SA515360658B1 - تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة - Google Patents

تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة Download PDF

Info

Publication number
SA515360658B1
SA515360658B1 SA515360658A SA515360658A SA515360658B1 SA 515360658 B1 SA515360658 B1 SA 515360658B1 SA 515360658 A SA515360658 A SA 515360658A SA 515360658 A SA515360658 A SA 515360658A SA 515360658 B1 SA515360658 B1 SA 515360658B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
envelope
light
hardening
solar
solar cells
Prior art date
Application number
SA515360658A
Other languages
English (en)
Inventor
بونيا جابريلا
Original Assignee
صن بور كوربوريشن
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by صن بور كوربوريشن filed Critical صن بور كوربوريشن
Publication of SA515360658B1 publication Critical patent/SA515360658B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/049—Protective back sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10706—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer being photo-polymerized
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
    • H02S30/10—Frame structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0831—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بخلايا شمسية يتم تغليفها بواسطة وضع الخلايا الشمسية بين رقاقات من مغلفات (320). يتم تعريض المغلفات لضوء أشعة فوق بنفسجية (UV) لتصليد المغلفات وربط المغلفات مع بعضها البعض لتغليف الخلايا الشمسية (321). يمكن إجراء خطوات التصليد بواسطة الأشعة فوق البنفسجية UV لربط أحد المغلفات بغطاء علوي شفاف والخلايا الشمسية، ولربط المغلف الآخر بالخلايا الشمسية وبرقاقة خلفية (322). بعد ذلك يمكن اختياريًا تركيب عبوة واقية تتضمن الغطاء العلوي الشفاف، والخلايا الشمسية المغلفة، والرقاقة الخلفية على إطار (323). شكل 1.

Description

_— \ _ تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة ‎Module assembly for thin solar cells‏ الوصف الكامل
خلفية الاختراع
تتعلق نماذج المادة الحالية الموصوفة في الطلب الحالي بصفة عامة بخلايا شمسية. بمزيد من
التحديد, تتعلق نماذج المادة الحالية بوحدات نمطية من ‎LIAN‏ الشمسية ‎.solar cell module‏
تمثل الخلايا الشمسية أجهزة معروفة جيداً لتحويل الإشعاع الشمسي إلى طاقة كهربائية. يكون © للخلية الشمسية جانب أمامي يتجه نحو الشمس لتجميع الإشعاع الشمسي أثناء التشغيل الطبيعي
وجانب خلفي مقابل الجانب الأمامي. الإشعاع الشمسي الذي يرتطم على الخلية الشمسية يشكل
إلكترونات وثقوب تنتقل إلى مناطق الانتشار, وبالتالي تشكل فروق الفولطية بين مناطق الانتشار.
يتم تشكيل ملامسات معدنية طبقاً لمناطق الانتشار المناظرة للسماح بتوصيل دائرة كهربائية
خارجية, على سبيل المثال, حمل مطلوب توصيله ويتم تزويده بالقدرة بالخلية الشمسية.
‎٠‏ يمكن توصيل وتغليف ‎WAY‏ الشمسية على التوالي معاً لتشكيل وحدة خلية شمسية نمطية. توفر التغليف حماية بيئية للخلايا الشمسية, ويمكن أن تتضمن غطاء علوي على الجانب الأمامي, ومغلف يغلف الخلايا الشمسية, ورقاقة خلفية توفر عزل على الجانب الخلفي. تتعلق نماذج الاختراع الحالي بعمليات تغليف خلية شمسية تسمح بوضع دقيق للخلية الشمسية. الوصف العام للاختراع
‎Vo‏ في أحد النماذج, يتم تغليف الخلايا الشمسية بوضع الخلايا الشمسية بين رقائق من المغلفات. يتم تعريض المغلفات إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية ‎ultraviolet (UV) light‏ لإنضاج المغلفات وربط المغلفات معاً لتغليف الخلايا الشمسية. يمكن إجراء خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية ‎ultraviolet (UV)‏ لربط واحد من المغلفات بغطاء علوي شفاف والخلايا الشمسية, ولربط المغلف ‎AY)‏ بالخلايا الشمسية ورقاقة خلفية. يمكن أن يكون الغلاف الواقي الذي يتضمن الغطاء العلوي
‎oY
_ اذ الشفاف, الخلايا الشمسية المغلفة, والرقاقة الخلفية , ولكن ليس بالضرورة, أن تكون مركبة على إطار. ستكون هذه السمات والسمات الأخرى من الاختراع الحالي واضحة بسهولة للأشخاص ذوي المهارة العادية في المجال عند قراءة هذا الكشف بالكامل, والذي يتضمن الأشكال وعناصر الحماية © المرفقة.
شرح مختصر للرسومات يمكن اشتقاق فهم أكثر تعقيداً للمادة الحالية بالرجوع إلى الوصف التفصيلي وعناصر الحماية عند دراستها بالاشتراك مع الأشكال التالية, حيث تشير الأرقام المرجعية المماثلة إلى عناصر مماثلة طوال الأشكال. لم يتم رسم الأشكال وفقاً لمقياس رسم معين.
‎٠‏ الشكل ‎١‏ يوضح وحدة خلية شمسية نمطية وفقاً لأحد نماذج الاختراع الحالي. الأشكال ‎5-١‏ تمثل مناظر بمقطع عرضي توضح على نحو تخطيطي طريقة لتكوين وحدة الخلية الشمسية النمطية من الشكل ‎١‏ وفقاً لأحد نماذج الاختراع الحالي. الشكل 76 يوضح مخطط بياني لتدفق طريقة لتكوين وحدة خلية شمسية نمطية وفقاً لأحد نماذج الاختراع الحالي.
‎Yo‏ الأشكال 1-7 تمثل مناظر بمقطع عرضي توضح على نحو تخطيطي طريقة لتكوين وحدة الخلية الشمسية النمطية من الشكل ‎١‏ وفقاً لنموذج آخر من الاختراع الحالي. الشكل ‎٠١‏ يوضح مخطط بياني لتدفق طريقة لتكوين وحدة خلية شمسية نمطية وفقاً لنموذج آخر من الاختراع الحالي. الوصف التفصيلى:
‎٠‏ في الكشف الحالي, يتم تقديم العديد من التفاصيل المحددة, ‎Jie‏ أمثلة على المكونات, والمواد, والطرق, لتوفير فهم شامل لنماذج الاختراع. ومع ذلك؛ الأشخاص ذوو المهارة العادية في المجال,
‎oY
يه أنه يمكن تطبيق الاختراع بدون واحد أو أكثر من التفاصيل المحددة. في حالات أخرى, لا يتم ‎Ole‏ ‏أو وصف التفاصيل المعروفة جيداً لتجنب الجوانب المبهمة من الاختراع. الشكل ‎١‏ يوضح وحدة خلية شمسية نمطية ‎٠٠١‏ وفقاً لأحد نماذج الاختراع الحالي. تكون ‎samy‏ ‏الخلية الشمسية النمطية ‎٠٠١‏ ما يطلق عليه 'وحدة خلية شمسية نمطية أرضية” من حيث إنها © تكون مصممة للاستخدام في التطبيقات الثابتة, مثلا على الأسطح العلوية أو بواسطة وحدات القدرة الفولطائية الضوئية. في المثال من الشكل ‎,١‏ تتضمن وحدة الخلية الشمسية النمطية ‎٠٠١‏ مصفوفة من الخلايا الشمسية المتصلة بينياً ‎2.٠١١‏ لا يتم ترميز سوى بعض من الخلايا الشمسية ‎٠١١‏ في الشكل ‎١‏ لبيان التوضيح. في المثال من الشكل ‎,١‏ تتضمن ‎WAY‏ الشمسية ‎٠١١‏ خلايا شمسية بملامس للجانب الخلفي. في الخلايا الشمسية بملامس بالجانب الخلفي, يتم تشكيل جميع مناطق ‎٠‏ الانتشار والملامسات المعدنية المقترنة بمناطق الانتشار على الجانب الخلفي للخلية الشمسية. أي, مناطق الانتشار بكل من النوع © والنوع ‎N‏ وتكون الملامسات المعدنية المقترنة بها على الجانب الخلفي للخلية الشمسية. في نماذج أخرى, يمكن أن تكون الخلايا الشمسية ‎٠١١‏ كذلك خلايا شمسية بملامس بالجانب الأمامي أو أنواع أخرى من الخلايا الشمسية. من الأمور المرئية في الشكل ‎١‏ الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية ‎.٠١١‏ يشار إلى الجوانب ‎١‏ الأمامية من الخلايا الشمسية ‎٠١١‏ كذلك ‎aul‏ زز "جانب الشمس” لأنها تتجه نحو الشمس لتجميع أشعة الشمس أثناء التشغيل الطبيعي. تكون الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية ‎٠١١‏ ‏مقابل الجوانب الأمامية. يوفر الإطار ‎٠١١‏ حامل ميكانيكي للخلايا الشمسية ‎.٠١١‏ يكون الجزء الأمامي ‎٠١‏ من وحدة الخلية الشمسية النمطية ‎٠٠١‏ على نفس الجانب كما الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية ‎٠١١‏ ويكون مرئي في الشكل ‎.١‏ يكون الجزء الخلفي ؛١٠‏ من وحدة الخلية ‎٠‏ الشمسية النمطية ‎٠٠١‏ تحت الجزء الأمامي ‎Ve‏ يكون الجزء الخلفي ؛١٠‏ من وحدة الخلية الشمسية النمطية ‎٠٠١‏ على نفس الجانب كما الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية ‎.٠١١‏ ‏الأشكال 5-7 تمثل مناظر بمقطع عرضي توضح على نحو تخطيطي طريقة لتكوين وحدة خلية شمسية نمطية ‎٠٠١‏ وفقاً لأحد نماذج الاختراع الحالي. لا يتم رسم الأشكال ‎Bay 5-7١‏ لمقياس ‎oy‏
Co ‏في‎ .77١ ‏على غطاء علوي شفاف‎ 7٠١ ‏يتم وضع رقاقة من مغلف‎ ,١ ‏في المثال من الشكل‎ ‏مم إلى 4 مم,‎ ١ ‏أحد النماذج, يتضمن الغطاء العلوي الشفاف 770 زجاج له سمك يتراوح بين‎ ‏يتم وضع‎ .7٠١ ‏على المغلف‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ WAN ‏على سبيل المثال, 3,7 مم. يتم وضع‎ ‏يمكن وضع‎ .7٠١ ‏في محاذاة مع جوانبها الأمامية المتجهة نحو المغلف‎ ٠١٠ ‏الخلايا الشمسية‎ ‏ميكرو‎ ٠5٠ ‏بالنسبة لبعضها البعض على مسافة 00 إلى مسافة في نطاق‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ DAY 0 ‏متصلة‎ ٠١١ ‏ميكرو متر دقة, على سبيل المثال. يمكن أن تكون الخلايا الشمسية‎ ٠٠١ ‏متر إلى‎ ٠١١ ‏كهربائياً على التوالي بمعادن توصيل بيني مشكلة على الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ (0 ‏موضحة في الشكل‎ YOO ‏(على سبيل المثال, معادن توصيل بيني‎ ‏على مغلف متعدد الطبقات. في المثال من الشكل 7, يشتمل‎ 7٠١ ‏يمكن أن يشتمل المغلف‎ ‏يمكن أن يكون‎ WY ‏وطبقة مغلف‎ ,7١١ ‏طبقة مغلف‎ ,7١١ ‏على طبقة مغلف‎ 7٠١ ‏المغلف‎ ٠ ‏ميكرو مترء؛ يمكن أن يكون لطبقة المغلف‎ 5٠ ‏ميكرو متر إلى‎ YO ‏سمك يبلغ‎ ١١١ ‏لطبقة المغلف‎ ‏ميكرو‎ Yo ‏سمك يبلغ‎ 7١١ ‏ويمكن أن يكون لطبقة المغلف‎ jie ‏ميكرو‎ YOu ‏سمك يبلغ‎ ؟١‎ ‏ميكرو متر. يمكن أن يتفاوت سمك طبقات المغلف بناء على النواحي التفصيلية‎ 5٠6 ‏متر إلى‎ ‏مواد إضافة تسمح لها بالربط في الغطاء العلوي‎ 7١١ ‏للتطبيق. يمكن أن تتضمن طبقة المغلف‎ ‏مواد إضافة‎ 7١١ ‏عند الإنضاج. على سبيل المثال, يمكن أن تتضمن طبقة المغلف‎ 7٠١ ‏الشفاف‎ Vo ‏عند الإنضاج.‎ ٠١١ ‏تسمح لها للربط بالخلايا الشمسية‎ ‏مغلف قابل للإنضاج بالضوء. في أحد النماذج, يكون المغلف‎ 7٠١ ‏يمكن أن يتضمن المغلف‎ ‏للإنضاج بالتعرض إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية (/الا). في أحد النماذج, يمكن‎ JB YY ‏بالتعرض إلى ضوء‎ 7٠7١ ‏للربط بالغلاف العلوي الشفاف الزجاجي‎ 7١١ ‏إنضاج طبقة المغلف‎ ‏للربط بالخلايا‎ YOY ‏ويمكن إنضاج طبقة المغلف‎ AL ‏أشعة فوق بنفسجية له طول موجي أول‎ YS ‏بالتعرض إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية لطول موجي ثاني 12 يمكن أن يتكون‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ ‏يغلف على نحو واقي الخلايا‎ modified polyolefin ‏من مغلف بولي أولفين معدل‎ 7٠١ ‏المغلف‎ ‎oxygen ‏أقل من خمسة بالمائة بالوزن من أكسجين‎ polyolefin ‏الشمسية. يكون للبولي أولفين‎ ‏في السلسلة الأساسية أو السلسلة الجانبية. بعبارة أخرى, النسبة المئوية‎ nitrogen ‏ونيتروجين‎ ‏المشتركة بالوزن من أكسجين ونيتروجين في أي موقع في البنية الجزيئية من البولي أولفين تكون‎ YO oy ae ‏نانو متر إلى‎ "٠00 ‏من خمسة. يتراوح مدى الطول الموجي لإنضاج الأشعة فوق البنفسجية من‎ 8 ‏متر.‎ li Eas ‏ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ 77١ ‏في المثال من الشكل 7, يطلق مصدر ضوء أشعة فوق بنفسجية.‎ ‏ضوء‎ .٠١١ ‏ويواجه الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية‎ AL ‏بشدة عالية له طول موجي أول‎ ‏يدخل من‎ 77١ ‏الأشعة فوق البنفسجية المنبعث بواسطة مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية.‎ © ‏وبالتالي يعرض طبقة‎ VY) ‏ليسطع على طبقة المغلف‎ 77١ ‏وخلال الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏إلى ضوء الأشعة فوق البنفسجية. ينضج ضوء الأشعة فوق البنفسجية طبقة المغلف‎ 7١١ ‏المغلف‎ ‎.7١١ ‏بطبقة المغلف‎ 77١ ‏الغطاء العلوي الشفاف‎ Lali), YY ‏في المثال من الشكل 3, يطلق مصدر ضوء أشعة فوق بنفسجية 777 ضوء أشعة فوق بنفسجية‎
A) ‏ويواجه كذلك الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية‎ A2 SB ase ‏بشدة عالية لطول‎ ٠ ‏يدخل‎ 77١7 ‏ضوء الأشعة فوق البنفسجية المنبعث بواسطة مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية‎ ‏ليسطع على‎ YAY 5 7١١ ‏ومن خلال طبقات المغلف‎ ,77١ ‏من وخلال الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية. ينضج‎ 7١١ ‏وبالتالي يعرض طبقة المغلف‎ YY ‏طبقة المغلف‎ ‏بطبقة المغلف‎ ٠١١ ‏؟, وارتباط الخلايا الشمسية‎ ١“ ‏ضوء الأشعة فوق البنفسجية طبقة المغلف‎
YY Yo ‏يمكن أن تشتمل مصادر ضوء الأشعة فوق البنفسجية 77 و١7 على مصادر ضوء مختلفة أو‎ ‏نفس مصدر الضوء الذي يكون قابل للتهيئة لإطلاق ضوء أشعة فوق بنفسجية ذات أطوال موجية‎ ‏على منصة, مثل منضدة‎ 77١ ‏مختلفة. في وسط تصنيع, يمكن وضع الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏من أسفل المنصة.‎ 77١0 ‏عمل أو ناقل, بقاطع يسمح للضوء بأن يضيء الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏يتم وضع الخلايا‎ .77١0 ‏على الجزء العلوي من الغطاء العلوي الشفاف‎ 7٠١ ‏يتم وضع المغلف‎ ٠ ‏(على سبيل المثال, باستخدام إنسان آلي). بمجرد‎ 7٠١ ‏بعد ذلك بدقة على المغلف‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ ‏يتم تشغيل مصادر ضوء‎ ,٠١١ ‏والخلايا الشمسية‎ ,١٠١ ‏تراص الغطاء العلوي الشفاف, والمغلف‎ ‏و77 الموضوعة تحت المنصة واحد بعد الآخر لإجراء خطوات‎ 77١ ‏الأشعة فوق البنفسجية‎ ‏يمكن أن يتفاوت‎ .7٠١ ‏سبق لإنضاج المغلف‎ led ‏الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية الموصوفة‎ ‏بناء على النواحي التفصيلية لعملية التصنيع.‎ 7٠١ ‏الترتيب الذي يتم إنضاج طبقات المغلف‎ Yo oy
—y— ‏بالاستمرار مع الشكل ؛, يتم وضع رقاقة من مغلف 7450 على الجوانب الخلفية من الخلايا‎ ‏يمكن أن تتضمن الرقاقة الخلفية‎ .7 4١ ‏على المغلف‎ YE) ‏ويتم وضع رقاقة خلفية‎ ,٠١١ ‏الشمسية‎ ‏طبقة واحدة أو عدة طبقات من المواد التي توفر حماية بيئية إلى المكونات الأخرى من وحدة‎ 7١ ‏سبيل المثال, على فلورو‎ de, YE) ‏الخلية الشمسية النمطية. يمكن أن تشتمل الرقاقة الخلفية‎ ‏بولي تترا فلورو‎ polyvinylidene fluoride ‏بولي فينيليدين فلوريد‎ flouropolymer ‏بوليمر‎ 5 ‏بولي فينيلين كبريتيد‎ polypropylene ‏بولي بروبيلين‎ polytetrafluoroethylene ‏إيثيلين‎ ‏أو‎ polycarbonate ‏بولي كربونات‎ , polyester ji. ‏بولي‎ polyphenylene sulfide .polyphenylene oxide ‏أكسيد بولي فينيلين‎ ‏على مغلف مفرد أو متعدد الطبقات قابل للإنضاج بواسطة الآشعة‎ 7٠0 ‏يمكن أن يشتمل المغلف‎ ‏فوق البنفسجية. في أحد النماذج, يتضمن المغلف 7460 بولي أولفين معدل يضم أقل من خمسة‎ ٠ ‏بالوزن من أكسجين ونيتروجين في السلسلة الأساسية أو السلسلة الجانبية. بعبارة أخرى,‎ LAL ‏النسبة المئوية المشتركة بالوزن من أكسجين ونيتروجين في أي موقع في البنية الجزيئية من البولي‎ ‏أولفين تكون أقل من خمسة.‎ ‏في المثال من الشكل ؛, يطلق مصدر ضوء أشعة فوق بنفسجية "77 ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ ‏يعتمد الطول الموجي المعين من‎ .٠١١ ‏بشدة عالية, ويواجه الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ Vo ‏ضوء الأشعة فوق البنفسجية المنبعث بواسطة مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية 77 على‎ ‏يطلق مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية 2؟3؟؟‎ YE) ‏؟ ؟ والرقاقة الخلفية‎ ٠ ‏تركيبات من المغلف‎
Yio ‏ليسطع على المغلف‎ YE) ‏ضوء أشعة فوق بنفسجية يدخل من وخلال الرقاقة الخلفية‎ ‏وبالتالي يعرض المغلف 0 7 إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية. ينضج ضوء الأشعة فوق البنفسجية‎ 7٠١١و‎ VE ‏ويربط المغلفات‎ VE ‏بالمغلف‎ ٠١١ ‏وبالتالي يربط الخلايا الشمسية‎ YE ‏المغلف‎ ٠ .٠١١ ‏معاً لتغليف الخلايا الشمسية‎ ‏في مثال وسط التصنيع الموصوف فيما سبق, يمكن وضع مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية‎ ‏"؟؟ فوق المنصة التي تحمل وحدة الخلية الشمسية النمطية الجاري تصنيعها. يتم وضع المغلف‎ ‏على‎ YE) ‏ويتم وضع الرقاقة الخلفية‎ ,٠١١ ‏على الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ ٠ ‏المغلف 740. بعد ذلك يتم تنشيط مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية 777 لإنضاج المغلف‎ Yo
A
,٠١١ ‏الشمسية المغلفة‎ LAN YY. ‏لتشكيل غلاف واقي يشتمل على الغطاء العلوي‎ YY. .7 4١ ‏والرقاقة الخلفية‎ ‏تستخدم الضوء بدلاً من‎ ultraviolet (UV) ‏نظراً لأن خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية‎ 3٠١١ ‏المغلفات‎ YY. ‏الحرارة, لا يلتف تراص المواد الذي يشتمل على الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏أثناء الإنضاج. وهذا من شأنه أن يسمح بوضع دقيق نسبياً للخلايا‎ YE ‏و50 ؟, والرقاقة الخلفية‎ © ‏المنخفضة المتضمنة في الإنضاج بالأشعة فوق‎ shall ‏كما تساعد درجات‎ .٠0١٠١ ‏الشمسية‎ ‎shal ‏البنفسجية في منع انفصال طبقات الحزمة الواقية. على وجه الخصوص, في حين يمكن‎ ‏خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية عند درجة الحرارة المحيطة العامة للمصنع (مثل, على‎ ‏درجة مئوية), يتم إجراء ترقيق باللف الفراغي والعمليات‎ YA ‏درجة مثوية إلى‎ VA ‏سبيل المثال, بين‎ ‏لتشكيل عبوات واقية للوحدات النمطية من الخلايا الشمسية عند‎ Laat ‏الحرارية الأخرى المستخدمة‎ ٠ ‏درجة مثوية.‎ ٠٠١ ‏درجات حرارة تفوق‎ ‏مجتمعة في صورة المغلف 5؛7 بعد‎ ٠١و‎ Yio ‏في المثال من الشكل #, يتم ترقيم المغلفات‎ ‏خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية الموصوفة فيما سبق. الشكل © يوضح كذلك معادن‎ ‏على الجانب الخلفي. يتم‎ ٠١١ ‏التي توصل كهربائياً الخلايا الشمسية‎ Yo ‏التوصيل البيني‎
Yeo ‏المغلف‎ YY. ‏اختيارياً تركيب العبوة الواقية الناتجة التي تشتمل على الغطاء العلوي الشفاف‎ ٠ .٠٠١ ‏لتشكيل وحدة الخلية الشمسية‎ )١ ‏(انظر الشكل‎ ٠١7١ ‏على الإطار‎ YE) ‏والرقاقة الخلفية‎ ‏وتكون الرقاقة‎ ,٠٠١" ‏على الجزء الأمامي‎ 77١0 ‏طبقاً لتغليفه بإطار, يكون الغطاء العلوي الشفاف‎
Neg ‏على الجزء الخلفي‎ Ye ‏الخلفية‎ ‏والخلايا‎ 77٠0 ‏التي تكون في تلامس مع الغطاء العلوي‎ 7٠١ ‏بمجرد إنضاج أجزاء المغلف‎ ‏التي تكون في تلامس مع‎ YE ‏بالأشعة فوق البنفسجية ويتم إنضاج أجزاء المغلف‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ ٠ ‏حرارية‎ dallas ‏بالأشعة فوق البنفسجية, يمكن إجراء‎ YE) ‏والرقاقة الخلفية‎ ٠١١ ‏الخلايا الشمسية‎ ‏وهذا راجع إلى أن الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية‎ 2.٠١١ ‏تالية بدون إخلال بالخلايا الشمسية‎ ‏حتى عندما يتقوس الغطاء‎ ,٠١١ ‏و70 يثبت مسافة التباعد بين الخلايا الشمسية‎ 7٠١ ‏للمغلفات‎ ‏الإنضاج النهائي لتجويف الوحدة في وسيلة‎ Jie ‏في خطوة معالجة حرارية تالية,‎ 778 gla ‏ترقيق أو إعادة تدفق داخل الفرن.‎ Yo oy qe ‏الشكل 76 يوضح مخطط بياني لتدفق طريقة لتكوين وحدة خلية شمسية نمطية وفقاً لأحد نماذج‎ ‏الاختراع الحالي. في المثال من الشكل 1, يتم وضع مغلف أول قابل للإنضاج بالأشعة فوق‎ ‏يتم بعد‎ .)75١ ‏البنفسجية على غطاء علوي شفاف, يشتمل على زجاج في هذا المثال (الخطوة‎ ‏ذلك وضع خلايا شمسية في محاذاة على المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية,‎ ‏بحيث تكون الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية متجهة نحو المغلف الأول القابل للإنضاج‎ 0 ‏يتم إطلاق ضوء الأشعة فوق البنفسجية نحو الجوانب‎ (TOV ‏بالأشعة فوق البنفسجية (الخطوة‎ ‏الأمامية من الخلايا الشمسية, التي تدخل من خلال الغطاء الشفاف وتسطع على المغلف الأول‎ ‏القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية, وبالتالي يتم إنضاج المغلف الأول القابل للإنضاج‎ ‏بالأشعة فوق البنفسجية لربط الغطاء العلوي الشفاف إلى المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة‎
‎٠‏ فوق البنفسجية (الخطوة ‎(YOV‏ مرى أخرى يتم إطلاق ضوء الأشعة فوق البنفسجية نحو الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية, التي تدخل من خلال الغطاء الشفاف وتسطع على المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية, وبالتالي يتم إنضاج المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية لربط الخلايا الشمسية إلى المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية (الخطوة 4 75).
‎١‏ بعد إنضاج المغلف الأول القابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية, يتم وضع مغلف ثاني قابل للإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية على الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية (الخطوة 755). بعد ذلك يتم وضع رقاقة خلفية على المغلف الثاني القابل للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية (الخطوة ‎(YO‏ يتم إطلاق ضوء أشعة فوق بنفسجية نحو الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية, التي تدخل من خلال الرقاقة الخلفية ويسطع على المغلف الثاني القابل للإنضاج بواسطة الأشعة
‎٠‏ فوق البنفسجية, وبالتالي يتم إنضاج المغلف الثاني القابل للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية لربط الخلايا الشمسية إلى المغلف الثاني القابل للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية, لربط المغلفات الأول والثاني القابلين للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية ‎lee‏ وتغليف الخلايا الشمسية, وربط الرقاقة الخلفية بالمغلف الثاني القابل للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية (الخطوة ‎.)75١‏ بعد ذلك اختيارياً يتم تركيب ‎spl)‏ الواقية الناتجة على إطار (الخطوة ‎(TOA‏
‎oy ye ‏تمثل مناظر بمقطع عرضي توضح على نحو تخطيطي طريقة لتكوين وحدة خلية‎ 9-١7 ‏الأشكال‎ ‏لا يتم رسمها وفقاً‎ 9-١7 ‏من الاختراع الحالي. الأشكال‎ AT ‏لنموذج‎ By ٠٠١ ‏شمسية نمطية‎ ‏لمقياس معين.‎ ‏بين رقائق من المغلفات القابلة للإنضاج‎ ٠١١ ‏في المثال من الشكل 7, يتم وضع الخلايا الشمسية‎ ‏يمكن أن تتضمن‎ LTT 0٠ ‏بواسطة الأشعة فوق البنفسجية على وجه التحديد, المغلفات‎ © ‏مغلف مفرد أو متعدد الطبقات قابل للإنضاج بواسطة الأشعة فوق‎ YoY 309 ‏المغلفات‎ ‏على بولي أولفين معدل يكون به أقل من خمسة‎ FY 30٠ ‏البنفسجية. يمكن أن تشتمل المغلفات‎ ‏بالمائة بالوزن من أكسجين ونيتروجين في السلسلة الأساسية أو السلسلة الجانبية. بعبارة أخرى,‎ ‏المشتركة بالوزن من أكسجين ونيتروجين في أي موقع في البنية الجزيئية من البولي‎ ial) ‏النسبة‎ ‏يكون على الجوانب الأمامية‎ Vo) ‏أولفين تكون أقل من خمسة. في المثال من الشكل #, المغلف‎ ٠ .٠١١ ‏والمغلف 907 يكون على الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ ,٠١١ ‏من الخلايا الشمسية‎ ‏ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ Vo ‏يطلق مصدر ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ A ‏في المثال من الشكل‎ ١4 ‏ويطلق مصدر ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ ,٠١١ ‏نحو الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ ‏تعتمد أطوال‎ .٠١١ ‏ضوء أشعة فوق بنفسجية نحو الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية‎ ‏الموجات المعينة من ضوء الأشعة فوق البنفسجية المنبعث بواسطة مصادر ضوء الأشعة فوق‎ ١ ‏و707. ينضج ضوء الأشعة فوق البنفسجية‎ 30٠ ‏و04" على تركيبة المغلفات‎ 07 daa) ‏وينضج ضوء الأشعة‎ To Y ‏المنبعث بواسطة مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية 207 المغلف‎ ‏يربط‎ Fe) ‏فوق البنفسجية المنبعث بواسطة مصدر ضوء الأشعة فوق البنفسجية ؛ 0 المغلف‎ ‏طبقاً‎ .٠١١ ‏الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية المغلفات 07 و٠0 معاً لتغليف الخلايا الشمسية‎ ‏في نفس خطوةٍ الإنضاج بالأشعة‎ lee To) 5 707 ‏يمكن أن ندرك, يمكن إنضاج المغلفات‎ WY ‏فوق البنفسجية أو على حدة في خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية المنفصلة.‎ ‏لبيان أن‎ 7٠١ ‏و07 مجتمعة في صورة مغلف‎ 70٠ ‏في المثال من الشكل 4, يتم ترقيم المغلفات‎
YoY, Ve) ‏قد ربطت المغلفات‎ ultraviolet (UV) ‏خطوات الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية‎ ‏التي‎ 75١ ‏الشكل 9 يوضح كذلك معادن التوصيل البيني‎ .٠١١ ‏لتغليف الخلايا الشمسية‎ las ‏في‎ ٠١١ ‏طبقاً لما يمكن أن ندرك, تكون الخلايا الشمسية‎ .٠١١ ‏توصل كهربائياً الخلايا الشمسية‎ YO oy
-١١- ‏محاذاة ثابتة بالنسبة لبعضها البعض بمجرد تغليفها. ولذلك, عقب المعالجة الحرارية المنفذة سيكون‎
A) ‏للخطوات تأثير من ضئيل إلى منعدم على وضع الخلايا الشمسية‎ ‏على الغطاء‎ ٠١١ ‏الذي يغلف الخلايا الشمسية‎ 7٠١ ‏في المثال من الشكل 1, يتم وضع المغلف‎ ‏بحيث تتجه‎ 7٠١ ‏الذي يشتمل على زجاج في هذا المثال. يتم وضع المغلف‎ ,17١ ‏العلوي الشفاف‎ ‏يتم وضع الرقاقة‎ .77١0 ‏نحو الغطاء العلوي الشفاف‎ ٠١١ ‏الجوانب الأمامية من الخلايا الشمسية‎ 0 ‏الغطاء‎ .٠١١ ‏نحو الجوانب الخلفية من الخلايا الشمسية‎ anid) ,©٠١ ‏على المغلف‎ YE) ‏الخلفية‎ ‏معاً لتشكيل‎ 76١ ‏والرقاقة الخلفية‎ YY ‏يمكن بعد ذلك ترقيق المغلف‎ YY ‏العلوي الشفاف‎ ‏غلاف واقي. على سبيل المثال, يمكن إجراء العبوة الواقية بواسطة ترقيق باللف الفراغي. على‎ ‏درجة مئوية, لا تؤثر‎ ٠٠١ ‏الرغم من عملية الترقيق تتضمن التسخين إلى درجة حرارة تزيد عن‎ ‏بالنسبة لبعضها البعض لأنه يتم تغليف الخلايا‎ ٠١١ ‏عملية الترقيق على محاذاة الخلايا الشمسية‎ ٠ ‏قبل عملية الترقيق. يتم بعد ذلك اختيارياً تركيب العبوةٍ الواقية التي تشتمل على‎ ٠١١ ‏الشمسية‎ ‏يوضح‎ ٠١ ‏على إطار. الشكل‎ YE) ‏والرقاقة الخلفية‎ YY ‏المغلف‎ YY ‏الغطاء العلوي الشفاف‎ ‏مخطط بياني لتدفق طريقة لتكوين وحدة خلية شمسية نمطية وفقاً لنموذج آخر من الاختراع‎ ‏يتم وضع الخلايا الشمسية بين رقائق من المغلفات القابلة‎ ,٠١ ‏الحالي. في المثال من الشكل‎ ‏يتم إجراء واحدة أو أكثر من خطوات‎ .)77١0 ‏للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية (الخطوة‎ ١ ‏الإنضاج بالأشعة فوق البنفسجية التي تتضمن تعريض المغلفات إلى ضوء أشعة فوق بنفسجية‎ ‏لإنضاج المغلفات القابلة للإنضاج بواسطة الأشعة فوق البنفسجية, وبالتالي يتم ربط المغلفات معاً‎ ‏برقاقة‎ lee ‏الشمسية المغلفة‎ LAY ‏يتم بعد ذلك ترقيق‎ .)77١ ‏لتغليف الخلايا الشمسية (الخطوة‎ ‏خلفية وغطاء علوي شفاف لتشكيل غلاف واقي (الخطوة 777). على سبيل المثال, يمكن ترقيق‎ ‏الخلايا الشمسية المغلفة, والرقاقة الخلفية, والغطاء العلوي الشفاف معاً بترقيق باللف الفراغي. بعد‎ ٠ ‏ذلك يتم تركيب الغلاف المحمي اختيارياً على إطار لاستكمال وحدة الخلية الشمسية النمطية‎ .)3 77 ‏(الخطوة‎ ‏تم الكشف عن تقنيات تغليف الخلايا الشمسية للوحدات النمطية من الخلايا الشمسية. في حين تم‎ ‏توفير نماذج محددة للاختراع الحالي, ينبغي أن ندرك أن هذه النماذج تكون لأغراض التوضيح‎ ‏وليس التقييد. ستتضح الكثير من النماذج الإضافية لدى الأشخاص ذوي المهارة العادية في المجال‎ YO oy
-١١7- ‏عند قرا ءة هذا الكثشف.‎ oY

Claims (1)

  1. او عناصر الحماية ‎-١‏ طريقة لتصنيع وحدة نمطية لخلية شمسية ‎«solar cell module‏ حيث تشتمل الطريقة على: وضع مغلف أول على غطاء علوي شفاف؛ وضع جوانب أمامية لمجموعة من الخلايا الشمسية على المغلف الأول؛ تقوم الجوانب الأمامية للخلايا الشمسية المواجهة للشمس بتجميع الإشعاع الشمسي أثناء التشغيل العادي؛ تصليد ‎curing‏ المغلف الأول لربط الغطاء العلوي الشفاف © بالمغلف الأول بواسطة تعريض المغلف الأول لضوء الاشعة فوق البنفسجية ‎ultraviolet (UV)‏
    ‎light‏ خلال الغطاء العلوي الشفاف في خطوة تصليد أولى؛ وتصليد المغلف الأول لربط مجموعة الخلايا الشمسية بالمغلف الأول بواسطة تعريض المغلف الأول لضوء الاشعة فوق البنفسجية ‎ultraviolet (UV) light‏ خلال الغطاء العلوي الشفاف في خطوةٍ تصليد ثانية؛ حيث تكون خطوة التصليد ‎dull‏ مختلفة عن خطوة التصليد 001109 الأولى.
    ‎Ye ‏حيث يعمل تصليد المغلف الأول لربط مجموعة الخلايا‎ ١ ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية‎ -" ‏طبقة ثانية للمغلف الأول لربط مجموعة الخلايا‎ curing ‏الشمسية بالمغلف الأول على تصليد‎ ‏الشمسية بالطبقة الثانية للمغلف الأول.‎
    ‎Vo‏ *#- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ‎١‏ حيث يؤدي تصليد المغلف الأول لربط الغطاء العلوي الشفاف بالمغلف الأول إلى تصليد ‎curing‏ طبقة أولى للمغلف الأول لربط الغطاء العلوي الشفاف بالطبقة الأولى للمغلف الأول. ؟- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ‎١‏ تشتمل أيضاً على: وضع مغلف ثاني على الجوانب الخلفية
    ‎٠٠‏ ا لمجموعة ‎WAN‏ الشمسية؛ وتكون الجوانب الخلفية مقابلة للجوانب الأمامية؛ وضع رقاقة خلفية على المغلف الثاني؛ وتصليد المغلف الثاني لربط المغلفات الأولى والثانية مع بعضها البعض لتغليف مجموعة الخلايا بواسطة تعريض لمغلف الثاني لضوء الاشعة فوق البنفسجية ‎ultraviolet‏ ‎(UV) light‏ خلال الرقاقة الخلفية.
    ‎oy yee ‏المغلف الثاني أيضاً على ربط‎ curing ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية £0 حيث يعمل تصليد‎ —o ‏الرقاقة الخلفية بالمغلف الثاني.‎ ‏على: تركيب عبوة واقية على إطار؛ تشتمل‎ Load ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية © حيث تشتمل‎ - ‏العبوة الواقية على مجموعة الخلايا الشمسية المغلفة بواسطة المغلفات الأولى والثانية؛ الغطاء‎ © ‏العلوي الشفاف؛ والرقاقة الخلفية.‎ ‏على خلية‎ solar cell ‏الشمسية‎ WIAD ‏حيث تشتمل مجموعة‎ ١ ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية‎ -١ ‏شمسية متلامسة من الجانب الخلفي.‎ Ye ‏حيث يشتمل الغطاء العلوي الشفاف على زجاج.‎ ١ ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية‎ —A ‏حيث تشتمل الطريقة على:‎ «solar cell module ‏طريقة لتصنيع وحدة نمطية لخلية شمسية‎ -4 ‏في خطوة‎ ultraviolet (UV) light ‏تصليد مغلف أول باستخدام ضوء الاشعة فوق البنفسجية‎ ‏علوي شفاف بالمغلف الأول؛ تصليد المغلف الأول باستخدام ضوء الاشعة‎ slag ‏تصليد أولى لربط‎ ١ ‏تصليد ثانية لربط مجموعة من الخلايا‎ sad ‏في‎ ultraviolet (UV) light ‏فوق البنفسجية‎ curing ‏الشمسية بالمغلف الأول؛ حيث تكون خطوة التصليد الثانية مختلفة عن خطوة التصليد‎ ‏في‎ ultraviolet (UV) light ‏الأولى؛ تصليد مغلف ثاني باستخدام ضوء الاشعة فوق البنفسجية‎ ‏وتغليف مجموعة الخلايا الشمسية؛ وتركيب‎ Ge ‏خطوة تصليد ثالثة لربط المغلفات الأولى والثانية‎ ‏عبوة واقية تشتمل على مجموعة من الخلايا الشمسية المغلفة؛ الغطاء العلوي الشفاف؛ ورقاقة خلفية‎ ٠ ‏على إطار.‎ ‏الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 9 حيث يعمل تصليد المغلف الثاني باستخدام ضوء الاشعة‎ -٠ ‏في خطوة التصليد الثالثة على ربط الرقاقة الخلفية‎ ultraviolet (UV) light ‏فوق البنفسجية‎ ‏بالمغلف الثاني.‎ Yo oy
    اج \ _
    ‎-١١‏ الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 9 حيث يعمل تصليد المغلف الأول باستخدام ضوء الاشعة
    ‏فوق البنفسجية ‎ultraviolet (UV) light‏ في خطوةٍ التصليد الأولى على ربط طبقة أولى للمغلف
    ‏الأول بالغطاء العلوي الشفاف. ‎-١١ 5‏ الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ‎١١‏ حيث يعمل تصليد المغلف الأول باستخدام ضوء الاشعة
    ‏فوق البنفسجية ‎ultraviolet (UV) light‏ في خطوةٍ التصليد الثانية على ربط طبقة ثانية للمغلف
    ‏الأول بمجموعة الخلايا الشمسية.
    ‎VY‏ الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 4 حيث يشتمل الغطاء العلوي الشفاف على زجاج.
    ‎oY
    -١؟-‎ Ve ) 0 | bed Yan eZ ‏سا‎ OK May, ١ ‏كر‎ ID ‏<«الله- اله له‎ SE Ne Ne Vers A = SESS ré - } “eg p > ‏مين‎ od ‏ب‎ eg ; re “Fe _ =a - 5 ele 8 ‏ا ' يا‎ No . i = 1 ‏تمصي م‎ CSS >< ‏ممصن‎ ‎ٍ XE 4 : 5 : ٍ ‏دعو‎ ‎: ‏اب‎ : ١ ‏شكل‎
    J ‏مس‎ 0 tay i bed EN LER] 45 il 2 : Cl 1 ; ‏مقي‎ A REE y y 0 0 ‏د‎ ee CE SE LEE ‏لنت ال لم‎ TET oe | ae ١ eee Herrero rr. J | ‏ألمي‎ lt Gnd ‏لوق‎ Ba ep gion [Rad \ ] ‏ف الم‎ Try poe : Y ow 4 4 3 mn bt ‏عنقي‎ si 0 5 ‏ل ل‎ i TUF se EE LP ESE EE EEE ‏ااا‎ ‎LAR SCH 4 i 4 i 1 2 ‏سس ل ا‎ AAS RA ‏اسه‎ Rousset sssetttrssee ‏الأ المج مسج امجح‎ i ٍ { § 4 i 1 1 1 i LAE 1 1 1 1 ‏د‎ 1 ; ١ ٍ ‏إ‎ | \ } ] 1 ‏جاتب اماي( : ا‎ ‏تالت‎ a a ve 0 1 Senay ‏مصدر صو تعد قوق‎ (Ra) ) N NS NE A EE Aaa ee Try + ‏شكل‎ ‎oY
    و ‎i‏ ‏ٍْ 3 ما 4 1 ‎Vay Ley‏ جانب: علقي 1 أ ,7 | ‎oo‏ ‏| ا 1 ا 8 ال 1 ‎I ER, I £ 4‏ م ‎BND ENA NCE.
    AUURNY HRD AUS Mr‏ ‎SO 2k.
    SSSA 3‏ 0 ونج انى 7 ‎OL ou mt pe TON‏ تان ‎Ty Lo FE BT 0 TNL BE SAR A TNR A" RE‏ ‎I IIIB‏ تلات ات تحت حتت ‎TY Vo ’ i Fy‏ انس سسحت ‎BY‏ ‏مل ‎dtr‏ ماني ‎é an‏ شكل 1 8+ ال ‎dl‏ ناد 4 ‎Ta LER OY jot Yai § : 3 rad‏ 3 : 0 ‎i fd 1 1 { i i 1 1‏ ‎i A 0 0 ٍ 1 3‏ َع 0 | ‎oe dr.‏ اع :بمج القت ‎SE ARR ST 5 WE‏ اس 5" ‎veh ty” ra” JR‏ الل غيب يس ب ‎TE‏ ‎ee‏ ‏} ‎YY: |‏ ‎Aaa | TE‏ ‎wll i‏ 7 ‎jf‏ ‎a iE‏ ‎or Le‏ سي ‎oy‏
    -١- ] ‏سل‎ ‎ne } ( AA > ‏شكل‎ ‎LTRS
    =« \ _ ‎y vy Ext‏ § 1 ا 3 1 1 1 0 بجت -52ل>ا2ل»»+ لي ‎To‏ الي ‎OR AV‏ رن امي ايان ليذ ‎SEV‏ جاب ‎Be J J AT SLE‏ “د ‎Rk SE Sel‏ اجر امجن نازر ويم ال ‎Ee: 1 “1‏ شكل ‎Vv‏ ‎Fel‏ ‏)7 ‎Yi yod SEE 1 3 Yak Joo a‏ 1 ‎SE 0 : : ١‏ # بح 5 ‎JET.‏ 8# 1 ! 7 - جد اداح م جد اجر ل جيجه ايك حم لج ‎OOS EO‏ عن د اند احاح حي لم اج اا ‎Some‏ د جح د 5 مج ب 1 ا حا ‎FETs EE‏ 3 ‎Flt‏ ‏للمبثنسني(ل — ا شكل ‎A‏ ‎oy‏
    Yad ed LEN! ‏ليب ليل }10 اك‎ i ro . { . 1 ‏تال لقي‎ TE Tey Tey | ey NEED NV ORES NR WENN JO ‏الا‎ TO A etl ‏ا ا‎ SR Ii ‏م‎ ‏الخالب الأعامي‎ #8 od ‏م‎ ‎- eX or 7 " ‏شكا و‎ ‏لي‎ ‎oy
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA515360658A 2012-12-21 2015-06-21 تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة SA515360658B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/725,644 US8796061B2 (en) 2012-12-21 2012-12-21 Module assembly for thin solar cells
PCT/US2013/075820 WO2014100011A1 (en) 2012-12-21 2013-12-17 Module assembly for thin solar cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA515360658B1 true SA515360658B1 (ar) 2016-09-27

Family

ID=50975085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515360658A SA515360658B1 (ar) 2012-12-21 2015-06-21 تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة

Country Status (12)

Country Link
US (3) US8796061B2 (ar)
EP (1) EP2936563B1 (ar)
JP (1) JP6383730B2 (ar)
KR (1) KR102289736B1 (ar)
CN (1) CN105027302B (ar)
AU (1) AU2013362923B2 (ar)
CL (1) CL2015001770A1 (ar)
MX (1) MX346992B (ar)
SA (1) SA515360658B1 (ar)
TW (1) TW201436273A (ar)
WO (1) WO2014100011A1 (ar)
ZA (1) ZA201504741B (ar)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8796061B2 (en) * 2012-12-21 2014-08-05 Sunpower Corporation Module assembly for thin solar cells
US9978896B2 (en) * 2015-09-15 2018-05-22 Sunpower Corporation Encapsulant bonding methods for photovoltaic module manufacturing
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
CN108022988B (zh) * 2016-10-31 2020-06-30 上迈(镇江)新能源科技有限公司 一种光伏组件的层压结构及其制备方法、光伏组件
US11611006B2 (en) 2017-04-28 2023-03-21 Maxeon Solar Pte. Ltd. Automated reel processes for producing solar modules and solar module reels
US11424714B2 (en) 2017-04-28 2022-08-23 Sunpower Corporation Angled polymer solar modules
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
US11984521B2 (en) * 2022-03-10 2024-05-14 GAF Energy LLC Combined encapsulant and backsheet for photovoltaic modules

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5195858A (en) 1975-01-14 1976-08-23 ****** *** *ku***chi*se*ku*******ka*****************chi***ne********
US3961997A (en) 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4084099A (en) 1977-02-04 1978-04-11 Pako Corporation Wide scanning angle sensor
US4278831A (en) 1979-04-27 1981-07-14 The Boeing Company Process for fabricating solar cells and the product produced thereby
US4427839A (en) 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US4509248A (en) 1982-03-04 1985-04-09 Spire Corporation Encapsulation of solar cells
US4496788A (en) 1982-12-29 1985-01-29 Osaka Transformer Co., Ltd. Photovoltaic device
US4478879A (en) 1983-02-10 1984-10-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Screen printed interdigitated back contact solar cell
US4665277A (en) 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
US4927770A (en) 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US5217539A (en) 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
US5053083A (en) 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
JP2740284B2 (ja) 1989-08-09 1998-04-15 三洋電機株式会社 光起電力素子
US5030295A (en) 1990-02-12 1991-07-09 Electric Power Research Institut Radiation resistant passivation of silicon solar cells
US5057439A (en) 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
US5213628A (en) 1990-09-20 1993-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5164019A (en) 1991-07-31 1992-11-17 Sunpower Corporation Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
US5391235A (en) 1992-03-31 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of manufacturing the same
US5512757A (en) 1992-04-06 1996-04-30 Rosemount Analytical, Inc. Spectrophotometer and optical system therefor
US5266125A (en) 1992-05-12 1993-11-30 Astropower, Inc. Interconnected silicon film solar cell array
US5447576A (en) 1992-08-03 1995-09-05 Siemens Solar Industries International, Inc. Composition and method for encapsulating a solar cell which minimizes thermal discoloration
US5360990A (en) 1993-03-29 1994-11-01 Sunpower Corporation P/N junction device having porous emitter
US5369291A (en) 1993-03-29 1994-11-29 Sunpower Corporation Voltage controlled thyristor
US5468652A (en) 1993-07-14 1995-11-21 Sandia Corporation Method of making a back contacted solar cell
JP3618802B2 (ja) 1994-11-04 2005-02-09 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
DE19508712C2 (de) 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
DE19522539C2 (de) 1995-06-21 1997-06-12 Fraunhofer Ges Forschung Solarzelle mit einem, eine Oberflächentextur aufweisenden Emitter sowie Verfahren zur Herstellung derselben
JP3387741B2 (ja) 1995-07-19 2003-03-17 キヤノン株式会社 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置
JP3222361B2 (ja) 1995-08-15 2001-10-29 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
US5641362A (en) 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
DE19650111B4 (de) 1996-12-03 2004-07-01 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit geringer Abschattung und Verfahren zur Herstellung
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
CH691010A5 (fr) 1997-01-09 2001-03-30 Asulab Sa Appareil électrique fonctionnant à l'aide d'une source photovoltaïque, notamment pièce d'horlogerie.
AUPO638997A0 (en) 1997-04-23 1997-05-22 Unisearch Limited Metal contact scheme using selective silicon growth
JP3397637B2 (ja) 1997-06-11 2003-04-21 キヤノン株式会社 太陽電池一体型屋根板、その製造方法、及びその施工方法
US5918140A (en) 1997-06-16 1999-06-29 The Regents Of The University Of California Deposition of dopant impurities and pulsed energy drive-in
US6702417B2 (en) 1997-07-12 2004-03-09 Silverbrook Research Pty Ltd Printing cartridge with capacitive sensor identification
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6013582A (en) 1997-12-08 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings
US6278054B1 (en) 1998-05-28 2001-08-21 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
AUPP437598A0 (en) 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
US6111189A (en) 1998-07-28 2000-08-29 Bp Solarex Photovoltaic module framing system with integral electrical raceways
JP3169907B2 (ja) 1998-09-25 2001-05-28 日本電気株式会社 多層配線構造およびその製造方法
US6335479B1 (en) 1998-10-13 2002-01-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module
AUPP702498A0 (en) 1998-11-09 1998-12-03 Silverbrook Research Pty Ltd Image creation method and apparatus (ART77)
US6631986B2 (en) 1998-12-16 2003-10-14 Silverbrook Research Pty Ltd Printer transport roller with internal drive motor
JP2000236104A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Canon Inc ラミネート体の製造方法
US6262359B1 (en) 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
US20120171802A1 (en) 2006-04-13 2012-07-05 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
JP2001036118A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Sharp Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
US6337283B1 (en) 1999-12-30 2002-01-08 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6387726B1 (en) 1999-12-30 2002-05-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6274402B1 (en) 1999-12-30 2001-08-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6423568B1 (en) 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6313395B1 (en) 2000-04-24 2001-11-06 Sunpower Corporation Interconnect structure for solar cells and method of making same
AU2001262717A1 (en) 2000-07-03 2002-01-14 Bridgestone Corporation Backside covering material for a solar cell module and its use
EP1172864A1 (en) 2000-07-11 2002-01-16 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Solar cell module
US6333457B1 (en) 2000-08-29 2001-12-25 Sunpower Corporation Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture
US6524880B2 (en) 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same
TW501286B (en) 2001-06-07 2002-09-01 Ind Tech Res Inst Polysilicon thin film solar cell substrate
US20030070707A1 (en) 2001-10-12 2003-04-17 King Richard Roland Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar energy conversion device
US7217883B2 (en) 2001-11-26 2007-05-15 Shell Solar Gmbh Manufacturing a solar cell with backside contacts
JP3889644B2 (ja) 2002-03-25 2007-03-07 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US6872321B2 (en) 2002-09-25 2005-03-29 Lsi Logic Corporation Direct positive image photo-resist transfer of substrate design
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7649141B2 (en) 2003-06-30 2010-01-19 Advent Solar, Inc. Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers
US6998288B1 (en) 2003-10-03 2006-02-14 Sunpower Corporation Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells
US7238594B2 (en) 2003-12-11 2007-07-03 The Penn State Research Foundation Controlled nanowire growth in permanent, integrated nano-templates and methods of fabricating sensor and transducer structures
US7165834B2 (en) 2004-01-21 2007-01-23 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead module with fixedly attached printhead tiles
US7118192B2 (en) 2004-01-21 2006-10-10 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead assembly with support for print engine controller
US7335555B2 (en) 2004-02-05 2008-02-26 Advent Solar, Inc. Buried-contact solar cells with self-doping contacts
US20050178428A1 (en) 2004-02-17 2005-08-18 Solar Roofing Systems Inc. Photovoltaic system and method of making same
WO2005083799A1 (en) 2004-02-24 2005-09-09 Bp Corporation North America Inc Process for manufacturing photovoltaic cells
WO2005109849A1 (en) 2004-05-05 2005-11-17 Kodak Polychrome Graphics, Llc Halftone proofing with inkjet printers
US7390961B2 (en) 2004-06-04 2008-06-24 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7055756B2 (en) 2004-10-25 2006-06-06 Lexmark International, Inc. Deposition fabrication using inkjet technology
US20060130891A1 (en) 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US7341328B2 (en) 2004-12-06 2008-03-11 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printer with two-stage capping mechanism
US7322669B2 (en) 2004-12-06 2008-01-29 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printer with protector for a printhead capping facility
US7357476B2 (en) 2004-12-06 2008-04-15 Silverbrook Research Pty Ltd Capping/purging system for inkjet printhead assembly
WO2006089044A2 (en) 2005-02-16 2006-08-24 Energy Conversion Devices, Inc. Fire resistant laminate and photovoltaic module incorporating the fire resistant laminate
US7554031B2 (en) 2005-03-03 2009-06-30 Sunpower Corporation Preventing harmful polarization of solar cells
US7468485B1 (en) 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7339728B2 (en) 2005-10-11 2008-03-04 Cardinal Cg Company Low-emissivity coatings having high visible transmission and low solar heat gain coefficient
US7820475B2 (en) 2005-12-21 2010-10-26 Sunpower Corporation Back side contact solar cell structures and fabrication processes
US20070269750A1 (en) 2006-05-19 2007-11-22 Eastman Kodak Company Colored masking for forming transparent structures
CN100426533C (zh) * 2006-07-03 2008-10-15 王兴华 太阳能电池组件制造工艺
US7999174B2 (en) 2006-10-09 2011-08-16 Solexel, Inc. Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells
DE102006048216A1 (de) 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
US20090032087A1 (en) 2007-02-06 2009-02-05 Kalejs Juris P Manufacturing processes for light concentrating solar module
US8691372B2 (en) 2007-02-15 2014-04-08 E I Du Pont De Nemours And Company Articles comprising high melt flow ionomeric compositions
TW200905901A (en) * 2007-03-29 2009-02-01 Daniel F Baldwin Solar module manufacturing processes
US7517709B1 (en) 2007-11-16 2009-04-14 Applied Materials, Inc. Method of forming backside point contact structures for silicon solar cells
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US8062693B2 (en) 2008-09-22 2011-11-22 Sunpower Corporation Generation of contact masks for inkjet printing on solar cell substrates
ES2628754T3 (es) 2008-11-06 2017-08-03 Dow Global Technologies Llc Lámina trasera basada en poliolefina multicapa coextruida para módulos de dispositivos electrónicos
WO2010055507A2 (en) * 2008-11-12 2010-05-20 Pythagoras Solar Inc. Concentrating photovoltaic module
EP2351105A2 (en) 2008-11-12 2011-08-03 Pythagoras Solar Inc. Light curable photovoltaic cell encapsulant
US8242354B2 (en) 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
US20100175743A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Solopower, Inc. Reliable thin film photovoltaic module structures
WO2010082594A1 (ja) 2009-01-16 2010-07-22 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
KR100997738B1 (ko) * 2009-03-23 2010-12-01 이광석 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 모듈
JPWO2010143614A1 (ja) * 2009-06-10 2012-11-22 旭硝子株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP2011009260A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toyota Motor Corp 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
US8188363B2 (en) * 2009-08-07 2012-05-29 Sunpower Corporation Module level solutions to solar cell polarization
TW201122055A (en) * 2009-10-30 2011-07-01 Asahi Glass Co Ltd Curable resin composition for sealing portion formation, laminate, and production method therefor
JP2011187540A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toyota Motor Corp 太陽電池モジュールの製造方法
ES2494615T3 (es) * 2010-05-03 2014-09-15 Arkema France Encapsulante curable por UV
JP2012059753A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Kaneka Corp 太陽電池封止材料および太陽電池モジュール
US20120090778A1 (en) 2010-10-18 2012-04-19 Du Pont Apollo Limited Powder coating for photovoltaic module
US9312417B2 (en) * 2010-10-22 2016-04-12 Guardian Industries Corp. Photovoltaic modules, and/or methods of making the same
JP2012119434A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN102623533B (zh) * 2012-03-16 2014-07-23 友达光电股份有限公司 可吸收紫外光波段的太阳能模块及其制作方法
KR101391974B1 (ko) * 2012-09-07 2014-05-14 이광석 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 모듈
US8796061B2 (en) * 2012-12-21 2014-08-05 Sunpower Corporation Module assembly for thin solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
EP2936563B1 (en) 2021-09-22
US9466752B2 (en) 2016-10-11
ZA201504741B (en) 2016-09-28
US20140179050A1 (en) 2014-06-26
JP2016502286A (ja) 2016-01-21
US20170012152A1 (en) 2017-01-12
KR102289736B1 (ko) 2021-08-12
WO2014100011A1 (en) 2014-06-26
CN105027302B (zh) 2018-04-03
CL2015001770A1 (es) 2016-02-12
AU2013362923B2 (en) 2017-07-27
JP6383730B2 (ja) 2018-08-29
CN105027302A (zh) 2015-11-04
AU2013362923A1 (en) 2015-07-09
KR20150098658A (ko) 2015-08-28
EP2936563A1 (en) 2015-10-28
MX2015007999A (es) 2016-02-11
US10020412B2 (en) 2018-07-10
MX346992B (es) 2017-04-07
EP2936563A4 (en) 2016-01-13
US8796061B2 (en) 2014-08-05
US20140322855A1 (en) 2014-10-30
TW201436273A (zh) 2014-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA515360658B1 (ar) تجميعة وحدة نمطية لخلايا شمسية رفيعة
US10636923B2 (en) Photovoltaic module encapsulation
CN104685655B (zh) 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
EP2417631B1 (en) Optoelectronic device
EP3233990B1 (en) Barrier film laminate comprising submicron getter particles and electronic device comprising such a laminate
CN103180966A (zh) 改进的光伏电池组件
TW201104886A (en) Flameless solar battery panel and method for manufacturing the same
ES2539030T3 (es) Sistema de láminas para poner en contacto células fotovoltaicas
JP2017153195A (ja) 融雪機能付太陽電池モジュール
JP2017508268A (ja) 位置合わせ封止材を有する太陽モジュール
ITVI20120264A1 (it) Backcontact-backsheet per moduli fotovoltaici comprendenti uno strato primer
TW201343271A (zh) 複合構件
CN104124298B (zh) 具有贯穿的电触点的用于光伏模块的背接触式背板
EP2717328B1 (en) Manufacturing method for a solar modul
DE102011083247A1 (de) Gekapselte Anordnung einer OLED kombiniert mit Solarzelle(n)
KR101999591B1 (ko) 전극 일체형 태양전지 보호시트, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 모듈 및 태양전지 모듈의 제조 방법
JP2022545438A (ja) 少なくとも１つの保護層を有する光電子部品を導電接触させるための方法及びこのタイプの接触を有する光電子部品
CN106206820A (zh) 太阳能板模块及其制造方法
ITVI20120333A1 (it) Applicazione dell&#39;incapsulante ad un back-contact back-sheet
JP6540054B2 (ja) 太陽電池モジュール
US20170207359A1 (en) Solar cell module including wiring layer overlappingly disposed on solar cell
JP2021015887A (ja) 封止用フィルム、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板および電子機器
KR101756991B1 (ko) 전도성 종이와 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법
ITVI20120267A1 (it) Metodo di produzione di strutture multistrati
ITVI20120263A1 (it) Trattamento al plasma atmosferico della superficie di un backsheet per moduli fotovoltaici