RU99118225A - Схема для генерации отрицательных напряжений - Google Patents

Схема для генерации отрицательных напряжений

Info

Publication number
RU99118225A
RU99118225A RU99118225/09A RU99118225A RU99118225A RU 99118225 A RU99118225 A RU 99118225A RU 99118225/09 A RU99118225/09 A RU 99118225/09A RU 99118225 A RU99118225 A RU 99118225A RU 99118225 A RU99118225 A RU 99118225A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
terminal
transistor
circuit
clock signals
transistors
Prior art date
Application number
RU99118225/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2189686C2 (ru
Inventor
Мартин БЛОХ
Кристл ЛАУТЕРБАХ
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU99118225A publication Critical patent/RU99118225A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2189686C2 publication Critical patent/RU2189686C2/ru

Links

Claims (6)

1. Схема для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором (Тх2), первый вывод которого соединен с входным выводом (Е), а второй вывод которого соединен с выходным выводом (А) схемы, и вывод затвора которого через первый конденсатор (Сb2) соединен с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором (Тy2), первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора (Тх2), второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора (Тх2) и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора (Тх2) и со вторым конденсатором (Ср2), первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора (Тх2), а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы (Тх2, Тy2) являются МОП-транзисторами, выполненными в технике тройного кармана, отличающаяся тем, что первый вывод третьего транзистора (Tz2) соединен со вторым выводом первого транзистора (Тх2), второй вывод третьего транзистора (Tz2) соединен с карманом/карманами (Kw), содержащим(и) транзисторы (Тх2, Тy2, Tz2), и вывод затвора третьего транзистора (Tz2) соединен с первым выводом первого транзистора (Тх2).
2. Схема по п. 1, отличающаяся тем, что первый вывод четвертого транзистора (Tza2) соединен с первым выводом первого транзистора (Тх2), второй вывод четвертого транзистора (Tza2) соединен с карманом/карманами, содержащим(и) транзисторы (Тх2, Тy2, Tza2, Tzb2), а вывод затвора четвертого транзистора (Tza2) соединен со вторым выводом первого транзистора (Тх2).
3. Схема по п. 1, отличающаяся тем, что первый вывод третьего конденсатора (С3) соединен с первым выводом первого транзистора (Тх2) и второй вывод третьего конденсатора (С3) соединен с карманом/карманами (Kw), содержащим(и) транзисторы (Тх2, Тy2, Tz2).
4. Генератор накачки заряда для генерации отрицательных напряжений, в котором последовательно включены, по меньшей мере, две схемы по любому из пп. 1-3 и входной вывод первой из этих схем соединен с потенциалом корпуса.
5. Способ эксплуатации генератора накачки заряда по п. 4, отличающийся тем, что тактовые сигналы (F1, F2, или, соответственно, F3, F4) на выводах тактовых сигналов соответствующей схемы смещены на половину длительности периода по сравнению с тактовыми сигналами (F3, F4, или, соответственно, F1, F2) предыдущей схемы.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что скважность импульсов, по меньшей мере, тактовых сигналов (F2, F4) на вторых выводах тактовых сигналов является больше, чем 0,5.
RU99118225/09A 1997-01-24 1997-09-23 Схема для генерации отрицательных напряжений RU2189686C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702535 1997-01-24
DE19702535.8 1997-01-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99118225A true RU99118225A (ru) 2001-07-10
RU2189686C2 RU2189686C2 (ru) 2002-09-20

Family

ID=7818267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99118225/09A RU2189686C2 (ru) 1997-01-24 1997-09-23 Схема для генерации отрицательных напряжений

Country Status (11)

Country Link
EP (1) EP0954896B1 (ru)
JP (1) JP3386141B2 (ru)
KR (1) KR100403825B1 (ru)
CN (1) CN1123110C (ru)
AT (1) ATE204413T1 (ru)
BR (1) BR9714533A (ru)
DE (1) DE59704336D1 (ru)
ES (1) ES2163135T3 (ru)
RU (1) RU2189686C2 (ru)
UA (1) UA52716C2 (ru)
WO (1) WO1998033264A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3554497B2 (ja) * 1998-12-08 2004-08-18 シャープ株式会社 チャージポンプ回路
DE19953882C2 (de) 1999-11-09 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für Halbleiterschaltungen
TW486869B (en) * 1999-12-27 2002-05-11 Sanyo Electric Co Voltage producing circuit and a display device provided with such voltage producing circuit
EP1550017A4 (en) * 2002-09-20 2007-06-27 Atmel Corp NEGATIVE CHARGE PUMP WITH MAIN BODY TENSION
CN101867290A (zh) * 2010-06-17 2010-10-20 清华大学 低功耗电荷泵电路
CN103123801B (zh) * 2011-11-18 2016-03-30 智原科技股份有限公司 存储器装置及其负位线信号产生装置
CN104767383B (zh) * 2015-04-21 2017-07-14 苏州芯宽电子科技有限公司 一种低压四相位电荷泵升压电路
CN107306082B (zh) * 2016-04-18 2020-05-22 晶门科技(深圳)有限公司 电荷泵电路
JP6783879B2 (ja) 2019-01-29 2020-11-11 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション チャージポンプ回路
CN111224541B (zh) * 2020-02-18 2024-05-31 恩智浦有限公司 控制功率开关的开关顺序以缓解电压过应力

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8702734A (nl) * 1987-11-17 1989-06-16 Philips Nv Spanningsvermenigvuldigschakeling en gelijkrichtelement.
IT1221261B (it) * 1988-06-28 1990-06-27 Sgs Thomson Microelectronics Moltiplicatore di tensione omos
JP3307453B2 (ja) * 1993-03-18 2002-07-24 ソニー株式会社 昇圧回路
US5422586A (en) * 1993-09-10 1995-06-06 Intel Corporation Apparatus for a two phase bootstrap charge pump
TW271011B (ru) * 1994-04-20 1996-02-21 Nippon Steel Corp

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5907484A (en) Charge pump
KR970051145A (ko) 전위 발생회로
ATE334500T1 (de) Ladungspumpen-leistungsversorgungsschaltung
KR980005030A (ko) 승압된 백게이트 바이어스를 갖는 다단 승압 회로
KR950030149A (ko) 반도체 승압회로
RU99118225A (ru) Схема для генерации отрицательных напряжений
EP0174694A1 (en) Circuit for generating a substrate bias
KR960015568A (ko) 승압전위 발생회로
RU2189686C2 (ru) Схема для генерации отрицательных напряжений
KR100294584B1 (ko) 반도체메모리장치의기판바이어스전압발생회로
KR880014748A (ko) 전류 발생회로
EP0404125B1 (en) Booster circuit
KR970055471A (ko) 작은 정현파 입력의 디지탈 논리레벨 변환회로
KR970023446A (ko) 네가티브 전압 구동 회로
KR100206183B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 고전압 발생 회로
KR100452636B1 (ko) 반도체 메모리 장치용 클럭 발생기
KR100466198B1 (ko) 승압회로
KR100675881B1 (ko) 백바이어스전압(vbb) 발생 회로
KR100349349B1 (ko) 승압 전압 발생기
US5568079A (en) Step-up method and step-up circuit
JP3102588B2 (ja) 昇圧回路
SU1267552A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
KR200326693Y1 (ko) 반도체 메모리 장치의 차아지 펌프회로
KR970051095A (ko) 챠지펌프 회로
JPS6132457A (ja) 基板電圧発生回路