RU97107635A - Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа - Google Patents
Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопаInfo
- Publication number
- RU97107635A RU97107635A RU97107635/28A RU97107635A RU97107635A RU 97107635 A RU97107635 A RU 97107635A RU 97107635/28 A RU97107635/28 A RU 97107635/28A RU 97107635 A RU97107635 A RU 97107635A RU 97107635 A RU97107635 A RU 97107635A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- silicon
- local
- upper side
- protective coating
- Prior art date
Links
- 101700046784 PROBE Proteins 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 5
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 5
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа, включающий формирование на верхней и нижней сторонах кремниевой монокристаллической подложки с ориентацией -(100) 1-го защитного покрытия на основе нитрида кремния, фотолитографически формирование из 1-го защитного покрытия на верхней стороне подложки локальной нитридной маски, анизотропное травление кремния с верхней стороны подложки до формирования на ней иглообразного выступа, удаление локальной нитридной маски с верхней стороны подложки и 1-го защитного покрытия с нижней стороны подложки, термическим окислением кремния формирование с обеих сторон подложки слоя двуокиси кремния, фотолитографически формирование на верхней стороне подложки из слоя двуокиси кремния локальной окисной маски, формирование легированием бором на верхней стороне подложки р± диффузионного слоя, удаление с верхней стороны подложки локальной окисной маски и с нижней стороны подложки слоя двуокиси кремния, формирование на подложке 2-го защитного покрытия на основе нитрида кремния, фотолитографически формирование из 2-го защитного покрытия на нижней стороне подложки локальной нитридной маски, селективное по отношению к р± диффузионному слою анизотропное травление кремния с нижней стороны подложки до полного его вытравливания в участках, не легированных бором, удаление локальной нитридной маски с нижней стороны подложки, отличающийся тем, что 2-е защитное покрытие на основе нитрида кремния формируют только на нижней стороне подложки, а одновременно с селективным анизотропным травлением кремния с нижней стороны подложки проводят его селективное анизотропное травление с верхней стороны подложки.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97107635A RU2121657C1 (ru) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97107635A RU2121657C1 (ru) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2121657C1 RU2121657C1 (ru) | 1998-11-10 |
| RU97107635A true RU97107635A (ru) | 1999-02-20 |
Family
ID=20192803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97107635A RU2121657C1 (ru) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2121657C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2559336C1 (ru) * | 2014-05-15 | 2015-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ микропрофилирования кремниевых структур |
| RU2677491C1 (ru) * | 2017-10-06 | 2019-01-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Игла" | Способ изготовления микроигл и массива микроигл |
-
1997
- 1997-05-08 RU RU97107635A patent/RU2121657C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950025894A (ko) | 평탄화한 표면을 갖는 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2737808B2 (ja) | Ｓｏｉウエハ上の下地絶縁体層の上のシリコン・デバイス層にシリコンの複数の薄いデバイス・メサを形成する方法 | |
| US5668401A (en) | Chessboard pattern layout for scribe lines | |
| US4338620A (en) | Semiconductor devices having improved alignment marks | |
| JP3257594B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| RU97107635A (ru) | Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа | |
| KR880001048A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| CN86107855A (zh) | 应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法 | |
| US5846596A (en) | Methods of forming field oxide isolation regions having sloped edges | |
| JPS6430245A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3109549B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06163528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63313834A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0258778B2 (ru) | ||
| JP3107624B2 (ja) | マスク位置合わせのための基準パターン形成方法 | |
| KR0172729B1 (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR19980056130A (ko) | 에피택셜 성장시의 패턴 변형 방지 방법 | |
| KR970030329A (ko) | 반도체장치의 패드폴리 형성방법 | |
| RU2004126114A (ru) | Способ изготовления композитных кантилеверов для сканирующего зондового микроскопа | |
| JPH01169940A (ja) | 素子分離構造およびその製造方法 | |
| KR950021349A (ko) | 준자기정렬 트렌치 소자격리방법 | |
| RU92002178A (ru) | Способ изготовления кремний-на-изоляторе структур | |
| KR960026620A (ko) | 보이드(Void)를 이용한 반도체 소자분리 방법 | |
| KR970018141A (ko) | 실리콘 기판의 트랜치(Trench) 에칭 방법 | |
| JPS6445139A (en) | Manufacture of semiconductor device |