RU95111281A - Способ изготовления мдп ис - Google Patents
Способ изготовления мдп исInfo
- Publication number
- RU95111281A RU95111281A RU95111281/25A RU95111281A RU95111281A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A RU 95111281/25 A RU95111281/25 A RU 95111281/25A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A RU 95111281 A RU95111281 A RU 95111281A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon nitride
- drains
- regions
- removal
- areas
- Prior art date
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканапьных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. Сущностью настоящего изобретения является способ иэготовпения МДП ИС, основанный на последовательности формирования в слоях нитрида кремния и поликристаллического кремния затворов и разделительных областей между стоками и охранными зонами, легирования областей стоков, истоков и охранных областей, удаления нитрида кремния с разделительных областей между стоками и охранными зонами, термического окисления, удаления нитрида кремния, вскрытия контактных окон к диффузионным областям и создание разводки металлом, что повышает процент выхода годных ИС и их стойкость к внешния воздействиям, благодаря планаризации структуры и высокой концентрации примеси в областях охранных зон.
Claims (1)
- Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканапьных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. Сущностью настоящего изобретения является способ иэготовпения МДП ИС, основанный на последовательности формирования в слоях нитрида кремния и поликристаллического кремния затворов и разделительных областей между стоками и охранными зонами, легирования областей стоков, истоков и охранных областей, удаления нитрида кремния с разделительных областей между стоками и охранными зонами, термического окисления, удаления нитрида кремния, вскрытия контактных окон к диффузионным областям и создание разводки металлом, что повышает процент выхода годных ИС и их стойкость к внешния воздействиям, благодаря планаризации структуры и высокой концентрации примеси в областях охранных зон.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95111281A RU2099817C1 (ru) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Способ изготовления мдп ис |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95111281A RU2099817C1 (ru) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Способ изготовления мдп ис |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95111281A true RU95111281A (ru) | 1997-06-20 |
| RU2099817C1 RU2099817C1 (ru) | 1997-12-20 |
Family
ID=20169605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95111281A RU2099817C1 (ru) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Способ изготовления мдп ис |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2099817C1 (ru) |
-
1995
- 1995-06-29 RU RU95111281A patent/RU2099817C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2099817C1 (ru) | 1997-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920003541A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR960030451A (ko) | 확산마스크 및 그것을 이용한 pn접합소자의 제조방법 | |
| KR930006972A (ko) | 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR920010933A (ko) | Ccd 전하전송소자와 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| KR910003829A (ko) | 고전압 반도체 장치 및 제조 과정 | |
| JPS6070757A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR920020763A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR880008448A (ko) | 측면 격리 소자 분리방법 | |
| US5077229A (en) | Monolithic chemical sensor of the chemfet type incorporating an ion-selective membrane and method of making the same | |
| EP0263287A3 (en) | Forming a capacitor in an integrated circuit | |
| RU95111281A (ru) | Способ изготовления мдп ис | |
| KR880005690A (ko) | 선택적인 에피켁샬층을 사용한 BiCMOS 제조방법 | |
| KR950024272A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR920005296A (ko) | 반도체 소자분리 제조방법 | |
| KR880009426A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| JPS6484659A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR890011085A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| JPS6489457A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR880010508A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| KR840001780A (ko) | 반도체 기억장치(半導體記憶裝置) | |
| RU2105382C1 (ru) | Способ изготовления мдп ис | |
| KR890005851A (ko) | 반도체 장치의 소자분리 방법 | |
| KR950021415A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR890017817A (ko) | 고전압 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPS6455853A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof |