RU95111281A - Способ изготовления мдп ис - Google Patents

Способ изготовления мдп ис

Info

Publication number
RU95111281A
RU95111281A RU95111281/25A RU95111281A RU95111281A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A RU 95111281/25 A RU95111281/25 A RU 95111281/25A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon nitride
drains
regions
removal
areas
Prior art date
Application number
RU95111281/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2099817C1 (ru
Inventor
Б.А. Бабаев
С.А. Гуреев
В.В. Дерендяев
А.В. Зеленцов
Е.С. Сельков
Ю.И. Щетинин
Original Assignee
Б.А. Бабаев
С.А. Гуреев
В.В. Дерендяев
А.В. Зеленцов
Е.С. Сельков
Ю.И. Щетинин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Б.А. Бабаев, С.А. Гуреев, В.В. Дерендяев, А.В. Зеленцов, Е.С. Сельков, Ю.И. Щетинин filed Critical Б.А. Бабаев
Priority to RU95111281A priority Critical patent/RU2099817C1/ru
Publication of RU95111281A publication Critical patent/RU95111281A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2099817C1 publication Critical patent/RU2099817C1/ru

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканапьных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. Сущностью настоящего изобретения является способ иэготовпения МДП ИС, основанный на последовательности формирования в слоях нитрида кремния и поликристаллического кремния затворов и разделительных областей между стоками и охранными зонами, легирования областей стоков, истоков и охранных областей, удаления нитрида кремния с разделительных областей между стоками и охранными зонами, термического окисления, удаления нитрида кремния, вскрытия контактных окон к диффузионным областям и создание разводки металлом, что повышает процент выхода годных ИС и их стойкость к внешния воздействиям, благодаря планаризации структуры и высокой концентрации примеси в областях охранных зон.

Claims (1)

  1. Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканапьных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. Сущностью настоящего изобретения является способ иэготовпения МДП ИС, основанный на последовательности формирования в слоях нитрида кремния и поликристаллического кремния затворов и разделительных областей между стоками и охранными зонами, легирования областей стоков, истоков и охранных областей, удаления нитрида кремния с разделительных областей между стоками и охранными зонами, термического окисления, удаления нитрида кремния, вскрытия контактных окон к диффузионным областям и создание разводки металлом, что повышает процент выхода годных ИС и их стойкость к внешния воздействиям, благодаря планаризации структуры и высокой концентрации примеси в областях охранных зон.
RU95111281A 1995-06-29 1995-06-29 Способ изготовления мдп ис RU2099817C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95111281A RU2099817C1 (ru) 1995-06-29 1995-06-29 Способ изготовления мдп ис

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95111281A RU2099817C1 (ru) 1995-06-29 1995-06-29 Способ изготовления мдп ис

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95111281A true RU95111281A (ru) 1997-06-20
RU2099817C1 RU2099817C1 (ru) 1997-12-20

Family

ID=20169605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95111281A RU2099817C1 (ru) 1995-06-29 1995-06-29 Способ изготовления мдп ис

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2099817C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2099817C1 (ru) 1997-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920003541A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR960030438A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR920010933A (ko) Ccd 전하전송소자와 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR910003829A (ko) 고전압 반도체 장치 및 제조 과정
JPS6070757A (ja) 半導体集積回路
KR920020763A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR880008448A (ko) 측면 격리 소자 분리방법
US5077229A (en) Monolithic chemical sensor of the chemfet type incorporating an ion-selective membrane and method of making the same
EP0263287A3 (en) Forming a capacitor in an integrated circuit
RU95111281A (ru) Способ изготовления мдп ис
KR920005296A (ko) 반도체 소자분리 제조방법
KR880009426A (ko) 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
JPS6484659A (en) Manufacture of semiconductor device
KR890011085A (ko) 반도체소자 제조방법
JPS6489457A (en) Manufacture of semiconductor device
KR880010508A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR840001780A (ko) 반도체 기억장치(半導體記憶裝置)
RU2105382C1 (ru) Способ изготовления мдп ис
KR890005851A (ko) 반도체 장치의 소자분리 방법
KR950021415A (ko) 반도체 장치 제조방법
KR890017817A (ko) 고전압 반도체 장치 및 그 제조방법
JPS6455853A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPH0786400A (ja) 半導体集積回路装置
KR890011087A (ko) 반도체소자 제조방법