amerikanska patentet 3.6ÄÄ.700. När användning sker i samband med dylika rör, kan den sammansatta ljusfläcken 23 passera genom för- minskningslinser och projektionslinser i och för projicering av bilden av ljusfläcken 23 på ett mål. Strålen kan också avlänkas på konven- tionellt sätt för avsökningsändamål med avseende på dylika mål.
Standardutrustning för förminskning, projicering och avlänkning, t. ex. den som beskrivs i patentet 3.6Äh.7OO och i ovannämnda Pfeiffer-artikel, kan användas för detta ändamål. 1 POQR as m, 7801728-2 'i ' e En viktig aspekt på apparaten i fíg. 1, som kommer att behandlas mera detaljerat längre fram med hänvisning till. fig. 6-9, år den optiska separationen av källlans 10 bild från öppningens lä bild.
Bilden lä' från öppningen lfi fokuseras i öppningens 16 plan av sam- lingslinsen 15, samma lins fokuserar källans lO bild_i ett plan nära centrum i den avlänkning, som alstras av avlånkare l9. I samband med fig. 6-9 beskrivs längre_fram hur planet för källans 10 bild l8 bringas till koincidens med avlänkningscentrét. I vilket fall som helst, kan man genom sådan optisk separation av de fokuserade bilderna få illuminationen, d.v.s. strömtätheten hos strålljusfläcken vid målet,_som är beroende av källbildens läge, att förbli konstant. Denna konstanta ílluminatíon säkras av att källbilden icke avlänkas och förblir väsentligen orienterad i linje med elektronstrålröraxeln.
Denna orientering ger också maximal kantupplösning hos strålljus- fläcken vid målet efter konventionella förminsknings- och projicerings~ steg._ i Även om den öppningsformande delen av föreliggande uppfinning beskrives med hänvisning till konventionell elektronstråleapparatur, som utnyttjar rasteravsökning-med strålen i förhållande till målet, torde det vara uppenbart, att uppfinningen lika väl kan tillämpas i samband med apparatur, som utnyttjar andra avsökningsmoder, t. ex. vektoravsökning. ' Med en sådan varierbart-formad strâle är det fullt möjligt att undvika flerfaldig exponering och åtföljande överstrålningsproblem Detta är lätt att förstå med hänvisning till fig. 2. Överlappnings~ regionen 28, som.härrör från användningen av den kvadratiskt formade strålen, undvikes när den varierbart formade strålen utnyttjas för att fylla i illustrationsarean 27", som är ekvivalent med arean 27.
Exponeringen utföres i två steg: exponing med en första formad stråle _29, åtföljd av exponeing med en andra formad stråle 30, som har an- liggningskontakt med den för strålen 29 exponerade arean. Såsom framgår av åtföljande profil av strömtätheten finns ingen överlapp- ning, som skulle kunna leda till ökad exponering eller överstrålning, vilket betyder att den totala strömtätheten vid gränsytan 3l mellan de båda exponerade areorna icke överskrider strömtätheten eller ljus~w intensiteten hos strålljusfläcken, vilken förblir konstant oberoende av strålens form. Det torde framgå_av strålprofilerna i fig. 2, att upplösningen hos den varierbart formade strålen förblir i huvudsak konstant. Upplösningen beskrivs i ovannämnda artikel av Pfeiffer såsom halvvärdesbredden för intensitetsfördelningen (dl hos en rund (eller Gauss)-stråle med utvald intensitet; d.v.s strömtäthet. Pfeiffer- artikeln indikerar vidare att den kvadratformade strålen kommer att ha _ m. _ __ _ , _ _ ______ _ t. _*,. I3í}()gš šëlïïâåflëfïf 7801728-2 9 samma upplösning som den runda strålen under förutsättning att kant- förloppet hos den kvadratiska strålen är lika med halvvärdesbredden (d) för den runda strålen. Det har vidare visat sig vad beträffar strälen med varierbar form, att så länge som den minsta dimensionen hos det mönster som blir föremål för stegad exponering med hjälp av den varierbara strålen, är minst fem gånger upplösningen (d) hos den runda strålen med den valda intensiteten, gäller samma upplösning för mönstret som för ett som exponerats med hjälp av ett flertal runda strålar. Även om - med hänvisning exempelvis till fig. 2 - strålljus- fläcken 30 har en diameter om blott hd, är mönstrets totala dimension lhd. Det blir sålunda förmål för samma upplösning som mönstret 2T', vilket exponerades för den runda strålen.
Fördelarna med strålen med varierbar form vad beträffar både elímineringen av den flerfaldiga exponeringen och ökade exponeríngs- hastigheter, d.v.s. ökad genomströmning, är lättare att förstå, om man betraktar fig. 3 och H. Sektion 32 i fig. 3Évisar ett ortogonalt rätlinjemönster, avsett av exponeras för ett elektronstrålerör.
Mönstret skall formas i en fotoresist och skall exempelvis definiera metalliseringslinjer. Om mönsterelement 32 skulle exponeras för en kvadratisk stråle i enlighet med konventionell praxis, skulle denna kvadratiska sträle begränsas till en ljusfläck 33 med en bredd V, som ej är större än minimidimensionen för hela det mönster som exponeras.
Med en sådan kvadratisk ljusfläck 33 skulle krävas tjugosju stegexpo- neringar för att delen 32 av mönstret fullkomligt skulle exponeras. På grund av de geometriska begränsningarna skulle de snedstreckade areorna 3ü bli dubbelexponerade, och åtminstone en region 35 skulle bli fyrdubbelt exponerad. Sådana flerfaldigt exponerade areor skulle utsättas för överstrålningseffekter. _ Om å andra sidan - med hänvisning till fig. Ä - den del av rät- linjemönstret h2, som är ekvivalent i form och dimensioner med mönsterdelen 32 i fig. 3, exponeras för en stråle med varierbar form, åstadkommen i enlighet med föreliggande uppfinning, är blott åtta exponcringssteg nödvändiga för att hela mönsterdelen skall exponeras.
Fem olika_strälformer skulle bli aktuella. Den första strälformen skulle användas vid exponering av areorna M3, h3A. En andra form används för areorna U3B och N30, en ljusfläck av en tredje form skulle exponera arean hä, en ljusfläck av en fjärde form exponerar arean M5, och en femte form exponerar arean H6. Den totala exponeringen av mönsterdelen H2 åstadkommes utan någon överlappning, och var och en av de stegvis exponerade regionerna har anliggningskontakt med regionen närmast intill. Inget behov föreligger för någon exponerad region att ....._.._...__. ._... . 7801728-2 'l0. överlappa nästföljande region. Dessutom utföres den totala expone- ringen för samma mönsterdel med hjälp av apparaten enligt uppfinningen med varierbar stråle under fjärdedelen av de exponeringssteg, som I behövs med den fasta kvadratformade öppningen. Sålunda blir den totala tiden för exponering av substratmönster vid framställning av inte- grerade kretsar betydligt reducerad, vilket avsevärt ökar genomström- ningen. ' Den elektronstråleformande apparaten enligt föreliggande upp- finning framgår tydligare, speciellt vad avser tillämpningen av prin- cipen för optisk separation under strålformningsoperationen, om man studerar fig. 5, 6 och T. Fig. 5, som är en schematisk illustration av ett konventionellt elektronsträlerör enligt ovannämnda Pfeiffer- artikel, visar en elektronkälla 50, en samlingslins 51, en fyrkant- ljusfläckformande öppning 52, släckplattor 53, vilka arbeta på det sätt som beskrivs i det amerikanska patentet 3l6HÄ.700, och en förm- minskningsanordning med en första förminskningslins'ÉÄ och en andra förminskningslins 55. Apparaten innefattar vidare en platta 56 med rund öppning för att definiera de akiella delarna av strålen vilka har maxímiintensitet, på det sätt som beskrivs i det amerikanska patentet 3.6Äh.TO0, liksom även en standardprojektionslins 57 med ett centralt avlänkningsok 58 och dynamiska standardelement Ä9 för att korrigera fältkrökningen jämte axiell och till avlänkningen hörande astigmatism.
Denna projektionslins och oket utgör en standardkonfiguration, som beskrivs detaljerat i Pfeiffer-artikeln. Strukturen kan också har den utformning, som beskrivs i de amerikanska patenten 3-930.181 och 3.98h.687. _ Röret riktar en stråle mot ett mål 59, t._ex. en fotoresisttäckt halvledarskiva, varpå ett rätlinjigt mönster skall exponeras.
Länkstrålsvepet enligt fig. 5.är detsamma som visas i ovannämnda Pfeiffer-artikel. Utformningen av röret i fig. 5 optimerar strål- strömtätheten, d.v-s. intensitetsfördelningen samtidigt med att ljusfläcken görs kvadratisk genom tillämpning av länkstrålavbild- ningsprincipen enligt A Koehler, Z Wiss Mikroskopíe, lgp Ä33 (1893), vilken princip ytterligare beskrivs H C Pfeiffer och K H Loeffler, i Proceeding of the Tth International Conference on Electron Micro- scopï, Grenoble (1970), sid 63.
Såsom det illustrerade länkstrålsvepet visar avbildar samlingslinsen 51 källan 50 till ingångsöppningen i förminskningssektionens för- minskningslins Sh i och för åstadkommande av den effektivaste och likformigaste íllumineringen för strålen, d.v¿s. konstant strömtäthet.
(Källstrålens'svep indikeras av de starkt separerade tvärlinjerna, PÛÛH' nanm? _ 1 7so172a-2 ll medan projiceringen av fyrkantöppningens 52 bild indikeras av de tätare tvärlinjerna). Projektionslinsen 57 alstrar elektronsträle- ljusfläcken 60 genom att projicera öppningens 52 bild, förminskad av förminskningslinserna Sh och 55, på målskivan 59.
Vid den tidigare kända anordningen i fig. 5 är samlingslinsen 51 och projektionslinsen 57 de kritiska elementen för fyrkantöppnings- bilden respektive källstrålsvepet, medan förminskningslinserna Sh, 55 bíldar_länken mellan samlingslínsenršl och projektionslinsen ST.
Fyrkantöppningen 66, som avbildas för åstadkommande av strålljus- fläcken, är upptagen i en tunn metallplatta 52. Vid den visade an- ordningen förminskas fyrkantöppningens 61 bild i två steg via linserna bh, bb. Med en öppning 61 av storleksordningen fyrahundra mikron i kvadrat kommer förminskningssystemet att åstadkomma reducering till en slutlig strälljusfläck om ca. 2,5 mikron i kvadrat. Även om bilden av öppningen 61 sålunda förminskas, alstrar den första förminsknings- linsen SÅ samtidigt en förstorad bild av källan i planet för cirkel- öppningen 63, som är centrerad kring det vertikala elektronstrålrörets axel 62. Den andra förminskningslinsen 55 avbildar den runda öppningen 63 vid projektionslinsens centrum 6Å och definierar konvergenshalv- vinkeln. Sålunda ästadkommes likformig strålströmtäthet, eftersom den runda öppningen 63 låter enbart den centrala eller axiella delen av källstrålsvepet passera, vilket minimerar abberationerna. För en given storlek på en rund öppning bestämmer den andra förmínskningslinsen den slutliga strålkonvergensvinkeln och därmed den erforderliga intensi- teten; så t. ex. krävs ca. 3xl05A/cm?-steradian för att åstadkomma en målström om 3 mikroampere. Slut- eller projektionslinsen bildar av- länkningsoket 58 för erforderlig arbetsträcka, vilket gör att strålen kan avlänkas över det mälfält, som skall exponeras, vilket är av storleksordningen fem kvadratmíllimeter. Strålen avlänkas med hjälp av ett konventionellt avlänkningsok. Under skrivningen av mönster med hjälp av en stegande elektronstråle kan strälljusfläckens 60 inten- sitet moduleras genom elektrostatiska strålsläckplattor 53, vilka arbetar på väsentligen samma sätt som beskrivs i det amerikanska patentet 3.6Äh.TO0. _ Med hänvisning till fig. 6 kommer nu funktionen hos den strål- formande apparaten enligt föreliggande uppfinning att beskrivas.
Härvid visas strälsvepet vid den länkade strålkonfiguration, genom vilken optimal optisk separation av källstrålen från den formande öppningens bild uppnås. Såsom illustreras är dylik separation synner- ligen önskvärd, i det att den tillåter en likformig strömtäthet oberoende av ljusfläckens form. Vid den vertikala rörkonfigurationen i 7801728-2 12 _fig. 6 har apparatens nedre del i huvudsak samma utformning och funktionsegenskaper som den apparat, som beskrivs i fig. 5. Första och andra förmínskningslinser Gh och 65 är ekvivalenta med förminsk- ningslinserna Sh och 55 i fig. 5. Plattan 66 med rund öppning är i huvudsak likadan som platta 56 i fig. 5. Projektionslinsen 67 utför samma funktion som linsen 5? i fig; 5, avlänkningsoket 68 utför en funktion, som är ekvivalent med avlänkningsoket Sßfi fig. 5, och elementen 98 för dynamisk korrigering utför samma funktion som ele- menten Ä9 i fig, 5. Målet 69 är en fotoresistskiva, på vilken ett rätlinjemönster skall utbildas. Även släckplattorna 63 i "röret" enligt fig; 6 utför den konventionella släckfunktion, som beskrivs med hänvisning till plattorna 53 i fig. 5.
Vid utförandet av strälformningsfunktionen enligt föreliggande uppfinning, som tidigare generellt beskrivits med hänvisning till fig. l, riktar källan 70 en stråle elektroner längs det vertikala elektron- sträl"rör"-arrangemangets axel 7l. Med utgångspunkt från-de i fig. 5 tillämpade avbildningsprineiperna, som beskrivs i ovannämnda Pfeiffer- artikel, indikeras källavbildningssvepet av de glesare tvärlinjerna, medan svepet vid den första öppningens bild och vid den sammansatta bild, som åstadkommes av den första och den andra öppningen, illu~ streras av de tätare tvärlinjerna. Strålen formas till en varierbar, rektangulär ljusfläck genom att först passera via en kvadratisk öppning 72 i plattan T3. Samlingslínsen Th, som lämpligen kan vara en magnetisk lins av inom elektronstråletekniken välkänd konstruktion, utför två funktioner. Den fokuserar en bild av öppningen T2 i planet för den kvadratiska öppningen 75.i plattan 76. Dessutom fokuserar samlingslinsen Yü bilden 77 av källan TO vid en punkt utmed axeln och i centrum för bildavlänkningsmedlen, som utgörs av de elektrostatiska plattorna 78 och T8'. Detta plattpar har förmåga_att avlänka den fokuserade bilden 79 från den första kvadratiska öppningen 72 i för- .hällande till den andra kvadratiska öppningen ffi under strålform- ningsoperationen. Givetvis finns ett andra plattpar, som ej visas i fig. 6 men i fig. l, vilket har till uppgift att avlänka strålen i sidled i den andra ortogonala riktningen under formningsoperationen.
Avlänkningen av den första öppningens bild 79 i förhållande till den andra öppningen 75 visas i fig. 7. För optimal funktion hos elektron- sträle"röret" enligt föreliggande uppfinning måste den fokuserade bilden TT från källan TO föreligga vid det virtuella avlänknings- 'centret för avlänkningsmedlen, som utgörs av de elektrostatiska plattorna 78 och 78' liksom även för motsvarande plattpar för av- 78017284 13 p , länkning i den andra ortogonala riktningen. Linsens TÅ fokallängd bestäms i första hand för fokusering av öppningsbilden T9'i öppningens T5 plan. Därför behöver den åtföljande fokuseringen av källbilden TT icke nödvändigtvis inträffa vid avlänkningscentret. Även-om det kan vara möjligt att flytta avlänkningsplattorna Tö och TB' utmed röraxeln för att placera källbilden TT vid avlänkningscentret, anses detta icke vara särskilt praktiskt. Med hänvisning till fig. 8 och 9 kommer längre fram ett lämpligt hjälpmedel att beskrivas för att förflytta ett elektrostatiskt avlänkningssystems avlänkningscentrum till koincidens med planet för den fokuserade bilden TT av källan utan fysikalisk förflyttning av plattorna T8 och T8'. I Betydelsen av att ha källbilden TT vid avlänkningscentret blir uppenbar, när man betraktar verkan av samlingslinsen 80, som kan vara en godtycklig magnetisk standardsamlingslins, inom vilken den andra öppningsplattan T6 är placerad. Samlingslinsen 80 har till uppgift att avbilda källbilden TT till den första förminskningslinsens GH in- gängsöppning på väsentligen samma sätt som samlingslinsen 51 i fig. 5 avbildade själva källan, 50, till ingångsöppningen till den första förminskningslinsen Sh. När en spänningsskillnad ästadkommes mellan de elektrostatiska plattorna T8 och T8' i och för avlänkning av bilden T9 av den första öppningen i förhållande till den andra öppningen enligt vad som visas i fig. T (fig. T är en schematisk illustration av länk- strälsvepet vid röret i fig. 6), avlänkas icke bildkällan TT utan förblir stationär därför att den befinner sig vid avlänkningscentret.
Oberoende av öppningsbildens T9 avlänkning i_X- eller Y-riktningen förblir följaktligen den fokuserade källbilden TT stationär, och bilden av källbilden TT, som projiceras av samlingslinsen 80 till ingänsöppningen till den första förminskningslinsen öh, förblir konstant i“läge vid rörets Tl axel. _ Förminskningsarrangemanget och projiceringsarrangemanget i den vertikala rörkonfigurationen enligt fig. 6 verkar pä den sammansatta bilden, som bestäms av den i sidled avlänkade bilden T9 och öppningen 75, på i huvudsak samma sätt som förminsknings- och projiceringssys- temet i fig. 5 verkade på bilden av den kvadratiska öppningen 61. I de vertikala rörkonfigurationerna enligt fig. 6 och T förminskas sålunda den sammansatta bilden i två steg med hjälp av förminskningslinserna 6% och 65. (I fig. 6 är den sammansatta bilden identisk med den andra öppningen 75.) Även om den sammansatta bilden sålunda förminskas, skapar den första förminskningslinsen GÅ samtidigt en förstorad bild av källan i cirkelöppningens 81 plan. Denna bild av källan är givetvis beroende av källans TT läge. Eftersom källbílden 77 förblir stationär POQR Qïfzäšlfl 7801728-2 o lh oberoende av avlânkningen vid formningen av den sammansatta öppnings- bilden, förblir den fokuserade bilden 82 av källan centrerad kring röraxeln vid öppningen 81. Sålunda åstadkommes_väsentligen likformig strömtäthet av cirkelöppningen öl, vilket låter enbart den centrala eller axiella delen av Gauss-källan avsökas, så att i slutlinsen alstrade abberationer minimeras. ' Den andra förminskningslinsen 65 och projektionslinsen 67 arbeta på samma sätt som linserna 55 och 57 i fig. 5 i detta sammanhang.
Likaså arbetar avlänkningsoket 68 för avlänkning av den sammansatta strålljusfläcken 83 över målfältet på det sätt som tidigare beskrivits med hänvisning till oket 58 i fig. 5. Eftersom vidare bilden av källan, som projiceras på ingångsöppningen till förminskningslinsen öh, kommer att centreras kring axeln oberoende av avlänkningen, blir blott de centrala delarna av linserna i förminskningsarrangemanget och i projektionslinsen i första hand utnyttjade. Sålunda undviks försäm- ring av strålljusfläckskantupplösningen, som skulle bli resultatet, om den bildkälla, som projicerades på förminsknings- och projektions- linserna, avvek från centrum. Det torde observeras, att sistnämnda 'effekt år betydelsefull i system, vilka ej använder en rund strål- formningsöppning motsvarande öppningen 81.
I detta sammanhang torde observeras, att det vid elektronstråle~ rörkonfigurationer är möjligt att eliminera fysikaliska öppningar såsom den runda öppningen 81, vilken begränsar stråldiametern under rörkonfigurationens förminsknings- och projiceringssteg, genom an- vändning av bilder i rätt skala av själva källan. Metoden med bild i rätt skala har emellertid sina brister i det att en olikformig ström- täthetsfördelning vid källan föreligger, vilken leder till högre abberationer för samma totala strålström eller intensitet. _Med hänvisning till fig. 8 och 9 åstadkommas i enlighet med föreliggande uppfinning apparatur hörande till avlänkningsmedel för att förflytta avlânkningscentret till koincidens med det plan, vari bildkällan fokuseras. Apparaturen beskrivs med hänvisning till ett par elektrostatiska avlänkningsplattor 88 och 88'. Det torde emellertid vara underförstått, att samma reglering kan utföras med ett par elektrostatiska avlänkningsplattor, vilka förflyttar öppningen i sidled i den andra riktningen. Förskjutningen av avlänkningscentret till koincidens med det plan, vari bilden av källan fokuseras, utföres vanligen_innan apparaturen egentligen börjar arbeta. Förflyttningen kan lämpligen utföras under den kaliberingsperiod, som beskrivs i det amerikanska patentet'3}6Äh.TO0 för ett vertikalt elektronstrålerör- Ger-små* ' ' J 7801728-2 15 arrangemang. Så snart avlänkningscentret reglerats till att samman- falla med den fokuserade källbilden, torde ytterligare modifikation vanligen vara onödig under elektronstrålerörets funktion oberoende av antalet sidoavlänkningar, som utförs för att ändra strålfläckformen under normalfunktion, eller dessas karaktär. _ Med hänvisning i första hand till fig. 8 åstadkommes spännings- skillnaden mellan plattorna 88 och 88' av den konventionella mot- taktskrets, med vars hjälp avlänkning uppnås genom påläggning av en signal på förstärkaren 8Ä, vars utsignal matas till plattan 88' och till förstärkaren 85. Signalens nivå och förtecken (positiv eller negativ) bestämmer avlänkningens omfattning. Utsignalen_från förstär- karen 85 matas i sin tur till plattan 88 för att åstadkomma en mot- taktskrets, i vilken plattans 88 spänningsnivå blir negativ, när plattan 88' är positiv och omvänt. Denna del av arrangemanget pre- senterar ett konventionellt utförande för att framkalla spännings- skillnaden mellan ett par elektrostatiska plattor. Vidare innehåller den aktuella konfigurationen ett par hjälpplattor 89 och 89'. Plat- torna 89 och 89' är var och en ansluten till utgångarna från förstär- karna 8h och 85 via de varierbara motstånden 90 och 90'. Antag att det begynnelsetillstånd råder, som visas i fig. 8, när en spänningsskill- nad etableras mellan primärplattorna 88 och 88'. Eftersom kontakterna 91 och 91' mellan plattorna 89 och 89' och de balanserade motstånden 90 och 90' är centrerade relativt dessa motstånd, kommer plattorna 89 och 89' att ligga på identiskt samma spänningsnivå (halvvägs mellan plattornas 88 och 88' spänningsnivåer), och avlänkningen av vägen för den första öppningsbilden, som schematiskt visas av linjen 92, av- länkas såsom visas. Såsom vidare strålsvepet 93 för källbilden indi- kerar, blir källbilaen fokuserad vid punkt 91+. Det virtuella centret för apparatens avlänkning 95 bestämmas av skärningspunkten för för- långningen 96 av strålvägen i avlänkat tillstånd och axeln 97, som var originalvägen för strålen 92 före avlänkning.
Eftersom det är önskvärt att avlänkningscentret skall förflyttas till att sammanfalla med den fokuserade strålen vid 9Ä, kommer appa- raten att justeras såsom indikeras i fig. 9 för etablering av dylik *koincidens. Eftersom centret för avlänkningen 95, som alstras genom spänningsfall mellan primärplattorna 88 och 88', är den ovan fokuse- rndv bilden Oh av källan, förflyttas centret för avlänkning 95 nedåt genom påläggning av en potentialskillnad mellan hjälpplattorna 89 och 89' i samma riktning som potentialskillnaden mellan primärplattorna 88 och 88', vilket innebär, att om primärplattan 88' har en positiv spänning relativt plattan 88, görs plattan 89' positiv relativt de i som asfalt? 7801728-2 16 plattan 89. Detta åstadkommes genom förflyttning av det varierbara motståndets kontakt 91' såsom indikeras i figa 9, så att delen av det varierbara motståndet 90' mellan plattorna 89' och 88' reduceras i och för förflyttning av plattans 89' spänningsnivå i riktning mot plattans 88'. På samma sätt flyttas motståndets kontakt 91 till den visade positionen i och för reducering av delen av det varierbara motståndet 90 mellan plattan 89 och platta 88, varigenom.spänningsnivån på plattan 89 närmar sig den för plattan 88. Härigenom ändras vägen 92 för öppningsbilden såsom visas, varigenom förlängningen 96 korsar axeln 97 På visat sätt_i och för etablering av ett virtuellt centrum för avlänkning 95 i koincidens med fokuskällbilden 9ü. K Om i motsatta fallet man önskar förflytta centret för avlänkning 95 uppåt, flyttas det varierbara motståndets kontakt 91' för ökning av resistansen mellan hjälpplattan 89' och primärplattan 88' för att därigenom minska resistansen mellan hjälpplattan 89' och primärplattan 88. Samtidigt kan det varierbara motståndets kontakt 9l flyttas för ökning av resistansen mellan hjälpplattan 89 och primärplattan 88 för att därigenom reducera resistansen mellan hjälpplattan 89 och primär- plattan 88'. Såsom ett resultat härav alstras ett spänningsfall mellan hjälpplattorna 89 och 89', vilket har motsatt förtecken relativt spänningsfallet mellan primärplattorna. Detta har en motverkande effekt till avlänkningsverkan hos primärplattorna, varigenom avlänk- ningscentret flyttas uppåt. _ ' _: I Vid gynsamma funktionsförhållanden gäller för avlänkningsappa- raten i fig. 8 och 9, att spänningsfallet som kan påläggas mellan hjälpplattorna 89 och 89', kan vara av storleksordningen 10% av 'spänníngsfallet över primärplattorna. Detta betyder, att när spän- ningssvinget mellan primärplattorna är av storleksordningen ca] 20V skulle spänningssvinget mellan hjälpplattorna bli ca. 2V. Även om beskrivningen av fig. 8 och 9 avser förflyttning av avlänkningscentret med avseende på medlen för avlänkning av öppnings- bilden i en sidoriktning, kan liknande avlänkningscentrumreglerande apparatur användas tillsammans med de elektrostatiska avlänknings- Kplattor, vilka avlänka strålen i den andra sidoriktningen.
Rent praktiskt utföres förflyttningen av avlänkningscentret till _ koincidens med den fokuserade bilden av källan under elektronstråleka- librering genom i första hand mätning av strömtätheten hos den forma- de strålljusfläcken vid målet med användning av godtycklig standard- mätteknik under förhållanden, där ingen sidoavlänkning av den första öppningens bild sker i förhållande till den andra strålformande öpp- ningen. Därefter - om avlänkningscentret är koincident med bildkällan ~ Kšfïflfiçšïfigššfifï

Claims (2)

1. 7801728-2 17 förblir strömtätheten konstant oberoende av sidoavlänkningen av den första öppningens bild i X- och Y-riktningarna. Efter den ursprungliga bestämningen av strömtätheten blir följaktligen den första öppningens bild avlänkad i X- och/eller Y-riktningen och hjälpplattorna "av- stämda" genom förflyttning av det varierbara motstândets kontakter 91 och 9l', till dess konstant strömtäthet uppnås vid den ursprungliga nivån. Detta indikerar, att avlånkningsmedlens avlänkningscentrum befinner sig i koincidens med källbilden. Så snart denna koincidens uppnåtts genom den inledande "avstämningen", skall strömmen därefter förbli konstant. Inga ytterligare ändringarna torde vara nödvändiga under elektronstrålerörarrangemangets funktion, när strålformen ändras från steg till steg. Apparaten enligt föreliggande uppfinning ger sålunda snabb ändring i strålöppningsstorlek och form under elektron- strälröroperation i och för effektiv exponering av rätlinjeregioner på ett mål utan flerfaldig exponering eller exponeringsöverlappning och med ökad genomströmning. Även om elektrostatisk avlänkningsapparatur har beskrivits för den föredragna utföringsformen såsom ett medel för att avlänka bilden från den första öppningen och för förflyttning av avlânkningscentret, torde det vara uppenbart, att annan avlänkningsapparatur såsom exem- pelvis magnetisk sådan kan utnyttjas för samma ändamål. Patentkrav l. Metod för att dirigera en stråle elektroner från en elcktronkälla moL en målaren innefattande formning av strå- len genom att dirigera den genom en första ljusfläckformande öppning, fokusering av bilden av den första öppningen i planet för en andra ljusfläcksformande öppning för att därigenom bilda en sammansatt ljusfläcksform, som definieras av nämnda bild och nämnda andra öppning, samt fokusering av bilden av den sammansatta ljusfläcken i nämnda målarea, k ä n n e t e c krn a d av avlänkning av bilden av den första öppningen i sidled i förhållande till den andra öppningen för att därigenom variera formen och dimensionerna på den sammansatta'1jusf1äcken.
2. Metod enligt patentkravet 1, k â n n e t e c k n a d av fokusering av bilden av källan i ett plan, som samman~ faller med det virtuella avlänkningscentret. poor. QUÅLTY 18 7801728-2 3. Metod enligt patentkravet 1, k ä n'n e t e c k n avd därav, att den första öppningens bild avlänkas elektrø- statiskt i en sídoriktning genom yåläggning av en primär- spänning över vägen för elektronstrålen i ett läge före den andra öppningen. . . Ä. Metod enligt patentkraven l och 2, k ä n n eit e c k - n a~d av foknseríng av bilden av källan och förfluttning av det virtuella centret för den elektrostatiska avlänkningen 'och nämnda källbildplan mot koíncidensf 5. Metod enligt patentkravet Ä, k«ä n n_e t e c k n a d därav, att nämnda virtuella avlänkningscentrum och nämnda källbildplan flyttas mot koencidens genom påläggning av en hjälpspänning över vägen för att åstadkomma avlänkning i ' samma riktning som primärspänningen. 6. Metod enligt patentkravet 5, k ä n n e t e c k n a'd därav, att hjälpspänningen pålägges i motsatta riktningen relativt primärspänningens för att därigenom flytta det resulterande avlänkningscentret i en riktning utmed strål- vägen. _ I T. Metod enligt patentkravet 5, k ä n n e t e c k n a d därav; att hjälpspânningen pålägges i samma riktning som prímärspänningens.för att därigenom förflytta det resulte- rande avlänkningscentret i motsatta riktningen utmed strål- vägen. ' 8. Metod enligt patentkraven l-7, k ä n n e t e c k - n a d därav, att en hjälpspänning pålägges över vägen för att åstadkomma en avlänkning i samma riktning som primär- spänningen för att därigenom upprätthålla konstant ström-, täthet hos strålen vid nämnda mål. _ ' 9. Metod enligt något av patentkraven l-8 för att rikta en stråle elektroner från en elektronkälla mot ett mål, k ä n n e t e c k n a d av formning av en elektronstråle~ till en första rätlinjeform, fokusering av strålen vid en första position på ett mål för att exponera en första rät- línjearea, förflyttning av strålen till en andra. position i förhållande till målet, omformning av elektronstrålen till en andra ratlinjeform samt fokusering av den omformade strålen vid nämnda andra läge för exponering av en andra rätlinjearea.§ i; ÉÖQR 7601728-2 - l9_ 10. Metod enligt patentkraven l-9, k ä n n e t e c k - n a d av formning och fokusering av en elektronstråle för att exponera en första rätlinjig ljusfläck i ett första läge på ett mål; där ett rätlinjemönster av vald form och die mension skall exponeras, varvid nämnda ljusfläck formas så att den får minst en rätlinjig dimension kant i kant med och icke större än den minsta rätlinjedimensionen hos delen av mönstret vid nämnda första position, förflyttning av strålen till en andra position i förhållande till mönstret samt formning och fokusering av strälen för att exponera en andra rätlinjig ljusfläck av andra dimensioner, varvid nämnda andra ljusfläck formas så att den har minst en rätlinje~ dimension kant i kant med och icke större än den>mínsta rätlinjedimensionen hos delen av nämnda mönster vid-nämnda andra position. i ll. Metod enligt patentkravet l3¿ k ä n n e t.e c k ~ n a d därav, att nämnda andra strälposition finns i anslut- ning till den första positionen, varvid den andra ljus- fläcken kant i kant ligger an mot den första exponerade ljusfldcken. 12. Apparat för tillämpning av metoden enligt patent- kraven l-ll innefattande en första strålformande del (13) med en första ljusfläcksformande öppning (lÄ), en andra strålformande del (17) med en andra ljusfläcksformande öppning (16), organ (15) för att fokusera_bilden av den första öppningen i planet för nämnda andra ljusfläcksfor- mande öppning för ästadkommande av en sammansatt ljusfläc- ksform, som definieras av bilden och den andra öppningen, samt medel för att fokusera bilden av den sammansatta ljus-' fläcken i nämnda målarea, k ä n'n e t e c k n a d av medel (78, 78' i fig. 7) för att avlänka bilden av den första öppningen i sidled i förhållande till den andra öppningen för att därigenom variera den sammansatta ljusfläckens form och dimensioner. _ - i _ I l3. Apparat enligt patentkravet l2, k å n n e t e c k ~ n a d därav, att nämnda första och andra öppningar har samma rektangulära form. PG” 7801728-2 20 lh. Apparat enligt panentlnravet 12, k ä n n e t e e k n a <1 därav, att den fokuserade 'bilden av nämnda företa öppning har samma dimensioner som den andra öppningen. 15. Apparat enligt patentkravet 12, k ä'n n e t e c k ~ n a d av medel för att foknsera bilden av den andra källan i ett plan utanför fokaldjupet för bilden av den första öpp- ningen. l6. Apparat enligt patentkravet 12, k ä n n e't e c k - n a d av organ för att fokusera bilden av källan i ett plan, som sammanfaller med det virtuella avlänkningscentret. (Fig. 8). lT. Apparat enligt patentkravet 12, k ä n n e t e c k - 'n a d därav, att nämnda medel för att avlånka den första öppningens bild är elektrostatiska avlänkníngsmedel (TB, T8'), anordnade längs vägen mellan den första öppningen och den andra öppningen. _ _ ' lö. Apparat enligt patentkravet lT¿ k ä n n e t.e c k - n a d därav att de elektrostatiska avlänkningsmedlen (T8,_ 78') innehåller minst ett par primärplattor, skilda från och vettande mot varandra i en första sidoriktning tvärs över strålvägen, samt medel för.pålâggning av en spänning mellan plattorna. _ K K __ _ _ K 19. Apparat enligt patentkravet lö, k å n n eft e c k- n a. d därav, att bilden av källan fokuseras i ett plan nära avlänkningsmedlen, varvid organ finns för att förflytta det virtuella centret för den elektrostatiska avlänkningen och inämnda källbildplan mot koincidens. (Fig. 8). 20: Apparat enligt patentkravet 19, k ä n n e t e c k - n a d därav, att organen för att förflytta avlânknings- centret innehåller ett par hjälpplattor (t.ex. 89, 89'), skilda från och vettande mot varandra över strålvägen för att åstadkomma avlänkning i samma riktning som prímärplat~ torna vid en position nära men skild från dessa primär-- plattor, samt medel (90, 90') för att iägga en varierbar spänning mellan hjälpplattorna i och för åstadkommande av ett resulterande virtuellt avlänkningscentrum i koihcidens med nämnda kållbildplan. » 7801728-2 21 21. Apparat enligt patentkravet 18, k ä n n e t e c k n a d därav, att medlen för elektrostatisk avlänkning in- nefatta ett andra par primärplattor, skilda från och vet- tande mot varandra i den andra sidoriktningen över vägen för strålen, och medel för påläggníng av en spänning mellan nämnda andra plattpar. ' V 22. Apparat enligt patentkravet 18, k ä n n e't e c k - n a d av organ (Th) för fokusering av bilden av källan i ett plan längs strålvägen mellan nämnda prímärplattpar. 23. Apparat enligt patentkravet 18; k ä n n e t e c k - n a d av medel för att förflytta den elektrostatíska av-_ länkningens virtuella centrum och nämnda källbildplan mot koincidens. (Fíg. 8). PQQRAQWW i
SE7801728A 1977-02-23 1978-02-15 Metod for att dirigera en strale elktroner fran en elektronkella mot en malarea, samt apparat for tillempning av metoden SE437441B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US77123577A 1977-02-23 1977-02-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7801728L SE7801728L (sv) 1978-08-24
SE437441B true SE437441B (sv) 1985-02-25

Family

ID=25091155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7801728A SE437441B (sv) 1977-02-23 1978-02-15 Metod for att dirigera en strale elktroner fran en elektronkella mot en malarea, samt apparat for tillempning av metoden

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS53124078A (sv)
BR (1) BR7801031A (sv)
CA (1) CA1166766A (sv)
DE (1) DE2805371C2 (sv)
FR (1) FR2382091A1 (sv)
GB (1) GB1587852A (sv)
IT (1) IT1158434B (sv)
NL (1) NL7802010A (sv)
SE (1) SE437441B (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543476A (en) * 1977-06-09 1979-01-11 Jeol Ltd Electron beam exposure device
GB1598219A (en) * 1977-08-10 1981-09-16 Ibm Electron beam system
JPS5679429A (en) * 1979-12-03 1981-06-30 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Electron beam exposure process
EP0053225B1 (en) * 1980-11-28 1985-03-13 International Business Machines Corporation Electron beam system and method
US4423305A (en) * 1981-07-30 1983-12-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape
JPS5928336A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成法
CN116441562B (zh) * 2023-06-16 2023-08-15 西安赛隆增材技术股份有限公司 一种电子束的束斑的校准装置及校准方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6807439A (sv) * 1968-05-27 1969-12-01
US3644700A (en) * 1969-12-15 1972-02-22 Ibm Method and apparatus for controlling an electron beam
US3801792A (en) * 1973-05-23 1974-04-02 Bell Telephone Labor Inc Electron beam apparatus
JPS5251871A (en) * 1975-10-23 1977-04-26 Rikagaku Kenkyusho Projecting method for charge particle beams
JPS5283177A (en) * 1975-12-31 1977-07-11 Fujitsu Ltd Electron beam exposure device
GB1557924A (en) * 1976-02-05 1979-12-19 Western Electric Co Irradiation apparatus and methods
NL177578C (nl) * 1976-05-14 1985-10-16 Thomson Csf Inrichting voor het beschrijven van een voorwerp met een deeltjesbundel.
FR2351497A1 (fr) * 1976-05-14 1977-12-09 Thomson Csf Dispositif permettant le trace programme de figures de formes differentes
DE2627632A1 (de) * 1976-06-19 1977-12-22 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren und einrichtung zur nichtthermischen elektronenstrahlbearbeitung
JPS5320391A (en) * 1976-08-09 1978-02-24 Becton Dickinson Co Blood inspection apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53124078A (en) 1978-10-30
DE2805371A1 (de) 1978-08-24
NL7802010A (nl) 1978-08-25
FR2382091A1 (fr) 1978-09-22
CA1166766A (en) 1984-05-01
GB1587852A (en) 1981-04-08
SE7801728L (sv) 1978-08-24
BR7801031A (pt) 1978-12-12
FR2382091B1 (sv) 1982-04-09
IT7820143A0 (it) 1978-02-10
IT1158434B (it) 1987-02-18
DE2805371C2 (de) 1984-02-16
JPS5424833B2 (sv) 1979-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4243866A (en) Method and apparatus for forming a variable size electron beam
US7462848B2 (en) Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
JPH09223475A (ja) 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置
EP0051733A1 (en) Electron beam projection system
JP3210605B2 (ja) 粒子光学レンズ用の曲線軸補正システム及び粒子ビーム・システム
JP5087318B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6128744B2 (ja) 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法
JP7194849B2 (ja) 電子光学システム
US20240096587A1 (en) Distortion optimized multi-beam scanning system
US5757010A (en) Curvilinear variable axis lens correction with centered dipoles
JPH06163370A (ja) 多重開口フィルタを使用するサブミクロンデバイスの製造
US5793048A (en) Curvilinear variable axis lens correction with shifted dipoles
SE437441B (sv) Metod for att dirigera en strale elktroner fran en elektronkella mot en malarea, samt apparat for tillempning av metoden
US5708274A (en) Curvilinear variable axis lens correction with crossed coils
US5831273A (en) Charged particle beam lithography method and apparatus thereof
US6440620B1 (en) Electron beam lithography focusing through spherical aberration introduction
JPS59184524A (ja) 電子ビ−ム露光装置
SE425838B (sv) Elektronstrale-arrangemang
US8673542B2 (en) Method and system for charged particle beam lithography
JP3280466B2 (ja) 電子ビーム描画装置
JP4558240B2 (ja) 電子ビーム露光装置
WO2007111603A1 (en) Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
JP3218714B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法
KR20090008283A (ko) 고전류 밀도 패턴 하전 입자 빔의 생성을 위한 광학계
JP2005244105A (ja) 電子線鏡筒装置及び電子線露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7801728-2

Effective date: 19930912

Format of ref document f/p: F