RU99126759A

RU99126759A - Способ изготовления светоизлучающего элемента

Info

Publication number: RU99126759A
Application number: RU99126759/28A
Authority: RU
Inventors: Эрнст НИРШЛЬ; Олаф ШЕНФЕЛЬД
Original assignee: Осрам Опто Семикондукторс Гмбх Энд Ко. Охг
Priority date: 1997-05-27
Filing date: 1998-05-22
Publication date: 2001-10-20

Claims

1. Способ изготовления светоизлучающего элемента, при котором после формирования последовательности слоев, содержащей по меньшей мере один активный слой, на передней стороне основной подложки основную подложку по меньшей мере частично удаляют и последовательность слоев затем соединяют с внешней подложкой, и при котором снабженную слоем обратную сторону последовательности слоев соединяют под действием тепла со снабженной слоем передней стороной внешней подложки, отличающийся тем, что на обращенной к передней стороне удаленной основной подложки обратной стороне последовательности слоев структурируют первый металлический контактный слой и на передней стороне внешней подложки второй металлический контактный слой и соединяют друг с другом первый и второй металлический контактный слой путем эвтектического соединения посредством по меньшей мере одного дополнительного слоя припоя между обоими структурированными контактными слоями, причем соединение снабженной слоем обратной стороны последовательности слоев и снабженной слоем передней стороны последовательности слоев внешней подложки производят исключительно через структурированные металлические контактные слои.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что примененный для эвтектического соединения первого и второго металлического контактного слоя слой припоя является золотосодержащим.

3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что внешняя подложка выполнена из прозрачного материала.

4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся эпитаксиально осажденной на основной подложке (1) из GaAs последовательностью слоев с активным слоем, содержащим InGaAIP и/или GaAs и/или AlGaAs.

5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что эпитаксиально осажденную последовательность слоев, которая содержит, исходя из основной подложки, первый покрывающий слой, активный слой, второй покрывающий слой и слой отбора.

6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что изготовление множества светоизлучающих элементов производят в матричной ИС на цельной полупроводниковой пластине, причем полупроводниковая пластина имеет диаметр два дюйма или больше.

7. Способ по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что на обращенной от основной подложки или, соответственно, от внешней подложки передней стороне последовательности слоев изготавливают слой отбора, а на слое отбора предусматривают, в частности, структурированно осажденный металлический электродный слой .

8. Способ по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что основную подложку удаляют путем жидкостного химического травления селективным для материала основной подложки травителем.

9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что перед жидкостным химическим травлением основной подложки производят механическое утоньшение основной подложки.