RU97118434A - Способ химической инфильтрации из паровой фазы материала, состоящего из углерода и кремния и/или бора - Google Patents
Способ химической инфильтрации из паровой фазы материала, состоящего из углерода и кремния и/или бораInfo
- Publication number
- RU97118434A RU97118434A RU97118434/03A RU97118434A RU97118434A RU 97118434 A RU97118434 A RU 97118434A RU 97118434/03 A RU97118434/03 A RU 97118434/03A RU 97118434 A RU97118434 A RU 97118434A RU 97118434 A RU97118434 A RU 97118434A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- silicon
- precursor
- boron
- carbon
- Prior art date
Links
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 title claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 238000004326 stimulated echo acquisition mode for imaging Methods 0.000 title 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 3
- BTZZXIBNPZFHDX-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si]Cl BTZZXIBNPZFHDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
Claims (10)
1. Способ химической инфильтрации из паровой фазы материала, состоящего из углерода, а также кремния и/или бора, внутрь пористой подложки при помощи газовой фазы, содержащей газообразный предшественник вышеупомянутого материала, отличающийся тем, что инфильтрацию осуществляют при температуре, не превышающей 1050oC, и газовая фаза, кроме того, содержит хлористый водород (НСl).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обьемное содержание НСl по отношению к газообразному предшественнику кремния и/или бора в газовой фазе составляет по меньшей мере 25%.
3. Способ по любому из пп.1-2, отличающийся тем, что химическую инфильтрацию из паровой фазы осуществляют при температуре меньше 1000oС.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что газообразный предшественник содержит метилхлорсилан (МТС).
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что газообразный предшественник содержит, кроме того, предшественник бора.
6. Способ по любому из пп.4-5, отличающийся тем, что газовая фаза содержит, кроме того, водород (Н2).
7. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что газообразный предшественник содержит предшественник бора и предшественник углерода.
8. Способ по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что внутри подложки создают градиент температуры таким образом, что температура участков, удаленных от ее наружных поверхностей, выше, чем на их уровне.
9. Способ по п.8 для уплотнения подложек кольцевой формы, отличающийся тем, что подложку размещают вокруг якоря, с которым она находится в контакте, при этом нагрев подложки осуществляют за счет контакта с якорем, нагреваемым за счет связи с катушкой индуктивности.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что подложка изготовлена из проводящего материала и нагревается индукционным способом, по меньшей мере частично, за счет прямой связи с катушкой индуктивности.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9504381 | 1995-04-12 | ||
| FR9504381A FR2732962B1 (fr) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | Procede pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau compose de carbone et de silicium et/ou bore |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU97118434A true RU97118434A (ru) | 1999-09-10 |
| RU2158251C2 RU2158251C2 (ru) | 2000-10-27 |
Family
ID=9478032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97118434/03A RU2158251C2 (ru) | 1995-04-12 | 1996-04-12 | Способ химической инфильтрации из паровой фазы материала, состоящего из углерода и кремния и/или бора |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0820424B1 (ru) |
| JP (1) | JPH11503493A (ru) |
| CA (1) | CA2217702A1 (ru) |
| DE (1) | DE69609411T2 (ru) |
| FR (1) | FR2732962B1 (ru) |
| RU (1) | RU2158251C2 (ru) |
| WO (1) | WO1996032360A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19646094C2 (de) * | 1996-11-08 | 1999-03-18 | Sintec Keramik Gmbh | Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von refraktären Stoffen, insbesondere Kohlenstoff und Siliziumkarbid, sowie Verwendung des Verfahrens |
| DE102008052571A1 (de) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Diffusionsofen und Verfahren zur Temperaturführung |
| FR2950622B1 (fr) * | 2009-09-28 | 2011-10-21 | Snecma Propulsion Solide | Piece en materiau composite a matrice ceramique et procede pour sa fabrication. |
| DE102012100176B4 (de) | 2012-01-10 | 2016-11-17 | Cvt Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von wenigstens einem refraktären Stoff |
| FR3007511B1 (fr) * | 2013-06-19 | 2017-09-08 | Herakles | Installation pour traitements thermiques de produits en materiau composite comprenant des moyens de mesure de temperature delocalises |
| JP6249815B2 (ja) | 2014-02-17 | 2017-12-20 | 株式会社Ihi | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 |
| CN105814234B (zh) | 2014-02-25 | 2018-03-02 | 株式会社Ihi | 耐热复合材料的制造方法及制造装置 |
| RU2638610C2 (ru) * | 2016-03-29 | 2017-12-14 | Общество с ограниченной ответственностью "Оптогард Нанотех" (ООО "Оптогард Нанотех)" | Устройство для лазерно-плазменного синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий |
| FR3059679B1 (fr) * | 2016-12-07 | 2021-03-12 | Safran Ceram | Outillage de conformation et installation pour l'infiltration chimique en phase gazeuse de preformes fibreuses |
| FR3095213B1 (fr) * | 2019-04-19 | 2022-12-23 | Safran Ceram | Installation de densification CVI |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2594119B1 (fr) * | 1986-02-10 | 1988-06-03 | Europ Propulsion | Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone |
| FR2668477B1 (fr) * | 1990-10-26 | 1993-10-22 | Propulsion Ste Europeenne | Materiau composite refractaire protege contre la corrosion, et procede pour son elaboration. |
-
1995
- 1995-04-12 FR FR9504381A patent/FR2732962B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-12 CA CA002217702A patent/CA2217702A1/en not_active Abandoned
- 1996-04-12 JP JP8530779A patent/JPH11503493A/ja active Pending
- 1996-04-12 DE DE69609411T patent/DE69609411T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-12 WO PCT/FR1996/000561 patent/WO1996032360A1/fr active IP Right Grant
- 1996-04-12 EP EP96913580A patent/EP0820424B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-12 RU RU97118434/03A patent/RU2158251C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU97118434A (ru) | Способ химической инфильтрации из паровой фазы материала, состоящего из углерода и кремния и/или бора | |
| CA2175045A1 (en) | Vapor phase chemical infiltration process of a material into a porous substrate at controlled surface temperature | |
| GB2141444A (en) | Chemical vapor deposition of titanium nitride and like films | |
| CA2312790A1 (en) | Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers | |
| NO924431L (no) | Fremgangsmaate for fremstilling av metallkarbider med stort spesifikt overflateareal under inertgasspyling ved atmosfaerisk trykk | |
| ES2111972T3 (es) | Metodo de deposito en fase vapor de un revestimiento ceramico utilizando un gas portador que contiene vapor de agua y precursores no-alcoxi xilanicos. | |
| FR2714076B1 (fr) | Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium. | |
| JPS6379759A (ja) | 高純度黒鉛材の製造方法 | |
| KR970027019A (ko) | 전자장치 보호용 피복물 | |
| CA2175041A1 (en) | Chemical vapour infiltration process of a pyrocarbon matrix within a porous substrate with creation of a temperature gradient in the substrate | |
| Hollandsworth et al. | Chlorodisilanes. Preparation and silicon-hydrogen stretching frequencies | |
| SE8008768L (sv) | Framstellning av finfordelad kiseldioxid med speciellt god fortjockningsformaga | |
| EP0528540A3 (en) | Thin-film coatings made by means of plasma-activated chemical vapor deposition of fluorinated cyclic siloxanes | |
| KR900006408A (ko) | 수소 함량이 감소된 폴리실리콘 | |
| MX9603427A (es) | Procedimiento para la disminucion de la coquizacion de las superficies intercambiadoras de calor. | |
| AU2003236776A8 (en) | Method for producing halosilanes by impinging microwave energy | |
| JPS57129817A (en) | Manufacture of trichlorosilane | |
| JPS54106081A (en) | Growth method in vapor phase | |
| JPS57202323A (en) | Antistatic fluorine-contained resin molded article | |
| RU98113173A (ru) | Способ получения слоев пироуглерода | |
| JPS52151558A (en) | Manufacture of luminous screen | |
| RU97109607A (ru) | Способ получения кремния | |
| JPS57142927A (en) | Preparation of chloromethane | |
| KR880005659A (ko) | 디할로실란의 열분해로부터 반도전성 비결정질 실리콘 필름을 형성하는 방법 | |
| GB1048265A (en) | Silicon carbide heating element |