JP5564995B2 - サファイア単結晶の製造装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 170
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims description 99
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Description
そのため、サファイアを効率よく安定的に生産できるサファイア単結晶製造装置が求められている。
当該サファイア単結晶の製造装置101は、冷却水が流通される筒状のジャケット112およびベース113によって密閉された空間内に、円筒ヒーター114および断熱部材116が配置されてホットゾーン118が形成される育成炉110を備える。また、種子結晶124と原料126が入れられるルツボ120は、駆動軸104によって上下動される構造である。
育成炉110の円筒ヒーター114で囲まれたホットゾーンは、サファイアの融点を跨いで、上部側が融点の温度以上、下部側が融点の温度以下の温度となるように温度制御されている(図7(f))。
サファイアの種子結晶124と原料126が入れられたルツボ120は、ホットゾーンを下部から上部側へと上昇させられ、原料126が融解し、種子結晶124の上部が融解した段階で上昇を停止され(図7(b))、次いでゆっくりと所要の下降速度で下降される(図7(c))。これにより種子結晶124の結晶面に沿って融液が徐々に結晶、析出する(図7(c)、(d))。
種子結晶124はc面が水平になるようにルツボ120中に配置され、融液はこのc面に沿って、すなわちc軸方向に成長する。
しかしながら、同図8に示すサファイア単結晶において、その外周部近傍に、僅かに白色になっている部分(図中A部)が認められる。当該白色部分は、小傾角境界と呼ばれる結晶境界であって、中心部とは方位の異なる結晶が成長した部分であると考えられる。すなわち、小傾角境界は、いわゆる結晶欠陥に相当し、製品としてサファイア単結晶を得ようとする場合には削り取らなければならない部分であるため、その発生を防止することが要求される。
本願発明者らは、サファイア単結晶の製造装置を用いて製造されるサファイア単結晶において、小傾角境界が発生する原因の究明に取り組み、その究明を果たすと共に、小傾角境界のような結晶欠陥の発生を防止することができるサファイア単結晶の製造装置を案出するに至った。
図1にサファイア単結晶の製造装置1の正面断面図(概略図)を示す。本実施形態に係るサファイア単結晶の製造装置1は、公知の垂直ブリッジマン法によってサファイア単結晶を製造する育成炉10を備える。その構造を簡単に説明すると、育成炉10は、冷却水が流通される筒状のジャケット12およびベース13によって密閉された空間内に、上下に長い筒状ヒーターが1個ないし複数個配設されて構成される。本実施の形態では1個の円筒ヒーター14を用いている。なお、育成炉10の寸法は、製造する単結晶の大きさによって当然異なるが、一例として、直径0.5[m]、高さ1[m]程度である。
一方、駆動軸4は後述の冷却軸5に連結され、図示しないボールネジにより上下動される。これにより、ルツボ20は、上昇速度、下降速度を精密に制御されて上下動可能となっている。なお、育成炉10および底部の断熱部材16等には、駆動軸4を挿通させるための構造(貫通孔等)が設けられる。
なお、本実施形態に係るサファイア単結晶の製造装置1を用いて、垂直ブリッジマン法によりサファイア単結晶を製造する工程は、図7(a)〜図7(f)に示す前述の工程と基本的に同様であり、説明を省略する。
本実施形態における突周部21は、図1、図2(図2(a)は正面断面図であり、図2(b)は底面図である)に示すように、ルツボ20の外周面に沿ってリング状に形成されると共に、断面が台形状に形成される構成である。なお、断面形状は台形に限定されるものではなく、矩形、三角形等であっても構わない。ただし、後述の支持部材3との面接触を可能とする一面(本実施形態では下面21a)を備えることが好適である。
特にタングステンは各温度において、線膨張係数がサファイアよりも小さく、したがって、これらの材料からなるルツボを用いることによって、後述するように結晶化過程、アニール処理過程、冷却過程において、収縮率がサファイアよりも小さく、ルツボ20の内壁面とサファイア単結晶の外壁面とが非接触の状態となって、サファイアに応力が加わらず、サファイアのクラック発生を防止できる。
一例として、支持部材3は、ルツボ20と同じ材料を用いて形成される。すなわち、タングステン、タングステン−モリブデン合金、モリブデン等が材料として好適である。
ルツボ20における所定の外周位置を円環状に冷却する冷却手段を備える。
一実施形態として、当該冷却手段は、ルツボ20の突周部21と当該突周部21に対して円環状に面接触して当該ルツボ20を支持する支持部材3とを備えて構成される。このとき、ルツボ20の下面20aと支持部3とは離間するように配設される(図1参照)。
この構成によれば、突周部21から支持部材3への熱の移動(支持部材3による吸熱作用)が生じる。これによって、ルツボ20における所定の外周位置(本実施形態では突周部21の形成位置となる)を円環状に冷却する作用が生じる。
なお、突周部21から支持部材3へ移動した熱は、さらに支持部材3から駆動軸4へと移動する。これらの熱の移動作用が得られるのは、円筒ヒーター14によりホットゾーン18内に発生する温度勾配によって、ルツボ20の温度が相対的に高くなり、支持部材3の温度は当該ルツボ20の温度よりも低くなり、さらに、駆動軸4の温度は当該支持部材3の温度よりも低くなるためである。
一実施形態として、冷却部材は、内部に循環管路51を有する軸状部材であって、該管路に冷媒(例えば、冷却水)を通流させて冷却を行う冷却軸5である。冷却軸5の上端部に駆動軸4が固定される構造となる。
冷却部材としての冷却軸5によって、駆動軸4に対する吸熱作用が生じ、駆動軸4の温度を低下させることができる。これにより、支持部材3から駆動軸4への熱の移動作用を促進させることができる。すなわち、支持部材3の冷却が促進されることとなり、結果として、突周部21から支持部材3へ熱の移動が促進されるため、前記冷却手段による冷却作用を大きくする効果が得られる。
加えて、循環管路51内を通流させる冷媒温度をコントロールすることによって、当該冷却作用のコントロールが容易になる効果も得られる。
しかし、その方法では、大きな種子結晶が必要となるため、コストは大きくなり、反面、育成される結晶量は小さくなるという課題が生じ得る。
すなわち、種子結晶と育成された結晶との界面(凸状の円弧曲線)が、種子結晶の下端部およびその近傍に達することを防止する方法として、種子結晶と育成された結晶との界面(凸状の円弧曲線)形状を、凸状ではなく、より平坦な形状とする方法が実現すれば、種子結晶を大きくして、ルツボをヒーター内で上昇させる量を小さくする方法を採用せずに、種子結晶と育成された結晶との界面(凸状の円弧曲線)が、種子結晶の下端部およびその近傍に達することを防止することができる。
これによって、種子結晶が溶融される工程において、外周部が溶融して該種子結晶の下端部に進入し、該種子結晶が傾いてしまうことを防止でき、その結果、結晶の下端部で且つ周縁部の位置に白色化した部分、すなわち、種子結晶とは方位が異なる結晶が生じることを防止でき、最終的に、結晶の下端部で且つ周縁部の位置に生じる白色化部分を基盤として周縁部において上方向に成長する小傾角境界の発生を防止することが可能となる。併せて、種子結晶の傾きに起因するひび割れの発生も防止できる。
一例として、サファイア単結晶の製造装置1によって製造されたサファイア単結晶の写真(X線トポグラフ写真)を図4に示す。この写真から明らかなように、図8の写真に示されるサファイア単結晶と比べて小傾角境界の発生が顕著に抑制されていることが分かる。
また、結晶の成長軸は、上記実施の形態ではc軸としたが、a軸を成長軸としてもよく、またr面に垂直な方向を成長軸としてもよい。
また、本製造装置は、サファイア単結晶の製造に好適であるが、他の単結晶の製造にも適用できることは当然である。
3 支持部材
4、104 駆動軸
5 冷却軸
10、110 育成炉
12、112 ジャケット
13、113 ベース
14、114 円筒ヒーター
16、116 断熱部材
18、118 ホットゾーン
20、120 ルツボ
21 突周部
124 種子結晶
126 原料
128 均熱ゾーン
Claims (6)
- 支持部材によって支持されたルツボ内に種子結晶および原料を収納し、育成炉内の筒状ヒーター内に該ルツボを配置して筒状ヒーターにより加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置において、
カップ状をなす前記ルツボにおける所定の外周位置を円環状に冷却する冷却手段を備え、
前記ルツボは、熱伝導性材料からなり、外周面における所定位置に放射状に突出する突周部を有し、
前記支持部材は、熱伝導性材料からなり、前記ルツボの突周部に対して円環状に面接触して該ルツボを支持する支持面を有し、
前記冷却手段は、前記突周部と前記支持部材とを備えて構成されること
を特徴とするサファイア単結晶の製造装置。 - 前記製造装置は、筒状ヒーターに上が高く下が低い温度勾配を形成することによって融液を順次結晶化させる一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造装置であって、
前記ルツボにおいて前記突周部が設けられる位置は、該ルツボの温度がサファイアの融点温度以上となる領域の最下位置であること
を特徴とする請求項1記載のサファイア単結晶の製造装置。 - 前記支持部材は、カップ状であって、上端面が前記突周部の下面に対して面接触すること
を特徴とする請求項1または請求項2記載のサファイア単結晶の製造装置。 - 前記ルツボの下面と前記支持部とが離間していること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のサファイア単結晶の製造装置。 - 先端に前記支持部材が固定される駆動軸と、
前記駆動軸を冷却する冷却部材と、を備えること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のサファイア単結晶の製造装置。 - 前記冷却部材は、内部に循環管路を有する軸状部材であって、該循環管路に冷媒を通流させて冷却を行う冷却軸であること
を特徴とする請求項5記載のサファイア単結晶の製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010045593A JP5564995B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | サファイア単結晶の製造装置 |
TW100105328A TWI555886B (zh) | 2010-03-02 | 2011-02-18 | 藍寶石單結晶之製造裝置 |
KR1020110016497A KR101767268B1 (ko) | 2010-03-02 | 2011-02-24 | 사파이어 단결정의 제조 장치 |
CN201110049244.5A CN102191535B (zh) | 2010-03-02 | 2011-03-01 | 蓝宝石单晶体的制造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010045593A JP5564995B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | サファイア単結晶の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011178628A JP2011178628A (ja) | 2011-09-15 |
JP5564995B2 true JP5564995B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=44600374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010045593A Active JP5564995B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | サファイア単結晶の製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5564995B2 (ja) |
KR (1) | KR101767268B1 (ja) |
CN (1) | CN102191535B (ja) |
TW (1) | TWI555886B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103160932B (zh) * | 2011-12-18 | 2016-05-18 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种加工晶体材料时对坩埚的均匀加热装置及其方法 |
KR101404519B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2014-06-10 | 주식회사 에스이엠 | 사파이어 단결정 성장장치의 도가니 승강기구 |
KR101434478B1 (ko) | 2013-02-22 | 2014-09-02 | 비아이신소재 주식회사 | 장대형 사파이어 단결정 성장방법 및 이를 위한 성장장치 |
CN104805501B (zh) * | 2014-01-26 | 2018-02-09 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种方形蓝宝石单晶炉热场结构 |
JP2016199440A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
KR20160123536A (ko) * | 2015-04-16 | 2016-10-26 | 포토멕 주식회사 | 사파이어 잉곳 제조장치 |
JP6464975B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-02-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物単結晶育成用坩堝および酸化物単結晶育成方法 |
KR101765788B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2017-08-08 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정 성장 장치 |
CN114737253B (zh) * | 2022-06-10 | 2022-11-04 | 太原彩源新材料科技有限公司 | 生长大尺寸蓝宝石单晶板材的单晶炉热场结构及方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10101484A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Canon Inc | 結晶製造装置及び方法 |
KR200331108Y1 (ko) | 2003-07-18 | 2003-10-22 | 박태훈 | 단결정 성장로 |
CN2637505Y (zh) * | 2003-08-08 | 2004-09-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大面积晶体的温梯法生长装置 |
JP2008247706A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jfe Mineral Co Ltd | コランダム単結晶の育成方法、コランダム単結晶およびコランダム単結晶ウェーハ |
-
2010
- 2010-03-02 JP JP2010045593A patent/JP5564995B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-18 TW TW100105328A patent/TWI555886B/zh active
- 2011-02-24 KR KR1020110016497A patent/KR101767268B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-01 CN CN201110049244.5A patent/CN102191535B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101767268B1 (ko) | 2017-08-10 |
KR20110099640A (ko) | 2011-09-08 |
TW201132809A (en) | 2011-10-01 |
CN102191535B (zh) | 2015-07-08 |
JP2011178628A (ja) | 2011-09-15 |
CN102191535A (zh) | 2011-09-21 |
TWI555886B (zh) | 2016-11-01 |
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