RU33582U1 - Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава - Google Patents

Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава Download PDF

Info

Publication number
RU33582U1
RU33582U1 RU2003117168/20U RU2003117168U RU33582U1 RU 33582 U1 RU33582 U1 RU 33582U1 RU 2003117168/20 U RU2003117168/20 U RU 2003117168/20U RU 2003117168 U RU2003117168 U RU 2003117168U RU 33582 U1 RU33582 U1 RU 33582U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
quartz crucible
shell
crucible
growing
silicon
Prior art date
Application number
RU2003117168/20U
Other languages
English (en)
Inventor
С.В. Алексеев
М.В. Баташов
Х.И. Макеев
М.Х. Макеев
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч" filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч"
Priority to RU2003117168/20U priority Critical patent/RU33582U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU33582U1 publication Critical patent/RU33582U1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

МПК с 30 в 15/10
ПЛАВИЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА
Полезная модель относится к металлургии нолупроводниковых материалов и может быть использовано преимущественно при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского.
До настоящего времени кварц остается единственным материалом тигля, применяемым при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского.
Известные плавильные устройства, состоящие из кварцевого тигля, размещенного внутри графитовой подставки, жестко закрепленной на штоке, в той или иной степени обеспечивают целостность устройства при охлаждении после проведения процесса выращивания. При этом используют различные приспособления для обеспечения жесткой фиксации формы кварцевого тигля (см. А.с. СССР № 142379, МПК С 30 В 15/10), применяют разрезные и разборные графитовые подставки (см. заявка Японии № 52-35634, кл. В 01 J 17/18, 1971), для предотвращения разрушения кварцевого тигля на его внутренние стенки наносят защитное покрытие (см. заявка Франции № 2461028, кл. С 30 В 15/10), выполняют защитные слои на поверхности сопряжения кварцевого тигля и графитовой подставки (см. заявка Японии № 2-55399, кл. С 30 В 15/10).
тигель с графитовой подставкой после проведения процесса выращивания до полного охлаждения теплового узла. При использовании теплового узла с эффективной теплоизоляцией, необходимо выдерживать установку минимум в течение двух часов до извлечения из печи графитовой подставки или её элементов и кварцевого тигля с остатком кремния («тигельный остаток). Все эти операции выполняются обслуживающим персоналом, как правило, вручнз ю, в защитных перчатках.
Изменение формы кварцевого тигля в процессе выращивания вследствие размягчения кварца и более полного сопряжения поверхностей кварцевого тигля и графитовой подставки приводит к колебаниям уровня расплава, автоматически поддерживаемого за счет перемещения щтока с графитовой подставкой. При этом диаметр выращиваемого кристалла также отклоняется от заданного значения. Поскольку после выращивания кристалл калибруют до заданного диаметра, изменение формы кварцевого тигля вследствие размягчения приводит к дополнительным безвозвратным потерям кремния.
Кроме того, кварцевый тигель является хрупким материалом, поэтому требуется особая осторожность при его размещении в графитовой подставке. Как правило, из-за больщой массы кварцевого тигля с загрузкой первоначально в тигель загружают часть исходного поликристаллического кремния, а после их размещения в графитовой подставке осуществляют дозагрузку в кварцевый тигель остатка поликристаллического кремния. Па этой последней операции, проводимой непосредственно в камере ростовой установки, довольно затруднительно сохранить чистоту исходных материалов, вследствие чего технологическая чистота процесса выращивания ухудшается.
IW
подставке, жестко закрепленной на штоке (см. патент РФ № 2114938, оп. 10.07.1998. Бюл. № 19, МПК С 30 В 15/10). Для исключения деформации кварцевого тигля и графитовой подставки, тигель размещают в графитовой подставке с образованием зазора между ними, заполненного слоем засыпки порошка карбида кремния. Толщина слоя засыпки локально меняется в соответствии с высотой стенки тигля.
Недостатками данного технического решения, как и вышеупомянутых устройств, являются низкая производительность процесса выращивания монокристаллов кремния вследствие вынужденных простоев плавильного устройства между перезагрузками, снижение технологической чистоты при дозагрузке исходного кремния в кварцевый тигель, размещенный в графитовой подставке, увеличение безвозвратных потерь кремния из-за отклонений диаметра выращиваемого монокристалла от заданного значения. Кроме того, размещение кварцевого тигля в графитовой подставке с образованием зазора между ними, заполненного слоем засыпки порошка карбида кремния толщиной, локально меняющейся в соответствии с высотой стенки тигля, не в полной мере обеспечивает целостность устройства при охлаждении после проведения процесса из-за неопределенности величины зазора между кварцевым тиглем и графитовой подставкой.
Перед авторами стояла задача сократить время простоя плавильного устройства между перезагрузками, повысить технологическую чистоту производства монокристаллического кремния, уменьшить безвозвратные потери кремния и обеспечить целостность плавильного устройства при охлаждении после проведения процесса выращивания.
Поставленная задача достигается тем, что в плавильном устройстве для выращивания монокристаллов кремния из расплава, состоящем из кварцевого тигля, размещенного в графитовой подставке, жестко закрепленной на щтоке, подставка выполнена составной в виде
верхнего и нижнего дисков и обечайки, установленных соосно друг другу, при этом верхний диск, имеющий больший диаметр, чем нижний, выполнен с возможностью фиксации по отношению к нижнему диску и тиглю с обечайкой, нижний диск закреплен на штоке, а обечайка сформирована и зафиксирована вокруг тигля.
В качестве материала обечайки может быть использована фольга из тонко расщепленного графита.
Выполнение графитовой подставки составной в виде верхнего и нижнего дисков и обечайки, установленных соосно друг другу обеспечивает возможность извлечения кварцевого тигля с остатком кремния сразу же после завершения процесса выращивания монокристалла в горячем состоянии. Нижний диск жестко крепится на штоке, имеет меньший диаметр и форму поверхности сопряжения, позволяющую фиксировать на нём от радиального смещения верхний диск. Больший диаметр верхнего диска обеспечивает возможность его зацепления подъемным приспособлением за свободную от сопряжения нижнюю поверхность.
Применение обечайки, сформированной и зафиксированной вокруг кварцевого тигля обеспечивает хороший тепловой контакт элементов, сохранение геометрических размеров тигля в процессе расплавления кремния и проведения процесса. Сохранение геометрических размеров кварцевого тигля приводит к уменьшению безвозвратных потерь кремния за счет точного поддержания уровня расплава в процессе выращивания и уменьшения отклонений диаметра выращиваемого монокристалла от заданного значения. Возможность фиксации кварцевого тигля с обечайкой на верхнем диске позволяет разместить элементы соосно оси вращения щтока.
Причем, загрузка кремния в кварцевый тигель в сборе с обечайкой и с верхним диском подставки может производиться в специальном чистом помещении, а затем загруженная сборка может устанавливаться в горячий тепловой узел тем же подъемным приспособлением, что и при извлечении кварцевого тигля с «тигельным остатком из горячего теплового узла. Это принципиально новая операция загрузки кремния в кварцевый тигель для осуществления процесса выращивания. Она позволяет повысить технологическую чистоту производства, сократить время простоя плавильного устройства при перезагрузке, уменьшить опасность повреждения кварцевого тигля. Обеспечивается возможность более точной и надежной сборки кварцевого тигля с обечайкой и верхним диском графитовой подставки за счет улучшения визуального обзора конструкции. Обеспечивается возможность механизации операции размещения загруженной сборки в тепловом узле.
Обечайка, сформированная и зафиксированная вокруг кварцевого тигля, обеспечивает целостность кварцевого тигля при охлаждении после проведения процесса выращивания и легко поддается демонтажу при замене кварцевого тигля с остатком кремния на новый тигель. В качестве материала обечайки может быть использована фольга из тонко расщепленного графита. Этот материал совместим с другими материалами технологического процесса выращивания монокристаллов кремния, имеет необходимую жесткость для сохранения формы кварцевого тигля в процессе выращивания кристалла и обеспечивает плотный контакт обечайки с тиглем. Кроме того, фольга из тонко расщепленного графита допускает многократное использование.
Указанная совокупность отличительных признаков свидетельствует о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна.
монокристаллов кремния, уменьшить безвозвратные потери кремния и обеспечить целостность устройства при охлаждении после проведения процесса выращивания.
Предложенное плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава поясняется чертежом. На чертеже схематично представлен общий вид камеры для выращивания с изображением части элементов устройства, необходимых для раскрытия сущности предложенного устройства.
Плавильное устройство состоит из кварцевого тигля 1, размещенного в графитовой подставке, которая выполнена составной в виде верхнего 2 и нижнего 3 дисков и обечайки 4, установленных соосно друг другу. Нижний диск жестко закреплен на штоке 5. Верхний диск 2, имеющий больший диаметр, чем нижний диск 3, выполнен с возможностью фиксации по отношению к нижнему диску и тиглю с обечайкой. Обечайка 4 сформирована и зафиксирована вокруг кварцевого тигля 1, например, при помощи графитового шнура 6 в виде трех колец, равномерно расположенных по высоте кварцевого тигля 1, концы которых соединены скобами (на чертеже не показаны).
Кварцевый тигель 1 вместе с подставкой помещен в нагреватель 7 (тепловой узел). Для размещения в нагреватель 7 и извлечения из него кварцевого тигля 1 вместе со съемной частью графитовой подставки может быть использовано подъёмное приспособление 8 в виде кольца, на котором крепятся с возможностью вращения стержни с загибами.
Предложенное устройство может быть выполнено следующим образом.
Графитовая подставка выполняется составной в виде верхнего 2 и нижнего 3 дисков и обечайки 4 (см. чертеж). Верхний диск 2 имеет снизу конический выступ для сопряжения и фиксации с нижним диском 3, жестко закрепленным на штоке 5 и имеющим ответную коническую выемку. Со стороны кварцевого тигля 1 верхний диск 2 имеет
цилиндрическую выемку для фиксации кварцевого тигля 1 с обечайкой 4.
Сборка кварцевого тигля 1 с верхним диском 2 подставки и обечайкой 4 проводится в чистом технологическом помещении. Кварцевый тигель 1 размещают соосно на верхнем диске 2, затем вокруг кварцевого тигля 1 формируют обечайку 4 из фольги тонко расщепленного графита (фольга ТРГ), фиксируют её графитовым шнуром 6 в виде трех колец, равномерна расположенных по высоте кварцевого тигля 1, концы которых соединены скобами, при этом кварцевый тигель 1 с обечайкой 4 фиксируется в цилиндрической выемке верхнего диска 2. После этого кварцевый тигель 1 вместе со съемной частью графитовой подставки готов к загрузке в него поликристаллического кремния и к установке в тепловой узел ростовой установки (в том числе и в горячий тепловой узел).
Для размещения и извлечения кварцевого тигля 1 вместе со съемной частью графитовой подставки в нагреватель 7 используют подъёмное приспособление 8 в виде кольца, на котором крепятся с возможностью вращения стержни с загибами. При перемещении съемной части графитовой подставки загибы стержней захватывают нижнюю поверхность верхнего диска 2, свободную от сопряжения с нижним диском 3. При установке подъёмного приспособления 8 в горячий тепловой узел с плавильным устройством стержни вращением устанавливают в положение, обеспечивающее их перемещение без зацепления в цилиндрическом зазоре между плавильным устройством и нагревателем 7. Затем стержни поворачивают на 90° до захвата верхнего диска 2, имеющего больший диаметр, за поверхность, свободную от сопряжения с нижним диском 3.
приспособления и осуществляют их разборку в специальном помещении.
Кварцевый тигель 1 вместе с загрузкой поликристаллического кремния в сборе со съемной частью графитовой подставки размещают в горячий тепловой узел ростовой установки и осуществляют процесс выращивания.
Устройство работает следующим образом.
Предложенное плавильное устройство используют в процессе выращивания монокристаллического кремния.
Загрузка кремния в кварцевый тигель в сборе с обечайкой и верхним диском подставки производится в специальном чистом помещении. Кварцевый тигель с обечайкой точно устанавливается на верхний диск графитовой подставки под постоянным контролем. Перемещение тяжелых элементов конструкции механизировано. Загруженный кварцевый тигель с обечайкой и верхним диском фиксируется по отнощению к нижнему диску и размещается соосно оси вращения щтока.
После расплавления загрузки проводят процесс выращивания.
Кварцевый тигель сохраняет геометрические размеры во время процесса выращивания, что уменьщает безвозвратные потери кремния за счет точного поддержания уровня расплава и диаметра выращиваемого монокристалла в процессе выращивания, при этом обечайка, сформированная и зафиксированная вокруг кварцевого тигля, обеспечивает хорощий тепловой контакт элементов, что положительно влияет на качество выращиваемого монокристалла.
Выращиваемый монокристалл имеет улучщенные геометрические параметры, при этом программа проведения процесса упрощается, улучшается гидродинамика расплава, что приводит к повышению однородности монокристалла по содержанию легирующей примеси и кислорода. Выход годной продукции повыщается на .
После завершения процесса выращивания монокристалла кварцевый тигель с остатком кремния извлекается подъёмным приспособлением в горячем состоянии из теплового узла.
Новый загруженный кварцевый тигель с обечайкой и верхним диском размещают подъёмным приспособлением в горячий тепловой узел, и процесс выращивания повторяется. За счет сокращения простоев установки на остывание при перезагрузке производительность выращивания монокристаллов кремния повышается на .
Обечайка обеспечивает сохранение геометрических размеров кварцевого тигля в процессе выращивания, целостность тигля при охлаждении после проведения процесса выращивания, легко поддается демонтажу при замене кварцевого тигля с остатком кремния на новый тигель и используется многократно. В качестве материала обечайки используют фольгу из тонко расщепленного графита.
Таким образом, предложенное плавильное устройство позволяет сократить время простоя плавильного устройства между перезагрузками, повысить технологическую чистоту производства монокристаллов кремния, уменьшить безвозвратные потери кремния и обеспечить целостность устройства при охлаждении после проведения процесса выращивания.

Claims (2)

1. Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава, состоящее из кварцевого тигля, размещенного в графитовой подставке, жестко закрепленной на штоке, отличающееся тем, что подставка выполнена составной в виде верхнего и нижнего дисков и обечайки, установленных соосно друг другу, при этом верхний диск, имеющий больший диаметр, чем нижний, выполнен с возможностью фиксации по отношению к нижнему диску и тиглю с обечайкой, нижний диск закреплен на штоке, а обечайка сформирована и зафиксирована вокруг тигля.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве материала обечайки использована фольга из тонко расщепленного графита.
Figure 00000001
RU2003117168/20U 2003-06-17 2003-06-17 Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава RU33582U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003117168/20U RU33582U1 (ru) 2003-06-17 2003-06-17 Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003117168/20U RU33582U1 (ru) 2003-06-17 2003-06-17 Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU33582U1 true RU33582U1 (ru) 2003-10-27

Family

ID=36048462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003117168/20U RU33582U1 (ru) 2003-06-17 2003-06-17 Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU33582U1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5633732B2 (ja) サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置
CN106687624B (zh) 单晶硅的制造方法及制造系统
CN103060901B (zh) 导模法生长多条晶体的制备工艺
KR101467103B1 (ko) 실리콘 단결정 성장 장치 및 그 성장 방법
JP5564995B2 (ja) サファイア単結晶の製造装置
RU33582U1 (ru) Плавильное устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава
RU2241080C1 (ru) Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава
JP7006500B2 (ja) 粉末状原料の充填方法
JPS59213697A (ja) 単結晶半導体引上装置
JP6969230B2 (ja) 単結晶育成方法及び単結晶育成装置
JP6834493B2 (ja) 酸化物単結晶の育成装置及び育成方法
KR101292703B1 (ko) 단결정 성장장치
CN114635182A (zh) 一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法
CN201089804Y (zh) 直拉硅单晶制备用坩埚
CN104593860B (zh) 一种vb/vgf单晶生长用支撑结构及其加工方法
RU94230U1 (ru) Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава
US8691013B2 (en) Feed tool for shielding a portion of a crystal puller
JP2010248003A (ja) SiC単結晶の製造方法
RU2342473C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава
CN116607215B (zh) 一种铌酸锂晶体的生长方法及装置
JP2016222471A (ja) 単結晶の製造方法
CN204385325U (zh) 一种用于蓝宝石生长炉的可视坩埚盖
JP2018177552A (ja) 単結晶育成用坩堝
CN105088331B (zh) 一种c‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚
CN201089805Y (zh) 一种直拉硅单晶制备用坩埚

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20040618