RU2808961C1 - Способ получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом безводного атомно-слоевого осаждения - Google Patents

Способ получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом безводного атомно-слоевого осаждения Download PDF

Info

Publication number
RU2808961C1
RU2808961C1 RU2023118146A RU2023118146A RU2808961C1 RU 2808961 C1 RU2808961 C1 RU 2808961C1 RU 2023118146 A RU2023118146 A RU 2023118146A RU 2023118146 A RU2023118146 A RU 2023118146A RU 2808961 C1 RU2808961 C1 RU 2808961C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
atomic layer
layer deposition
aluminum
ald
molybdenum
Prior art date
Application number
RU2023118146A
Other languages
English (en)
Inventor
Абай Маликовна Максумова
Ильмутдин Магомедович Абдулагатов
Азиз Ильмутдинович Абдулагатов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговый центр "Цифровые платформы"
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговый центр "Цифровые платформы" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговый центр "Цифровые платформы"
Application granted granted Critical
Publication of RU2808961C1 publication Critical patent/RU2808961C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к технологии получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом термического безводного атомно-слоевого осаждения (АСО). Изобретение заключается в двухэтапном процессе, где на первом этапе производится подготовка поверхности к осаждению путем нанесения оксида алюминия толщиной

Description

Изобретение относится к технологии получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок (AlxMoyOz) методом термического безводного атомно-слоевого осаждения (АСО) с использованием триметилалюминия (Al(CH3)3, TMA) и диоксидихлорида молибдена VI (MoO2Cl2) в качестве прекурсоров. Изобретение имеет перспективы применения при получении твердофазных электролитов, пассивирующих промежуточных слоев в солнечных элементах, катализаторов дегидрирования углеводородов, а также может быть применено в качестве сухой смазки, способной обеспечить значительное снижение трения и износа при высоких температурах.
Изобретение обеспечивает преимущество контроля состава и толщины получаемой пленки на нанометровом уровне, благодаря поэтапному химическому выращиванию пленки за счет самоограничивающихся поверхностных реакций, осуществляющихся в технологии АСО. Используемая технология атомно-слоевого осаждения обеспечивает высокую степень конформности и адгезии получаемых нанопленок как на плоских подложках, так и на поверхностях со сложной топографией.
Для атомно-слоевого осаждения оксидных нанопленок в комбинации с прекурсорами металла в качестве источника атомов кислорода используется H2O, H2O2, O3 или O2 плазма. Однако для случаев, когда субстрат, на который наносится нанопленка, неустойчив к воздействию окислителей и влаги (неустойчивые к влаге и/или склонные к коррозии субстраты, особенно в полупроводниковой промышленности) становится актуальным подбор реагентов для получения нанопленки необходимого состава без использования перечисленных источников атомов кислорода, процессы с использованием подобных реакционных систем носят название «безводное атомно-слоевое осаждение». Одним из известных в литературе способов избежать использования H2O или других дополнительных источников кислорода является использование галогенида металла в комбинации с алкоксидом металла (P. H. Mutin and A. Vioux, Chem. Mater. 21, 582 (2009)). Источником кислорода в такой реакционной системе является кислород алкоксида металла, а рост нанопленки оксида металла осущестляется с отщеплением алкилгалогенида. Ранее подобное безводное атомно-слоевое осаждение было показано для получения нанопленок оксида алюминия Al2O3 с использованием хлорида алюминия (AlCl3) и изопропоксида алюминия (Al(OiPr)3) (P. I. Raisanen, M. Ritala, and M. Leskela, J. Mater. Chem. 12, 1415 (2002)); с использованием триметилалюминия (TMA) и уксусной кислоты (CH3COOH) (G. Guo, M. Li, Q. Sun, W. Yang, et. al. Chem. Vap. Dep. 19, 4-6 (2013)), оксида тантала Ta2O5 с использованием пентахлорида тантала (TaCl5) и этоксида тантала (Ta(OEt)5) (M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Raisanen, M. Leskela, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science 288, 319 (2000)), оксида титана TiO2 с использованием тетрахлорида титана (TiCl4) и изопропоксида титана (TTIP) (V. R. Anderson, A. Cavanagh, A. Abdulagatov, Z. M. Gibbs, S. George, J. Vac. Sci. Technol. A 32(1) (2014)), оксида сурьмы SbOx с использованием пентахлорида сурьмы (SbCl5) и этоксида сурьмы (Sb(OEt)3) (S. Lehmann, F. Mitzscherling, Sh. He, J. Yang, et. al. Coatings 13, 3 (2023)). Также известны работы по безводному атомно-слоевому осаждению смешанных оксидных нанопленок, в работе (M.F. Mazza, M. Caban-Acevedo, H.J. Fu, M.C. Meier, et. al. ACS Mater. Au 2, 2 (2022)) сообщается о получении титан-алюминиевых оксидных пленок на поверхности чувствительного к воздействию влаги и окислителей графена с использованием изопропоксида титана (TTIP) и триметилалюминия (TMA). Однако нами обнаружено, что безводное атомно-слоевое осаждение оксидных пленок можно осуществить с использованием оксогалогенидного соединения в комбинации с металлорганическим прекурсором. В такой реакционной системе источником кислорода служит атом кислорода оксогалогенидной группировки. В связи с этим, предложено получение алюминий-молибденовых оксидных (AlxMoyOz) нанопленок с использованием триметилалюминия (Al(CH3)3, TMA) в комбинации с диоксидихлоридом молибдена VI (MoO2Cl2).
В качестве способа наиболее близкого к предложенному по своей технической сущности и достигаемому результату выбран способ получения нанопленок AlxMoyOz методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (ПС-АСО) с использованием триметилалюминия Al(CH3)3, бис-(трет-бутилимидо)-бис-(диметиламино)молибдена (VI) (Mo(NtBu)2(NMe2)2) и O2 (Vitale S.A., Hu W., D’Onofrio R., et. al. Interface state reduction by plasma-enhanced ALD of  homogeneous ternary oxides // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. V. 12. № 38. P. 43250). В данном способе нанопленки были получены на кремниевых подложках с естественным слоем оксида кремния. Параметры плазмы: 300 W, поток Ar - 160 см3/мин, поток радикалов O2 - 40 см3/мин, 15 с. Использовалась продувка аргоном в течение 3 с после каждого напуска прекурсора и стадии плазмы. Температура реакционной зоны составляла 200 ºС. Известно, что в полученной пленке содержание молибдена намного ниже содержания алюминия, что объясняется большей энергией адсорбции ТМА по сравнению с Mo(NtBu)2(NMe2)2, а также побочными процессами, связанными с тем, что металлорганический прекурсор молибдена, ввиду его строения и благодаря наличию ненасыщенных связей между атомами молибдена и азота вступает в реакцию с ТМА, что вызывает разложение TMA и приводит к CVD-подобному росту алюминийоксидного слоя (AlOx).
Однако отличительными признаками предложенного нами способа от выбранного прототипа является то, что:
1. В отличие от ПС-АСО в предложенном нами процессе рост пленки осуществляется за счет термически стимулированных поверхностных реакций без использования дорогостоящего источника плазмы. Использование в ПС-АСО оксидов О2 плазмы может привести к неконтролируемому окислению подложки и модификации границы раздела пленка/подложка из-за потока высокореакционных радикалов кислорода;
2. В предложенном нами способе нет дополнительно вводимого в реакционную систему источника атомов кислорода, рост пленки осуществляется только за счет поверхностных реакций между прекурсорами атомов алюминия и молибдена, что значительно упрощает процесс;
3. В качестве прекурсора молибдена выбрано неорганическое соединение (галогенид) – диоксидихлорид молибдена VI (MoO2Cl2), в отличие от прототипа, где в качестве источника атомов молибдена выбрано металлорганическое соединение. В сравнении с часто используемыми в АСО металлорганическими (МО) прекурсорами, галогениды обладают достаточным давлением паров при комнатной температуре или могут быть относительно легко переведены в газовую фазу нагревом. Синтез галогенидов менее экономически затратен по сравнению с МО прекурсорами, а также в процессе роста пленок минимизируются побочные процессы, связанные с разложением прекурсоров и/или неполнотой поверхностных реакций;
4. Предложено предварительное осаждение оксида алюминия (Al2O3) на кремниевую подложку с естественным оксидом кремния в качестве затравочного слоя для обеспечения высокой адгезионной прочности нанопленки AlxMoyOz к подложке;
5. Tемпература реакционной зоны составляет 150ºС, что позволяет снизить температуру получения нанопленок AlxMoyOz.
Целью предлагаемого изобретения является разработка способа получения алюминий-молибденовых оксидных (AlxMoyOz) нанопленок методом безводного термического атомно-слоевого осаждения (АСО) с использованием в качестве прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3, TMA) и диоксидихлорида молибдена VI (MoO2Cl2). Сущность изобретения заключается в обеспечении контроля состава и толщины получаемой пленки на нанометровом уровне; конформности и высокой адгезии пленок AlxMoyOz на поверхности как плоских подложек, так и со сложной топографией; возможности получения однородных пленок, благодаря поэтапному химическому выращиванию пленки за счет самоограничивающихся поверхностных реакций, осуществляющихся в технологии АСО.
Достижение результата технически осуществляется двухэтапным процессом: на первом этапе осуществляется подготовка поверхности субстрата путем атомно-слоевого осаждения затравочного слоя оксида алюминия толщиной около ; на втором этапе осуществляется атомно-слоевое осаждение нанопленки AlxMoyOz с использованием необходимых реагентов и условий АСО (температура, время дозирования реагентов и время продувки побочных продуктов поверхностных реакций). Предварительное нанесение затравочного слоя оксида алюминия на кремниевую подложку способствует более эффективной нуклеации во время АСО AlxMoyOz, вследствие высокой концентрации гидроксильных групп на поверхности аморфного оксида алюминия.
Пример конкретного выполнения способа
1. Подготовка осаждаемой поверхности путем нанесения Al2O3;
2. Атомно-слоевое осаждение алюмигий-молибденовых оксидных нанопленок (AlxMoyOz).
Для подготовки поверхности кремниевой подложки к АСО AlxMoyOz на нее наносят Al2O3 методом АСО. Для этого в качестве прекурсоров используются триметилалюминий (TMA) (CAS номер 75241, Sigma-Aldrich, 97%) и бидистилированная вода (H2O). АСО проводится в вакуумной установке для атомно-слоевого осаждения при температуре реакционной зоны 150°С. В реакционную зону попеременно подаются пары ТМА и H2O. Время дозирования паров реагентов составляет 1 секунду. После напуска паров каждого реагента следует стадия продувки (30 секунд) с целью удаления побочных продуктов реакции и непрореагировавших молекул реагентов. В качестве продувочного газа используется азот особой степени чистоты от ООО «Гермес-газ» (N2, 99.999 %). Один цикл АСО Al2O3 составляют следующие стадии: напуск паров ТМА (1 с), продувка (30 с), напуск паров H2O (1 с), продувка (30 с). Для получения Al2O3 толщиной на поверхности кремниевой подложки проводится 60 АСО циклов Al2O3.
На подготовленную описанным выше способом поверхность кремниевой подложки начинают процесс АСО AlxMoyOz. Для этого в качестве прекурсоров используют TMA (кат. номер 75241, Sigma-Aldrich, 97.0 %) и MoO2Cl2 (Ereztech LLC, кат. номер 13637688, ~ 99.0%). Температура реакционной зоны составляет 150°С. MoO2Cl2 греют до 60°С для сублимации и достижения достаточного давления паров, его линию подачи в реакционную зону греют до 80°С во избежание конденсации паров реагента. Осаждение AlxMoyOz осуществляется посредством использования АСО циклов, состоящих из напуска паров TMA и MoO2Cl2. Один цикл АСО AlxMoyOz составляют следующие стадии: напуск паров ТМА (1 с), продувка (30 с), напуск паров MoO2Cl2 (1 с), продувка (30 с). АСО циклы повторяют до получения необходимой толщины пленки. Для данного примера проводили 200 циклов атомно-слоевого осаждения.
На фигуре 1 приведен сигнал in situ кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ), наблюдаемый при АСО AlxMoyOz с использованием TMA и MoO2Cl2 при устоявшемся режиме формирования пленки. На графике видна линейность роста пленок с количеством АСО циклов с постоянным приростом массы, равным ~ 120 нг/см2 за цикл, а также высокая повторяемость процесса от цикла к циклу.
На фигуре 2 представлен обзорный рентгенофотоэлектронный спектр (РФЭС) для нанопленки AlxMoyOz, полученной при температуре АСО 150°C с использованием 200 АСО циклов TMA-MoO2Cl2 на кремниевой подложке с предварительно нанесенным АСО Al2O3 толщиной . Анализ пленки AlxMoyOz показал следующий состав: Al (19.46 ат. %), Mo (6.66 ат. %), O (47.60 ат. %), Cl (2.46 ат. %), С (23.81 ат. %). Присутствие примесей углерода обусловлено загрязнением поверхности образцов при контакте с воздухом в промежутке между осаждением и РФЭС анализом, это подтверждают РФЭС спектры, снятые после Ar+ травления пленки, где содержание углерода было менее 5.0 ат.%. Содержащийся в пленках хлор, скорее всего, находится в форме не полностью прореагировавших молибденоксохлоридных связей.
На фигуре 3 приведен РФЭС спектр линии Mo 3d высокого разрешения с моделями для нанопленки AlxMoyOz, где наблюдаются три пика Mo 3d5/2 с энергиями связи 233.45 эВ (соответствует Mo+6), 231.6 эВ (соответствует Mo+5) и 230.15 эВ (соответсвует Mo+4) и пик Mo 3d3/2 с энергией связи 236.6 эВ (соответствует Mo+6). Таким образом, в полученной нанопленке обнаружен молибден не только в степени окисления +6, но также в степени окисления +5 и +4. Расчет площади фотоэлектронных линий Mo 3d пика показал, что относительная концентрация атомов Mo в степени окисления +6 превышает относительную концентрацию Mo+5 и Mo+4.
Проведенный рентгенодифракционный анализ нанопленки AlxMoyOz показал, что она аморфная. Методом рентгеновской рефлектометрии определены толщина полученной нанопленки (788 Å), постоянная роста (3.94 Å/цикл), плотность (3.70 г/см3) и среднеквадратичная поверхностная шероховатость (10.1 Å).

Claims (2)

1. Способ получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом атомно-слоевого осаждения (АСО), включающий использование кремниевой подложки с затравочным оксидным слоем толщиной , триметилалюминия в качестве прекурсора атомов алюминия, прекурсор атомов молибдена, отличающийся тем, что используется метод термического безводного атомно-слоевого осаждения, процесс осаждения проводят при температуре реакционной зоны, составляющей 150°С, в качестве затравочного оксидного слоя на кремниевую подложку наносят Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения путём попеременной подачи в реакционную зону паров триметилалюминия и воды с продувкой азотом после напуска паров каждого из данных реагентов; в качестве соединения молибдена для получения алюминий-молибденовой оксидной нанопленки используют MoO2Cl2, а циклическую подачу реагентов при проведении АСО циклов проводят в следующем режиме: напускают пары TMA в течение 1 с, продувают 30 с, напускают пары MoO2Cl2 в течение 1 с, продувают 30 с.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанные АСО циклы для получения алюминий-молибденовой оксидной нанопленки повторяют до получения требуемой толщины.
RU2023118146A 2023-07-10 Способ получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом безводного атомно-слоевого осаждения RU2808961C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2808961C1 true RU2808961C1 (ru) 2023-12-05

Family

ID=

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2702669C2 (ru) * 2014-12-22 2019-10-09 Пикосан Ой Способ и устройство для атомно-слоевого осаждения

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2702669C2 (ru) * 2014-12-22 2019-10-09 Пикосан Ой Способ и устройство для атомно-слоевого осаждения

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
МАКСУМОВА А.М. и др, Атомно-слоевое осаждение оксида алюминия для пассивации светодиодов гибкой электроники, Вестник ДГУ, серия 1, 2022, т.37, в.1, с.71-77. МАРКОВ Л.К. и др. Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий, ФТПП, 2021, т.55, в.4, с.365-372. P. I. REISEN, Atomic layer deposition of Al2O3 films using AlCl3 and Al((OPr)(3) as precursors, J. Mater. Chem. 12, 1415-1418 (2002). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100814980B1 (ko) 산화물, 규산염 및 인산염의 증기를 이용한 석출
JP5462787B2 (ja) 金属酸化物材料を堆積する方法
KR101090895B1 (ko) 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션
TWI461562B (zh) 使用ald方法於基板上形成含鈦層的方法
KR101349888B1 (ko) 금속 함유 막을 증착시키기 위한 금속 에놀레이트 전구체
TWI647223B (zh) 作爲用於在基材上形成層之還原劑的雙(三甲矽基)六員環系統及相關化合物
US20230279539A1 (en) Method and system for depositing molybdenum layers
TW201535521A (zh) 鍺沈積技術
EP2310551B1 (en) Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate
RU2808961C1 (ru) Способ получения алюминий-молибденовых оксидных нанопленок методом безводного атомно-слоевого осаждения
US8906457B2 (en) Method of atomic layer deposition using metal precursors
JP2017210632A (ja) 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
US20230140812A1 (en) Selective thermal deposition method
CN111254413A (zh) 一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法
TW202326852A (zh) 使用熱及電漿增強方法之選擇性沉積
Maksumova et al. Studying the atomic layer deposition of molybdenum oxide and titanium–molybdenum oxide films using quartz crystal microbalance
US7704895B2 (en) Deposition method for high-k dielectric materials
KR20180046841A (ko) 열적 안정성이 우수한 기상 증착용 전구체 및 이의 제조방법
JP2005534809A (ja) 酸化アルミニウム薄膜の製造方法
Liu et al. Metal oxides and metal thin films by atomic layer deposition (ALD), liquid-ALD, and successive ionic layer adsorption and reaction methods for THR applications
TWI838641B (zh) 含有第四族金屬元素之化合物、含有其的前驅物組合物及使用其形成薄膜之方法
KR102574475B1 (ko) 4족 금속 원소-함유 전구체 화합물을 포함하는 막 증착용 조성물, 및 이를 이용한 막 형성 방법
US9234274B2 (en) Method of atomic layer deposition of elemental metal
Maksumova et al. Growth of Aluminum Molybdenum Oxide Films by Atomic Layer Deposition with Using Trimethylaluminum, Molybdenum Oxytetrachloride, and Water
Myers Atomic and Molecular Layer Processes for Industrial Applications in Semiconductors, Pharmaceuticals and Optics