RU99103302A - Устройство и способ защиты полупроводникового ключа от короткого замыкания - Google Patents

Устройство и способ защиты полупроводникового ключа от короткого замыкания

Info

Publication number
RU99103302A
RU99103302A RU99103302/09A RU99103302A RU99103302A RU 99103302 A RU99103302 A RU 99103302A RU 99103302/09 A RU99103302/09 A RU 99103302/09A RU 99103302 A RU99103302 A RU 99103302A RU 99103302 A RU99103302 A RU 99103302A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
effect transistor
voltage
field
source
field effect
Prior art date
Application number
RU99103302/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2212098C2 (ru
Inventor
Мартти САИРАНЕН
Original Assignee
Ой Лексел Финланд Аб
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FI972455A external-priority patent/FI102993B/fi
Application filed by Ой Лексел Финланд Аб filed Critical Ой Лексел Финланд Аб
Publication of RU99103302A publication Critical patent/RU99103302A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2212098C2 publication Critical patent/RU2212098C2/ru

Links

Claims (4)

1. Регулятор мощности для регулирования мощности, подаваемой от источника напряжения к нагрузке, содержащий полевой транзистор для обеспечения разрешения либо запрета прохождения тока от источника напряжения к нагрузке в качестве реакции на присутствие управляющего импульса, передаваемого к затвору полевого транзистора, отличающийся тем, что он содержит средства для измерения изменения потенциала затвора полевого транзистора относительно напряжения на полевом транзисторе между истоком и стоком и управляющие средства для обеспечения разрешения либо запрета прохождения управляющего импульса на основе измерения изменения потенциала затвора.
2. Регулятор мощности по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит источник заданного опорного напряжения, средства для измерения напряжения между стоком и истоком указанного полевого транзистора, подключенные с возможностью взаимодействия с указанными управляющими средствами и сравнивающие средства для сравнения потенциала затвора полевого транзистора с заданным опорным напряжением, при этом указанные сравнивающие средства выполнены с возможностью выработки запрещающего сигнала при превышении потенциалом затвора полевого транзистора заданного опорного напряжения, а указанные управляющие средства выполнены с возможностью запрещения прохождения управляющего импульса при одновременном получении указанного запрещающего сигнала и сигнала высокого уровня от указанных средств для измерения.
3. Способ защиты регулятора мощности от негативных воздействий чрезмерного по величине протекающего тока, причем указанный регулятор напряжения содержит полевой транзистор для обеспечения разрешения, либо запрета прохождения тока от источника напряжения к нагрузке в качестве реакции на присутствие управляющего импульса, передаваемого к затвору полевого транзистора, отличающийся тем, что включает операцию измерения изменения потенциала затвора указанного полевого транзистора в начале управляющего импульса относительно напряжения на полевом транзисторе между истоком и стоком и тем, что включает операцию обеспечения разрешения либо запрета прохождения управляющего импульса для переключения полевого транзистора в проводящее состояние на основе измерения напряжения затвора полевого транзистора.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что включает операции измерения напряжения между истоком и стоком указанного полевого транзистора, а также сравнения напряжения затвора полевого транзистора с заданным опорным напряжением, в результате чего обеспечивается разрешение переключения полевого транзистора в проводящий режим с помощью управляющего импульса, когда напряжение между стоком и истоком полевого транзистора имеет высокое значение и потенциал затвора полевого транзистора меньше, чем указанное опорное напряжение, и когда напряжение между стоком и истоком полевого транзистора имеет небольшое значение, в результате чего обеспечивается запрет на прохождение управляющего импульса для переключения полевого транзистора в проводящий режим, когда напряжение между стоком и истоком полевого транзистора имеет высокое значение, а потенциал затвора полевого транзистора выше, чем указанное опорное напряжение.
RU99103302/09A 1997-06-10 1998-06-09 Устройство и способ защиты полупроводникового ключа от короткого замыкания RU2212098C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI972455A FI102993B (fi) 1997-06-10 1997-06-10 Puolijohdekytkimen oikosulkusuoja
FI972455 1997-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99103302A true RU99103302A (ru) 2001-04-27
RU2212098C2 RU2212098C2 (ru) 2003-09-10

Family

ID=8549015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99103302/09A RU2212098C2 (ru) 1997-06-10 1998-06-09 Устройство и способ защиты полупроводникового ключа от короткого замыкания

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6160693A (ru)
EP (1) EP0943178B1 (ru)
JP (1) JP2000517148A (ru)
AT (1) ATE224614T1 (ru)
DE (1) DE69808044T2 (ru)
DK (1) DK0943178T3 (ru)
ES (1) ES2184273T3 (ru)
FI (1) FI102993B (ru)
NO (1) NO323456B1 (ru)
PL (1) PL192055B1 (ru)
RU (1) RU2212098C2 (ru)
WO (1) WO1998059421A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4531500B2 (ja) * 2004-01-06 2010-08-25 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置モジュール
US7457092B2 (en) * 2005-12-07 2008-11-25 Alpha & Omega Semiconductor, Lld. Current limited bilateral MOSFET switch with reduced switch resistance and lower manufacturing cost
DE102006022158A1 (de) * 2006-05-12 2007-11-15 Beckhoff Automation Gmbh Leistungsschaltung mit Kurzschlussschutzschaltung
GB2471223B (en) * 2008-04-16 2013-01-23 Bourns Inc Current limiting surge protection device.
US20140029152A1 (en) * 2012-03-30 2014-01-30 Semisouth Laboratories, Inc. Solid-state circuit breakers
ITUB20159684A1 (it) 2015-12-22 2017-06-22 St Microelectronics Srl Interruttore elettronico, dispositivo e procedimento corrispondenti
DE102017101452A1 (de) 2017-01-25 2018-07-26 Eaton Industries (Austria) Gmbh Niederspannungs-Schutzschaltgerät
US11519954B2 (en) 2019-08-27 2022-12-06 Analog Devices International Unlimited Company Apparatus and method to achieve fast-fault detection on power semiconductor devices
CN114152857A (zh) * 2021-12-07 2022-03-08 华东师范大学 一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3243467C2 (de) * 1982-11-24 1986-02-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Einrichtung zum Schutz eines Schalttransistors
US4626954A (en) * 1984-09-06 1986-12-02 Eaton Corporation Solid state power controller with overload protection
US4893211A (en) * 1985-04-01 1990-01-09 Motorola, Inc. Method and circuit for providing adjustable control of short circuit current through a semiconductor device
US4914542A (en) * 1988-12-27 1990-04-03 Westinghouse Electric Corp. Current limited remote power controller
DE4113258A1 (de) * 1991-04-23 1992-10-29 Siemens Ag Leistungssteuerschaltung mit kurzschlussschutzschaltung
US5257155A (en) * 1991-08-23 1993-10-26 Motorola, Inc. Short-circuit proof field effect transistor
US5485341A (en) * 1992-09-21 1996-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Power transistor overcurrent protection circuit
GB9223773D0 (en) * 1992-11-12 1992-12-23 Raychem Ltd Switching arrangement
EP0766395A3 (de) * 1995-09-27 1999-04-21 Siemens Aktiengesellschaft Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz
KR0171713B1 (ko) * 1995-12-12 1999-05-01 이형도 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로
US5959464A (en) * 1996-09-03 1999-09-28 Motorola Inc. Loss-less load current sensing driver and method therefor
US5808457A (en) * 1997-01-23 1998-09-15 Ford Motor Company Transistor overload protection assembly and method with time-varying power source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0402928B1 (en) Circuit for internal current limiting in a fast high side power switch
KR970700395A (ko) 고전압 검출을 이용한 항복 방지용 회로(breakdown protection circuit using high voltage detection)
RU99103302A (ru) Устройство и способ защиты полупроводникового ключа от короткого замыкания
KR890016759A (ko) 파워 전계 효과 트랜지스터 구동회로
RU96107210A (ru) Ограничитель тока
FI892717A (fi) Felskyddskrets foer en effektkaella.
KR930005029A (ko) 내부 전원 강압 회로
KR910010868A (ko) 전력 fet용 적응 게이트 충전 회로
JP3505539B2 (ja) 立上り区間消去回路
KR930003147A (ko) 반도체 메모리 장치의 센프앰프 제어회로
JPS6471218A (en) Input buffer circuit and input level shift circuit
JPS5693173A (en) Decoder circuit
KR870002596A (ko) 바이어스 전압 발생기를 포함하는 반도체 메모리 회로
KR910001775A (ko) 반도체 기억장치
KR840006894A (ko) 다이리스터형 또는 트라이액형 반도체장치의 제어회로
KR940015841A (ko) 무단복제방지방법 및 장치
SU1637004A1 (ru) Формирователь импульсов с амплитудой, превышающей напр жение питани
JPS5650629A (en) Complementary mos integrated circuit
KR920006989A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
JPS5710820A (en) Constant voltage power supply device
KR930011388A (ko) Smps의 전류 손실방지 장치
SU1497736A1 (ru) Устройство дл управлени ключом на МДП-транзисторах
SU617841A1 (ru) Транзисторный ключ с защитой от перегрузки
SU1001049A1 (ru) Импульсный стабилизатор посто нного напр жени
KR890013795A (ko) Mos형 집적회로 출력용 과전압 보호회로