SA516371695B1 - نظام وطريقة لإدارة خرج قدرة خلية كهروضوئية - Google Patents
نظام وطريقة لإدارة خرج قدرة خلية كهروضوئية Download PDFInfo
- Publication number
- SA516371695B1 SA516371695B1 SA516371695A SA516371695A SA516371695B1 SA 516371695 B1 SA516371695 B1 SA 516371695B1 SA 516371695 A SA516371695 A SA 516371695A SA 516371695 A SA516371695 A SA 516371695A SA 516371695 B1 SA516371695 B1 SA 516371695B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- voltage
- switch
- solar
- photovoltaic device
- solar panels
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 4
- 235000017399 Caesalpinia tinctoria Nutrition 0.000 claims 4
- 241000388430 Tara Species 0.000 claims 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 3
- ABYZSYDGJGVCHS-ZETCQYMHSA-N (2s)-2-acetamido-n-(4-nitrophenyl)propanamide Chemical compound CC(=O)N[C@@H](C)C(=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 ABYZSYDGJGVCHS-ZETCQYMHSA-N 0.000 claims 2
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 claims 2
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 claims 2
- XUNKPNYCNUKOAU-VXJRNSOOSA-N (2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-amino-5-(diaminomethylideneamino)pentanoyl]amino]-5-(diaminomethylideneamino)pentanoyl]amino]-5-(diaminomethylideneamino)pentanoyl]amino]-5-(diaminomethylideneamino)pentanoyl]a Chemical compound NC(N)=NCCC[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(=O)N[C@@H](CCCN=C(N)N)C(O)=O XUNKPNYCNUKOAU-VXJRNSOOSA-N 0.000 claims 1
- 241000566113 Branta sandvicensis Species 0.000 claims 1
- 241001492658 Cyanea koolauensis Species 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 241000258937 Hemiptera Species 0.000 claims 1
- 101100256746 Mus musculus Setdb1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 241001057495 Neda Species 0.000 claims 1
- 101100309040 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) lea-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 108091030071 RNAI Proteins 0.000 claims 1
- 241000700159 Rattus Species 0.000 claims 1
- 241001000594 Tanna Species 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims 1
- 230000009368 gene silencing by RNA Effects 0.000 claims 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 claims 1
- FWYSBEAFFPBAQU-GFCCVEGCSA-N nodakenetin Chemical compound C1=CC(=O)OC2=C1C=C1C[C@H](C(C)(O)C)OC1=C2 FWYSBEAFFPBAQU-GFCCVEGCSA-N 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 claims 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 claims 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 claims 1
- YXVCLPJQTZXJLH-UHFFFAOYSA-N thiamine(1+) diphosphate chloride Chemical compound [Cl-].CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N YXVCLPJQTZXJLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- ROXBGBWUWZTYLZ-UHFFFAOYSA-N [6-[[10-formyl-5,14-dihydroxy-13-methyl-17-(5-oxo-2h-furan-3-yl)-2,3,4,6,7,8,9,11,12,15,16,17-dodecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-3-yl]oxy]-4-methoxy-2-methyloxan-3-yl] 4-[2-(4-azido-3-iodophenyl)ethylamino]-4-oxobutanoate Chemical compound O1C(C)C(OC(=O)CCC(=O)NCCC=2C=C(I)C(N=[N+]=[N-])=CC=2)C(OC)CC1OC(CC1(O)CCC2C3(O)CC4)CCC1(C=O)C2CCC3(C)C4C1=CC(=O)OC1 ROXBGBWUWZTYLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 241000252067 Megalops atlanticus Species 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000295 fuel oil Substances 0.000 description 1
- 230000002518 glial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 102000012498 secondary active transmembrane transporter activity proteins Human genes 0.000 description 1
- 108040003878 secondary active transmembrane transporter activity proteins Proteins 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/34—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering
- H02J7/35—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering with light sensitive cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H35/00—Switches operated by change of a physical condition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
- H02J3/12—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks for adjusting voltage in ac networks by changing a characteristic of the network load
- H02J3/14—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks for adjusting voltage in ac networks by changing a characteristic of the network load by switching loads on to, or off from, network, e.g. progressively balanced loading
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
- H02J3/38—Arrangements for parallely feeding a single network by two or more generators, converters or transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
- H02J3/38—Arrangements for parallely feeding a single network by two or more generators, converters or transformers
- H02J3/381—Dispersed generators
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
- H02J3/38—Arrangements for parallely feeding a single network by two or more generators, converters or transformers
- H02J3/46—Controlling of the sharing of output between the generators, converters, or transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/34—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering
- H02J7/345—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering using capacitors as storage or buffering devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J9/00—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
- H02J9/04—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source
- H02J9/06—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source with automatic change-over, e.g. UPS systems
- H02J9/062—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source with automatic change-over, e.g. UPS systems for AC powered loads
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/32—Electrical components comprising DC/AC inverter means associated with the PV module itself, e.g. AC modules
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J2300/00—Systems for supplying or distributing electric power characterised by decentralized, dispersed, or local generation
- H02J2300/20—The dispersed energy generation being of renewable origin
- H02J2300/22—The renewable source being solar energy
- H02J2300/24—The renewable source being solar energy of photovoltaic origin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/30—Systems integrating technologies related to power network operation and communication or information technologies for improving the carbon footprint of the management of residential or tertiary loads, i.e. smart grids as climate change mitigation technology in the buildings sector, including also the last stages of power distribution and the control, monitoring or operating management systems at local level
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/30—Systems integrating technologies related to power network operation and communication or information technologies for improving the carbon footprint of the management of residential or tertiary loads, i.e. smart grids as climate change mitigation technology in the buildings sector, including also the last stages of power distribution and the control, monitoring or operating management systems at local level
- Y02B70/3225—Demand response systems, e.g. load shedding, peak shaving
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/56—Power conversion systems, e.g. maximum power point trackers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y04—INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
- Y04S—SYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
- Y04S20/00—Management or operation of end-user stationary applications or the last stages of power distribution; Controlling, monitoring or operating thereof
- Y04S20/20—End-user application control systems
- Y04S20/222—Demand response systems, e.g. load shedding, peak shaving
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y04—INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
- Y04S—SYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
- Y04S20/00—Management or operation of end-user stationary applications or the last stages of power distribution; Controlling, monitoring or operating thereof
- Y04S20/20—End-user application control systems
- Y04S20/248—UPS systems or standby or emergency generators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Emergency Management (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بنظام لإدارة الخلايا الشمسية solar cell management system (300) لزيادة كفاءة وإنتاج الطاقة للخلية الشمسية solar cell (100 ، 200) وطرق لصنعها واستخدامها. يوفر نظام الإدارة management system (300) مجالًا كهربائيًا (250) عبر خلية شمسية فردية individual solar cell (100 ، 200)، أو مجموعة من الخلايا الشمسية (100 ، 200) مكونة كلوحة panels (10) ، أو مجموعة من الألواح الشمسية solar panels (10) ). يقوم الحقل الكهربائي electric field الموضح (250) بالتأثير على كل من الإلكترونات والفتحات الناتجة عن حادث ضوء على الخلية الشمسية (100 ، 200) ويسرع أزواج الفتحات الإلكترونية نحو الأقطاب الكهربائية electrodes (101أ ، 101ب) للخلية الشمسية (100 ، 200). بالمقارنة مع الخلايا الشمسية التقليدية، فإن أزواج الفتحات الإلكترونية المتسارعة المذكورة تقطع مسافة أقل منذ تكوينها وتقضي وقتًا أقل داخل مادة الخلايا الشمسية، وبالتالي فإن أزواج الفتحات الإلكترونية تتميز باحتمالية أقل لإعادة التداخل مع مادة أشباه الموصلات semiconductor's للخلايا. ينتج عن هذا الانخفاض في معدل إعادة التداخل للفتحات الإ
Description
نظام وطريقة لإدارة خرج قدرة خلية كهروضوئية
System And Method For Managing The Power Output of a Photovoltaic Cell الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الكشف all بشكلٍ عام seal كهروضوئية ley photovoltaic devices الأخص pe لكن ليس حصرياً؛ بأنظمة وطرق لتكبير القدرة أو الطاقة المتولدة والكفاءة الكلية لواحدة أو أكثر من الخلايا الشمسية solar cells ؛ على سبيل المثال؛ بواسطة تسليط وضبط مجال كهربى خارجى عبر الخلايا الشمسية. تكون الخلية الشمسية (أيضاً تسمى بالخلية الكهروضوئية (photovoltaic cell عبارة عن جهاز كهربي يحول طاقة Bale spall إلى كهرياء بواسطة عملية معروفة ب "التأثير الكهروضوئي photovoltaic effect ". عند التعرض للضوء؛ يمكن أن تقوم الخلية الشمسية بتوليد ودعم تيار كهربي بدون أن يتم الحاقها gh مصدر فلطية voltage source خارجي. 0 تتكون الخلية الشمسية الأكثر شيوعاً من وصلة 110 0-7 مصنوعة من مواد شبه موصلة (على سبيل المثال؛ السيليكون o(silicon كما في الخلية الشمسية 100 الموضحة فى شكل 1. على سبيل المثال» تتضمن الوصلة 110 0-7 رقاقة رفيعة تتكون من طبقة رفيعة جداً من السيليكون من النوع 7 أعلى طبقة أسمك من السيليكون من النوع م. حيث يكون الأثنين من الطبقات هذه في تلامس؛ يتم إحداث مجال كهربي (غير موضح) بالقرب من السطح العلوي للخلية الشمسية 100؛ 5 ويحدث انتشار الإلكترونات من المنطقة ذات تركيز الإلكترونات الأعلى (الجانب من النوع 7 الخاص بالوصلة 0-0110) إلى المنطقة ذات تركيز الإلكترونات electron الأقل (الجانب من النوع p الخاص بالوصلة 0-0110). يتم تغليف الوصلة 8-7110 بين إثنين من الإلكترودات الموصلة conductive electrodes 1)؛ 101ب. يكون الإلكترود العلوي 101 إما شفاف للإشعاع radiation (الشمسي (solar 0 الساقط أولا يغطي أعلى الخلية الشمسية 100 بشكل كامل. يمكن أن تعمل الإلكترودات 101ا؛
1ب كتلامسات شبه موصلة LB أومية metal-semiconductor 0016_التي_يتم
توصيلها بحمل خارجي 30 الذي يتم اقرانه على التوالي. يمكن أن يتضمن deal 30 أيضاً كلاً
من المكونات المقاومة والمتفاعلة؛ على الرغم من أنه موضح كمقاوم فقط.
بصورة نمطية» يمكن أن يتم اقران خلايا شمسية متعددة 100 (على التوالي و/أو على التوازي) be 5 لتشكيل لوحة شمسية solar panel 10 (موضح في شكل 2). بالرجوع إلى شكل 2؛ يتم
توضيح تصميم تركيب نمطي باستخدام لوحة شمسية 10 واحدة على الأقل. يمكن أن يتم توصيل
اللوحات الشمسية 10 إما على التوازي كما هو موضح في شكل 2 على التوالي؛ أو توليفة منهماء
والحاقها بحمل؛ ie مقوم عكسي inverter 31. يمكن أن يتضمن المقوم العكسي 1 كلا من
مكونات مقاومة ومتفاعلة.
0 بالرجوع إلى شكل 1؛ عندما يرتطم فوتون بالخلية الشمسية 100( فإما أن: يمر الفوتون مباشرة من خلال مادة الخلية الشمسية-الذي يحدث بشكل عام للفوتونات المنخفضة الطاقة؛ ويعكس سطح الخلية الشمسية؛ أو يفضل أن يتم امتصاصه بواسطة مادة الخلية الشمسية-إذا كانت طاقة الفوتون أعلى من فجوة النطاق الموجي للسيليكون-مع توليد زوج ثقب- إلكترون. إذا تم امتصاص الفوتون؛ فيتم منح طاقته إلى إلكترون في sale الخلية الشمسية. Bale ما يكون
هذا الإلكترون في نطاق التكافؤؤ ويرتبط بشكل محكم بروابط تساهمية بين الذرات المتجاورة؛ وبالتالي يكون غير قادر على التحرك بعيداً. تقوم الطاقة الممنوحة إلى الإلكترون بواسطة الفوتون ب 'إثارة' الإلكترون في نطاق التوصيل؛ حيث يكون حر الحركة في الخلية الشمسية 100. يكون الآن للرابطة التساهمية التي كان الإلكترون gn منها مسبقاً إلكترونات أقل-يعرف هذا بثقب. يسمح وجود رابطة تساهمية مفقودة للإلكترونات المترابطة الخاصة بالذرات المتجاورة بالحركة في الثقب؛
0 مع ترك الثقب خلفها. بهذه الطريقة؛ يمكن أن يتحرك الثقب أيضاً بشكل فعال من خلال الخلية الشمسية 100. وبالتالي؛ تقوم الفوتونات الممتصة في الخلية الشمسية 100 بإحداث أزواج ثقب- إلكترون متحركة.
ينتشر أو ينجرف زوج الثقب- الإلكترون المتحرك تجاه الإلكترودات 101 101ب. بصورة نمطية؛ ينتشر/ ينجرف الإلكترون تجاه الإلكترود السالب؛ وينتشر/ ينجرف الثقب تجاه الإلكترود
الموجب. يكون انتشار المواد الحاملة (على سبيل (JE الإلكترونات) بسبب الحركة الحرارية العشوائية حتى يتم احتجاز المادة الحاملة بواسطة المجالات الكهربية. يتم إدارة انجراف المواد الحاملة بواسطة المجالات الكهربية التي تحدث عبر المجال النشط للخلية الشمسية 100. في الخلايا الشمسية ذات الطبقة الرقيقة الرفيعة؛ يكون النسق الغالب لفصل المادة الحاملة للشحنة هو الانجراف» الذي يتم ادارته بواسطة المجال الكهروستاتي للوصلة 0-0110 الممتدة خلال سمك الخلية الشمسية ذات الطبقة الرقيقة الرفيعة. ومع ذلك؛ بالنسبة للخلايا الشمسية الأكثر سمكاً التي لا يوجد بها مجال كهربي فعلياً في المنطقة النشطة؛ يكون النسق الغالب لفصل المادة الحاملة للشحنة هو الانتشار. يجب أن يكون طول انتشار المواد الحاملة carriers الثانوية (أي؛ الطول الذي يمكن أن تنتقله المواد الحاملة المولدة للضوء قبل أن تتحد ثانية) كبير في الخلايا الشمسية 0 الأكثر سمكاً. في النهاية؛ يمكن أن تقوم الإلكترونات التي يتم خلقها على الجانب من النوع 7 الخاص بالوصلة p-n 110 "المجمعة' بواسطة الوصلة 110 pn والمتجهة نحو الجانب من النوع 7 بتوفير القدرة إلى الحمل الخارجي 30 (عن طريق الإلكترود electrode 1101( وتعود إلى الجانب من النوع م0 (عن طريق الإلكترود 101ب) الخاص بالخلية الشمسية 100. بمجرد العودة إلى الجانب 5 من النوع ©؛ يمكن أن يتحد الإلكترون An مع الثقب الذي إما يتم alee كزوج ثقب- إلكترون على الجانب من النوع م أو كسحه عبر الوصلة 110 pn من الجانب من النوع 0. على النحو الموضح في شكل 1 ينتقل زوج الثقب- الإلكترون في طريق دائري من النقطة التي عندها يتم عمل زوج ثقب- إلكترون إلى النقطة حيث يتم تجميع زوج الثقب-الإلكترون عند الإلكترودات 1101 101ب. حيث يكون المسار الذي ينتقل خلاله زوج الثقب- الإلكترون Ssh 0 فتوجد فرصة كافية للإلكترون أو للثقب للإتحاد An مع ثقب أو إلكترون AT حيث يتسبب هذا الاتحاد في فقد التيار إلى أي حمل خارجي 30. على النحو المذكور بطريقة أخرى؛ عندما يتم عمل زوج ثقب- إلكترون؛ يمكن أن تصل واحدة من المواد الحاملة إلى الوصلة 110 0-0 (مادة حاملة مجمعة) وتساهم في التيار الناتج بواسطة الخلية الشمسية 100. بدلاً من ذلك؛ يمكن أن تتحد المادة الحاملة Al بدون أي مساهمة في تيار الخلية. يتسبب اتحاد الشحنة في هبوط في
الكفاءة الكمية (أي؛ النسبة ial) للفوتونات التي يتم تحويلها إلى تيار كهربي عند الخلية الشمسية
100(¢ و٠ بالتالي» الكفاءة الكلية للخلية الشمسية 100.
يتم اعطاء تكلفة الخلية الشمسية 100 أو اللوحة الشمسية 10 بصورة نمطية بوحدات الدولار لكل
وات قمة القدرة الكهربية التي يمكن أن يتم توليدها في ظل ظروف معايرة. تقوم الخلايا الشمسية عالية الكفاءة بخفض تكلفة الطاقة الشمسية. يكون العديد من تكاليف نظام أو وحدة القدرة الشمسية
متناسبة مع عدد اللوحات الشمسية المطلوية فضلاً عن المساحة (الأرضية) المطلوية لتركيب
اللوحات. ستسمح الخلية الشمسية الأعلى كفاءة بتقليل في عدد اللوحات الشمسية المطلوية لخرج
الطاقة المعطى والمساحة المطلوية لنشر النظام. يمكن أن يقوم هذا الانخفاض في عدد اللوحات
والحيز المستخدم في خفض تكلفة الوحدة الكلية؛ حتى إذا كانت الخلايا نفسها أكثر تكلفة.
0 يكون الهدف النهائي هو جعل تكلفة توليد القدرة الشمسية ALE للمقارنة مع؛ أو أقل من؛ وحدات القدرة الكهربية التقليدية التي تستخدم الغاز الطبيعي؛ الفحم؛ و/أو زبت الوقود لتوليد الكهرياء. بخلاف معظم الوسائل التقليدية لتوليد القدرة الكهربية التي تتطلب وحدات قدرة كبيرة متمركزة؛ فيمكن أن يتم نشر أنظمة القدرة الشمسية في مواقع متمركزة كبيرة بواسطة المرافق الكهربية» على المباني التجارية للمساعدة في تعويض تكلفة القدرة الكهربية» وحتى على مسكن بواسطة أساس
5 المسكن. تتضمن المحاولات الحالية لتقليل تكلفة وزيادة كفاءة الخلايا الشمسية اختبار مواد مختلفة وتقنيات تصنيع مختلفة مستخدمة للخلايا الشمسية. يحاول نهج آخر تعزيز منطقة النضوب المشكلة حول الوصلة 110 0-0 لتعزيز حركة المواد الحاملة للشحنة من خلال الخلية الشمسية 100. على سبيل المثال» انظر البراءة الأمريكية رقم 5,215,599؛ ل 110901801 وآخرين «("Hingorani®)
0 التي تم إيداعها في 3 مايوء 1991 والبراءة الأمريكية رقم 8,466,582؛ 1 Fornage ((“Fornage”) التي تم إيداعها في 2 ديسمبر 2011؛ التي تستند لأسبقية تاريخ الإيداع 3 ديسمبر 2010؛ والتي يتم استخدامها كمرجع في مجملها ولكل الأغراض في هذه الوثيقة. ومع ذلك؛ تتطلب هذه المناهج التقليدية لتعزيز حركة المواد الحاملة للشحنة من خلال الخلية الشمسية 100 تعديل البنية الأساسية للخلية الشمسية 100. قام «Fornage 5 Hingorani على
سبيل المثال؛ بالكشف عن تسليط مجال كهربي خارجي للخلية الشمسية باستخدام بنية خلية شمسية معدلة. يتطلب تسليط مجال كهربي خارجي فلطية يتم تسليطها بين الإلكترودات التي تتضمن المجال الكهربي ( موصوف بمزيد من التفصيل بالرجوع إلى المعادلة 2؛ أدناه). بدون تعديل البنية الأساسية للخلية الشمسية 100« فيقوم تسليط فلطية على الإلكترودات الموجودة 101 101[ب الخاصة بالخلية الشمسية 100 بتقصير الفلطية المسلطة من خلال الحمل الخارجي 30. بعبارة أخرى؛ يكون تسليط فلطية على الإلكترودات F101 101ب للخلية الشمسية 100 غير فعال لإحداث مجال كهربي خارجي وتعزيز حركة المواد الحاملة للشحنة. وبالتالي» تقوم المناهج التقليدية-مثل ما تم الكشف عنه في Hingorani و 0101896 -بالضرورة بتعديل البنية الأساسية للخلية الشمسية 100( مثل بواسطة ادخال مجموعة خارجية (ومعزولة كهربياً) من الإلكترودات 0 على قاعدة الخلية الشمسية 100. توجد العديد من المساوئ لهذا النهج. على سبيل المثال» يجب أن يتم وضع الإلكترودات الخارجية على الخلية الشمسية 100 أثناء عملية التصنيع-يكون من المستحيل فعلياً تعديل الإلكترودات الخارجية على خلية أو لوحة شمسية موجودة. يقوم هذا التعديل لعملية التصنيع بزيادة تكلفة التصنيع بشكل كبير وخفض ناتج التصنيع. بالاضافة إلى ذلك؛ يقوم وضع الإلكترودات الخارجية على الجانب الأمامي؛ أو الجانب الساقط 5 ا للخلية الشمسية 100 بتقليل الطاقة الضوئية التي تصل للخلية الشمسية 100( وبالتالي انتاج خرج قدرة أقل. كميزة اضافية؛ لانتاج تحسينات كبيرة في خرج قدرة الخلية الشمسية 100؛ يجب أن يتم تسليط فلطيات كبيرة على الإلكترودات الخارجية للخلية الشمسية 100. على سبيل المثال؛ كشف Fornage عن أنه يجب أن يتم وضع الفلطيات على غرار "1,000" الفولتات على الإلكترودات 0 الخارجية ليكون المجال الكهربي المسلط فعال وزيادة خرج قدرة الخلية الشمسية 100. يتطلب مقدار هذه الفلطية تدريب خاص لخدمة فضلاً عن معدات فلطية عالية اضافية وأسلاك لا توجد حالياً في نشر لوحة شمسية موجودة أو جديدة. (JES يجب أن تكون طبقة عزل بين الإلكترودات الخارجية والخلية الشمسية 100 كافية لتحمل الفلطية العالية المسلطة. في حال ضعف طبقة العزل؛ فيوجد خطر تلف كبير ليس فقط للخلية الشمسية 100؛ لكن أيضاً لكل اللوحات الشمسية
10 المتصلة على التوالي أو على التوازي بالخلية الشمسية الضعيفة فضلاً عن الحمل الخارجي
0 (أو المقوم العكسي 31).
كعيب اضافى؛ يمكن أن تتسبب ظروف الاضاءة المختلفة (على سبيل (JUBA يسبب التغطية
الغيمية للشمس و/أو تقلبات الطقس العادية) في عدم استقرار في خرج قدرة الخلايا الشمسية
التقليدية واللوحات الشمسية. على سبيل المثال؛ بالرجوع إلى شكل 2؛ يتطلب المقوم العكسي 31
بصورة نمطية فلطية ثابتة؛ غير متغيرة ودخل تيار. على النحو الموضح في شكل 2؛ توفر
اللوحات الشمسية 10 فلطية دخل وتيار للمقوم العكسي 31. ومع ذلك؛ يمكن أن تتسبب ظروف
الاضاءة المختلفة الزمن في تراوح الخرج من اللوحات الشمسية 10 (على سبيل المثال» على غرار
ثواني أو أقل). يقوم تراوح الفلطية والتيار الموفر للمقوم العكسي 31 بتعريض جودة خرج القدرة للخطر بواسطة المقوم العكسى 31 على سبيل المثال 3 فيما يتعلق بالتردد 3 الفلطية؛ Binal
التوافقى . تتضمن الجهود التقليدية f ag la da glial لإضاءة المختلفة وضع بطاريات ومكثفات عند
مدخل المقوم العكسي 31 و» للأسف؛ تقليل فقط هذه الاختلافات.
فى ضوء ما سبق 3 توجد حاجة لنظام خلية شمسية محسنة وطريقة لكفاء 0 متزايدة وخرج قدرة ‘ Jie
مع الحركة المتزايدة لأزواج ثقب- إلكترون» في محاولة للتغلب على العقبات والعيوب المذكورة 5 مسبقاً لأنظمة الخلية الشمسية التقليدية
الوصف العام للاختراع
يتعلق الكشف الحالي بنظام لتحسين خرج قدرة جهاز كهروضوئي وطرق لاستخدام وعمل ذلك. وفقاً
لجانب أول تم الكشف عنه هناء يتم ذكر طريقة لإدارة جهاز كهروضوئي؛ تشتمل الطريقة على:
استخدام مكون أول ذو اشارة فلطية voltage signal بالجهاز الكهروضوئى»؛ Jia المكون الأول 0 حالة تشغيل لتوليد مجال كهربي خارجي عبر الجهاز الكهروضوئي؛ و
استخدام مكون ثاني ذو اشارة فلطية بالجهاز الكهروضوئي؛ Jian المكون الثاني دورة إيقاف Off
.cycle
في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل استخدام المكون الأول على استخدام فلطية عالية ذات نبض فلطية متغير الزمن من دائرة نابض فلطية voltage pulser circuit ؛ ويشتمل استخدام المكون الثاني على اغلاق دائرة نابض الفلطية. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل استخدام المكون الأول على drag 5 مصدر فلطية وجهاز كهروضوئي في موضع أول خاص بمفتاح موضوع بين مصدر الفلطية والجهاز الكهروضوئي؛ وحيث يشتمل استخدام المكون الثاني على فصل مصدر الفلطية والجهاز الكهروضوئي في موضع ثاني تلمفتا z في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على مراقبة فلطية خرج الجهاز الكهروضوئي عن طريق مجس فلطية مقترن عبر الجهاز الكهروضوئي ومراقبة تيار خرج 0 الجهاز الكهروضوئي عن طريق مستشعر تيار current sensor مقترن على التوالي بين الجهاز الكهروضوئي وحمل مدار بواسطة الجهاز الكهروضوئي. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على ضبط»ء عن Gob دائرة تحكم مقترنة بمصدر الفلطية؛ واحدة على الأقل من مقدارء مدة؛ وتردد المكون الأول لزيادة خرج القدرة إلى الحد الأقصى بناءً على المراقبة. وققاً لجانب AT يتم الكشف die هناء يتم ذكر طريقة إدارة جهاز كهروضوئي؛ يشتمل على: تمكين مصدر فلطية من أن يقترن بالجهاز الكهروضوئي؛ و استخدام اشارة فلطية مولدة بواسطة مصدر الغلطية إلى الجهاز الكهروضوئى؛ يكون لإشارة الفلطية dlls أولى لتوليد مجال كهربي خارجي عبر الجهاز الكهروضوئي وحالة ثانية تمثل دورة إيقاف. 0 في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل تمكين مصدر الفلطية على تمكين واحدة على الأقل من: دائرة نابض فلطية ليتم اقرانها بالجهاز الكهروضوئي لتوفير نبض فلطية مختلف الزمن عبر الجهاز الكهروضوئى؛ يوفر نبض الفلطية المختلف الزمن الحالة الأولى والحالة الثانية؛ و
مفتاح ليتم اقرانه بين مصدر الغلطية والجهاز الكهروضوئي يصل المفتاح مصدر الغلطية
والجهاز الكهروضوئي في موضع أول لتوليد Als أولى ويفصل مصدر الفلطية والجهاز
الكهروضوئي في موضع ثاني لتوليد الحالة الثانية.
في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء؛ يشتمل استخدام إشارة الفلطية على تسليط خرج مصدر فلطية عالي خاص بدائرة نابض الفلطية على الجهاز الكهروضوئي عندما يكون ترانزيستور
تحوبلي خاص بدائرة نابض الفلطية في موضع تشغيل لتوليد الحالة الأولى؛ واستمرار تسليط خرج
مصدر الفلطية العالي حتى يحول المولد النبضي الخاص بدائرة نابض الفلطية الترانزيستور
التحوبلي إلى موضع الغلق لتوليد الحالة الثانية.
في بعض تماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على تمكين دائرة تحكم من
0 أن يتم اقرانها بواحدة على الأقل من المفتاح ودائرة نابض الفلطية. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف dgie تشتمل الطريقة أيضاً على تمكين مجس فلطية من أن يتم اقرانه عبر الجهاز الكهروضوئي لمراقبة فلطية خرج الجهاز الكهروضوئي ومستشعر تيار ليتم اقرانه على التوالي بين الجهاز الكهروضوئي وحمل الجهاز الكهروضوئي لمراقبة خرج تيار الجهاز الكهروضوئي.
5 في بعض تماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة Load على مراقبة فلطية الخرج وتيار الخرج وضبط عن طريق دائرة التحكم مقدار الحالة الأولى لزيادة خرج القدرة إلى الحد الأقصى بناءً على المراقبة. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف gle يشتمل استخدام اشارة الفلطية على توليد مجال كهربي خارجي بواحد على الأقل من اتجاه أول واتجاه ثاني؛ يكون الاتجاه الأول وقطبية
0 الإلكترودات الداخلية الخاصة بالجهاز الكهروضوئي في نفس الاتجاه لزيادة خرج قدرة الجهاز الكهروضوئي؛ وبيكون الاتجاه الثاني في اتجاه مقابل لقطبية الإلكترودات الداخلية لخفض خرج القدرة.
— 1 0 —
في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل تمكين مصدر الفلطية على تمكين مصدر الفلطية من أن يتم اقرانه بواحد على الأقل من الخلية الشمسية؛ مجموعة من WAY الشمسية؛ لوحة شمسية؛ ومجموعة من اللوحات الشمسية .
وفقاً لجانب AT يتم الكشف aie هناء يتم ذكر طريقة إدارة جهاز كهروضوئي؛ تشتمل على:
تمكين نابض فلطية من أن يقترن بالجهاز الكهروضوئي؛ و
استخدام إشارة فلطية مولدة بواسطة نابض الفلطية إلى الجهاز الكهروضوئي؛ يكون لإشارة الفلطية dlls أولى لتوليد مجال كهربي خارجي عبر الجهاز الكهروضوئي وحالة ثانية تمثل دورة إيقاف.
في بعض تنماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل استخدام اشارة الفلطية على استخدام فلطية قابلة للضبط بالجهاز الكهروضوئي.
0 في بعض تماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على تمكين واحد أو أكثر من المحثات التسلسلية من أن يتم اقرانها بين نابض الفلطية وحمل الجهاز الكهروضوئي لإعاقة ترددات اشارة الفلطية إلى الحمل load والتى تكون أكبر من التردد المحدد سلفاً. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على التحكم في واحد على الأقل من تردد مدة الحالة الأولى والحالة الثانية عن طريق دائرة تحكم مقترنة بنابض الفلطية.
5 وققاً لجانب AT يتم الكشف die هناء يتم ذكر طريقة إدارة جهاز كهروضوئي؛ تشتمل على: تمكين منفذ أول خاص بالمفتاح من الاقتران بالجهاز الكهروضوئي؛ تمكين منفذ ثاني خاص بالمفتاح من الاقتران بحمل مدار بواسطة الجهاز الكهروضوئي؛ تمكين منفذ ثالث خاص بالمفتاح من الاقتران بمصدر فلطية؛ حيث يمكن للمفتاح أن يشتغل في موضع أول لتوفير مسار تيار بين الجهاز الكهروضوئي ومصدر الفلطية وموضع ثاني لتوفير
مسار تيار بين الجهاز الكهروضوئي والحمل؛ و
استخدام اشارة فلطية مولدة بواسطة مصدر الفلطية إلى الجهاز الكهروضوئي عندما يكون المفتاح في موضع أول؛ يكون لإشارة الفلطية حالة أولى لتوليد مجال كهربي خارجي عبر الجهاز
— 1 1 — الكهروضوئي عندما يكون المفتاح في الموضع الأول؛ وحالة ثانية لتوفير عزل كهربي بين مصدر الفلطية والحمل عندما يكون المفتاح في الموضع الثاني. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل تمكين المنفذ الأول الخاص بالمفتاح على تمكين منفذ أول خاص بمفتاح ذو تحويلتين من الاقتران بالجهاز الكهروضوئي. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً على التحكم في واحد على
الأقل من تردد ومدة التحويل بين الموضع الأول والموضع الثاني عن طريق وسيلة تحكم في المفتا z مقترنة بمفتا z ذو تحويلتين . في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة Load على تمكين جهاز لتخفيف هبوط الفلطية خارج المكون الأول ليتم اقرانه بين الحمل والجهاز الكهروضوئي.
في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء يشتمل استخدام اشارة الفلطية على استخدام فلطية قابلة للضبط للجهاز الكهروضوئي. في بعض نماذج الطريقة التي يتم الكشف عنهاء تشتمل الطريقة أيضاً التحكم في واحد على الأقل من CAN مقدار ¢ ومدة الحالة الأولى والحالة الثانية عن طريق دائرة تحكم مفترنة بمصدر الغلطية والمفتاح بناءً على تيار خرج الجهاز الكهروضوئي الذي يتم قياسه بواسطة مستشعر تيار مقترن
5 على التوالي بين الجهاز الكهروضوئي والحمل وفلطية خرج الجهاز الكهروضوئي التي يتم قياسها بواسطة مجس فلطية مقترن عبر الجهاز الكهروضوئي. شرح مختصر للرسومات شكل 1 عبارة عن مخطط قطاعي عرضي تمثيلي ذو مستوى علوي يوضح نموذ z خلية شمسية خاصة بالفن السابق.
شكل 2 عبارة عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي ذو مستوى علوي يوضح نموذج مجموعة لوحة شمسية خاصة بالفن السابق باستخدام الخلايا الشمسية الخاصة بشكل 1.
— 2 1 — شكل 3 Ble عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي ذو مستوى علوي يوضح نموذج لنظام إدارة خلية شكل 4 عبارة عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي يوضح نموذج بديل لنظام إدارة الخلية الشمسية الخاص يبشكل 3 ‘ حيث يتم اقران مجموعة لوحة شمسية بمصدر فلطية من خلال d ee .
الأشكال 5أ- د عبارة عن أشكال موجات تمثيلية توضح الفلطية المستخدمة كدالة لزمن مدخلات شكل 6 عبارة عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي يوضح نموذج بديل لنظام إدارة الخلية الشمسية الخاص يبشكل 3 3 حيث يتم اقران مجموعة لوحة شمسية بدائرة نابض فطية . شكل 7 عبارة عن شكل موجة تمثيلي يوضح الفلطية المستخدمة كدالة للزمن المستخدم مع
0 مجموعة اللوحة الشمسية الخاصة بشكل 6. شكل 8 عبارة عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي يوضح أحد نماذج دائرة نابض الفلطية الخاصة بشكل 6. شكل 19 Ble عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي يوضح نموذج بديل لنظام إدارة الخلية الشمسية الخاص بشكل 4؛ حيث يتضمن نظام ادارة الخلية الشمسية دائرة تحكم. 5 شكل 9ب عبارة عن مخطط انسيابي تمثيلي يوضح مخطط Alla لدائرة التحكم الموضحة في شكل 19 شكل 110 Ble عن رسم تخطيطي اطاري تمثيلي يوضح نموذج بديل لنظام إدارة الخلية الشمسية الخاص بشكل 6 حيث يتضمن نظام إدارة الخلية الشمسية دائرة تحكم. شكل 10ب عبارة عن مخطط انسيابي تمثيلي يوضح مخطط حالة لدائرة التحكم الموضحة في 0 شكل J10
الأشكال 11أ- ple a عن أشكال clase تمثيلية توضح نموذج AD بين الفلطية المستخدمة؛ تردد النبض؛ وعرض النبض لخرج التيار المحسن الخاص بالجهاز الكهروضوني بشكل 3. يجب ملاحظة أن الأشكال غير مرسومة بالمقياس ويتم تمثيل عناصر البنيات المتماثلة أو الوظائف بشكل عام بأرقام مرجعية متماثلة لأغراض الإيضاح في كل الأشكال. يجب أيضاً ملاحظة أن الأشكال تكون فقط لتسهيل وصف النماذج المفضلة. لا توضح الأشكال كل جانب للنماذج الموصوفة ولا تحدد مجال الكشف الحالي. الوصف التفصيلي: حيث تفشل أنظمة الخلية الشمسية المتاحة حالياً في زيادة إلى الحد الأقصى خرج قدرة الخلية 0 الكهروضوئية؛ يمكن أن يكون نظام الخلية الشمسية الذي يزيد حركية أزواج ثقب- إلكترون ويقلل تيار الاتحاد في مادة شبه موصلة مرغوب فيه ويوفر أساس لنطاق gave من أنظمة الخلية الشمسية؛ ie زيادة كفاءة وخرج قدرة الخلايا الشمسية المصممة كلوحة شمسية. يمكن أن يتم تحقيق هذه النتيجة؛ وفقاً لأحد النماذج التي يتم الكشف عنهاء بواسطة نظام إدارة خلية شمسية 0 على النحو الموضح في شكل 3. 5 بالرجوع إلى شكل 3؛ يكون نظام إدارة الخلية الشمسية solar cell management system 0 مناسب للاستخدام مع نطاق واسع من الأجهزة الكهروضوئية. في أحد النماذج؛ يمكن أن يكون نظام إدارة الخلية الشمسية 300 مناسب للاستخدام مع الخلية الشمسية solar cell 100 الموضحة في شكل 1. على سبيل المثال؛ يمكن أن تمثل الخلية الشمسية 100 أي جيل مناسب من WAY الشمسية Jie الخلايا التي أساسها رقاقة من السيليكون البللوري crystalline silicon (جيل أول WIA (first generation شمسية ذات طبقة رقيقة رفيعة تتضمن WIA سيليكون غير amorphous silicon cells jlo. (جيل ثاني «(second generation و/أو خلايا الجيل الثالث. يمكن أن يتم استخدام نظام إدارة الخلية الشمسية 300 بشكل مفيد مع أي جيل من الخلية الشمسية 100 بدون تعديل بنائي-والعيوب ذات الصلة.
في نموذج آخر؛ يمكن أن يكون نظام إدارة الخلية الشمسية 300 مناسب للاستخدام مع العديد من الخلايا الشمسية 100( Jie اللوحات الشمسية solar panels 10 الموضحة في شكل 2. على النحو الموضح lisse يمكن أن يتم اقران الخلايا الشمسية المتعددة 100 (على التوالي/ أو على التوازي) Tae لتشكيل لوحة شمسية 10. يمكن أن يتم تركيب اللوحات الشمسية 10 على بنية تدعيم (غير موضحة) عن طريق تركيب أرضيء؛ تركيب سقفي أنظمة تتبع شمسية solar tracking 5 + رفوف ثابتة؛ وهكذا ويمكن أن يتم استخدامها في كل من التطبيقات الأرضية والفضائية. (Jilly يمكن أن يتم استخدام نظام إدارة الخلية الشمسية 300 بشكل مفيد مع أي جيل من اللوحة الشمسية 10 بدون تعديل بنائي-والعيوب ذات الصلة-للوحة الشمسية 10. على النحو الموضح في شكل 3 يتعاون الجهاز الكهروضوئي photovoltaic device 200 0 مع مجال كهربي electric field 250. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتم استخدام قطبية المجال الكهربي 250 إما في نفس الاتجاه أو في اتجاه معاكس Jie قطبية الإلكترودات polarity of the electrodes 1101( 101ب (موضح في شكل 1) في الجهاز الكهروضوئي 200. على سبيل المثال» إذا تم استخدام المجال الكهربي 250 في نفس الاتجاه مثل قطبية الإلكترودات 101ا؛ 1ب في الجهاز الكهروضوئي 200؛ فيؤثر المجال الكهربي 250 على أزواج الثقب-الإلكترون 5 في الجهاز الكهروضوئي 200 لفرض قوة-6-2 أو ]+0 على الإلكترون أو الثقب» على التوالي- Mall تسارع حركية الإلكترون والثقب تجاه الإلكترودات الخاصة بهم. بدلاً من ذلك؛ إذا تم عكس قطبية المجال الكهربي 250 تنخفض حركية أزواج الثقب-الإلكترون في الجهاز الكهروضوئي 0. وبالتالي زيادة تيار الاتحاد في الجهاز الكهروضوئي 200. وبالتالي؛ يمكن أن يتم تقليل كفاءة الجهاز الكهروضوئي 200 على النحو المطلوب؛ Jie لإدارة خرج قدرة الجهاز الكهروضوئي 0 200 Ble على ذلك؛ يمكن أن يكون المجال الكهربي 250 المستخدم في الجهاز الكهروضوئي 200 ثابت أو مختلف الزمن على النحو المطلوب. في الحالة حيث يكون المجال الكهربي 250 مختلف الزمن؛ يكون للمجال الكهربي 250 مقدار متوسط زمن الذي يكون غير صفري. بعبارة أخرى؛ يكون صافي القوة على الإلكترونات والثقوب غير صفري لتوفير حركية متزايدة في أزواج الثقب- 5 الإلكترون الخاصة بالجهاز الكهروضوئي 200.
إذا كان ينطبق على الخلية الشمسية التقليدية 100 الخاصة بشكل 1؛ في غياب حمل خارجي age) 0 في شكل 1)؛ فيمكن أن يتم استخدام فلطية خارجية عبر الإلكترودات 101 101ب الخاصة بالخلية الشمسية 100 لإحداث المجال الكهربي 250. في أحد النماذج؛ يتم تحديد المجال الكهربي 250 (على سبيل المثال؛ بين الإلكترودات 101 101ب) بواسطة المعادلة 1: و Ua) -ع (معادلة 1)
في المعادلة 1؛ يمثل 5 المجال الكهربي 250؛ يكون VAPP عبارة عن الفلطية المستخدمة خارجياً في الجهاز الكهروضوئي 200 يكون VP عبارة عن خرج فلطية الجهاز الكهروضوئي 0 (على سبيل (Jha) - 30 فولت)؛ ويكون + هو سمك المادة شبه الموصلة في الجهاز الكهروضوئي 200 من الإلكترود 101 إلى 101ب. على سبيل المثال؛ بافتراض Vapp - Vp
0 = 200 فولت (سمياً) وسمك + حوالي 0.02 سم؛ يكون المجال الكهربي 250 حوالي 10 كيلوفولت/سم. يتح من المعادلة 1 أنه حيث ينخفض سمك ؟ الجهاز الكهروضوئي 200 (على سبيل (Jia) أقل من 0.01سم)؛ فيمكن أن يتم توليد مجالات كهربية أعلى 250 باستخدام نفس الفلطيات أو فلطيات أقل. على النحو الموضح عاليه؛ يقوم الجهاز الكهروضوئي 200 بصورة نمطية بتشغيل حمل خارجي؛
مثل الحمل 30 الخاص بالخلية الشمسية 100. بالرجوع إلى المعادلة 1؛ إذا تم استخدام فلطية خارجية VAP مباشرةً على الجهاز الكهروضوئي 200 الذي يشغل الحمل الخارجي 30؛ فيمكن أن يتضمن الحمل الخارجي 30 مكونات مقاومة التي تسحب التيار من مصدر الفلطية المستخدمة م0//. بعبارة أخرى؛ (Sar أن يقوم استخدام فلطية خارجية VAPP على الجهاز الكهروضوئي 0 بتقل القدرة بشكل فعال للدائرة الكلية المتمثلة بواسطة المعادلة 2:
0 قدرةالدخل ا (معادلة 2). في المعادلة 2 يمثل Ry معاوقة الحمل الخارجي 30. في بعض الحالات؛ يمكن أن تكون قدرة الدخل أكبر إلى حد كبير من خرج قدرة الجهاز الكهروضوئي 200. وبالتالي؛ يتم تصميم جهاز إدارة الخلية الشمسية 300 لاستخدام مجال كهربي 250 عبر الجهاز الكهروضوئي 200 بدون
حقن طاقة أكثر من التي يقدر الجهاز الكهروضوئي 200 على انتاجها أو طاقة أكثر مما يمكن الحصول عليه بواسطة استخدام المجال الكهربي عبر الجهاز الكهروضوئي 200. يمكن أن يستخدم نظام إدارة الخلية الشمسية 300 الفلطية الخارجية VApp على الجهاز الكهروضوئي 200 باستخدام أي وسيلة مناسبة موصوفة cls بما في ذلك استخدام مفتاح 55 على النحو الموضح في شكل 4. بالرجوع إلى شكل 4؛ يمكن أن يمثل الجهاز الكهروضوئي 200 أي عدد من الأجهزة الكهروضوئية مثل الخلية الشمسية 100 و/أو اللوحات الشمسية 10 على النحو الموضح. يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 بالمفتاح 55؛ Jie قطب واحد؛ مفتاح ذو تحويلتين (أو ثلاث تحويلات) على النحو الموضح. في أحد النماذج؛ يتم اقران المفتاح 55 أيضاً بمصدر فلطية 50 وحمل خارجي Je) RL external load سبيل (JU الموضح كمقوم 0 عكسي 31). يمكن أن يقوم المقوم العكسي 31 بتحويل فلطية تيار مباشر Direct current DC وتيار إلى فلطية تيار متردد lag AC Alternating current حيث تكون متوافقة في الفلطية والتيار مع شبكات القدرة AC التقليدية. يمكن أن يكون تردد خرج المقوم العكسي 31 وسعة التيار AC الفلطية ply على البلد؛ الموقع؛ ومتطلبات الشبكة المحلية. يمكن أن يتضمن مصدر الفلطية 50 أي وسيلة مناسبة للحفاظ على فلطية ثابتة؛ بما في ذلك 5 مصادر الفلطية النموذجية؛ مصادر الفلطية المقننة؛ وهكذا. ومع ذلك؛ في بعض النماذج-كما في النموذج الموضح أدناه بالرجوع إلى شكل 9أ-يمكن أن يكون لمصدر الفلطية 50 خرج pie قابل للضبط (على سبيل المثال» فلطية متغيرة الزمن). يتم اقران مفتاح تحكم (أو سيلة تحكم) 45 بالمفتاح 55 للتحكم في مدة التوصيل و/أو تردد التحويل» die بين مصدر الفلطية 50 والمقوم العكسي 31 إلى اللوحات الشمسية 10. يمكن أن يتم ضبط وسيلة التحكم في المفتاح 45 مسبقاً 0 ليعمل عند مدة تحويل ثابتة duration "0 " وتردد تحويل frequency آ " (موضح في الأشكال 5أ-ج). يمكن أن تكون الفلطية المستخدمة في الموضع الأول للمفتاح 55 ثابتة Bly على مصدر الفلطية 50. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتم مسبقاً ضبط و/أو اختلاف مقدار الفلطية المستخدمة بواسطة مصدر الفلطية 50؛ D sae التوصيل» و/أو تردد التحويل gly على ظروف الحمل.
على سبيل المثال؛ يقوم المفتاح 55 بتوصيل اللوحات الشمسية 10 بمصدر الفلطية 50 في موضع أول (على النحو الموضح بالسهم في المفتاح 55 بشكل 4). عند التوصيل في الموضع الأول يستخدم مصدر الفلطية 50 فلطية مم8/اعبر الإلكترودات 101 101ب (موضح في شكل 1) للوحات الشمسية 10 ويحث المجال الكهربي 250 (الموضح في شكل 3) عبر كل لوحة شمسية 10. بمجرد أن يتم تأسيس المجال الكهربي 250 عبر اللوحات الشمسية 10؛ فيتحول المفتاح 55 لتوصيل اللوحات الشمسية 10 بالمقوم العكسي 31 (أي؛ الحمل (RL في الموضع الثاني. بالتالي؛ يمكن أن يوفر مصدر الفلطية 50 المجال الكهربي 250 بدون توصيله باللوحات الشمسية 10 والمقوم العكسي 31 في نفس الوقت. وبالتالي»؛ بالرجوع مرة أخرى للمعادلة 2 لا يسمح استخدام الفلطية الخارجية VApp external voltage للحمل RL (على سبيل المثال؛ 0 المقوم العكسي 31) بسحب التيار Bale من مصدر الفلطية voltage source 50. يمكن أن يقوم استخدام المجال الكهربي 250 على اللوحات الشمسية 10 بزيادة التيار وخرج قدرة اللوحات الشمسية 10 بواسطة مقدار محدد سلفاً عندما يتم بالتالي توصيل اللوحات الشمسية 10 بالمقوم العكسي 31 في الموضع الثاني. يعتمد المقدار المحدد سلفاً على شدة الضوء الساقط على اللوحات الشمسية 10؛ الفلطية المستخدمة م80/اعلى اللوحات الشمسية 10 بواسطة مصدر LL 5 50؛ سمك اللوحات الشمسية 10؛ fall حيث يتم توصيل مصدر الفلطية 50 باللوحات الشمسية 10؛ ودورة تشغيل عملية التحويل بين الموضع الأول والموضع الثاني-مع تحديد دورة التشغيل على أنها مقدار الزمن حيث يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 بمصدر الفلطية 50 مقسوماً عل 1/ 1 زمن التحويل esl) مضروياً في التردد 5 أو مقسوماً على الفترة الكلية للاشارة). يجب ملاحظة أن المدة الزمنية للتحويل 0ا» تردد التحويل أءودورة التشغيل تكون كلها عبارة عن 0 كميات مترابطة بحيث يسمح تحديد أي اثنين من الكميات بتحديد الكمية الثالثة. على سبيل المثال» يسمح تحديد تردد التحويل ودورة التشغيل بتحديد المدة الزمنية للتحويل لا. على سبيل المثال؛ في ظروف شدة span عالية؛ يمكن أن يكون التحسين في خرج القدرة على غرار 9620؛ في ظروف اضاءة منخفضة low light ¢ 50+ 96.
يوفر النموذج الموضح في شكل 4 بشكل مفيد المجال الكهربي 250 للجهاز الكهروضوئي 200 بدون الحاجة لتعديل اللوحات الشمسية 10 و/أو الخلايا الشمسية 100 لتتضمن إلكترودات اضافية؛ خارجية. في بعض lal يمكن أن يتم وضع جهاز تخزين طاقة-مثل مكثف 41؛ محث 42 و/أو بطارية 43-قبل المقوم العكسي 31 لتخفيف أي هبوط فلطية يمكن رؤبته بواسطة المقوم العكسي 1 بينما يكون المفتاح 55 في الموضع الأول. وبالتالي؛ بينما يتم فصل المقوم العكسي 31 (أي؛ الحمل) عن اللوحات الشمسية 10 عندما يكون المفتاح 55 في الموضع الأول وبتم تأسيس المجال الكهربي 250 عبر اللوحات الشمسية 10 (أي؛ زمن التحويل 00 الموضح في الأشكال 5أ- د)؛ يقوم جهاز تخزين الطاقة بإمداد الطاقة للمقوم العكسي 31 لإبقاء التيار يتدفق أثناء فترة التحويل 0 هذه. بعبارة أخرى؛ (Ser أن يقوم جهاز تخزين الطاقة بالتفريغ بينما يتم فصل اللوحات الشمسية 0 عن المقوم العكسي 31. وبالتالي» يكون من المطلوب توفير فلطية ثابتة من مصدر الفلطية 50-الذي يخلق بدوره مجال كهربي 250-بشكل مستمر لرؤية تحسين في خرج قدرة اللوحات الشمسية 10. على سبيل المثال؛ بمدة تحويل زمنية 0 اعتبارياً 10- 2000 نانو VApP «dui ذات 100- 500+ فولت ollie) 5 وتردد تحويل f 20 ميكرو ثانية؛ ويمكن أن يتم استخدام دورة تشغيل اعتبارياً 0.1- 9610. يتم اختيار المحث 42؛ ESA 41؛ و/أو البطارية 43 لتكون بحجم كافي لتوفير تفريغ كافي بينما يتم فصل اللوحات الشمسية 10 في حين يتم وضع المجال الكهربي 250 عبر اللوحات الشمسية 0 كي لا يتسبب في هبوط خرج المقوم العكسي inverter 31. على سبيل المثال؛ يتم تحديد حجم CES 41 الذي يتم وضعه عبر الحمل (على سبيل (Jal 0 المقوم العكسي 31) بواسطة ضعف فلطية مقبول الذي يمكن أن يحتمله المقوم العكسي 31 أثناء زمن التحويل 0ا. على سبيل المثال؛ إذا لم يكن وهن الفلطية أثناء زمن التحويل D أقل من 9690 من أقصى فلطية متولدة بواسطة الجهاز الكهروضوئي 200 فيحتاج المكثف أن يتم تحديد حجمه وفقاً للمعادلة 3: اا = 041 (معادلة 3)
LIn(Maxv)
في معادلة 3؛ يكون D عبارة عن المدة ليتم توصيل المفتاح بمصدر الفلطية 50 ويكون MaxV عبارة عن النسبة المئوية لأقصى فلطية مطلوبة (على سبيل (Jud 9690 في المثال عاليه). بطريقة (Alle يمكن أن يتم حساب المحاثة و/أو البطارية. يوضح شكل 15 فلطية تحكم AS للزمن من وسيلة التحكم في المفتاح 45 لتفعيل والتحكم في المفتاح 55 باستخدام نظام إدارة الخلية الشمسية 300 الخاصة بشكل 4. في هذا المثال؛ يتم فصل اللوحات الشمسية 10 عن المقوم العكسي 31 وتوصيلها بمصدر الفلطية 50 في الموضع الأول للمفتاح 55 للمدة 0 التي يتم تكرارها كل 1/ 1 ثواني. يوضح شكل كب الفلطية كدالة للزمن من مصدر الفلطية 50 الموفر للمفتاح 55 عند الموضع الأول. يوضح شكل 5ج فلطية خرج المفتاح 55 من اللوحات الشمسية 10 (عند توصيل الأسلاك على التوازي) كدالة للزمن عند 0 خرج المفتاح 55 الذي يقترن بالمقوم العكسي 31 في الموضع الثاني. ial يوضح شكل كد الفلطية كدالة للزمن عند خرج المفتاح 55 الذي يقترن بالمقوم العكسي 31 الذي به مكثف 41 المقترن بينهما. يتم تعيين الهبوط في الفلطية المرئية بواسطة المقوم العكسي 31 الموضح في شكل 5د عند نهاية مدة التحويل 0 بوهن الفلطية الموضحة عاليه. يعتمد وهن الفلطية على حجم المكثف 41؛ المحث 5 42؛ و/أو البطارية 43. في أحد أمثلة النظام 300 التي لا تتضمن المكثف 41؛ المحث 42؛ أو البطارية 43 تظهر الفلطية المستخدمة عبر مدخل المقوم العكسي 31 كفلطية الخرج الموضحة في شكل a5 يوضح شكل 6 نموذج بديل لنظام إدارة الخلية الشمسية 300 الخاصة بشكل 3. بالرجوع إلى شكل 6 يمكن أن يمثل الجهاز الكهروضوئي 200 أي عدد من الأجهزة الكهروضوئية مثل الخلية 0 الشمسية 100 و/أو اللوحات الشمسية 10 على النحو الموضح. على النحو الموضح؛ يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 بالأسلاك على التوازي؛ لكن يمكن أن يتم توصيلها أيضاً بالأسلاك على التوالي وأي توليفة منهما. يمكن أن يقوم نابض فلطية 60؛ Jie مولد نابض فلطية عالي؛ باستخدام نبض فلطية متغيرة الزمن 71 (موضحة في شكل 7) عبر واحدة أو أكثر من اللوحات الشمسية 10. في أحد النماذج؛
— 2 0 —
يمكن أن تكون مدة DP نبض الفلطية 71 قصيرة-اسمياً 10- 2000 نانو ثانية-ومقدار يمكن أن يكون عالي-اسمياً 100- 500+ فولت. في النموذج الموضح في شكل 6؛ يتم تثبيت الفلطيات المستخدمة؛ عرض النبض»؛ وتكرار النبض عند مستوى محدد سلفاً لتوفير أمثل أداء تحت ظروف التشغيل المختارة. على سبيل المثال؛ بالرجوع إلى الأشكال 6 و7 يكون لنبض الفلطية 71 مدة DP 5 حوالي 1000 نانو ثانية؛ حيث يتم تكرار نبض الفلطية 71 بفترة 1/1 . يتم اختيار مدة DP نبض الفلطية 71 وتردد آ نبض الفلطية voltage pulse 71 بحيث تقدم مفاعلة وسائل الحث في المقوم العكسي للفلطية 31 معاوقة عالية لنابض الفلطية 60؛ حيث تسمح المعاوقة العالية Ob يتم تطوير فلطية عالية عبر الإلكترودات 1101( 101ب (الموضحة في شكل 1) للوحات
الشمسية 10 ولا يجب أن يتم افراغها بواسطة المقوم العكسي 31.
0 بالاضافة إلى ذلك؛ يمكن أن يتم وضع وسائل الحث المتصلة على Jal (غير موضحة) عند مدخل المقوم all 31؛ Cun تكون وسائل الحث المتصلة على Nall قادرة على dallas دخل التيار إلى المقوم العكسي 31 وتعمل كخانق RF choke بحيث يتم لا تخفيف نبضات الفلطية 1 (أو تقصيرها بشكل بشكل فعال) بواسطة المكون المقاوم للمقوم العكسي 31. يمكن أن تكون دورة التشغيل (نبضة زمنية فى Alls التشغيل/ نبضة زمنية في Alla الإيقاف) اسمياً 0.1- 9610.
تكون قوة المجال الكهربي 250 المفروض على الجهاز الكهروضوئي 200 le عن دالة انشاء الجهاز الكهروضوئي 200؛ مثل سمك الجهاز الكهروضوئي 200؛ مادة وثابت العزل الكهربي للجهاز الكهروضوئي 200( أقصى فلطية انهيار خاصة بالجهاز الكهروضوئي 200 وهكذا. بالنسبة لنبض الفلطية 71 الموضح في شكل 7 يتسبب تحليل Fourier الخاص بهذا الشكل الموجي في سلسلة من النبضات بترددات 0090 c= حيث 277 = «ه ويتم الحصول على قوة
0 التنبضات بواسطة المعادلة 4: sinnmt 0 _ : ال V(w) = 7 Vapp Ye —oo (معادلة 4( فى المعادلة 4؛ يكون 0 عبارة عن سلسلة من الأعداد الصحيحة من »- إلى »+ . بالتالى؛ يكون لنبض الترتيب الصفري (أي؛ N = صفر) مكون DC الذي يتم تقصيره من خلال الحمل المقاوم ل. يكون الترتيب الأول لنبض الفلطية 71 المستخدم عبر اللوحات الشمسية 10 عبارة عن
VApp )1 - أ/م0)» حيث يكون DPF عبارة عن دورة تشغيل النبضة؛ يكون DP عبارة عن مدة النبضة؛ ويكون Ble عن معدل تكرار النبض. حيث تعمل محاثة المقوم العكسي 31 كمعاوقة عالية 2 لنبض الفلطية 71 المولد بواسطة النموذج الخاص بشكل 6؛ يتم تطوير نبض فلطية عالي 71 عبر كل من اللوحات الشمسية 10( التي؛ بدورهاء تحدث مجال كهربي عالي 250 عبر اللوحات الشمسية 10.
على النحو الموضح في شكل 6؛ يمثل المقوم العكسي للفلطية 31 الحمل الخارجي RL ومع lly يمكن أن يتضمن الحمل الخارجي RL مكونات مقاومة ببساطة بحيث يمكن أن يتم وضع مجموعة من وسائل الحث على التوالي مع الحمل RL للعمل كخانق RFE بحيث يتم استخدام نبض
الفلطية 71 (والمجال الكهربي 250) عبر اللوحات الشمسية 10.
0 .يمكن أن يتم استخدام أي عدد من الدوائر في نابض voltage pulseriihlill 60 لاستخدام نبض الفلطية 71 على النحو المطلوب. يتم توضيح أحد هذه الدوائر التمثيلية المستخدمة في نابض الفلطية 60 في شكل 8. على النحو الموضح؛ يتضمن نابض الفلطية 60 مولد نبض pulse generator 61 (غير موضح)؛ مصدر فلطية Je 69 (غير (mage ترانزستور تحويل switching transistor 68 لتسليط نبض الفلطية العالي high voltage 71 على
5 اللوحات الشمسية 10 (على سبيل (Jd) بواسطة تحويل خرج مصدر الفلطية العالي high voltage source 69 إلى اللوحات الشمسية 10) الموضحة في شكل 6. يحتوي نابض الفلطية 0 الخاص بشكل 8 على جهاز ينقل الاشارات الكهربية بين اثنين من الدوائر المعزولة كهريياً؛ باستخدام الضوء؛ مثل عازل ضوئي opto-isolator 62 لعزل مولد النبض 61 عن ترانزستور تحويل الفلطية العالية 68. بشكل مفيد؛ يمنع العازل الضوئي 62 الفلطية العالية (على سبيل
0 المثال؛ من مصدر الفلطية العالي 69) من التأثير على اشارة النبض 71. يتم توضيح دائرة العازل الضوئي opto-isolator circuit 62 بمسامير pins 1- 8 ويتم توضيحها eS من دائرة الدخل لنباض الفلطية 60. يوفر امداد فلطية الانحياز bias voltage supply 63 (غير موضح) فلطية (على سبيل (JU 15 فولت تيار مباشر) للعازل الضوئي opto-isolator 62 لإمداد الانحياز المطلوب
5 لللعازل الضوئي 62. capacitor ial ash 64 بعزل امداد فلطية الانحياز 63؛ مع عمل
مسار AC لأي اشارة من تشويه امداد الانحياز للعازل الضوئي 62. تكون المسامير 6 و7 الخاصة بالعزل الضوئي 62 عبارة عن خرج اشارة تحويل العازل الضوئي 62 المستخدم لتشغيل ترانزيستور تحويل الفلطية العالية 68. يتم استخدام صمام ثنائي 66-مثل صمام زثئر الثنائي- لإبقاء القيمة الحدية للتحويل الخاصة بترانزبستور التحويل switching transistor 68 أعلى من النقطة المضبوطة للصمام الثنائي 66؛ مع A) أي تشويش من تشغيل ترانزيستور التحويل 68 بدون قصد. ashy المقاوم 67 بضبط نقطة الانحياز للبوابة © وياعث 5 ترانزيستور التحويل 68. عندما تتجاوز الفلطية المستخدمة عبر المسامير 6 و7 الخاصة بالعازل الضوئي 62 القيمة الحدية المضبوطة بواسطة المقاوم 67؛ فيتم 'تشغيل" مقاوم التحويل 68 وبتدفق التيار بين المجمع © والباعث ا الخاص بترانزيستور تحويل الفلطية العالية 68. بالتالي؛ يقدم ترانزيستور تحويل الفلطية 0 العالية 68 مصدر فلطية عالية محقونة للوحات الشمسية 10 حتى يصبح نبض التحكم الوارد من مولد النبض 61 أقل من القيمة الحدية المضبوطة على © الخاص بترانزستور تحويل الفلطية العالية 68؛ الذي يوقف تدفق التيار عبر قيام 0-6 ب le’ ترانزيستور التحويل 68. كما في النماذج السابقة الموصوفة عاليه؛ يمكن أن يقوم استخدام المجال الكهربي 250 في اللوحات الشمسية 10 بزيادة التيار وخرج قدرة اللوحات الشمسية 10 عندما تتصل بالتالي بالمقوم 5 العكسي 31 بواسطة مقدار محدد سلفاً (على سبيل المثال؛ ply على كثافة الضوء الساقط على اللوحات الشمسية 10( الفلطية المستخدمة م800 في اللوحات الشمسية 10 بواسطة مصدر الفلطية 50؛ سمك اللوحات الشمسية 10( عرض النبض DP " pulse duration " والتردد آ Cus يتم استخدام نبض الفلطية 71 في اللوحات الشمسية 10( وهكذا). بالمثل» في ظرف BUS الضوء العالية؛ فيمكن أن يكون تحسين في خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 على غرار 9620؛ 0 ويكون في ظروف الضوء المنخفض 50+ Yo يمكن أن يتم قياس التحسين في أداء الجهاز الكهروضوئي 200 الذي يتعاون مع المجال الكهربي 0 كزيادة في تيار الدائرة القصيرة الخاص بالخلية الشمسية؛ 1506 على النحو الموضح في المعادلة 5: Isc = IBase [1 + c¢(V(t, f).t, €) *(pmax - p)] (معادلة 5)
Cua يكون 18856 عبارة عن تيار الدائرة القصيرة عندما لا يتم استخدام مجال كهربي خارجي 0 ويكون pmax عبارة عن أقصى قدرة ضوئية بواسطتها لا تقوم أي قدرة اضافية بإحداث أي أزواج اضافية ثقب- إلكترون. حيث يتم إدارة التحسين في خرج تيار الخلية الشمسية بواسطة المجال الكهربي 250؛ يمكن أن يتم وصف الصيغة f) te) ,)/0)7 بواسطة المعادلة 6: m(t, €) VApp *(1-exp(t/to ))*exp(-fdecay/f) 5 = (ت c(V(t, f), t, (معادلة 6( في المعادلة 6 يعتمد (ع M(t على الجهاز الكهروضوئي 200. يمكن أن يكون التحسين في تيار الدائرة القصيرة 150 بسبب المجال الكهربي 250 Lhd فيما يتعلق بالفلطية المستخدمة 0.. يكون للتحسين الملاحظ فيما يتعلق بمعدل تكرار النبض معدل اضمحلال مميز (1/fdecay) 0 وليتصرف بشكل تصاعدي فيما يتعلق بمعدل النبض آ. يمكن أن يتصرف التحسين الملاحظ Led يتعلق بعرض النبض + بشكل تصاعدي Lad ويصف كيف تصل الفلطية المستخدمة VAPP بسرعة للمقدار الكامل. يعتمد التحسين الملاحظ فيما يتعلق بعرض النبض T على تفاصيل نابض الفلطية 60. يتم توضيح الزيادة في تيار الدائرة القصيرة short circuit Isc” current " ؛ كدالة للفلطية المستخدمة (VAPP معدل تكرار النبض of وعرض النبض T 5 في الأشكال 11أ- ea على التوالي. يوضح شكل 111 التحسين المتوقع في تيار الدائرة القصيرة 56ا؛ للوحة الشمسية 10 (الموضح في شكل 2) كدالة لمقدار نبض الفلطية المستخدمة VAPP على النحو الموضح؛ يتم تثبيت عرض النبض ومعدل تكرار النبض ويختلف مقدار نبض الفلطية من 50 إلى 250 فولت. يزداد التحسين في تيار الدائرة القصيرة AISC من 0.1 إلى 2 أمبير. يكون التغير في تيار الدائرة 0 القصيرة AISC كدالة لنبض الفلطية المستخدم sl VAPP تقريباً خطي. يوضح شكل 11ب التغير في تحسين تيار الدائرة القصيرة AS AISC لمعدل تكرار النبض لعرض نبض ثابت ونبض فلطية ثابت. على النحو الموضح في شكل 11ب؛ ينخفض التحسين في تيار الدائرة القصيرة AISC من تقريباً 1.7 أمبير إلى حوالي 0.45 أمبير حيث يزداد معدل تكرار النبض من 10 إلى 0 في وحدات الزمن المطلقة. يكون هذا التصرف تصاعدي تقريباً. يوضح شكل all تغير في تحسين تيار الدائرة القصيرة AISC كدالة لعرض النبض لمعدل تكرار نبض ثابت ونبض فلطية
ثابت. لهذا (JE) يزداد تحسين تيار الدائرة القصيرة» AISC من صفر إلى 1.2 أمبير حيث يزداد
عرض النبض من صفر إلى 2000 بمرور الزمن.
في كل من النماذج الموصوفة؛ تقوم زيادة قوة المجال الكهربي 250 عبر الإلكترودات 1101؛
1ب الخاصة بالخلية الشمسية 100 أو اللوحة الشمسية 10 بزيادة كفاءة الخلية الشمسية 100 أو اللوحة 10؛ على سبيل (JB حتى أقصى قوة مجال كهربي electric field strength
Emax بعبارة أخرى»؛ بمجرد أن تصل قوة المجال الكهربي 250 لأقصى قدرة؛ يتم تقليل معدل
اتحاد الثقب- الإلكترون. Jl يمكن أن يكون من المفيد تصميم دائرة التحكم الخاصة بالجهاز
الكهروضوئي 200 لزيادة تيار الخرج والفلطية إلى الحد الأقصى تحت ظروف تشغيل مختلفة.
على سبيل المثال؛ بالرجوع إلى شكل 19 يتم توضيح مستشعر تيار current sensor 33
0 ومجس فلطية voltage probe 32 مقترنين allay إدارة الخلية الشمسية 300 الخاص بشكل 4. على النحو الموضح؛ يتم اقران مستشعر التيار current sensor 33 على التوالي بين اللوحة الشمسية 10 والمقوم العكسي 31. يمكن أن يقوم مستشعر التيار 33 بمراقبة خرج تيار اللوحة الشمسية 10. بالمثل؛ يتم توصيل مجس الفلطية 32 عبر اللوحات الشمسية 10 والمقوم العكسي 1 لمراقبة فلطية خرج اللوحة الشمسية 10.
5 يتم اقران دائرة تحكم control circuit 35 بكل من مستشعر التيار 33 عن طريق أسلاك تحكم 133 ومجس الفلطية 32 عن طريق أسلاك التحكم16805١ control 32ا. يمكن أن يكون مستشعر التيار 33 عبارة عن وحدة قياس متوازية وحثية وبقيس خرج تيار اللوحات الشمسية 10. call يتم استخدام مستشعر الفلطية 32 لقياس خرج فلطية اللوحات الشمسية 10. يكون ناتج التيار المقاس من مستشعر التيار 33 والفلطية المقاسة من مجس الفلطية 32 عبارة عن خرج قدرة
0 اللوحات الشمسية 10 إلى المقوم العكسي 31. في بعض النماذج؛ يمكن أن يعمل مجس الفلطية 32 Load كمصدر قدرة لدائرة التحكم 35 ويكون فعال فقط طالما يتم اضاءة اللوحات الشمسية 10 ويوفر قدرة كافية لتفعيل دائرة التحكم 5. يتم اقران دائرة التحكم 35 أيضاً بالمفتاح 55 لتحديد أزمنة التحويل والتردد الموضحين بالرجوع إلى شكل 4. يمكن أن يتم التحكم في مدة أزمنة التحويل والتردد لاستخدام الفلطية VAPP
عبر اللوحات الشمسية 10 بحيث يتم زيادة كل من التيار المتولد في الخلية الشمسية 100 والمقاسة بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32 إلى الحد الأقصى في ظل ظروف
تشغيل مختلفة؛ Jie في ظروف اضاءة مختلفة أو متغيرة. في أحد النماذج لاستخدام المجال الكهربي 250؛ لا تقوم اللوحة الشمسية 10 مبدئياً بتوليد القدرة؛ على سبيل (Jal أثناء الليل أو التغطية السحابية الثقيلة. حيث يتم اضاءة اللوحات الشمسية 10 (على سبيل المثال؛ sll النهار)؛ يتم توليد الفلطية والتيار بواسطة اللوحات الشمسية 10( وتبدأ الأسلاك 132 في توصيل كل من التيار والفلطية لدائرة التحكم 35. تحتوي دائرة التحكم 35 على امداد قدرة منطق فلطية منخفضة (غير موضحة) لتشغيل منطق التحكم في دائرة التحكم 35. تتضمن دائرة التحكم 35 أيضاً مصدر القدرة 50 لتوفير امداد قدرة فلطية عالية. يكون لمصدر
0 الفلطية 50 خرج متغير الذي يمكن أن يتم ضبطه بواسطة دائرة التحكم 35 ويكون مسئلاً عن وضع 1/00 على سلك 38. يقوم خرج الفلطية العالية VAP من دائرة التحكم 35 بتشغيل السلك 38 وبتم توصيله بالمفتاح 55. يتم استخدام السلك 38 لتسليط فلطية VApp من خلال المفتاح 55 على اللوحات الشمسية 10. في هذا المثال؛ يتم تصميم دائرة التحكم 35 بحيث لا تسلط أي فلطية VApp على اللوحات الشمسية 10 حتى يتم توليد قدرة كافية بواسطة اللوحات
5 الشمسية 10 لتفعيل كل من امداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة وامداد قدرة الفلطية العالية. في نموذج بديل؛ يمكن أن يتم تصميم دائرة التحكم 35 لاستخدام المجال الكهربي 250 وزيادة خرج القدرة إلى الحد الأقصى حيث تتزايد وتتناقص الاضاءة في اليوم. يمكن أن توفر دائرة التحكم 5 المجال الكهربي 250 وتوفر استقرار خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 وفقاً لأي طريقة موصوفة عاليه؛ Las في ذلك العملية 9000 الموضحة في شكل 9ب.
0 بالرجوع إلى شكل 9ب؛ تتضمن العملية 9000 بدء القدرة؛ عند الخطوة 900. يجب أن توجد قدرة كافية من خرج اللوحات الشمسية 10 لتفعيل كل من امداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة؛ التي تقوم بتشغيل منطق التحكم في دائرة التحكم 35؛ وامداد قدرة الفلطية العالية الضرورية لوضع فلطية عالية على السلك 38 ومن خلال المفتاح 55. بدلاً من ذلك؛ يمكن أن يتم امداد دائرة التحكم 35 بالقدرة من مصدر خارجي (غير موضح)-على سبيل المثال؛ بطارية؛ مكثف كبير؛
5 امداد قدرة AC خارجي-الذي يسمح بتشغيل امداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة ولدائرة التحكم 35
بمراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 حتى تولد اللوحات الشمسية 10 خرج قدرة كافية لضمان تسليط المجال الكهربي 250 على اللوحات الشمسية 10 لزيادة خرج القدرة الخاصة بها. حيث يتم بدء تشغيل دائرة التحكم 35( فيتم بدء كل المتغيرات (على سبيل المثال؛ الفلطية العالية المستخدمة م0 زمن مدة التحويل D وتردد التحويل 7). في أحد النماذج؛ يتم ضبط الفلطية العالية المستخدمة VAPP على صفر بينما يتم ضبط مدة التحويل D وتردد التحويل ؟ على القيم الاسمية D=T0 و 10 = Sf يتم بدء كل مؤشرات التحكم control indices 100 ؛ وز على الصفر. ثم تحدد دائرة التحكم 35( عند الخطوة 901 سواء إذا كانت الفلطية على gall المقاس على مجس الفلطية 32 أعلى أو أقل من الحد الأدنى المحدد سلفاً vmin وسواء إذا كان التيار على النحو المقاس على مستشعر التيار 33 أعلى من الحد الأدنى المحدد سلفاً 0أ101. يتم اختيار توليفة iming vmin | 0 بحيث يتم تحديد اللوحات الشمسية 10 المراد اضاءتها وتوليد بعض النسب المثوية dan) على سبيل Ji 965؛ من متوسط القدرة المقدرة وأنه يوجد قدرة كافية يتم توليدها لإمداد مصدر القدرة 50 في دائرة التحكم 35 لزيادة خرج اللوحات الشمسية 10. إذا حددت دائرة التحكم 35 أن كل من التيار المقاس والفلطية كانوا أعلى من الحدود الدنيا المحددة سلفاً الخاصة cag فتكون دائرة التحكم 35 الآن تشغيلية وتتحرك العملية 9000 للخطوة 903؛ بخلاف ذلك 5 تدخل العملية 9000 في حالة انتظار, عند الخطوة 902( وتعود للخطوة 900. في خطوة 903؛ تقيس دائرة التحكم 35 التيار المتدفق في المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر التيار 33( الفلطية عبر المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر الفلطية 32 وتحسب القدرة Land) فلطية التيار (X المتدفقة من خلال المقوم العكسي 31. يتم زيادة مؤشر التحكم n control indice إلى +n 1. 0 في خطوة 904 تقارن دائرة التحكم 35 VApp ب Vmax يمكن أن يكون Vmax عبارة عن das محددة سلفاً ويمثل أقصى فلطية التي يمكن أن يتم وضعها على اللوحات الشمسية 10 بدون اتلاف اللوحات الشمسية 10 أو المقوم العكسي 31. بناءً على نوع اللوحة الشمسية 10؛ يكون 7 بصورة نمطية بين 600 فولت و1000 فولت. إذا كان VApp أقل من Vmax ثم تنتقل العملية 9000 إلى الخطوة 906؛ بخلاف ذلك؛ تنتظر العملية 9000 في الخطوة 905.
في الخطوة 906 تزيد دائرة التحكم 35 الفلطية العالية المستخدمة VAPP بواسطة مقدار /؛وتفعل المفتاح 55. يقوم تفعيل المفتاح 55 بفصل اللوحات الشمسية 10 عن المقوم العكسي 31 ويصل اللوحات الشمسية 10 ب VAPP من دائرة التحكم 35 على الأسلاك 38. لهذا المثال» يمكن أن يكون AV عبارة عن خطوة فلطية dn ذات 25 فولت على الرغم من أنه يمكن أن يتم استخدام خطوات فلطية أكبر أو أصغر. تفرض الفلطية 0م88 المجال الكهربي 250 على اللوحات الشمسية 10 بحيث تكون قوة المجال الكهربي 250 متناسبة مع الفلطية المسلطة VAP يتم اختيار مدة اتصال اللوحات الشمسية 10 ب VAPP في دائرة التحكم 35 كي لا تقطع تشغيل المقوم العكسي 31. لهذا المثال؛ يتم اختيار دورة التشغيل لتكون 9065 (يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 965 من الزمن بال VAPP في دائرة التحكم 35) aig اختيار المدة الافتراضية لزمن 0 التحويل لتكون اسمياً 1000 نانو ثانية. يمكن أن يتم استخدام أزمنة التحويل البديلة على النحو المطلوب. مرة أخرى تستقبل دائرة التحكم 35 قياس التيار المتدفق في المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر التيار 33؛ تستقبل قياس الفلطية عبر المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر الفلطية 32؛ وتعيد حساب القدرة التي تتدفق من خلال المقوم العكسي 31. في خطوة 908؛ تقوم دائرة التحكم 35 بمقارنة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 قبل أن يتم وضع VApp 5 على اللوحة الشمسية 10 على أحدث قياس. إذا تمت زبادة القدرة؛ تعود العملية 9000 إلى الخطوة 901 وبتم تكرارها. يتم زيادة الفلطية المسلطة على السلك 38 بواسطة AV حتى إما أن تكون الفلطية العالية المسلطة VAP أكبر من Vmax أو حتى لا تنتج الزيادة في الفلطية العالية المستخدمة VAPP زيادة في قدرة خرج اللوحات الشمسية 10. يتم تحديد Vmax هنا كأقصى فلطية التي يمكن أن يتم وضعها على لوحة شمسية بدون التسبب في تلفها. Bly على نوع 0 اللوحة الشمسية 10« يكون *«1/008 بصورة نمطية تقريباً من 600 إلى 1000 فولت. في كلا الحالات؛ تنتظر العملية 9000 في الخطوة 905. يمكن أن تكون مدة حالة الانتظار من ثواني إلى دقائق. بعد shad الانتظار 905( تستمر العملية 9000 للخطوة 907. إذا لم تتغير القدرة؛ على النحو المقاس من خلال الأسلاك 132 335( فيتناقص المؤشر © (0-0-1)» وتنخفض الفلطية 5 المسلطة VApp على السلك 38 للوحة (اللوحات) الشمسية 10 بواسطة المقدار/ال ؛ وتقوم دائرة
التحكم 35 بتفعيل المفتاح 55. تستمر العملية 9000 في خطوة 909 حيث يتم قياس خرج القدرة بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32. إذا أوضح خرج القدرة هبوط تستمر العملية 0 إلى الخطوة 910. إذا زاد خرج القدرة؛ تعود العملية 9000 للخطوة 907 وتستمر الفلطية المسلطة 7/800 في التناقص حتى يتوقف خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 عن التناقص. تستمر العملية 9000 للخطوة 910.
في خطوة 910 تقوم دائرة التحكم 35 بزيادة المدة التي lad يتم توصيل المفتاح 55 باللوحات الشمسية 10 على السلك 38 في الموضع الأول الموضح عاليه. يتم زيادة مقدار الزمن الذي فيه يتم توصيل المفتاح 55 بمصدر الفلطية 50 بواسطة مقدار [ATO يتم تفعيل المفتاح 55 pig مرة أخرى مراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 34. 0 تستمر العملية 9000 إلى حالة 912 لتحديد سواء زاد خرج قدرة اللوحات الشمسية 10. إذا كان الأمر كذلك؛ تتحرك العملية 9000 للخطوة 910 وبتم زيادة المدة التي فيها يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 بمصدر الفلطية 50 مرة أخرى. ستزداد مدة التحويل حتى تصل قدرة الخرج الخاصة باللوحات الشمسية 10 للحد الأقصى (أو حتى يتم الوصول لحد sae ثابت-على سبيل (Jbl 3- 5 ميكرو ثانية)-عند هذه النقطة تتوقف تغييرات مدة التحويل المدارة بواسطة دائرة التحكم 35. 5 ومع ذلك؛ إذا في الخطوة 912( تحدد دائرة التحكم 35 أن زيادة مدة التحويل D تتسبب في خفض في خرج القدرة على النحو المقاس بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32؛ تستمر العملية 0 للخطوة 911 ويتم خفض مدة التحويل لآ بواسطة التكرار بين الخطوات 911 و913 حتى يتم زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 إلى الحد الأقصى مرة أخرى. بعد أن حددت دائرة التحكم 5 أنه تم تحسين مدة التحويل لأقصى خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 بواسطة تكرار الخطوة
0 910 إلى الخطوة 913؛ تستمر العملية 9000 إلى الخطوة 914. في الخطوة 914 Tas دائرة التحكم 35 في زيادة تردد الوصلة ؟ التي عندها يتم توصيل المفتاح 5 بدائرة التحكم 35. يتم sab) التردد آ بحيث يتم توصيل المفتاح 55 بمصدر الفلطية 50 بواسطة JAF من تردد التحويل الأصلي fo بحيث f= fo + JAf في خطوة 914؛ يتم توصيل المفتاح 55 بين السلك 38 واللوحات الشمسية 10 عند تردد جديد» of ويتم مرة أخرى مراقبة خرج 5 قدرة اللوحات الشمسية 10 بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 34. تستمر العملية 9000
للخطوة 916. إذا زاد خرج قدرة اللوحات الشمسية 10( تتحرك العملية 9000 للخلف للخطوة 914 aig زيادة المعدل الذي عنده يتم توصيل اللوحات الشمسية 10 بمصدر الفلطية 50 مرة أخرى. سيزداد معدل الاتصال حتى تصل قدرة خرج اللوحات الشمسية 10 حد أقصى أو حتى أقصى تردد *7. عند هذه النقطة تتحرك العملية 9000 للخطوة 915. في الخطوة O14 يتم الآن خفض التردد الذي عنده يتصل المفتاح 55 بالفلطية العالية 50 على السلك 38 بواسطة مقدار ding JAF تفعيل المفتاح 55 مرة أخرى ويتم مراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 Be أخرى بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32. عند تلك النقطة؛ تقرر دائرة التحكم 35 سواء ما يقوم الانخفاض في معدل الاتصال بزيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 في الخطوة 917. إذا كان الوضع كذلك؛ تعود العملية 9000 للخطوة 915. Ya من ذلك؛ إذا وصل تردد التحويل لبعض 0 الحد الأدنى للتردد ofmin تتحرك العملية 9000 إلى الخطوة 918 لتنتظر. في الخطوة 918؛ بمجرد أن يتم زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 إلى الحد الأقصى؛ فتذهب دائرة التحكم 35 إلى حالة انتظار لفترة زمنية. يمكن أن يكون زمن فترة الانتظار ثواني أو دقائق. بعد الانتظار في الخطوة 918( تتحرك العملية 9000 إلى الخطوة 901 حيث تبداً العملية 9000 مرة أخرى في تنويع الفلطية؛ يكون زمن توصيل المفتاح ومعدل التحويل من القيم المثلى السابقة 5 لللتحقق من أن اللوحات الشمسية 10 لا تزال تعمل عند أقصى مستويات خرج خاصة بها. تختلف الفلطية المستخدمة 50 من دائرة التحكم 35؛ مدة التحويل» ومعدل التحويل على مدار العملية أثناء اليوم للتأكد من أن اللوحات الشمسية 10 تعمل بأقصى قدرة خرج في الظروف التشغيلية لذلك اليوم المحدد . إذا عند الخطوة 901؛ هبطت الفلطية على النحو المقاس على مستشعر الفلطية 32 لأقل من 0 الحد الأدنى المحدد سلفاً cvmin وهبط التيار على النحو المقاس على مستشعر التيار 33 JY من الحد الأدنى المحدد سلفاً dmin فستقوم دائرة التحكم 35 بإزالة أي فلطية على الخطوط 38؛ وستتحرك دائرة التحكم 35 للخطوة 902 للانتظار قبل العودة للخطوة 900 (حيث سيقوم النظام بإعادة بدء كل المتغيرات والمؤشرات). ستتبدل العملية 9000 من الخطوة 900 إلى 901 إلى 2 إلى 900 حتى تكون كل من الفلطية المقاسة على مجس الفلطية 32 والتيار المقاس على
مستشعر التيار 33 أعلى من vmin و0110 على التوالي؛ عند هذه النقطة ستتحرك العملية 9000 من الخطوة 901 إلى الخطوة 903. يمكن أن يتم تنفيذ آلات حالة مختلفة في دائرة التحكم 35 لإنتاج نتائج مماثلة ويتم تغطيتها بواسطة هذا الكشف. ومع (ld تقوم العملية 9000 الموصوفة عاليه بتقليل مقدار الفلطية المستخدمة VAPD بشكل مفيد إلى الحد الأدنى إلى أقل قيمة ممكنة بحيث يتم زيادة منتج التيار المقاس بواسطة مجس التيار 33 والفلطية المقاسة بواسطة مجس الفلطية 32 إلى الحد الأقصى. يتم تردد الفلطية المستخدمة م8م1/8-التي يتم تغييرها بواسطة مقادير صغيرة US من el وأسفل- على مدار عملية في اليوم لحساب التغييرات في القدرة الضوئية الساقطة؛ op على الخلية الشمسية daglll (100 الشمسية 10؛ أو مجموعة اللوحات الشمسية 10 على مدار اليوم بحيث يمكن أن 0 يتم دائماً الحفاظ على أقصى خرج قدرة. يتم تصميم معظم الخطوات الموصوفة في العملية 9000 عاليه لمعالجة التغييرات ثابتة الحرارة في الاضاءة التي تحدث ببطء على مدى العديد من الدقائق أو الساعات. في نموذج بديل؛ إذا كانت اختلافات الاضاءة تحدث عند معدل تغير أعلى» فيمكن أن يتم مواءمة العملية 9000 لتقليل اختلافات التردد العالية إلى الحد الأدنى في خرج قدرة DC إلى المقوم العكسي بواسطة محاولة 5 ابقاء قدرة خرج DC من الاختلاف عند معدل تغيير عالي dan وبالتالي جعل جودة المقوم العكسي أعلى. في مثال AT بالرجوع إلى شكل 10ا؛ يتم توضيح مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32 مقترنين بنظام إدارة الخلية الشمسية 300 الخاصة بشكل 6. على النحو الموضح» يتم اقران مستشعر التيار 33 على التوالي بين اللوحة الشمسية 10 والمقوم العكسي 31. يمكن أن يراقب 0 مستشعر التيار 33 خرج تيار اللوحة الشمسية 10. بالمثل؛ يتم توصيل مجس الفلطية 32 عبر اللوحات الشمسية 10 والمقوم العكسي 31 لمراقبة فلطية خرج اللوحة الشمسية 10. يتم اقران دائرة التحكم 36 بكل من مستشعر التيار 33 عن طريق أسلاك تحكم 33 ومجس فلطية 32 عن طريق DL تحكم 32ا. يمكن أن يكون مستشعر التيار 33 عبارة عن وحدة قياس متوازية أو حثية وبقيس خرج تيار اللوحات الشمسية 10. بالمثل؛ يتم استخدام مستشعر الفلطية 32
لقياس خرج فلطية اللوحات الشمسية 10. يسمح mile التيار المقاس من مستشعر التيار 33 والفلطية المقاسة من مجس الفلطية 32 بحساب خرج القدرة من اللوحات الشمسية 10 إلى المقوم العكسي 31. في بعض النماذج؛ يمكن أن يعمل مجس الفلطية 32 Lad كمصدر قدرة لدائرة التحكم 36 ويكون فعال فقط طالما يتم اضاءة اللوحات الشمسية 10 ويوفر قدرة كافية لتفعيل دائرة التحكم 6. يتم أيضاً اقران دائرة التحكم 36 بنابض الفلطية 60 للتحكم في مقدار نبض الفلطية VAP مدة النبض DP وتردد النبض ؟ الموضحين بالإشارة إلى شكل 6. يمكن التحكم في وضبط مدة النبض (DP تردد النبض of وفلطية النبض VAPP المستخدمة عبر اللوحات الشمسية 10 بحيث يتم زيادة كل من التيار المولد في اللوحة الشمسية 10 والمقاس بواسطة مستشعر التيار 33 0 ومجس الفلطية 32 إلى الحد الأقصى تحت ظروف تشغيل مختلفة؛ (fie تحت ظروف اضاءة مختلفة أو متغيرة. في أحد نماذج استخدام المجال الكهربي 250؛ لا تقوم اللوحة الشمسية 10 بشكل ابتدائي بتوليد قدرة؛ على سبيل المثال؛ أثناء الليل أو التغطية السحابية الثقيلة. حيث يتم اضاءة اللوحات الشمسية (على سبيل المثال؛ أثناء النهار)؛ يتم توليد الفلطية lilly بواسطة اللوحات الشمسية 10( وتبدأ 5 الأسلاك 132 في نقل كلاً من التيار والفلطية إلى دائرة التحكم 36. تحتوي دائرة التحكم 36 على امداد قدرة منطق فلطية منخفضة (غير موضح) لتشغيل منطق التحكم في دائرة التحكم 36. تحتوي دائرة النابض 60 على كل من امداد قدرة فلطية منخفضة وفلطية عالية (غير موضح). يكون لإمداد قدرة الفلطية العالية في نابض الفلطية 60 خرج متغير الذي يمكن أن يتم ضبطه بواسطة دائرة التحكم 36 ويكون مسئول عن وضع VAPP على اللوحات الشمسية 10. في هذا 0 المثال؛ يتم تصميم دائرة التحكم 36 بحيث لا تستخدم أي فلطية على اللوحات الشمسية 10 حتى يتم توليد قدرة كافية بواسطة اللوحات الشمسية 10 لتفعيل كل من امداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة وامداد قدرة الفلطية العالية في النابض 60. في نموذج (dads يتم تصميم دائرة التحكم 36 للتحكم بالمجال الكهربي 250 ولزيادة خرج القدرة للحد الأقصى حيث تزداد وتقل الإضاءة في اليوم. يمكن أن تتحكم دائرة التحكم 36 في المجال
الكهربي 250 المستخدم بواسطة نابض الفلطية 60 واستقرار خرج قدرة اللوحات الشمسية10 وفقاً
لأي طريقة تم وصفها بالأعلى؛ بما في ذلك العملية 10000 الموضحة في شكل 10ب. بالرجوع إلى الشكل 10ب؛ تشتمل العملية 10000 على بدء تشغيل القدرة, عند الخطوة 1000. يجب أن تتواجد القدرة الكافية من خرج اللوحات الشمسية10 لتنشيط IS من إمداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة؛ التي تقوم بتشغيل منطق التحكم في دائرة التحكم 36 وإمداد قدرة الفلطية المنخفضة والعالية في نابض الفلطية 60. Yay من ذلك؛ يمكن أن يتم تشغيل دائرة التحكم 36 من مصدر خارجي ( غير موضح)-على سبيل المثال؛ البطارية؛ مكثف كبيرء إمداد قدرة AC خارجي- الذي يسمح لإمداد قدرة منطق الفلطية المنخفضة بالعمل ودائرة التحكم 36 بمراقبة خرج قدرة الألواح الشمسية 10 حتي تحصل على خرج قدرة كافي لضمان أن المجال الكهربي المستخدم
0 250 على اللوحات الشمسية 10 لزيادة خرج القدرة الخاص بها. حيث يتم بدء تشغيل دائرة التحكم 36 يتم بدء كل المتغيرات (على سبيل المثال؛ الفلطية العالية المستخدمة VAPP مدة النبض 05؛ وتردد تكرار النبض ؟). في واحد من النماذج؛ يتم ضبط الفلطية العالية المستخدمة VAPP على صفر عندما يتم ضبط مدة النبض DP ومعدل تكرار النبض f على ad إعتبارية 0+- DP و©1آ. يتم بدء كل مؤشرات التحكم؛ en أ وز من الصفر.
5 تقوم دائرة التحكم 36 بعد ذلك بتحديد في الخطوة 1001 ما إذا كانت الفلطية المقاسة سلفاً على مجس الفلطية 32 أعلى أو أقل من الحد الأدنى المقاس سلفاً vmin وما إذا كان التيار المقاس سلفاً على مستشعر التيار 33 Jef من الحد الأدنى المقاس سلفاً. 10010 . يتم اختيار الإتحاد بين vmin و 10710 بحيث أن يتم تحديد اللوحات الشمسية 10 لتكون مضاءة وتولد بعض النسب المئوية الاعتبارية» على سبيل المثال» 965؛ من متوسط القدرة المقدرة وأنه يوجد قدرة كافية يتم
0 توليدها لإمداد قدرة الفلطية العالية لزيادة خرج اللوحات الشمسية 10. إذا حددت دائرة التحكم 36 أن كل من التيار المقاس والفلطية كانوا أعلى من الحدود الدنيا المحددة سلفاً الخاصة بهم؛ فتكون العملية 10000 الآن تشغيلية وتتحرك للخطوة 1003؛ بخلاف ذلك؛ تدخل العملية 10000 في حالة انتظار 1002 وتعود للخطوة 1000. في الخطوة 1003( تقوم دائرة التحكم 36 بقياس التيار المتدفق داخل المقوم العكسي 31 عن
5 طريق مستشعر التيار 33؛ الفلطية عبر المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر الفلطية 32؛
وتقوم بحساب القدرة المتدفقة خلال المقوم العكسي 31 ( الاعتباري» .)١ XV يتم زيادة مؤشر التحكم 0 إلى 1+ 0. في الخطوة 1004, تقارن العملية 10000 VApp مع Vmax يكون Vmax عبارة عن dad مضبوطة سلفاً وتمثل الحد الأقصى للفلطية التي يمكن أن يتم وضعها على اللوحات بدون اتلاف كل من اللوحات 10 أو المقوم العكسي 31. إذا كانت VAPp أقل من Vmax فإن العملية 00 تتقدم إلى الخطوة 1006؛ بخلاف ذلك؛ تنتظر العملية 10000 في خطوة 1005. في الخطوة 1006( ترسل sls التحكم36 اشارة إلى نابض الفلطية60 لزيادة الفلطية العالية المستخدمة VAP بواسطة المقدار NAV وترسل اشارة إلى نابض الفلطية 60 لإستخدام نبض الفلطية في اللوحات الشمسية 10. لهذا المثال» يمكن أن يكون AV عبارة عن خطوة فلطية ثابتة 0 25 فولت؛ على الرغم من أنه يمكن أن يتم استخدام خطوات فلطية أكبر وأصغر. تفرض الفلطية VADD المجال الكهربي 250 على اللوحات الشمسية 10 وتكون قوة المجال الكهربي 250 متناسبة مع الفلطية المستخدمة م0//. لهذا المثال؛ يتم إختيار عرض النبض DP لتكون 1000 نانو ثانية ويتم اختيار معدل تكرار النبض ليكون 20 ميكرو ثانية. يتم اختيار عروض نبض ومعدلات تكرار نبض أخرى. تستقبل دائرة التحكم 36 مرة أخرى قياس التيار المتدفق داخل المقوم 5 العكسي 31 عن طريق مستشعر التيار 33؛ تستقبل قياس الفلطية عبر المقوم العكسي 31 عن طريق مستشعر الفلطية 32؛ وتعيد حساب القدرة المتدفقة خلال المقوم العكسي 31. في الخطوة 1008 تقوم دائرة التحكم 36 بمقارنة خرج القدرة من اللوحة الشمسية 10 قبل أن يتم وضع VAPP على اللوحة الشمسية 10 بالقياسات الحالية. إذا تم زيادة القدرة؛ تعود العملية 0 إلى الخطوة 1001 وبتم تكرارها. يتم زيادة الفلطية المستخدمة VAPP بواسطة AV حتى 0 إذا كانت إما الفلطية العالية المستخدمة VAP أكبر من Vmax أو حتى لا تنتج الزيادة في الفلطية العالية المستخدمة VAPP زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10. يتم تحديد Bye VMaxX أخرى هنا بالحد الأقصى للفلطية التي يمكن أن يتم وضعها على اللوحة الشمسية 10 دون إحداث أي ضرر وتعتمد على نوع اللوحة الشمسية؛ عادة يكون تقريباً 600 إلى 1000 فولت. في كلتا الحالتين» تنتظر العملية 10000 عند الخطوة 1005. يمكن أن تكون مدة حالة الانتظار من ثواني إلى دقائق.
بعد خطوة الانتظار 1005( تدخل العملية 10000 الخطوة 1007. إذا كانت القدرة؛ التي تم قياسها سلفاً من خلال الأسلاك 132 و33أءلم يتم تغييرهاء يتم خفض nasal (0-0-1)؛ يتم مخفض نبض الفلطية المستخدم VAPP بواسطة المقدار/الل ؛ وتقوم دائرة التحكم 36 بتفعيل النابض 60. تستمر العملية 10000 في الخطوة 1009 حيث خرج القدرة المقاسة بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32. إذا أظهر خرج القدرة هبوطاً؛ تستمر العملية 10000 إلى الخطوة 1010. إذا تم زيادة خرج القدرة؛ تعود العملية 10000 إلى الخطوة 1007 وتستمر الفلطية المستخدمة 1/800 في الانخفاض حتى يتوقف خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 عن التضاؤل. تتقدم العملية 10000 إلى الخطوة 1010. في الخطوة 1010 as دائرة التحكم 36 بزيادة DP sae نبض الفلطية. يتم زيادة مدة نبض 0 انفلطية DP بواسطة مقدار 20أ. يتم تفعيل نابض الفلطية 60 pg مراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 مرة أخرى بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 34. تتقدم العملية 10000 إلى الحالة 1012 لتحديد ما إذا كانت القدرة الناتجة من اللوحات الشمسية 10 تزداد. إذا كان ذلك تتحرك العملية 10000 إلى الخطوة 1010 وتزداد مدة DP نبض الفلطية 71 مرة أخرى. سوف تزداد مدة النبض00 حتى يصل خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 إلى الحد الأقصى أو حتى حد مدة ثابتة- على سبيل المثال؛ يتم بلوغ مدة نبض 5 ميكرو ثانية-عند هذه النقطة تتوقف تغييرات عرض النبض المدارة بواسطة دائرة التحكم 36. مع ذلك؛ إذا عند الخطوة 1012؛ يتم إيجاد أن زيادة عرض النبض يحدث انخفاض في خرج القدرة المقاسة بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32؛ تستمر العملية 10000 إلى الخطوة 1011. يتم تقليل عرض النبض بواسطة التكرار بين الخطوات 1011 و1013 حتى يتم زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 للحد الأقصى مرة 0 أخرى. بعد أن تقوم دائرة التحكم 36 بتحديد أنه يتم تحسين مدة النبض لأقصى خرج قدرة لوحات شمسية 10 بواسطة الاستمرار من الخطوة 1010 إلى الخطوة 1013؛ تستمر العملية إلى الخطوة 4. في الخطوة 1014( تزيد دائرة التحكم 36 تردد نبضات الفلطية. يتم sal) تردد نبضات الفلطية بواسطة JAF من تردد التحويل الأصلي fo بحيث أن .f = fo + JAF في الخطوة 1014؛ يتم 5 استخدام نبضات الفلطية بواسطة نابض الفلطية 60 إلى الألواح الشمسية10 عند التردد الجديد of
ويتم مراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 مرة أخرى بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 4. بعد ذلك تتحرك العملية 10000 للخطوة 1016. إذا تم زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية10؛ العملية 10000 تعود للخلف إلى الخطوة 1014 alg زبادة المعدل الذي عنده يتم استخدام نبضات الفلطية على اللوحات الشمسية 10 مرة أخرى. سوف تقوم الزيادة في معدل نبضات الفلطية بالزيادة حتى صل خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 للحد الأقصى أو حتى الحد الأقصى للتردد ofmax, عند هذه النقطة تتحرك العملية 10000 إلى الخطوة 1015. في الخطوة 1014؛ يتناقص تردد نبضات الفلطية الآن بواسطة المقدار JAF ويتم تفعيل مفتاح نابض الفلطية 60 مرة أخرى وبتم مراقبة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 مرة أخرى بواسطة مستشعر التيار 33 ومجس الفلطية 32. عند هذه النقطة؛ تقوم دائرة التحكم 36 بتحديد ما 0 إذا كان الانخفاض في معدل نبضات الفلطية يزيد خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 في الخطوة 7. إذا كان كذلك» تعود العملية 10000 إلى الخطوة 1015. بدلاً من ذلك» إذا وصل تردد التحويل بعض من الحد الأدنى للتردد fimin minimum frequency تتحرك العملية 10000 إلى الخطوة 1018( التي تكون عبارة عن Als انتظار. في الخطوة 1018( بمجرد أن يتم زيادة خرج قدرة اللوحات الشمسية 10 للحد الأقصى؛ تدخل 5 العملية 10000 في حالة انتظار لفترة من الوقت. يمكن أن تكون فترة الانتظار لمدة ثواني أو دقائق. بعد الانتظار في الخطوة 1018؛ تتحرك العملية 10000 إلى الخطوة 1001 حيث تبدأ مرة أخرى دائرة التحكم 36 في تفاوت نبض الفلطية؛ مدة النبض؛ ومعدل تكرار النبض من القيم المثلى المسبقة للتحقق من أن اللوحات الشمسية 10 مازالت تعمل عند الحد الأقصى لمستويات الخرج . يتم تفاوت سعة النبض VApp applied voltage مدة التنبض؛ ومعدل تكرار النبض 0 على مدار العملية خلال اليوم للتأكد من أن اللوحات الشمسية10 تعمل بالحد الأقصى من خرج القدرة تحت الظروف التشغيلية في هذا اليوم الخاص. إذا في الخطوة 1001؛ تهبط الفلطية المقاسة على مستشعر الفلطية 32 لأقل من الحد الأدنى المحدد سلفاً predetermined minimum 7010 ويهبط التيار المقاس على مستشعر التيار 3 لأقل من الحد الأدنى المحدد سلفاً din سوف توقف دائرة التحكم 36 نابض الفلطية 60 5 وسوف تتحرك العملية 1000 إلى الخطوة 1002 Ala انتظار sayy ذلك للخطوة 1000 التي
Claims (1)
- عناصر الحماية 1- طريقة لإدارة جهاز كهروضوئي photovoltaic device (200)؛ تشمل: تمكين منفذ port أول لمفتاح (55) من الاقتران بالجهاز الكهروضوئي ؛ تمكين منفذ ثاني للمفتاح )55( من الاقتران بحمل (RL) يوجهه الجهاز الكهروضوئي (200)؛ تمكين منفذ ثالث للمفتاح (55) من الاقتران بمصدر جهد (50)؛ حيث يمكن للمفتاح أن يعمل في موضع أول لتوفير مسار تيار current path بين الجهاز الكهروضوئي )200( ومصدر الجهد )50( وموقع ثاني لتوفير مسار التيار بين الجهاز الكهروضوئي )200( والحمل ¢(RL) load و تطبيق إشارة جهد voltage signal ناتجة عن مصدر الجهد (50) على الجهاز الكهروضوئي (200) عندما يكون المفتاح (55) في الموضع الأول؛ وتكون لإشارة الجهد حالة أولى لتوليد مجال كهربائي خارجي عبر الجهاز الكهروضوئي (200) عندما يكون المفتاح (55) في الموضع الأول؛ 0 وحالة ثانية لتوفير Jie كهربائي بين مصدر الجهد )50( والحمل (RL) عندما يكون المفتاح (55) في الموضع الثاني. 2- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث يشتمل التمكين المذكور للمنفذ port الأول للمفتاح (55) على تمكين Mie أول لمفتاح تبديل مزدوج ليقترن بالجهاز الكهروضوئي photovoltaic device 5 (200). 3- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 أو عنصر الحماية 2؛ والتي تشتمل Lad على التحكم في واحد على الأقل من التردد ومدة التبديل بين الموضع الأول والموضع الثاني من خلال وحدة تحكم تبديل switch controller (45) مقترنة آمفتاح التبديل المزدوج.4- الطريقة وفقا لأي من عناصر الحماية 3-1؛ تشتمل كذلك على تمكين جهاز (41؛ 42؛ 43( لتخفيف أي تسرب للجهد في الحالة الأولى ليتم اقترانه بين الحمل load والجهاز الكهروضوئي photovoltaic device .— 8 3 — 5- الطريقة وفقا لأي من عناصر الحماية 4-1؛ حيث يشتمل التطبيق المذكور لإشارة الجهد voltage signal على تطبيق جهد كهريائي قابل للتعديل على الجهاز الكهروضوئى photovoltaic device (200). 6- الطريقة وفقا لأي من عناصر الحماية 5-1؛ تشتمل أيضًا على التحكم في واحد على الأقلمن التردد والسعة ومدة الحالة الأولى والحالة (All حيث يتم تنفيذ التحكم اختياريًا عبر دائرة تحكم control circuit )35( مقترنة بواحد على الأقل من مصدر الجهد )50( والمفتاح )55( على أساس تيار إخراج للجهاز photovoltaic device suas esl )200( يقاس اختياريًا بواسطة مستشعر current sensor Ja )33( مقترن في سلسلة بين الجهاز الكهروضوئي0 (200) والحمل (RL) load وجهد ناتج للجهاز الكهروضوئي (200) يقاس اختيارياً بواسطة مسبار جهد voltage probe )32( مقترن عبر الجهاز الكهروضوئي (200).= ٍ 22 [ES 3 ذا a 2 oN 1 | 5 أ ا (OF را الح 8 = 2 شكل ١AAAAAAAA AAA 3 حي ييحي يدع i 8 \ 8 ¥ 3 ; ¥ 3 ¥ 3 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 IN & 3 ¥ 3 ¥ 3 x hy & اليب Soa 3 Ri Aaa 3 86 3 3 3 ¥ 3 ¥ 3 3 3 3 3 hy 3 § 3 8 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 3 3 3 3 ES ES . 2 I ¥ 3 5 3 5 3 3 NS 3 + الإمزحل RT RT RR لاحيHN 3 3 5 3 5 3 5 3 5 3 5 3 5 3 5 3 3 RRR RRR RRR 3 nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ nN ¥ 3 امس ل EAN لاا 5 3 3 3 3 i 3 3 i 3 3 3 i 3 3 3 i 3 3 3 i 3 3 3 i 3 3 3 : ل'"" 1 3 3 H 3 3“ م \ 3 :0 + 3 3 X i 3 ب 3 3 i 3 § 3 3 3 مي 3 0 Tanna N 3 . : Sewer Bred 3 : 3 3 0 : 5 Se 3 8 3 3 5 i 3 3 3 3 H ¥ ا Rg 3 8 3 5 N by 3 : الحا A ¥ 2 x ¥ nN ¥ ¥ المسسسسسست سس سس سس ست سح I ~~ 3 0 > و i 3 3 3 i 3 3 3 i 3 3 3 RE ~~ 3 3 3 3 Ry 8 H ¥ 3 Nod A) i 3 i 3 3 NN ¥ : by bY 3 + . حب fo & 1 Bevis الم : : + سال \ i i 3 2 3 3 4 i 3 3 3 3 3 3 3 \ hb 0 3 3 3 i 3 3 3 4 i 3 3 3 i 3 3 3 5 i 3 3 3 i 3 3 3 1 i 3 3 3 i 3 )8 3 \ RR اتح ل ل لا 3 : 3 ا N N 3 3 EEE AIEEE AAA AIA AAA AAAI A AAA AAA AAA A AAA RAY 3 $ Td H 3 x 0 3 3 Yo i 3 3 3 3 0 3 3 0 3 3 ١ 5 ha 3 i 3 3 3 i 3 3 3 3 8 3 3 ةا 0 6 Towed 0 8 i : : i 3 : 3 0 ¥ 3 H 8 3 3 3 3 3 3 3 § 3 AAS, بدالا i” . ب مكلا— 4 1 — Y ض I< : Aال 3 § § 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 : 2 جل ل ل أ أ ل أ اا ااا N nN Ny 2 2 2 8 8 2 2 8 8 2 E 3 8 3 a 3 Ea 3 : ب" N N * R 3 . 2 طخ 8 0 3 0 8 | لام N N 8 qv Be \ \ 0 جين Ea 3 3 x 5 5: 2 8 3 23 اج : a 8 8 Xe N N NEE SY 3 3 ا 8 3 3 3 3 ا 1 N N 3 BN N £33 Sx BN 3 3 1 : : N N Fs EE 3 Sd a 1 } \ \ ل PI 3 : . : Nd 3 ل 8 ا : : ec 3 : 8 ؟ حا 23 اج > 3 8 8 RY Te Seog © 3 § 3 3 3 3 ا ha د % X : 8 3 oY hy Fe ¥ 3 3 H] 5 8 : 3 N N x he NS H] BN الح ws § 3 3 Assos N N IW © 3 ين PE 23 8 8 23 الج oS 8 by oe em 3 ة تمتتتتتتثة I} ¥ BN 8 الجخ § RARER SE 3 8 ال ا fa ARR 3 Ny : 3 3 3 3 23 احير 9 8 8 8 ARR 3 3 حجر 3 RA by 3 3 3 3 By RY TF 3 3 2 8 3 الح Ad 3 ا« 8 Jesse 5 ؟ 5 N I Booed 1 N ل 1 § N N ا 8 اتج 8 3 ES oa 8 3 3 RX 3 3 + BEN 3 Fes SUE ES > 3 Rl 3 : b 3 i 3 p 3 Low Vo 4 BN 8 ال ا 3 Wy N 3 اللخ 3 3 8 د ا 8 Bi 3 3 3 99 مح 3 م > 3 Raat 3 3 3 8 8 ا + 3 ef 8 8 خم N BN اللي ا ل Ag يخ 8 I ¥ 3 3 3 3 3 3: . 3 B; N 2 3 3 BN 3 * $s ¥ BN . iV i 3 ® ؟ 8 ££ NE § 3 4 3 8 ما By الل المممسستس ا ا Ay Es ب TE ey § x 8 33 ¥ 3 3 \ ا ل \ ا ا * BY ky x 2 EE 3 3 Ss i 3 ¥ BN ا ا = Ye by x 3 8 ¥ 3 ¥ 3 3 : 8 NI i ES Hy 8 8 By N 8 ¥ 3 3 ال ASE 83 * ] 3} ¥ 3 NI oo. 3 N N 3 N i 3 3 جد NEE eT 3 ا 0 SL A الجا I J F X g << ] 3 3 3 ا الا CT : ® by 3 5 3 3 5 8 : تي 8 الا 8 EY 3 > 8 a > N 8 N x R K ٠ب كدت ا Yo) 3 3 NE ¥ 3 3 os 3 ¥ ج < }3 3 3 الج 3 RS Se ا ااي 3 8 ا 5 BS H Ee 3 ? IFES 3 3 EY Ky NN 3 Ey 8 8 Yam HN 3 اس سن ل 8 Ko 4 5 ا 8 “ذا 8 EY kd i$ 3 TO ¥ 3 i$ 3 Ring ¥ 3 i$ 3 Sy ¥ . 3 N CY ¥ ا 3 3 اا 8 ky ا FF N ie i RN 3 8 8 “a HN ¥en § ¥ in 3 م اا 8 RIS i 3 N SY, RR Soc 7 ا 3 3 ...لا 8 8 8 RE 5 مخ x iB ¥ 8 8 Ra SX by ¥ 3 3 FT ge 8 EX تجح ب 3 3 8 8 اجا اا N 5 1 8 N ‘ = 3 § RR N ¥ > 4 انا ¥ N N RN : 3 3 3 : : : 3 : $ \ \ 8 ا 1 ب N ¥ 2 NE : N ¥ «a 3 3 لحب لاست ا يا Ea الب امس 8 5 3 Bo 3 : 3 2 i 3 § N "3 {i N i i N 3 Nah : ¥ Ry N 3 ممه 8 3 ¥ 3 t NE N i LR N ¥ ل« قي 8 FQ 3 by 3 3 : N : : 8 N 3 3 = 8 . 1 3 iy FE WE 3} ¥ 8 3 3 EE EE SE SE SE SE 3 ص ¥ 3 h. R £ 3 3 : ف 3 ES N 3 3 3 8 RN 3 ل 3 8 Fa ¥ RRR ¥ 3 ; 3 ¥ 3 8 3 3 ; 3 3 ¥ + + ¥ 3 + Ny = 8 £3 ¥ wx 3 3 5 : حي لمحم مجم FR Ny § 8 ¥ ماي 8 مين بت ا 1 3 > CRC CCC od 4 8 oN ¥ 3 FH 3 ¥ حل 8 8 د RRS Ea ااي ابم و 1 os . NI: : SI N i % Toomey ما : ين ممص Ry Be 3 8 : R- Ny ¥ § 01 2 ل i | % EE 3 ¥ : 1 8 3 % x BN ¥ 8 % Rn, ¥ 8 3 ¥ ¥ 3 8 .% %e 8 3 8 ¥ 3 8 8 By N i 3N . ER ¥ I % ¥ Xk 3 3 3 ¥ RN ay 3 RY 3 3 : N N 3 ¥ 3 3 : 3 3 3 ¥ 3 3 1 : a \ \ —— ٍ ٍ N by Mo 5 N 3 N ¥ N 3 N N x : ال ا حجر 2 يب الم Ny : N ب Ne ¥ 3 ¥ 8 4 0 ب 5 RC oo \ EE \ 03 ¥ i 1 ب h3 8 الا ل & & Ea 5N . . N 3 3 ال ا N Ee x : pS م 3 oy الى 1 8 i * & Cl لد kd SO Be 3 * i * Re $ eed ْ 0 3 R « 3 ال مج ¥ $eم lk > ض + . إ ] iF 0 0 ض 1 ' = ض V Eo 0 + (ولت) > ف : شك | 83 - { ض بها ا You ot ! | : الم rss ] ' م ; Tax w JE | 8 .مه اللا ض ض ig Vt oi: | ) | | تج لي + (لولثت) —a at 1 LW " >KEI ل ا" ض Vy + | : ض 3 Rl ا : : ض لس أ سس p> ge Jsa BE: 7 N 7 - D v, | _ & اا = BE § #3 \ \ اللا ree J 77 \. (قولت) Vt & iI <> Kaالي مل § BE A AAA AAI AAAI AANA NANI RNAI ANNA 3 3 8 N § 8 FS : 88 RN 8 3 ٍ 8 5 oa 3 & الخ ¥ RE 5 3 ¥ oN WN ar ae ¥ امسق كح الأ> 8 Be لي LEE 5 3 > بخ 8 3 5 3 5 5 : 5 BE: ¢ 3 5 AE * + 5 RX 3% ال 1 5 EE اجا الل © jo Ld My 1 { > اليا 8 5 EF ww ¥ من #8 5 edd 1« 1 iad رد ا id x PEE 3 ¥ 5 Lod FE © ؟ Fd : 8 8 X Youd 3 ¥ § ايخ : 8 5 BS ¥ Sad N + § ROS Sie © د لج اج wn 8 EF ¥ ةج ةج + جا« خا 8 3 x SEER ER N N § ¥ 5 RRR RR N W § ¥ 5 NI SEY NR FEF Seo N ال#ة 0 ؟ § 8 5 3 3 8 xX BY 3 SEE EEE ER EE ES SEE 3 8 3 3 N ¥ NNN NNN NN N \ § 8 3 8 3 3 ا : ا Los 3 سس لس ا ا مج § ¥ 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 : 3 3 3 by 3 3 ; 3 BS االممسيسيسسيسسيسسسيسسسيسسسيسسيسمسسسسي 1 Ny 5 8 3 3 3 م 8 0 3 0 0 م 1 i No ¥ SE py ¥ 8 Ng i § ات i by io 2 ¥ N RE 1: pS 5 3 ب 5 > x 3 by 8 PLS ps 3 k py ¥ 3 3 he BR الصا RS 5 : 8 3 اب >< ا b3 Ny ¥ IR py 8 x ¥ bi 8“ 3 8 3 by ¥ Ai pS 3 Ny ¥ SF 3 5 5 ¥ 3 3 3 0 8 3 i i TR i i x ¥ bi 8“ bs 5 3 3 Ny Rg 5 3 1 3 by 4 3 2 ¥ — _ د Ny Ea WR ow gy, * 3 oF 8 § 3 8 3 Ey 8 § : ¥ N 3 3 ¥ 3 3 3 ¥ 3 3 3 ¥ 3 3 3 ¥ 3 3 3 ¥ 8 8 3 3 3 3 .بس" on 3 3 Ry 8 تاي bg : "RK by 3 ¥ 3 8 84 لدي عا لحي 8 8 ot Fo a الأب ا N ¥ > 3 3 x 5 3 3 ¥ RS 8 5 : 3 3 8 0 : 8 3 bob : 8 RS . 3 i 3 << 8 08 SI 3 : 3 8 اي 8“ 3 3 3 NE § i EE SUTIN N 3 3 0 oF i 3 ¥ اس 5 N 3 N 3 3 N 3 ¥ 3 5 3 من 3 3 2 by 3 3 3 3 : IN ay } 1 = = Ny Ny ¥ الى الح لRr. pore 3 3 ليد eX By N 3 3 b 3 اح ay 3 3 3 3 : ’ Se مص od rs لم No 3 م ا + 3 N £3 £3 i N 8 § -3؟ b 3 : مي N 3 5> N Ee 3 b 3 x } 1 3 أي N : 3 3 3 % N 3 b 3 3 3 WS N N 8 x a ¥ RR § 3 3 IX b كج NNN NN NNN NN NNN NN NNN NN NNN NNN NN 3 اا اا ا ا RN x Nad 3 ¥ N >46: N 3 3 3 3 ¥ 8 8 3 ¥ 3 8 3 8“ RE ¥ ¥ ال 3 RN ¥ 3 8 لحي 3 x NY ¥ b : 3 3 g 8 ¥ 3 3 3 1 RY EE] : g a FANN ا : oF i Li 3 ٍ ا 3 ra 3 ks REG N N 3 x “8 x “8 3 3 3 EASES & i§ .1 3 *# N 3 St aN kK 6 اد 3 ل : » ا ; Fes > * a = 3 :0 #RR RSS ARS د 3 الشححن RX ; 3 EK x : N E 3 E 3 E 3 FX 1 Re Mog, we Ss ey, 1 FX Seng بن 5 Se Ne : Posed oc od Nu 3 8 > اي ا 1 حب 3 | IA § 3 3 1 hod 3 % 3 5 3 %3 2. 3 % 3 % 3 د 3 3 3} م TS 3 1: N 1 4 i ااا اح ااا Ri. E x : 3 E 3 E 3 E 3 E 3 EET ER x ¥ N 8 9 x 3 3 3 3 3 3 py 3 0 3 § § § i 8 xX. 4م x EE Rss > 5 3 i N i 1 1 RS Ny 3 3 8 8 8 3X 3 ¥ 8 8 3X 3 ¥ 3 § N N N 3 X ¥ 3 x 5 + * ® * « ® 3 * ع اب 3 & “3 © - »* ع ع 4 Ea J RS 33 ايها a RN 8 3 RR “3 & oe خا 7 الو * ف : 3 § ads Xب SR & ¥ oF = oF & >> a :“8 م re نم . اليا 1 8 > ا 8 NE % SM قي 8 د ا لخ x 4 ب - + الي XN ce 0 م < ان 4 3 RE i = ow ¥ 3 10 8 ب 0 8 8“ 3 يي 8 “ 0 3 # \ 3 ES 3 3 3 3 BY 3 } 3 3 } 3 3 3 } 3 3 . : 3 } < 3 3 3 + $ 3 3 « 3 8 3 3 x 3 ¥ & 8 8“ b 3. : 3 3 ; X 3 N 3 bis 8 Vis 0 8 3 1 3 § ل RS 3 © اجا WE EN A 0 N 3 i 5 87 حمسي 0 oS ks 2 RW } x He + 8 Rs 3 ا الم ولي ون مو واس ا A ا Ne 5 3 3 SC 0 . xX ا rox oR © اجيج © 7" x Re ليا 1 م ل § Sead Nace 3 EY 3 ¥ # التحا خا 3 Sg 4 RN 4 BY 3 }3 ل“ BY }3 8 BY }3 } “ا ين ES 8 “ا a 8“ 8 “ا Nol ا BY جم مد ay 5 - “ا Ba sya N TR EY 88 Pages RANGE BY 8“ ب FRR EY 8 م a 3} EY “ا x لح ES “ا BY 8 x RN : ب BY امم ب ليالس x 8 & 3 مج By AN] By . § RN 1 BN Sh oF ¥ FE J ب 5 ابم 3 = ¥ ا 8“ oo 8 ال 8“ بي ¥ : 3X ww Roa ا ES 8 RI 3 xX {es NS 3 x 08 oF 3 البق NE لا Fw RN ل“ 8 x Fad 3 Fa RN IN FT 3 ¥ 3 Eset Dasa By Dae ¥ “8 By RW Ry ع جا NS Nn Xe x 3 MN ¥ BY EY XR ¥ RS 3 : 8 8 3 8 3 3i. “8 ¥ 3 a § 3 > 5 Se ¥ }3 $ 8 حب aad xX 8“ wd § # 0 ASS > الم ie 8 اللي ب 3 RNR: SEE 3 ete Ie 3 RS SS IRR 2 TERRY Jee ¥ ا 8 8ج 3X § = NS $ 3 NE by pd RW sg § N Yi Poe W EN 3 N ne IY a a ¥ nN x 7 BN EA لحن EY wo * Sead لخم BN ¥ BS pa ال يج RE 3 8 > 3 > : ¥ < 8 3 8 EY = 8 3 fess To 8“ 8 TX 3 “ا يب ¥ SS eS مان الحا ا ل 084 by TAR ل a fe BS ks ¥ 3 13 % TR 3 5 5 % NE + 5 % pS 3 : : 3 3 ا ل AE STADION ARG m= nn x bs 3 3 5 ES 3 ¥ 3 ا 8 :8 ب feos 8س املا ادا اا بج : اي (SS : N ؟ 8 & x 3 ¥ 8 3 د 1 & م ANN ORF & اد دا 6 §F FF 3 38 9 N ¥ 3 bs 3 RN ¥ 3 bs 3 5« ب 8 3 5 BS 3 8 8 ¥ ¥ اج 8 ¥ ty pS by 1 os 8 8 eX >< by 3 © & + مج a py + y pa 3 8 اي 6 5 الك 3 اا ا“ ال 0 جا ا 8# 8 88 RR aN 3 Boa 8 0 جوج ل > 8 a ER A gE = لمعي § Fa rRا ا ا 3 3 § ERR, 3 ¥ § 1 8 x 3 8 3 8 Se ¥ 3 ¥ N ¥ § ¥ Rae N LORY ny ¥ . By 3 3 HN TE ¥ ox 3 ¥ 3 RAN ¥ $e By = 3 3 NN نم 3 ¥ y : 3 oy + N 1 5 ال 8 ل i 0 ey : : 4 8 .ال N 8 ENR Ry 0 § حت ا + 3 "0 د RFs & yn 5 RE 2 4 § ER RE يا انة م 8 i Fig = 3 “EEE LI 3 p 2 RIS by BY 3 3 8 1 5 ا FF 3] x EN § Foo by 33 0 . 3 ¥ & Rx hE by 8 ا 3 ¥ E ¥ 3 3 © 8 “د 3 1 8“ ¥ 8 X oN vo 3 ee 3 3 So 3 VF ¥ Ny 3 اجاج خخخ ا _ ا[ ا_إ_إ_ ا BN Rend > yon FR ¥ حمر ¥ NEE] 3 B: 5 3 3 ¥ § TR 3 ¥ 3 © 3 _ 3 ¥ 1 ¥ x Wn 3 By © جمد NS FEE ER EE 3 1 ¥ TEER ® § N ¥ ام Cy 3 LAA ASA ل ¥ Wn 3 By 3 © 8 ين RR يي جا X 3 ¥ i R 8“ ال ؟ N : الح الى اا 3 ¥ ¥ N i هخ 1 FEE 8 ؟ § NR ١ NE 3 we ¥ ¥ HN Wn ai Ny 3 3 3 ¥ » : ب 0 : gt § جلا R NE NET H § Ny N * الا HE المججج ا ¥ bs 3 Fy 3 & 3 By - ¥ es 3 3 & }3 3 3 تج FA 0 by 3 2 ني ¥ RE 3 § 8 3 N Ea 3 : م 3 3 ¥ 3 5 % : 8 © اخ 8 § اح 5 BN SONS 3 3 Wn HN WE ¥ & 1 Ny ¥ dy 5 : 2 8 62000 ل 3 8 ay 3 ET : if % § 3 oa ع ؟ ¥ a “ & 3 a oF % 8 3 ER حل“ نج 3 3 oF 3 . ما = 3 & os 3 3 YX, ¥ oN 5 ] ل : 8 : Re 3 م EN 8 3 > 00-8 oF ب ¥ 8 3 ب 8 3 3 RSS SR ¥ Je i 4 5 ¥ 8 8 & اس حي 0 5J. : § 3 & # املا Ni RE ¥ B X RE 5 * by 3 X ا 8 & 3 ا ا د pad TS ¥ 3 3 ¥ 8 2 5 الك § or 13 Semana ! ب T a § k E 2 : x ; DF 3 HOR 1: i سن : i 0 IF O& N § Ba الوا ¥ § i 08 8 3 HS 3 : * NER k a 8 3 N 3 £3 BN = 3° ال ا لمحت سس يي N RR Ky ¥ 8 5 8 0 ¥ RE 8 8 3 8 3 8 A 3 5 A N *§ i § § Ky 3 3 8 a 4 3 ¥ Rowson) TR Jessy 3 3 ¥ x ¥ Re 3 3 3 3 N : hy whe BS ¥ 3 ¥ hy 1 3 BS : $ § ¥ 3 ¥ : أ \ ! RE 3 :ا . § الت Sond TT 3 ¥ N 1 * © : ؟ 0 ؟ Nene الت الست ا 8 8 eo, 3 ¥ 3 8 * BR: J A 3 = Na, 3 § > 3 J 3 x Nn 3 ¥ po 5 8 > د ال N 3 اماج 8 للا 8 AAA AAA AAA eo eee ] § هنا KB by % § We ¥ - § مخ Nx 8 ليد د FN ong IY N % § 8 اذ لا acd ; AE : 3 Na, 8 N § ا Ra * ome ¥ 3 اجا N a 3 > 3 = 3 3 5 د E 3 3 7 So § ¥ 5% Ee 3 § 4 hy BS 3 TIN, hy 3 § 3 #8 ب 0 § 3 by Norge 3 . Novy. § ¥ 8 اجا ةا RS 3 N ER 3 x TN 3 > 3 3 3 Ny Pong 3 المي 3 3 3 by ب نْ 3 3 3 b 3 3 : > ANE 3 x iW Nn, 3 3 Neda 3 : BS 1 by 3 3 N E 3 5 3 by 3 BS ood 3 ¥ : يج : by “x pod Toms i Re - 3 لي Pogo Nog 5: & ب by 8 الجخ : + Rs حل الا : 3 3 3 3 + بق The : 3 > 1 3 ES ال ار § J 3 3 Ey 3 Hy RS FE 3 3 3 8“ 3 RE a TX RES 6 8 3 3 & % 3ج“ S&F >< 8 x ين ؟ )0 3 N 3 3 FON Ca 3 : EE EEA LEE SEE EEE LENE EAL LE 3 3 > 8 "٠. اواج اا ااا 3 Ea ا Ne by ¥ 3 3 ب RR 3 ws 3 3 8 4 3 لل ¥ 3 a 3 EE EE EEE EEE ET TE EEL EEE LON J i { 3 N : i Ey Vo 3 : : :i. 3 x iW av by ,8 ال 3 قن ا 1 3 es ب ا م by . 3 ب 3 8 Je Ri 3 ل 1 نا LN o ~ EK w PR Fo ARRAY Nee § 8 ال EE & X BN 5 : 1 ا 8 سح للب - al N N fe 0 i 0 > RN ¥ by 3 الا Nox, 3 £3 Rees : RN ¥ 3 3 نحا 8 8 ب La i 0 8 0 : 0 1 ب 3 3 3 3 الا N AANA N BS Ny ب Nang N HN i N Nin, 3 3 3 by So 4 \ 0 0 8 ااا لان i 0 : : اذ IT 3 3 3 by I ego} 3 3 by : 3 8 جلا“ by RY RN RWG “8 5 kd 3 by 3 3 ¥ 2 : 3 re 3 3 by - 3 5 3 3 ¥ 2 3 3 3 ب ey ST. : ا § ال ا ص La بير الم N i H كد .£5 i R b 3 JR 3 3 N by 3 3 3 3 by 3 3 3 3 by 3 3 3 3 by 3 3 3 3 by 3 3 3 3 by 3 3 3 3 by 3 3 + 3 ES = 6 اللح لحلل لهل لل ل لل لل ل لل لل لعل لعل لل لل لالع 8“ by 3 3 3 by 3 3 3 by 3 3 3 by 3 3 5 BS 5 : اتيرب N $ § ااا ااا مين Ny ا لججاج خخخ خخخ كك ا ا ا ا إ_إ_إ_إ_إ _ أ جح TANNIN : BS 5 الي جم مج مم ممح مويو i Fy 3 3 & 1 * 8 » ل iT oe oF N a8 N ¥ § 1 EEA AA TARA A TARA AERA AA TARA ARIA AA TARA AA 3 ححا N EN & لطبي . ل RIS he & NEE 3 Fo REE by I= 3 ؟ ES 0 1 0 امس لل اللا حبSl ب 18 يدم RL سسا بن - i 2) 1 > f= A i PL TE 1 ل i am E 3 * % لا [ ae Bie OW : [| i 5 ع توي ١ ٍ انحر pe و ل : آ[ [| sin hn ee م [ in = ١ ١ | اد aad “3 الي ْ متا ل إ 0 لوحو و a إ 8 4+ سس : [ a i, 3 1 ةق إ i ! EN امح لكل a بي EAE 8 4 as ابا ma 3 لتر 1 i ne SN J 3 ل 0 ; : | ا nll نعم i fo ———— Le ١ i4.0% WV, =ndY i اي ب 3 موحي : : & ا خا 0 ا الل 25 خا لل رجح i £ hd قل 3, Todi i pda Sx ICR I adit : i سس شمن bra igi زد حصي ومس من 1 يو اأحسب CHa Paid j لح م oar ل ب ret لا إ | ال ا ل oF لايس المي 3 إ § =H Fu P > F 7 ا و َ مح SY i = : i nS Lg gg" Dg ERE 1 = pay — ا i Rd اله “حت % Te شه إ لا pon vide تتا الا فقا الل« رق + أ i Tok; : § 0 3 | الج HAV, ia يج a AV, ba Jed AE, t £ ْ: | a بن إْ 4 Pig : حب Savini امتح قم | Gl م spans} الت ص EY ged EE Te مين ل فس 3 ا + “Re $2 we JF "ns Ra 2 i Te Ps -~ 2s ag ا oT fed wii i wig Noo AYE To a ااا i 5% <p =F, oo oo السام EE RE CEE IN حيو bd co TREE 34% AL العم ٍ es” | ا re OL [EE | Ep ض 5 مم ا SE [Vesna قل قلقم SA لا." 1 كمي A تلد Basing إحسب fai | ْ اسه قم hoviniy سيد Fogg إإ .ا 31 حي [ a Ne 3 ra : [ Fi ey ne wy حربيظ ll بي Voaa® Padi با إ hg a AT SL الل إ » " LER ET oy pe J | adi 3 ca LA 0 ا Gh شكلجوج he Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke Ny ke N N را N N i 3 N H N 3 $ N N 3 $ N N 3 $ N N i 3 § § i N 3 AR ¥ N N 3 SEX 8 N 3 YE ARR 0 HN N Se N 3 & & 3 N RR 3} 5 ¥ 3 }3 HN مسد ست سس ل 3 * 3 N N H EL os FE H i N 3 - EE 3 3 _ h og N 3 BETS SEE 3 HN SE N rE why y EK] N Rd yy 3 i 8 ا م Ky 3 1 # اللي الي انه 3 ga Se EK i ب تخ ال Sasol Ny 0 N 3 NN Toke RE * 3 3 he 3 1 ةي 8 2 N by 3 R N 3 Ny 83 3 Foy © SN 3 N i 8 حي = NII 3ج EI 8 N io LS te ld wk 3 1 N 3 3 RS RR JN 3 1 Ny 3 IX § 3 3 3 N Ny I 8 3 - 3 N Ty Ed : 3 N £3 © ؟ N N 8 Ny IE 0 8 RY 3 HN + ؟ > N LAA AERA 3 N 3 ؟ $3 © N 3 N LAR SSANRS x % 3 N ا الا اا ؟ 10 N hy SN ANN 3 3 5 ky Y 3 N 3 ; ؟ 3 الس i 3 SY 8 H N 3 0% ؟ 13 Tossed 35ج ؟ السسة N I N 3 3 3 i H i Fl sss LE N ا اسلا سس 1 : 3 : اتا ا أ ا 3 EEE SE SE J J 3 EY ا N Nl 3 3 8 3% 3 3 }3 N 3 3 3 5: 5 3 3 5 الل N 3 8 IF Ny 3 3 3 ON * 3 3 a RE CARE اا 3 اتح J الل SEARS RSS N 3 3 3 0 N 3 ¥ by 3 By 3 N + جه 3 3 3 5 8 N N 3 ¥ 3 3 3d FI: N A F003 3 8 FI ORR Ri Ry x 3 Ao wy ا N ال ARRAY ا م ل N 3 الى ة } 0 N Wg Fy i ke 3 3M N 3 ia § N 3 N N SSI, N § 3 3 N ES wn 5 7 “> i x & § 8 3 8 N 4 § H A N 3 N 3 8 3 3 N 3 5 3 ال § N N § BW bh 3 3 N N AR 3 FY bh : 3 3 N SF 8 8 Ea | bY 3 N لاا 5 N N 3 3 ل 8 3 ١ : ين N N : is 1 3 bh SR 3 Ey ا ا XA 8 اخ مج }3 ¥“ + N ww N By 8 : 8 ِ N ¥ nd Wg } 3 8 2 by TL Ny N 2) ok 2) 3 p= 3 bg TEA 3 3} N 3 i BN ١ 8 8 Ea 8 : H لج مد ااا 1 3 8 5 + ون N N 3 4 3 3 § ee 3 8 : N 3 8 3 3 BS * 8 3 : N i % N i 8 i : A SA AN, 3 3 NX ااا جوج ol الج لوجتت ااا Ny 3 3 N 8 i 3 N 3 an 3 Y bh b 3 wR N 8 1 3 p Fad 3 \ J ~ الم 3 ممح ؟ Ny N a REE N 0 8 3 H x bs i لج N i N RE ل : 5 3 ]3 N 3 A +0 “ 85 : : = i oe - ا 3 8م 3 8 مي i الح لح ل سس ا 6 3 N N 3 EE) X FORE: # 3 kd H مسا 3 3 3 N N 3 3 3 % 3 ¥ HS - bg 3 J 3 ات N محم 3 3 ا 3 N i N TH: i N 3 8 3 الج لل لل للحن 3 Ny N N 3 N Ny sy N 3 8 ا “> N ES 3 3 اي 5 N سج 3 3 N ES ax: AN 3 N 3 3 ١ 0 i Hy 0 i Be ES 2 ¥ : 3 ¥ 3 الم ho المي NNR J 1 N .£3 0 N 3 3 RX 3 LE 3 N لمم 3 N H N : عن ؟ N ES Ky 3 Rats 3 3 i 0 الام 8 N الس لل N الب N 3 “حي ين N سس ل ل الي a N 3 3 3 wa Ne : { 8 > و الت لسلا تتا امام 5 3 ا EN ; os 3 N 3 3 مي E N 3 : 3 N 3 : 8 N 8 6 Fo Fre 4 ابي الس i i : سل i i 3 3 3 : N 0 N RN Sead PR i i > 3 8 ب N 3 3 3 N 8 8 N : > N لا + ِ wd i \ ل aa 3 2 1 صصص RE اب لذ By 3 R 5 اي ؟: N 3 3 3 « اب § NRT 0 N بخغحهة N R 0 i ES SSE oo a 1 1 to N 5 ps3 % 3 3 N 3 X 3d 3 3 ¥ : 3 3 NNN حو 4 وان Tanna 0 ْ مل 3 8 3 3d : Ky 3d 1 83 Ky K 3 3 3 5 hi i 0 3d 5 3d 5 3d 5 ES EK RRR et: J RTA Faia إٍ بدي 8 إ الا 003 § . لب Ves كع f=8 إ : تحححتتححححب . = 0 الي 1 م ER en 1 > ال i Aki ny ; : 35 : i 1 صر روما "سيا ا ١ 2 اشيج R ب 1 0 اي حب 1 A ¥ ؟ + د ؟ : = : ب" A بسب نشت تعد قسني 1 . % I of امت SIRE Co £1 I = i Bad 2 y & kb} Wa \ & po ١ 15 موي | ١ التظر 1 ا by a 4 fe a ; : ا : الج ا ens لضو حا با iv FE.Fs ER EE TY ; Poul الفولطية ag Jad : Sadat ald نبض est im on 0 x \ ! 3 الكمنية .نجس نا قسن لاسب الا د ند ات Foy ا ب" fen, } . 0 : اليس RR امه ds PrP __ الحم سس BPP ممص أ حا 1 1 " موا با ا ا تعم PE fei 1, poe, Side ْ 0 > wv قد ب : FO 58 07 ia ا - 7 wi : * الاي "م : all Ja Bt Co . ل RAY N عل نيس القولطية E Tis A ٍْ [PER i Aglal gilt : تعر an op 4 “ % 4 ١ ]: | الست اللا كس ited b Pui ] كد معي اانا الس لمي Ea ار | : o Ts ¥ “Tap 8 ا : دا ذقا»م د ل نبوا لد ا Ne LER 7 SR وروي VT io : 0 حجر تاها ل Te Fie t, roy vids sie 3, fs bar Vood جا woman اك« دمل ا fad a 5 py ARE SEAN wt ted ow FH Vote nay, فعل نبض الفولطية pV RAY. نبض الفولطية din | ve aan a © تحط الت قسن basal Pei يبظ الحمني تاها لطا قسن ا ° al Paid = ميض 7 1 “ls Poss = Poi Bia ae hay ER : a B gn AI § ; un ام موا اررق Soi ES Foon لت Fs 0 اط IRS Ca اا شكل؛ اب٠ 5 2 — بي 4 مقابل فولطية مستخدمة [ |[ |[ #8 رد لط[[ه#لنار 3 الا ان Gn م الا اا ا ياو بق و!ء# .لهك Fx Yea * .لا (فولتات) شكل١ ١ A ie مقابل معدل hal النبض NA إسسس سه أسسسيسة TENSE TT. AOE I Mi.I MR لمبسسس له سهدططاالمسسال =a TE FE ااانا حم مسا الا اللا Jo oo rm a —"" ا نان اا اناا الل Lal 8. LN Ry ب زمن (وحدات مطلقة) شكل١ أب موأ مقابل عرض النبض لاااتة هياب # شل - 2ن IA I ب TNR (AN I A 50 RE VA I Sa 4+: Y&y oy Yas ¥ عرض النيض (وحدات مد مطلقة) شكلا اجلاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا Sued Authority for intallentual Property RE .¥ + \ ا 0 § 8 Ss o + < م SNE اج > عي كي الج TE I UN BE Ca a ةا ww جيثة > Ld Ed H Ed - 2 Ld وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. Ad صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب 101١ .| لريا 1*١ v= ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201461943134P | 2014-02-21 | 2014-02-21 | |
| US201461943127P | 2014-02-21 | 2014-02-21 | |
| US201461947326P | 2014-03-03 | 2014-03-03 | |
| US201462022087P | 2014-07-08 | 2014-07-08 | |
| PCT/US2015/016981 WO2015127323A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-02-21 | System and method for managing the power output of a photovoltaic cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA516371695B1 true SA516371695B1 (ar) | 2019-10-20 |
Family
ID=52597318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516371695A SA516371695B1 (ar) | 2014-02-21 | 2016-08-18 | نظام وطريقة لإدارة خرج قدرة خلية كهروضوئية |
Country Status (24)
| Country | Link |
|---|---|
| US (9) | US10069306B2 (ar) |
| EP (5) | EP3142210B1 (ar) |
| JP (4) | JP6203419B2 (ar) |
| KR (7) | KR102038811B1 (ar) |
| CN (3) | CN112615587A (ar) |
| AP (1) | AP2016009446A0 (ar) |
| AU (1) | AU2015218726B2 (ar) |
| BR (1) | BR132017023427E2 (ar) |
| CA (1) | CA2937025C (ar) |
| CL (3) | CL2016002108A1 (ar) |
| DK (1) | DK3108563T3 (ar) |
| EA (7) | EA031542B1 (ar) |
| ES (4) | ES2811349T3 (ar) |
| HK (1) | HK1246513A1 (ar) |
| HU (1) | HUE038066T2 (ar) |
| IL (4) | IL247264B (ar) |
| MX (6) | MX364771B (ar) |
| MY (2) | MY197953A (ar) |
| NZ (1) | NZ721992A (ar) |
| PH (7) | PH12016501622B1 (ar) |
| PL (1) | PL3108563T3 (ar) |
| SA (1) | SA516371695B1 (ar) |
| SG (6) | SG10201907174XA (ar) |
| WO (1) | WO2015127323A1 (ar) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10396709B2 (en) * | 2009-09-30 | 2019-08-27 | United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for in-situ health monitoring of solar cells in space |
| US10069306B2 (en) * | 2014-02-21 | 2018-09-04 | Solarlytics, Inc. | System and method for managing the power output of a photovoltaic cell |
| US10103547B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-10-16 | Solarlytics, Inc. | Method and system for applying electric fields to multiple solar panels |
| SG10201912082PA (en) * | 2014-03-03 | 2020-02-27 | Solarlytics Inc | Method and system for applying electric fields to multiple solar panels |
| US9846110B2 (en) * | 2015-06-02 | 2017-12-19 | GM Global Technology Operations LLC | Particulate matter sensor diagnostic system and method |
| GB2543308A (en) | 2015-10-14 | 2017-04-19 | Solaris Photonics Ltd | System of power generation |
| CN106169903B (zh) * | 2016-09-21 | 2018-08-21 | 华北电力大学（保定） | 一种光伏-蓄电池发电系统的虚拟惯性控制方法 |
| US10903655B2 (en) * | 2016-09-27 | 2021-01-26 | I.D. Systems, Inc. | Extended-life asset tracking and sensing power source and management system |
| US9966361B1 (en) | 2016-11-04 | 2018-05-08 | General Electric Company | Electronics package having a multi-thickness conductor layer and method of manufacturing thereof |
| US20180130732A1 (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | General Electric Company | Electronics package having a multi-thickness conductor layer and method of manufacturing thereof |
| US10700035B2 (en) | 2016-11-04 | 2020-06-30 | General Electric Company | Stacked electronics package and method of manufacturing thereof |
| US9966371B1 (en) | 2016-11-04 | 2018-05-08 | General Electric Company | Electronics package having a multi-thickness conductor layer and method of manufacturing thereof |
| US20190117196A1 (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Canon Medical Systems Corporation | Ultrasound diagnostic apparatus and ultrasound probe |
| WO2020047664A1 (en) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | Dpm Technologies Inc. | Systems and methods for intelligent control of rotating electric machines |
| KR102315244B1 (ko) * | 2018-09-05 | 2021-10-20 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 | 전자 소자의 구동 방법 |
| WO2020219995A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | Aerovironment | System and method for solar cell array diagnostics in high altitude long endurance aircraft |
| RU2722215C1 (ru) * | 2019-05-16 | 2020-05-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Системы накопления энергии" | Способ обеспечения динамической устойчивости энергосистемы, включающей электрогенератор, нагрузку и систему накопления электрической энергии |
| KR102194369B1 (ko) * | 2019-05-22 | 2020-12-23 | 한밭대학교 산학협력단 | 경사진 밴드갭 태양전지의 소수 캐리어 유효 확산 길이 깊이 프로파일 산출방법 |
| CN110237660A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-17 | 苏州市建科建筑节能研究开发有限公司 | 利用光伏和谷电联合的干燥压缩空气系统及其控制方法 |
| CN110904090B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-10-08 | 东华大学 | 模拟体内力-电微环境的动态细胞培养方法和培养装置 |
| CN111121452B (zh) * | 2020-01-09 | 2020-09-18 | 永康市利高工具厂 | 一种基于导体半导体互相切换的加热器 |
| CN111584951B (zh) * | 2020-04-08 | 2021-09-21 | 北方工业大学 | 一种退役电池重构方法及系统 |
| CA3159864A1 (en) | 2021-05-13 | 2022-11-13 | Exro Technologies Inc. | Method and apparatus to drive coils of a multiphase electric machine |
| CN116488579B (zh) * | 2023-06-21 | 2023-12-22 | 深圳道童新能源有限公司 | 一种光电器件的性能检测方法及其性能调整方法 |
Family Cites Families (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981525A (en) * | 1988-02-19 | 1991-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| US5215599A (en) | 1991-05-03 | 1993-06-01 | Electric Power Research Institute | Advanced solar cell |
| JP3585527B2 (ja) | 1994-06-02 | 2004-11-04 | 株式会社日立製作所 | 太陽光発電方法および太陽光発電モジュール |
| JP3206339B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2001-09-10 | トヨタ自動車株式会社 | 太陽電池 |
| CN1093985C (zh) | 1996-05-17 | 2002-11-06 | 佳能株式会社 | 光电元件的制造方法 |
| JPH10173215A (ja) | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池融雪装置を具備した太陽光発電装置 |
| JPH11251615A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | 融雪機能付き太陽光発電システム |
| AU766466B2 (en) * | 1999-05-14 | 2003-10-16 | Kaneka Corporation | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
| JP2002299675A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Akinori Ito | 太陽電池 |
| US6674064B1 (en) * | 2001-07-18 | 2004-01-06 | University Of Central Florida | Method and system for performance improvement of photodetectors and solar cells |
| JP2004079997A (ja) | 2002-06-19 | 2004-03-11 | Canon Inc | 発電システム及び発電装置 |
| US7158395B2 (en) * | 2003-05-02 | 2007-01-02 | Ballard Power Systems Corporation | Method and apparatus for tracking maximum power point for inverters, for example, in photovoltaic applications |
| US8204709B2 (en) | 2005-01-18 | 2012-06-19 | Solar Sentry Corporation | System and method for monitoring photovoltaic power generation systems |
| US20070204899A1 (en) * | 2006-03-02 | 2007-09-06 | Boyd Darry L Sr | Photovoltaic cell a solar amplification device |
| US20090038669A1 (en) * | 2006-09-20 | 2009-02-12 | Translucent Photonics, Inc. | Thin Film Solar Cell III |
| WO2008132551A2 (en) | 2006-12-06 | 2008-11-06 | Solaredge Technologies | Current bypass for distributed power harvesting systems using dc power sources |
| US20090078304A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Jack Arthur Gilmore | Photovoltaic charge abatement device, system, and method |
| US8018748B2 (en) * | 2007-11-14 | 2011-09-13 | General Electric Company | Method and system to convert direct current (DC) to alternating current (AC) using a photovoltaic inverter |
| US8138631B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-03-20 | Eiq Energy, Inc. | Advanced renewable energy harvesting |
| KR101447876B1 (ko) | 2008-05-15 | 2014-10-13 | 주성엔지니어링(주) | 태양광 발전 시스템 및 방법 |
| KR20090128954A (ko) | 2008-06-12 | 2009-12-16 | 주식회사 엔피홀딩스 | 태양전지 모듈 |
| US8095710B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-01-10 | Silicon Laboratories Inc. | System and method of providing electrical isolation |
| CN102089883B (zh) | 2008-07-08 | 2013-02-06 | 三菱电机株式会社 | 太阳光发电装置 |
| US7969757B2 (en) * | 2008-12-12 | 2011-06-28 | Array Converter, Inc. | Apparatus providing bias to solar cells |
| FR2940476B1 (fr) | 2008-12-18 | 2011-02-25 | Total Sa | Systeme de gestion electronique de cellules photovoltaiques |
| KR101046731B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2011-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 분배 장치와 그를 갖는 메모리 장치 |
| ES2880800T3 (es) | 2009-02-06 | 2021-11-25 | Segton Advanced Tech | Métodos para producir material fotovoltaico capaz de sacar provecho de fotones de alta energía |
| JP4888817B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-02-29 | オムロン株式会社 | パワーコンディショナおよび太陽光発電システム |
| WO2010127037A2 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Alpha Technologies Inc. | Solar power systems optimized for use in cold weather conditions |
| DE102009031839B4 (de) * | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Ingmar Kruse | Verfahren zur Überwachung einzelner Photovoltaikmodule in einer Anordnung, die mehrere Photovoltaikmodule umfasst sowie eine Einrichtung zur Durchführung des vorgenannten Verfahrens |
| TWI402898B (zh) | 2009-09-03 | 2013-07-21 | Atomic Energy Council | 鈍化修補太陽能電池缺陷之方法 |
| US9202964B2 (en) * | 2010-03-01 | 2015-12-01 | First Solar, Inc. | System and method for photovoltaic device temperature control while conditioning a photovoltaic device |
| US8217258B2 (en) | 2010-07-09 | 2012-07-10 | Ostendo Technologies, Inc. | Alternating bias hot carrier solar cells |
| CN103097974B (zh) * | 2010-08-27 | 2015-03-11 | 学校法人几德学园 | 太阳能光发电系统、利用太阳能光发电系统的控制装置、以及控制方法及其程序 |
| US20120112557A1 (en) * | 2010-10-09 | 2012-05-10 | Sager Brian M | Solar Panel with Reconfigurable Interconnections |
| US8466582B2 (en) | 2010-12-03 | 2013-06-18 | Enphase Energy, Inc. | Method and apparatus for applying an electric field to a photovoltaic element |
| US8871670B2 (en) | 2011-01-05 | 2014-10-28 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Defect engineering in metal oxides via surfaces |
| US8716999B2 (en) * | 2011-02-10 | 2014-05-06 | Draker, Inc. | Dynamic frequency and pulse-width modulation of dual-mode switching power controllers in photovoltaic arrays |
| US8937822B2 (en) | 2011-05-08 | 2015-01-20 | Paul Wilkinson Dent | Solar energy conversion and utilization system |
| US9748414B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-08-29 | Arthur R. Zingher | Self-activated front surface bias for a solar cell |
| KR101449891B1 (ko) | 2011-05-20 | 2014-10-13 | 솔렉셀, 인크. | 태양 전지를 위한 자가-활성된 전면 바이어스 |
| CN102231395B (zh) | 2011-06-17 | 2013-11-13 | 郭建国 | 绝缘栅型硅光伏电源组件 |
| GB201200714D0 (en) | 2012-01-16 | 2012-02-29 | Bell Stephen W | Apparatus for generating electricity from solar energy |
| WO2013141817A1 (en) | 2012-03-23 | 2013-09-26 | National University Of Singapore | Photovoltaic cell with graphene-ferroelectric electrode |
| US9559518B2 (en) * | 2012-05-01 | 2017-01-31 | First Solar, Inc. | System and method of solar module biasing |
| EP3499695A1 (en) * | 2012-05-25 | 2019-06-19 | Solaredge Technologies Ltd. | Circuit for interconnected direct current power sources |
| DE102012107316B4 (de) | 2012-08-09 | 2019-08-14 | Solarzentrum Stuttgart GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Photovoltaikmodulen |
| US20140060643A1 (en) | 2012-09-05 | 2014-03-06 | Lane W. Martin | Light Absorbing Oxide Materials for Photovoltaic and Photocatalytic Applications and Devices |
| DE202012011176U1 (de) | 2012-11-21 | 2013-03-28 | Karl-Heinz Prywerek | Elektrisches Feld als Unterstützung von Photovoltaikanlagen |
| CN105164687B (zh) * | 2013-03-01 | 2021-02-05 | 太阳能窗户科技有限公司 | 建筑集成光伏设备作为智能传感器在智能建筑能源管理系统的应用 |
| US9299503B2 (en) * | 2013-03-05 | 2016-03-29 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Recovering performance of degraded solar cells with electrical pulses |
| US20150107644A1 (en) | 2013-10-17 | 2015-04-23 | UltraSolar Technology, Inc. | Photovoltaic (pv) efficiency using high frequency electric pulses |
| US20150108851A1 (en) | 2013-10-19 | 2015-04-23 | UltraSolar Technology, Inc. | Photovoltaic systems with shaped high frequency electric pulses |
| US10069306B2 (en) * | 2014-02-21 | 2018-09-04 | Solarlytics, Inc. | System and method for managing the power output of a photovoltaic cell |
| US10103547B2 (en) * | 2014-02-21 | 2018-10-16 | Solarlytics, Inc. | Method and system for applying electric fields to multiple solar panels |
-
2015
- 2015-02-20 US US14/628,079 patent/US10069306B2/en active Active
- 2015-02-21 SG SG10201907174XA patent/SG10201907174XA/en unknown
- 2015-02-21 EP EP16189399.5A patent/EP3142210B1/en active Active
- 2015-02-21 EP EP20162039.0A patent/EP3687023A1/en not_active Withdrawn
- 2015-02-21 SG SG10201705113PA patent/SG10201705113PA/en unknown
- 2015-02-21 CN CN202011465998.4A patent/CN112615587A/zh active Pending
- 2015-02-21 KR KR1020197009418A patent/KR102038811B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 MY MYPI2019004651A patent/MY197953A/en unknown
- 2015-02-21 PL PL15707518T patent/PL3108563T3/pl unknown
- 2015-02-21 SG SG11201606871YA patent/SG11201606871YA/en unknown
- 2015-02-21 JP JP2016553379A patent/JP6203419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-02-21 KR KR1020167024429A patent/KR101785234B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 EA EA201691604A patent/EA031542B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-02-21 SG SG10201912121XA patent/SG10201912121XA/en unknown
- 2015-02-21 WO PCT/US2015/016981 patent/WO2015127323A1/en active Application Filing
- 2015-02-21 EP EP15707518.5A patent/EP3108563B1/en active Active
- 2015-02-21 NZ NZ721992A patent/NZ721992A/en unknown
- 2015-02-21 ES ES16189399T patent/ES2811349T3/es active Active
- 2015-02-21 SG SG10201706204WA patent/SG10201706204WA/en unknown
- 2015-02-21 AU AU2015218726A patent/AU2015218726B2/en not_active Ceased
- 2015-02-21 SG SG10201912120UA patent/SG10201912120UA/en unknown
- 2015-02-21 KR KR1020177005174A patent/KR20170024144A/ko active Application Filing
- 2015-02-21 HU HUE15707518A patent/HUE038066T2/hu unknown
- 2015-02-21 EP EP17204510.6A patent/EP3312963B1/en active Active
- 2015-02-21 MX MX2016010839A patent/MX364771B/es active IP Right Grant
- 2015-02-21 CN CN201580009869.5A patent/CN106030825B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-02-21 ES ES17204517T patent/ES2779988T3/es active Active
- 2015-02-21 ES ES15707518.5T patent/ES2658299T3/es active Active
- 2015-02-21 KR KR1020197016714A patent/KR102213356B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 AP AP2016009446A patent/AP2016009446A0/en unknown
- 2015-02-21 CA CA2937025A patent/CA2937025C/en active Active
- 2015-02-21 ES ES17204510T patent/ES2798898T3/es active Active
- 2015-02-21 KR KR1020187007815A patent/KR102104183B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 KR KR1020217003174A patent/KR20210016070A/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 EA EA201792352A patent/EA035235B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-02-21 DK DK15707518.5T patent/DK3108563T3/en active
- 2015-02-21 EA EA201890615A patent/EA034625B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-02-21 MY MYPI2016001428A patent/MY177400A/en unknown
- 2015-02-21 CN CN201710201991.3A patent/CN107425806B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-02-21 KR KR1020197030909A patent/KR102238875B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-21 EP EP17204517.1A patent/EP3312964B1/en active Active
- 2015-03-03 EA EA201991418A patent/EA037333B1/ru unknown
- 2015-03-03 EA EA201991420A patent/EA037310B1/ru unknown
- 2015-03-03 EA EA201991419A patent/EA039165B1/ru unknown
- 2015-03-03 EA EA202092537A patent/EA202092537A3/ru unknown
-
2016
- 2016-08-14 IL IL247264A patent/IL247264B/en unknown
- 2016-08-14 IL IL269906A patent/IL269906B/en active IP Right Grant
- 2016-08-15 PH PH12016501622A patent/PH12016501622B1/en unknown
- 2016-08-18 SA SA516371695A patent/SA516371695B1/ar unknown
- 2016-08-19 MX MX2018013926A patent/MX2018013926A/es unknown
- 2016-08-19 CL CL2016002108A patent/CL2016002108A1/es unknown
- 2016-08-19 MX MX2019003719A patent/MX2019003719A/es unknown
- 2016-08-19 MX MX2019004373A patent/MX2019004373A/es unknown
- 2016-08-19 MX MX2019004031A patent/MX2019004031A/es unknown
- 2016-08-19 MX MX2019005275A patent/MX2019005275A/es unknown
-
2017
- 2017-01-19 US US15/410,637 patent/US10193345B2/en active Active
- 2017-03-08 JP JP2017043626A patent/JP6496336B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-24 PH PH12017500562A patent/PH12017500562A1/en unknown
- 2017-08-08 PH PH12017501418A patent/PH12017501418A1/en unknown
- 2017-10-30 BR BR132017023427A patent/BR132017023427E2/pt unknown
- 2017-12-21 PH PH12017502398A patent/PH12017502398A1/en unknown
-
2018
- 2018-02-13 CL CL2018000392A patent/CL2018000392A1/es unknown
- 2018-05-03 HK HK18105699.3A patent/HK1246513A1/zh unknown
- 2018-07-23 US US16/042,758 patent/US10355489B2/en active Active
- 2018-10-09 US US16/155,648 patent/US11108240B2/en active Active
- 2018-12-14 US US16/220,920 patent/US20190123563A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-01-31 US US16/264,427 patent/US10978878B2/en active Active
- 2019-03-08 JP JP2019042464A patent/JP6807422B2/ja active Active
- 2019-03-15 PH PH12019500574A patent/PH12019500574A1/en unknown
- 2019-03-15 PH PH12019500573A patent/PH12019500573A1/en unknown
- 2019-03-15 PH PH12019500572A patent/PH12019500572A1/en unknown
- 2019-03-25 US US16/363,322 patent/US11152790B2/en active Active
- 2019-08-26 CL CL2019002455A patent/CL2019002455A1/es unknown
- 2019-10-23 IL IL270113A patent/IL270113B/en active IP Right Grant
-
2020
- 2020-12-07 JP JP2020202615A patent/JP7028948B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-09 US US17/197,012 patent/US20210203162A1/en not_active Abandoned
- 2021-04-14 IL IL282331A patent/IL282331A/en unknown
- 2021-08-02 US US17/392,030 patent/US20210367428A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA516371695B1 (ar) | نظام وطريقة لإدارة خرج قدرة خلية كهروضوئية | |
| AU2008359997A2 (en) | System and method for utility pole distributed solar power generation | |
| Mansoor et al. | Throwing light on lightning | |
| AU2019202592A1 (en) | Method and system for applying electric fields to multiple solar panels | |
| Stern et al. | Lightning induced EMC phenomena in photovoltaic modules | |
| CN102136812A (zh) | 太阳能光伏发电系统 | |
| Jose | Grid integration of PV systems-issues and requirements | |
| CN108933478A (zh) | 在电力系统中启用通信和控制的方法及装置 | |
| CN211239344U (zh) | 风光柴储一体化交直流离网微电网集成控制器 | |
| CN208158132U (zh) | 一种集散分布式太阳能发电系统 | |
| CN106026166A (zh) | 一种接入弱电网的新能源电站无功容量检测方法 | |
| JP3128368U (ja) | 光絶縁型地絡保護継電器付高圧気中開閉器 | |
| WO2014031145A1 (en) | New electric energy deployment model for solar system | |
| WO2019067187A2 (en) | TANK COMBINER SYSTEM | |
| CN209344805U (zh) | 光伏并网系统 | |
| Haeberlin et al. | PV and Fire Brigade Safety: No Panic, but Realistic Assessment of Danger and Possible Countermeasures | |
| CN204132085U (zh) | 一种多功能防虫防鸟网 | |
| CN204132238U (zh) | 一种带有防虫功能的防鸟网 | |
| EA035983B1 (ru) | Способ (варианты) и система для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрического устройства | |
| CN204290862U (zh) | 用于家庭光伏电站的交直流防雷箱 | |
| Amicucci et al. | Lightning risk to photovoltaic power generating systems | |
| Hassan et al. | Analysis of Ac Transmission from Desert-Area Large-Scale Photovoltaic Generation | |
| BR132017023435E2 (pt) | método e sistema para aplicação de campos elétricos a múltiplos painéis solares | |
| ESSACKJEE et al. | DISTRIBUTED GENERATION–THE OTHER SIDE OF THE COIN | |
| Ciprés Lechuga | Analysis of the implementation of a photovoltaic plant in Catalonia |