RU2629901C2 - Системы и способы измерения импеданса для определения компонентов твердых и текучих объектов - Google Patents

Системы и способы измерения импеданса для определения компонентов твердых и текучих объектов Download PDF

Info

Publication number
RU2629901C2
RU2629901C2 RU2012116010A RU2012116010A RU2629901C2 RU 2629901 C2 RU2629901 C2 RU 2629901C2 RU 2012116010 A RU2012116010 A RU 2012116010A RU 2012116010 A RU2012116010 A RU 2012116010A RU 2629901 C2 RU2629901 C2 RU 2629901C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sensor
coil
impedance
measuring
study
Prior art date
Application number
RU2012116010A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012116010A (ru
Inventor
КЕСИЛ Борис
НИКОЛЕНКО Юрий
Original Assignee
Адем
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Адем filed Critical Адем
Publication of RU2012116010A publication Critical patent/RU2012116010A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2629901C2 publication Critical patent/RU2629901C2/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/023Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance where the material is placed in the field of a coil
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: импедансный датчик резонансного типа представляет собой многокатушечный индуктор с разомкнутым сердечником или без стального сердечника, содержащий по меньшей мере две катушки, одной из которых является катушка возбуждения с возможностью соединения по меньшей мере с одним источником переменного тока с качанием частоты, а другой катушкой является измерительная катушка с возможностью соединения по меньшей мере с одной системой обработки данных. После установления электрического соединения с источником тока катушка возбуждения передает энергию измерительной катушке, которая генерирует зондирующее электромагнитное поле. Индуктивно-резистивно-емкостные (LCR) параметры измерительной катушки способны обеспечивать условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте. Технический результат: повышение чувствительности. 3 н. и 30 з.п. ф-лы, 24 ил.

Description

Притязание на приоритет
Приоритет настоящей заявки основан на предварительной патентной заявке US 61/244584 под названием "Impedance sensors and their use for analyzing object’s compositions", поданной 22 сентября 2009 г. Содержание упомянутой заявке в порядке ссылки целиком включено в настоящую заявку.
Финансируемые федеральным правительством исследования
Не применимо.
Ссылка на приложение с микрофишей описания изобретения
Не применимо.
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к обладающим исключительно высокой чувствительностью электрическим датчикам нового типа, позволяющим измерять физические характеристики, определять и представлять в количественной форме компоненты твердых веществ, сыпучих материалов и текучих сред. Более точно, новая техника датчиков рассчитана на новые осуществляемые в реальном времени бесконтактные методы измерений, определение и представление в количественной форме компонентов упомянутых материалов независимо от их удельной проводимости, проницаемости и отражательной способности в большинстве условий окружающей среды с применением импедансной резонансной спектроскопии.
Краткое описание изобретения
В изобретении предложен электрический резонансный датчик, который может использоваться в составе матрицы сходных по конструкции датчиков, каждый из которых содержит две катушки, одной из которых является катушка возбуждения, а другой катушкой является измерительная катушка, и находится в электромагнитном взаимодействии с объектом исследования на заданной резонансной частоте, выбранной с целью обеспечения сильной корреляции показаний датчика с интересующим параметром в диапазоне радиочастот (РЧ); и способ использования датчиков для бесконтактного определения в реальном времени физических характеристик и(или) состава объекта исследования.
Предпосылки создания изобретения
Человечество находится в постоянном поиске недорогой универсальной технологии, позволяющей в реальном времени бесконтактно контролировать многочисленные технологические процессы, окружающую среду, производство пищевых продуктов, общественную безопасность и медицинские процедуры. Например, в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности необходимы усовершенствованные устройства для мониторинга производственных процессов на протяжении всего изготовления интегральных схем (ИС), дисплеев с плоским экраном и панелей солнечных батарей. От измерения свойств пластин и других подложек без покрытия, мониторинга толщины пленки во время различных процессов осаждения и шлифования и до окончательного испытания ИС необходим постоянный контроль технологического процесса и измерения. Сельское хозяйство, пищевая, химическая и фармацевтическая промышленности заинтересованы в технике датчиков для контроля различных физических характеристик органических и неорганических веществ, жидкостей и многокомпонентных составов в естественных границах. В настоящем изобретении предложена новая система обладающих исключительно высокой чувствительностью датчиков, которая является основой для нового способа измерений, применимого к широкому спектру проводящих, полупроводящих и диэлектрических материалов.
Краткое изложение сущности изобретения
Согласно одной из особенностей изобретения предложен импедансный датчик резонансного типа, который представляет собой многокатушечный индуктор с разомкнутым сердечником или без стального сердечника, при этом датчик содержит по меньшей мере две катушки, одной из которых является катушка возбуждения с возможностью соединения по меньшей мере с одним источником переменного тока с качанием частоты, а другой катушкой является измерительная катушка с возможностью соединения по меньшей мере с одной системой обработки данных, после установления электрического соединения с источником тока катушка возбуждения передает энергию измерительной катушке, которая генерирует зондирующее электромагнитное поле, а индуктивно-резистивно-емкостные (LCR) параметры измерительной катушки способны обеспечивать условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте. В изобретении предусмотрены различные варианты осуществления и разновидности.
Согласно другой особенности изобретения предложена система измерения импеданса для осуществления бесконтактных и неинвазивных измерений и анализа исследуемых химических и физических свойств газообразных, текучих и твердых объектов, содержащая: (А) по меньшей мере один описанный выше импедансный датчик резонансного типа, (Б) по меньшей мере один источник переменного тока с качанием частоты, подключенный с помощью электрического соединения к упомянутой по меньшей мере одной катушке возбуждения, (В) упомянутую по меньшей мере одну систему обработки данных, поддерживающую связь с упомянутой по меньшей мере одной измерительной катушкой, при этом параметры LCR измерительной катушки обеспечивают условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте, и (Г) систему управления, поддерживающую связь с упомянутым источником переменного тока и упомянутой системой обработки данных. Предусмотрены различные варианты осуществления и разновидности.
Согласно еще одной особенности изобретения предложен способ измерения химических и физических свойств объекта импедансным датчиком резонансного типа, включающий:
(A) измерение частоты и амплитуды авторезонанса датчика(-ов),
(Б) использование объекта исследования, содержащего по меньшей мере одно анализируемое вещество,
(B) измерение резонансной частоты и амплитуды датчика в присутствии упомянутого объекта,
(Г) вычисление изменений амплитуды и резонансной частоты, вызванных электромагнитным взаимодействием между датчиком и объектом, с целью определения импеданс объекта исследования, и
(Д) сопоставление импеданса с предварительно заданными данными калибровки с целью определения химических и физических свойств объекта исследования.
Предпочтительным импедансным датчиком является описанный выше датчик, согласно изобретению.
Часто необходимы неразрушающие бесконтактные измерения и(или) контроль в месте нахождения различных многокомпонентных текучих сред (например, воды, крови, суспензий, различных растворителей и т.д.) и мониторинг их загрязнения металлами, органическими и неорганическими веществами. Это является обычной задачей во многих технологических процессах во множестве отраслей промышленности, включая химическую, полупроводниковую, фармацевтическую промышленность, медицину, сельское хозяйство, технологию производства пищевых продуктов и т.д. Предлагаемые системы и способы позволяют обнаруживать очень небольшие изменения не только в однокомпонентных структурах и текучих средах, но также в большинстве многокомпонентных материалов, многослойных структур и жидкостей, содержащих растворенные и(или) гомогенизированные составляющие.
Настоящее изобретение относится к системе датчиков (устройству) из одного или матрицы (группы) датчика(-ов) импедансного типа, которая позволяет бесконтактным методом исследовать в основном гармоническими высокочастотными электромагнитными полями объект исследования и анализировать комплексную реакцию объекта на зондирующее поле датчика.
Изобретение в основном относится к широкому спектру систем и способов работы датчиков для измерения физических параметров и(или) химических составляющих и их распределения в составном твердом, жидком, газообразном объекте исследования или их сочетании. Изобретение может применяться практически во всех областях, включая электроэнергетику, сельское хозяйство, пищевую, текстильную, фармацевтическую, фотоэлектрическую и полупроводниковую промышленность, производство медицинского оборудования, химическую и нефтехимическую промышленность, металлургию, национальную безопасность.
В частности, в настоящем изобретении предложена структура новой РЧ системы измерения импеданса и датчиков для бесконтактного измерения (анализа) в реальном времени (на месте) состава различных материалов, включая тонкие и толстые пленки и слои в ходе множества производственных процессов (например, PVD, CVD, ECD, СМР и т.д.) при изготовлении полупроводников, дисплеев с плоским экраном, фотоэлектрического оборудования и дисководов, в материаловедении и т.д. Кроме того, в настоящем изобретении предложены новый способ и устройство (аппаратура) для исследования жидкостей, растворителей и анализа газов в химической промышленности, технологии производства пищевых продуктов, сельском хозяйстве и других отраслях, а также в испытательных лабораториях.
Система датчиков по существу сканирует объект исследования путем генерирования напряжений развертки вблизи предварительно выбранных частот. Для обеспечения максимальной чувствительности и разрешающей способности каждый импедансный датчик сконструирован таким образом, чтобы его резонансной частотой в присутствии объекта исследования являлась одна из упомянутых предварительно выбранных частот.
Импедансные датчики способны контролировать ряд заданных параметров (характеристик или свойств) объекта путем измерения реакции объекта на изменения электромагнитного поля датчиков, отображаемые изменением (величины) dV резонансной амплитуды, сдвигом dFr резонансной частоты и в некоторых случаях углами D ϕ сдвига фаз на множестве предварительно выбранных частот.
Блок обработки данных способен сравнивать и анализировать статистически отфильтрованную реакцию комплекса объект-датчик на выходные параметры импедансного датчика (V, dV, и Fr, dFr и ϕ, d ϕ). Блок обработки данных сохраняет в памяти контрольные данные и алгоритм их использования. Контрольные данные получают в процессе (обычно именуемом калибровкой) измерения сходных объектов с известными свойствами. Алгоритм служит для сопоставления выходных сигналов датчика с представленной в количественной форме характеристикой(-ами) исследуемого свойства и может предусматривать интерполяция, решение системы уравнений, поиск в справочных таблицах и т.д.
В соответствии с настоящим изобретением импедансные датчики прямого действия могут быть сконструированы в виде цилиндрических или плоских индукторов без стального сердечника в одном из вариантов осуществления и в виде ферритовых индукторов со стальным сердечником в другом варианте осуществления. Каждый из этих датчиков имеет по меньшей мере одну обмотку, именуемую катушкой возбуждения, и по меньшей мере одну обмотку, именуемую измерительной катушкой. Катушка возбуждения соединена (связана) с выходом генератора качания и обеспечивает электромагнитную накачку резонансного контура, представленного измерительной катушкой. Измерительная катушка генерирует зондирующее электромагнитное поле, воспринимает влияние на упомянутое поле со стороны объекта исследования и передает информацию об этом влиянии многоканальной системе измерений и обработки данных (анализа сигналов).
Импедансные датчики, генератор качающейся РЧ и система обработки данных рассчитаны на действие в качестве высокоскоростной самонастраивающейся системы с замкнутым контуром, непрерывно ведущей поиск резонансной частоты комплекса системный (единичный) датчик-объект, вычисляющей и представляющей заданные параметры и характеристики объекта в (онлайновом) режиме реального времени.
Предполагается, что преимущество настоящего изобретения заключается в высокочувствительном измерении импеданса с использованием электрического резонансного контура и выгод электрохимической импедансной спектроскопии и релаксационной спектроскопии диэлектрических потерь, которые обеспечивают способ определения оптимальных рабочих частот для измерений импеданса.
Высокочувствительное измерение импеданса достигается за счет использования усовершенствованного резонансного контура, состоящего только из катушки. Поскольку заданными параметрами измерения импеданса являются активная емкость и емкостное сопротивление объекта исследования, наибольшая чувствительность может быть достигнута путем сведения к минимуму по мере возможности собственного сопротивления и собственной емкости измерительной катушки. Другим усовершенствованием является использование катушки возбуждения для переноса энергии в измерительную катушку путем исключения влияния импеданса источника генератора на измерительный резонансный контур.
Из уровня техники известно использование множество частот для определения химических и(или) физических свойств путем измерения электрического импеданса объекта, но неясно, как выбираются частоты. В настоящем изобретении предложен новый усовершенствованный подход. Для определения рабочей частоты каждого импедансного датчика системы датчиков используется импедансный спектрометр.
Далее описана процедура создания системы датчиков, включающая:
А) получение серии образцов с известным составом заданных компонентов в пределах возможных разновидностей объекта исследования,
Б) определение спектра электрического импеданса для каждого из образцов путем просмотра широкого диапазона частот,
В) анализ упомянутых спектров с целью нахождения множества частот, на которых различие между спектрами соответствует изменению доли заданных компонентов, и упомянутые компоненты в различной степени влияют на импеданс, при этом число выбранных частот должно быть по меньшей мере равно числу исследуемых компонентов,
Г) конструирование множества датчиков с рабочими частотами, исходя из результатов стадии В,
Д) установку упомянутого множества датчиков вблизи объекта исследования,
Е) сбор и сохранение данных калибровки с использованием серии образцов, полученных на стадии А, и
Ж) разработку и применение алгоритма обработки данных.
Описанные усовершенствования позволили создать новый измерительный датчик с максимальной возможной чувствительностью на РЧ. На фиг.17 и 23 проиллюстрирована шкала чувствительности при использовании традиционных и предложенных способов. Предложенная система датчиков и способ измерений обеспечивают значительно более высокую чувствительность, чем все известные электрические способы. Повышение уровня чувствительности изменяется от случая к случаю в зависимости от применения. В некоторых случаях применения повышение чувствительности может измеряться не процентами, а порядками величин.
Краткое описание чертежей
Изобретение описано на примере конкретных вариантов его осуществления. Рассмотренные и другие признаки и преимущества настоящего изобретения станут ясны специалистам в данной области техники из следующего далее подробного описания предпочтительных вариантов осуществления со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых:
на фиг.1 показана упрощенная эквивалентная схема импедансного датчика согласно настоящему изобретению и реакция объекта исследования,
на фиг.2 проиллюстрирована реакция диэлектрического объекта исследования на вихревое электрическое поле, когда объект расположен снаружи датчика,
на фиг.3 проиллюстрирована реакция диэлектрического объекта исследования вихревое электрическое поле, когда объект расположен внутри датчика,
на фиг.4 проиллюстрирована реакция проводящего объекта исследования на вихревое электрическое поле, когда объект расположен снаружи датчика,
на фиг.5 проиллюстрирована реакция диэлектрического объекта исследования на линейное электрическое поле, когда объект расположен внутри датчика,
на фиг.6 показан вид в разрезе импедансного датчика (цилиндрического типа) согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения,
на фиг.7 показан вид в разрезе импедансного датчик (бобинного типа) согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения,
на фиг.8 показан другой вариант осуществления настоящего изобретения, предназначенный для исследования протекающей по трубе жидкости с использованием матрицы импедансных датчиков, имеющих три различные частоты,
на фиг.9 показан общий вид матрицы импедансных датчиков согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения с использованием двух обводных участков, при этом свойства исследуемой текучей среды могут контролироваться несколькими различными импедансными датчиками (обводной участок может периодически опорожняться для калибровки и внесения поправки на отложения на стенках),
на фиг.10 показан вид в разрезе импедансного датчика (ферритового горшкового типа) согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения для исследования твердого объекта,
на фиг.11 показан вид в разрезе импедансного датчика (ферритового горшкового типа) согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения для исследования жидкостей и сыпучих материалов,
на фиг.12 показан один из вариантов осуществления бесконтактного датчика согласно настоящему изобретению для исследования жидкостей и сыпучих материалов с использованием катушки возбуждения и измерительной катушки, охватывающих объект исследования,
на фиг.13 показан общий вид планарного датчика согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения,
на фиг.14 показана блок-схема системы датчиков согласно настоящему изобретению,
на фиг.15 показан снимок экрана дефектоскопа, иллюстрирующий выходные сигналы предложенной в настоящем изобретении системы измерения импеданса в случае кремниевой пластины без покрытия и в случае такой же кремниевой пластины, покрытой алюминиевой фольгой толщиной 5000 ангстрем,
на фиг.16 показана диаграмма, иллюстрирующая результаты испытаний системы датчиков согласно настоящему изобретению на образцах дистиллированной воды и водопроводной воды,
на фиг.17, 18 и фиг.19 показаны диаграммы, иллюстрирующие результаты испытаний системы датчиков согласно настоящему изобретению в диапазоне частот 17-20 МГц на образцах дистиллированной воды с различной концентрацией хлорида натрия (NaCl),
на фиг.20 и 21 показана диаграмма, иллюстрирующая результаты исследований с помощью системы датчиков согласно настоящему изобретению кремниевых пластин с различной толщиной алюминиевой фольги,
на фиг.22 показана диаграмма, иллюстрирующая результаты испытаний системы датчиков настоящего изобретения на примере исследования загрязнение воды ртутью,
на фиг.23 показаны амплитудно-частотные характеристики в диапазоне частот 17-20 МГц датчика согласно настоящему изобретению с конденсатором емкостью 20 пФ на примере водных растворов с различной концентрацией NaCl,
на фиг.24 показаны максимумы амплитудно-частотных характеристик датчиков согласно вариантам осуществления настоящего изобретения с конденсатором емкостью 20 пФ и системы датчиков без дополнительного емкостного сопротивления в качестве функции концентрации NaCl в воде.
Подробное описание
Из ряда патентов известны устройства и способы определения компонентов текучих сред с использованием электрических резонансных контуров. В патенте US 7219024 описано определение плотности и содержания влаги путем электромагнитного зондирования. В патенте US 6511851 описан способ обнаружения изменений состава жидкости с использованием контура резонансных частот. В международной патентной заявке WO 2008076453 описан датчик, индуктор и конденсатор которого используется для контроля содержания этанола/спирта в топливе для автомобильных двигателей. В патентной заявке US 20080143345 описан индуктивный датчик для устройства контроля раствора мочевины в топливе для транспортных средств, установленном на баке с мочевиной транспортного средства с использованием избирательного каталитического восстановления.
В других патентах описаны устройства и способы определения физических и химических характеристик и их распределения с использованием электрохимической импедансной спектроскопии (EIS) и релаксационной спектроскопии диэлектрических потерь (DRS). В патентной заявке US 20090027070 описана контрольная аппаратура и способ электрохимической импедансной спектроскопии с использованием двойных датчиков для определения целостности покрытий различных подложек. В патенте US 4433286 описана идентификация материалов на основании их диэлектрической реакции. В патенте US 7514938 описано устройство для релаксационной спектроскопии диэлектрических потерь и способ его применения для неинвазивного определения присутствия или концентрации анализируемого вещества в образце.
Известно множество методов, которые предлагались для определения толщины, однородности, состава и загрязнения тонких и толстых слоев. В полупроводниковой промышленности приняты оптические способы, такие как эллипсометрия. Они чаще всего используются для исследования проницаемых слоев. Рентгеновская техника является дорогостоящей, связана с проблемами техники безопасности и имеет ограниченное применение на производственных линиях.
Другие способы, включающие использование точечных датчиков переменного и постоянного тока, емкостных датчиков (патент US 7332902), метода индуктивных вихревых токов (патентные заявки US 200501566042 и 20090079424) и т.п., зависят от разнообразных сложных для контроля факторов. В нескольких патентах описаны усовершенствованные способы анализа индуктивными методами и методами РЧ измерения импеданса (например, US 6593738 и US 6891380). Способы на основе электрических измерений, которые требуют электрических соединений с исследуемым тонким слоем, что часто отражается на исследуемом объекте, или являются бесконтактными, отличаются низкой скоростью и малой чувствительностью.
Предполагается, что применение оптических способов часто ненадежно при исследовании непрозрачных или непроницаемых слоев или пакетов проницаемых слоев. Исследования дополнительно усложняются из-за оптических свойств слоев (коэффициента преломления, коэффициента экстинкции и т.д.) и из-за неровности поверхности исследуемых и(или) нижележащих слоев.
Кроме того, известные из техники методы не позволяют с высокой точностью определять толщину исследуемого отдельного слоя(-ев) внутри композитных многослойных объектов. Большинству этих известных методов присущ один или несколько недостатков, таких как скорость измерений, оптические свойства и удельная проводимость материалов. Помимо этого, некоторые из них являются разрушающими и(или) требуют непосредственного контакта, что крайне нежелательно.
Существующие устройства для оптической, рентгеновской и импедансной спектроскопии являются громоздкими, чрезмерно дорогими и не приспособлены для измерений на месте.
Без связи с какой-либо конкретной теорией отметим, что традиционно измерительным резонансным контуром является электрическая схема, состоящая по меньшей мере из двух элементов: индуктора и конденсатора, соединенных друг с другом с помощью электрического соединения. Предполагалось, что для доведения до максимума чувствительности резонансного контура к электрическому импедансу объекта исследования необходимо свести к минимуму емкость и сопротивление резонансного контура. Авторы изобретения неожиданно обнаружили, что традиционная электрическая схема, состоящая из индуктора и конденсатора, может быть заменена одним индуктором. Чтобы служить датчиком, такой индуктор (индукционная катушка) должен не иметь сердечника или иметь с сердечник разомкнутого типа. Основным элементом индуктора является измерительная катушка, параметры которой определяют рабочую частоту предложенного в изобретении датчика. Чувствительность датчика может быть дополнительно повышена за счет использования однослойной катушки со значительным шагом между витками или использования корзиночной намотки для уменьшения собственной емкости измерительной катушки.
Без связи с какой-либо конкретной теорией существенной особенностью, которая, как полагают авторы изобретения, способствовала высокой чувствительности предложенного в изобретении датчика, является то, что источник переменного тока электрически сепарирован от измерительной катушки, чтобы исключить или свести к минимуму влияние импеданса источника на чувствительность датчика. Это было достигнуто за счет использования катушки возбуждения для электромагнитного переноса энергии из источника переменного тока в измерительную катушку.
Другой важной особенностью конструкции предложенного датчика, которая не известна из уровня техники, является требование высокого импеданса на входе модуля обработки данных. Для достижения высокой чувствительности датчика входной импеданс должен быть исключительно высоким (например, предложенное в изобретении устройство сбора данных имеет входное сопротивление 10 Гигаом). Корректность такого требования можно доказать следующей формулой:
W=V2/R в которой,
W означает рассеяние энергии на входное сопротивление устройства сбора данных,
V означает напряжение полезного сигнала (для устройства сбора данных (DAQ) согласно изобретению оно составляет 0,5-11 вольт),
R означает входное сопротивление контрольно-измерительной аппаратуры, соединенной с измерительной катушкой (например, аппаратуры сбора данных).
Из приведенной формулы ясно, что рассеяние уменьшается при использовании более высокого входного сопротивления. Например, при замене устройства сбора данных с сопротивлением 10 Гигаом стандартным осциллоскопом (даже оснащенного аттенюатором с сопротивлением 10 мегаом) наблюдалось резкое падение чувствительности датчика.
В ряде упомянутых патентов (US 4058766, US 4433286, US 6669557, US 7219024) для определения различных химических и физических свойств различных объектов путем измерения электрического импеданса используется множество частот, но ни в одном из них не описаны критерии определения используемых частот. С целью поиска оптимальных рабочих частот датчиков для системы определения состава в настоящем изобретении используется феномен изменения свойства импеданса при изменении частоты. Данные импеданса объекта на различных частотах, найденные путем импедансной спектроскопии, позволили создать систему импедансных датчиков для определения состава жидких растворов, газовых смесей, твердых составных объектов, многослойных объектов или для контроля изменений состава таких объектов.
На фиг.1 показана упрощенная эквивалентная схема импедансного датчика согласно настоящему изобретению и реакция объекта исследования. Импедансный датчик изображен сплошными линиями. Он состоит из источника 11 переменного тока с качанием частоты, катушки 12 возбуждения, измерительной катушки 13 и системы 14 обработки данных.
Функция катушки возбуждения заключается в накачке измерительной катушки электромагнитной энергией и сепарации измерительного резонансного контура от импеданса источника переменного тока.
Измерительный резонансный контур согласно настоящему изобретению состоит только из измерительной катушки и может быть описан параметрами этой катушки: индуктивностью, межвитковой емкостью и активным сопротивлением.
Импедансный датчик согласно особенностям настоящего изобретения обеспечивает малую емкость. Может быть желательным снизить емкость до минимальной практически достижимой величины.
Измерительная катушка связана с высокоимпедансным (предпочтительно в интервале от около 107 до около 1015 Ом) входом системы обработки данных.
Анализ эквивалентной схемы импедансного датчика согласно настоящему изобретению показывает, что ток на выходе измерительной катушки обычно является очень слабым (в интервале 10-6-10-14 A).
Реакция объекта исследования показана пунктирными линиями. Реакции объекта можно представить тремя эквивалентными электрическими схемами 15, 16 и 17.
Переменное магнитное поле измерительной катушки генерирует вихревое электрическое поле Е, которое в свою очередь индуцирует вихревые токи различного типа.
Если измерительная катушка расположена в непосредственной близости от диэлектрического твердого объекта, эквивалентная схема 15 состоит из результирующих параметров L, R и С. Импеданс схемы 15 отражает сопротивление вихревым токам смещения, генерируемым вихревым электрическим полем Е, и рассеяние энергии вследствие чередующейся диэлектрической поляризации (фиг.2).
Такие же результирующие параметры отражают реакцию на вихревые токи смещения в трубке, заполненной диэлектрической текучей средой. В этом варианте осуществления показано, что объект окружен измерительной катушкой (фиг.3).
В случае как твердых, так и текучих проводящих объектов эквивалентная электрическая схема 16 может иметь только два результирующих параметра L и R. Эти параметры отражают сопротивление как вихревым, так и ионным токам, создаваемым вихревым электрическим полем Е, и рассеяние энергии вследствие вихревых токов (фиг.4).
Переменное линейное электрическое поле Е измерительной катушки также индуцирует линейные токи различных типов. Проводящие и диэлектрические объекты создают емкостную связь датчика и объекта, и эту зависимость отражает эквивалентная электрическая схема 17. Импеданс отражает сопротивление объекта линейным токам, токам смещения или ионным токам, генерируемым градиентом электрического потенциала измерительной катушки (фиг.5) или разностью потенциалов катушки и объекта исследования (не показан).
Описание вариантов осуществления
Обратимся к фиг.6, на которой показан вид в разрезе датчика согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения, который может не иметь бобины или может иметь опорный элемент 63, в целом выполненный в виде короткой трубки из непроводящего материала, такого как фторполимеры, с минимальной диэлектрической постоянной (ε~2) на высокой РЧ. Для дополнительного сведения к минимуму емкости датчика, опорный элемент 63 должен иметь тонкие стенки.
На первый (верхний) участок опорного элемента 63 опирается катушка 61 возбуждения, которая может иметь всего один или несколько витков относительно толстой медной проволоки. Один вывод катушки возбуждения заземлен, а второй вывод соединен с низкоимпедансным выходом генератора качающейся РЧ (не показан).
На второй участок опорного элемента опирается измерительная катушка 62. Эта катушка содержит более тонкую медную проволоку, чем катушка возбуждения. Кроме того, расстояние между витками у этой катушки может быть переменным с возможностью механической настройки (изменения) емкости и индуктивности катушки. Тем самым может регулироваться рабочая частота импедансного датчика.
Показано, что первый вывод измерительной катушки 62 расположен вблизи катушки 61 возбуждения и также заземлен. Второй вывод измерительной катушки соединен с высокоимпедансным входом многоканальной системы измерения и обработки данных. Концевая часть измерительной катушки 62 расположена в непосредственной близости от объекта исследования 64, который может являться твердым или текучим. Катушка возбуждения и измерительная катушка имеют намотку в противоположных направлениях с целью получения однонаправленного магнитного поля у обеих катушек во время переноса энергии из катушки возбуждения в измерительную катушку и обеспечения их электрической сепарации.
В зависимости от диаметра катушки и числа витков измерительной катушки в вариантах осуществления может быть предусмотрен широкий интервал рабочих частот. Этот интервал может быть поделен на два диапазона: а) рабочие частоты <50 МГц, которые используются для исследований проводящих объектов, и б) рабочие частоты от 50 МГц до 1 ГГц, которые используются для исследований диэлектрических и полупроводящих объектов.
На фиг.7 проиллюстрирована альтернативная конструкция опорного элемента импедансного датчика. Опорный элемент 73 "бобинного типа" позволяет обеспечивать большее число витков у измерительной катушки 72 и использовать более тонкую проволоку для этой катушки. Катушка 71 возбуждения имеет всего один виток. Предусмотренное по центру бобины отверстие позволяет использовать этот датчик с оптическим датчиком 74 перемещений (присутствия) для контроля расстояния от катушки до пленки 76, нанесенной на подложку 75.
Настоящее изобретение может иметь множество применений, связанных с измерением толщины тонких изолирующих, проводящих и полупроводящих слоев пластин, дисплеев с плоским экраном, панелей солнечных батарей и т.д. Решающим фактором в этом случае является расстояние (или зазор) между импедансным датчиком и заданным слоем объекта исследования.
На фиг.8 показан общий вид другого варианта осуществления настоящего изобретения с использованием матрицы из трех импедансных датчиков 81-83, работающих на различных частотах. Матрица датчиков согласно этому варианту осуществления позволяет одновременно контролировать по меньшей мере три компонента интересующих жидкостей.
Импедансные датчики с катушками бобинного типа устанавливают на участках трубы 84, по которой транспортируется исследуемая жидкость (газ или сыпучий материал). Датчики могут размещаться на достаточно больших расстояниях друг от друга для предотвращения существенных взаимных или перекрестных помех. Кроме того, датчики могут действовать попеременно. В некоторых вариантах осуществления расстояние может быть по меньшей мере равно радиусу наибольшей соседней бобины или превышать его.
В этом варианте осуществления каждый из импедансных датчиков матрицы имеет собственную (индивидуальную) рабочую частоту, характерную для каждого заданного компонента. Матрица датчиков соединена с контроллером системы измерения импеданса (не показан).
На фиг.9 показан вид в разрезе другого варианта осуществления настоящего изобретения с использованием матрицы датчиков для контроля текучей среды (например, жидкости), которая содержит интересующие компоненты. Текучая среда перемещается по диэлектрической трубе большого диаметра (например, 3 дюйма или более) или проводящей трубе 97 любого диаметра. Импедансные датчики 93, 94, 95 и 96 установлены на двух меньших обводных трубах 91 и 92 (их число может быть различным), диаметр которых может быть выбран в зависимости от применения. Каждый из датчиков имеет собственную резонансную частоту, характерную для каждого интересующего компонента.
Преимуществом этого варианта осуществления заключается в использовании обводных труб, диаметры которых соответствуют оптимальному диаметру катушек импедансного датчика (индуктивности/рабочей частоты), необходимой для исследования заданного компонента. Кроме того, обводные трубы помогают обеспечивать соответствующее расстояние между датчиками, работающими в узком интервале резонансных частот. В этом варианте осуществления могут быть сведены к минимуму Перекрестные помехи и взаимодействие между несколькими импедансными датчиками.
Обводные трубы могут иметь открывающиеся и закрывающиеся клапаны, позволяющие осуществлять периодическое техническое обслуживание, включая калибровку и очистку стенок от отложений.
На фиг.10 показан вид в разрезе другого варианта осуществления настоящего изобретения, в котором как катушка 101 возбуждения, так и измерительная катушка 102 помещаются внутри ферритового горшка 103. В этом варианте осуществления импедансный датчик может находиться в непосредственной близости от объекта исследования 104 (например, такого как подложка с нанесенным металлическим слоем 105). В этом варианте осуществления ферритовый горшок открыт в направлении объекта и обеспечивает сильный магнитный поток в направлении объекта исследования.
В дополнительных вариантах осуществления в зависимости от требований применения могут использоваться ферритовые сердечники других форм, таких как однототавровая, С-образная или U-образная или Е-образная форма. В любом случае ферритовые сердечники способны повышать чувствительность импедансного датчика, в особенности, при исследовании проводящих и низкоомных объектов.
На фиг.11 показан вид в разрезе другого варианта осуществления настоящего изобретения, в котором используется такой же датчик, как и на фиг.10, но установленный на стенке резервуара 114 с исследуемым объектом 115 в виде жидкости или сыпучего материала. Датчик имеет катушку 111 возбуждения и измерительную катушку 112, которые помещаются внутри ферритового горшка 113.
На фиг.12 показан один из вариантов осуществления устанавливаемого на резервуарах бесконтактного датчика согласно настоящему изобретению (с катушкой возбуждения и измерительной катушкой, которые охватывают объект исследования) для исследования жидкостей, газов и сыпучих материалов. Этот датчик состоит из регулируемого генератора 121 качающейся РЧ, катушки 122 возбуждения, измерительной катушки 123, устройства 124 сбора данных и контроллера 125 с системой обработки данных.
На фиг.13 показан общий вид другого варианта осуществления настоящего изобретения, в котором импедансный датчик сконфигурирован в виде двух концентрических планарных индукторов. Внутренний индуктор представляет собой измерительную катушку с множеством витков, один вывод 131 которой заземлен, а второй вывод 132 может быть соединен с контроллером (не показан). Наружный индуктор может представлять собой катушку возбуждения, один вывод 131 которой заземлен, а другой вывод 133 соединен с источником переменного тока с качанием частоты.
Планарный импедансный датчик может быть изготовлен методом литографии путем нанесения обоих индукторов на твердую жесткую или гибкую изолирующую подложку. Датчик этой конструкции имеет ряд преимуществ, таких как малый размер, простота монтажа (крепления) на объектах, таких как трубы, и низкая стоимость.
На фиг.14 показан другой вариант осуществления настоящего изобретения, в котором матрица из N импедансных датчиков соединена с системным контроллером. На фиг.14 показана упрощенная блок-схема системы датчиков с контроллером согласно настоящему изобретению.
Катушки возбуждения (не показаны) каждого импедансного датчика соединены с выходами необходимого числа генераторов качающейся РЧ (ГРЧ). Измерительные катушки каждого датчика соединены с высокоимпедансными входами многоканальной системы обработки данных (МСОД) в контроллере.
ГРЧ и МСОД соединены с системой управления, которая управляет обменом информацией, сканированием, представлением результатов контрольных измерений и другими функциями. Система управления может иметь несколько необязательных датчиков коррекций (например, используемых для контроля температуры, влажности и т.п. окружающего воздуха и(или) текучей среды). Контроллер также может иметь интерфейсный модуль для обмена сигналами (информацией) с приборным контроллером, станком или производственной системой более высокого уровня.
Результаты измерений в реальном времени могут отображаться контроллером и(или) использоваться в качестве сигналов обратной связи для автоматизированной системы управления приборами или станками с замкнутым контуром. Этим способом может автоматически регулироваться и поддерживаться в необходимых технологических пределах заданный параметр(-ы) объекта исследования.
Напряжение/ток на выходе ГРЧ может корректироваться в зависимости от электрических и физических свойств объекта исследования. Например, для измерения толщины проводящей металлической пленки используется катушка возбуждения с более сильным током/высоким напряжением, которая обеспечивает повышенную чувствительность и разрешающую способность системы датчиков.
Система обработки данных способна информацию, поступающую от ГРЧ, датчиков S1-SN и системы управления. Результаты задают характерную резонансную частоту Fro и амплитуду Uo напряжения для каждой системы "объект-датчик". На основании этой информации и алгоритмов калибровки МСОД (многоканальная система обработки данных) преобразует значения Fro и Uo в единицы изменения заданных физических или химических параметров, таких как толщина пленки, концентрация компонентов жидкостей, диэлектрическая постоянная слоев и т.п. Это преобразование для двух параметров может быть проиллюстрировано следующей системой уравнений:
Figure 00000001
,
в которой
Х означает первый заданный параметр (такой как толщина пленки),
Y означает второй параметр (такой как объемная удельная проводимость пластины),
k11 и k12 означают весовые коэффициенты частот,
k21 и k22 означают весовые коэффициенты выходного напряжения.
Коэффициенты k11, k21, k12 и k22, которые обычно определяют методом калибровки, затем могут быть извлечены из памяти МСОД, где они обычно хранятся. Процедура калибровки предусматривает исследования контрольных образцов с известными значениями заданного параметра(-ов) и вычисление статистически значимых весовых коэффициентов с использованием полученных данных.
Примеры
Приведенные далее примеры имеют целью проиллюстрировать различные применения настоящего изобретения, а не ограничить его объем. Специалисты в данной области техники могут использовать описание и идеи настоящего изобретения для создания альтернативных вариантов осуществления без чрезмерного экспериментирования. Каждый из этих вариантов осуществления считается входящим в настоящее изобретение.
Пример 1
Исследование кремниевой пластины без покрытия и такой же пластины, покрытой алюминиевой фольгой толщиной 5000 ангстрем
На фиг.15 показан снимок экрана дефектоскопа, иллюстрирующий выходной сигнал 151 импедансного датчика в интервале частот от 32 МГц до 43 МГц в присутствии кремниевой пластины без покрытия. Резонансной частотой является 33,8 МГц, резонансной амплитудой является 10067 мВ. Кривой 152 обозначена амплитудно-частотная характеристика того же импедансного датчика в присутствии такой же кремниевой пластины, покрытой алюминиевой фольгой толщиной 5000 ангстрем. В этом случае резонансной частотой является 41 МГц, а резонансной амплитудой является 1673 мВ. Сравнение кривых 151 и 152 показывает, что резонансные частоты и, в частности, амплитуды напряжения сильно различаются. Этот пример иллюстрирует высокую чувствительность новой системы измерения импеданса в соответствии с настоящим изобретением.
Пример 2
Исследование образцов дистиллированной и водопроводной воды
На фиг.12 показано испытательное приспособление для калибровки и измерения переменных концентраций различных компонентов жидкости (воды согласно примеру), у которого импедансный датчик охватывает небольшой пробоотборник, предпочтительно изготовленный из тефлона.
На фиг.16 показана диаграмма результатов испытаний в различных условиях: кривая 161, когда в пробоотборнике отсутствовала жидкость, кривая 162, когда пробоотборник был заполнен дистиллированной водой, и кривая 163, когда пробоотборник был заполнен водопроводной водой. Если сравнить результаты исследования пробоотборника с дистиллированной водой и пустого пробоотборника, наблюдалось относительно небольшое изменение выходной амплитуда датчика. Имело место более значительное смещение резонансной частоты от 12,5 МГц для пустого пробоотборника до 11 МГц для пробоотборника с дистиллированной водой. Тем не менее, в случае водопроводной воды произошло резкое изменение как амплитуды, так и резонансной частоты. Этот результат объясним, поскольку удельное сопротивление дистиллированной воды при 25°C составляет около 18,2-40 МОм-см, а водопроводной воды обычно менее 0,1 МОм-см.
Этот пример демонстрирует очень высокую чувствительность новой системы измерения импеданса и показывает, что могут быть обнаружено и представлено в количественной форме даже очень небольшое загрязнение жидкого объекта.
Пример 3
Определение различных концентраций NaCl в воде
С целью определения соответствующих рабочих частот для растворов хлорида натрия (NaCl) в воде были проведены предварительные исследования путем измерения гармонического электромагнитного в широком интервале рабочих частот: 20 МГц, 70 МГц, 370 МГц и 480 МГц. Наилучший результат был получен на частотах вблизи 20 МГц.
Для импедансного датчика были выбраны частоты в интервале 17-20 МГц. В описанном далее примере определили амплитудно-частотную характеристику для различных концентраций NaCl. На фиг.17 показана диаграмма результатов этих измерений. Как показано на диаграмме амплитудно-частотной характеристика, можно легко различить растворы, содержащие различные концентрации NaCl. При использовании дистиллированной воды (заштрихованные ромбы) была зарегистрирована наибольшая амплитуда на частоте около 19,6 МГц, при наименьшей концентрации NaCl была получена меньшая амплитуда, чем в случае дистиллированной воды, а с увеличением концентраций NaCl амплитуда снижалась, при этом частота при максимальной амплитуде снижалась, пока концентрация не достигла 0,1%. Кроме того, ясно видно, что при концентрации NaCl 1% амплитуда превышала амплитуду при более низких концентрациях. Эти результаты демонстрируют способность новой системы измерения импеданса с высокой разрешающей способностью определять концентрации компонентов жидкостей в широком интервале концентраций.
На фиг.18 показана зависимость резонансной амплитуды импедансного датчика от концентрации NaCl. На фиг.19 показана такая же зависимость с представлением концентрации NaCl в виде логарифмической шкалы.
Пример 4
Измерение толщины тонкой алюминиевой фольги на кремниевых пластинах
На фиг.20 представлены результаты измерений толщины алюминиевой фольги (в ангстремах). В системе датчиков использовали резонансный датчик с разомкнутым сердечником, аналогичный датчику, показанному на фиг.7. Диапазон частот был задан в интервале от 34 МГц до 43 МГц. Нулевая точка на диаграмме соответствует кремниевой пластине без покрытия из алюминиевой фольги.
На фиг.21 показаны такие же результаты с представлением толщины алюминиевой фольги в виде логарифмической шкалы.
Пример 5
Определение содержания ртути в воде
Одним из наиболее опасных загрязнителей питьевой воды является ртуть. Загрязнение ртутью исключительно опасно даже в самых малых концентрациях.
Соответственно, была проведена серия исследований с целью определения концентрации ртути (Hg) в воде.
В ходе одной группе исследований был определен диапазон частот, при которых концентрация ионов ртути (Hg+) в дистиллированной воде приводит к значительному изменению амплитудно-частотной характеристики. Эта частота задает контрольные значения L, С и R при конструировании катушки. Измерительная катушка может быть сконструирована согласно хорошо известным правилам с учетом конкретного размещения. Кроме того, для достижения максимальной чувствительности может быть желательным поддерживать собственную емкость С измерительного контура на минимальном уровне. Описанные далее исследования были проведены с использованием упомянутого датчика.
На фиг.22 показана диаграмма, иллюстрирующая амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) образцов с различными концентрациями Hg+ в дистиллированной воде. Результаты испытаний ясно демонстрирую способность системы измерения импеданса согласно настоящему изобретению определять концентрации Hg+ в дистиллированной воде при содержании ртути вплоть до 1 части/млрд.
Пример 6
Снижение чувствительности IRT-датчика при использовании конденсатора в резонансной схеме
Чтобы подтвердить сделанный выше вывод о влиянии емкости резонансного устройства для измерения импеданса на модуляцию амплитудно-частотных характеристик в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения, была проведена серия исследований с использованием растворов NaCl, описанных в Примере 3, но при этом в резонансную схему устройства входил конденсатор.
На фиг.23 показан диаграмма, иллюстрирующая амплитудно-частотные характеристики (АЧХ), полученные при использовании IRT-датчика, имевшего приблизительно в 4 раза меньше витков обмотки, чем датчик из Примера 3, а также дополнительно оснащенного конденсатором емкостью 20 пФ. При использовании этого модифицированного датчика с дополнительным конденсатором было довольно неожиданно обнаружено, что для каждого из растворов NaCl были получены почти идентичные амплитудно-частотные характеристик без заметных различий в амплитуде или частоте, на которой наблюдалась максимальная амплитуда.
На фиг.24 показаны максимумы амплитудно-частотных характеристик датчиков с использованием и без использования дополнительного конденсатора. Ясно видно, что в вариантах осуществления с дополнительным конденсатором (не заштрихованные окружности) значительно сужен интервал полезных сигналов (колебаний резонансной частоты и амплитуды) по сравнению с датчиками без конденсаторов. В отличие от этого, было теоретически обнаружено, что системы резонансных датчиков для измерения импеданса без емкостного сопротивления имеют очень широкий интервал полезных сигналов.
Этот пример демонстрирует, что системы и способы согласно настоящему изобретению имеют значительно более высокую чувствительность, чем известные системы датчиков. Соответственно, путем применения систем и способов согласно настоящему изобретению можно обеспечивать отсутствие нежелательного загрязнения различных продуктов и материалов.
Промышленная применимость
Предложенные в изобретении устройства и способы могут применяться во множестве отраслей, включая электроэнергетику, сельское хозяйство, пищевую, текстильную, фармацевтическую, фотоэлектрическую и полупроводниковую промышленность, медицинское оборудование, химическую и нефтехимическую промышленность, материаловедение и оборонную промышленность, в которых желателен контроль и(или) анализ различных свойств материалов.

Claims (45)

1. Импедансный датчик резонансного типа, представляющий собой многокатушечный индуктор с разомкнутым сердечником или без сердечника, содержащий, по меньшей мере, две катушки, причем, по меньшей мере, одна катушка, по меньшей мере, из двух катушек является, по меньшей мере, одной катушкой возбуждения с возможностью соединения, по меньшей мере, с одним источником переменного тока с качанием частоты, по меньшей мере, одна другая катушка, по меньшей мере, из двух катушек является измерительной катушкой с возможностью соединения, по меньшей мере, с одной системой обработки данных, в котором (i) при электрическом соединении с указанным источником тока, по меньшей мере, одна катушка возбуждения может передавать энергию, по меньшей мере, указанной одной измерительной катушке, которая может генерировать зондирующее электромагнитное поле, причем (ii) указанная, по меньшей мере, одна измерительная катушка выполнена таким образом, что параметры собственной индуктивности L, емкости С и сопротивления R указанной, по меньшей мере, одной измерительной катушки способны обеспечивать условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте или в предопределенном диапазоне частот; и (iii) указанная, по меньшей мере, одна измерительная катушка использует только свою собственную (распределенную) емкость и не соединена с каким-либо другим средством емкости.
2. Датчик по п. 1, дополнительно содержащий: (i) по меньшей мере, один источник переменного тока с качанием частоты, подключенный с помощью электрического соединения, по меньшей мере, к одной катушке возбуждения, и (ii) указанная, по меньшей мере, одна система обработки данных связана, по меньшей мере, с одной измерительной катушкой, где указанные параметры L С R указанной, по меньшей мере, одной измерительной катушки обеспечивают условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте или в предопределенном диапазоне частот.
3. Датчик по п. 2, в котором, по меньшей мере, одна указанная система обработки данных имеет высокий входной импеданс.
4. Датчик по п. 2, в котором, по меньшей мере, один источник переменного тока имеет регулируемый выходной ток.
5. Датчик по п. 1, в котором датчик сконфигурирован в виде цилиндрического многокатушечного индуктора.
6. Датчик по п. 5, в котором цилиндрический многокатушечный индуктор имеет ферромагнитный разомкнутый сердечник.
7. Датчик по п. 6, в котором ферримагнитный сердечник сконфигурирован в виде горшкового сердечника.
8. Датчик по п. 6, в котором цилиндрический многокатушечный индуктор имеет регулируемый ферромагнитный сердечник.
9. Датчик по п. 1, дополнительно содержащий опорный элемент, на котором установлены, по меньшей мере, две катушки.
10. Датчик по п. 9, в котором, по меньшей мере, один (i) указанный многокатушечный индуктор является планарным; и (ii) указанный опорный элемент представляет собой опорный элемент типа печатной платы (РСВ) или гибкий опорный элемент.
11. Датчик по п. 5, дополнительно содержащий опорный элемент, на котором, по меньшей мере, две катушки указанного датчика сконфигурированы как указанный многокатушечный индуктор, смонтированный на указанном опорном элементе.
12. Датчик по п. 11, в котором указанный опорный элемент имеет, по меньшей мере, (i) низкий коэффициент диэлектрической постоянной; и (ii) фторированный полимер в контакте с установленным многокатушечным индуктором.
13. Датчик по п. 5, дополнительно содержащий средство регулирования рабочей частоты датчика.
14. Датчик по п. 2, дополнительно содержащий фазовый детектор, связанный и/или электрически соединенный, по меньшей мере, с одним источником переменного тока и, по меньшей мере, с одной системой обработки данных.
15. Датчик по п. 1, в котором, по меньшей мере, одна измерительная катушка и, по меньшей мере, одна катушка возбуждения разнесены друг от друга в пространственном отношении.
16. Датчик по п. 1, в котором указанный объект исследования является, по меньшей мере, одним из следующих: проводником, полупроводником, и изолятором.
17. Датчик по п. 1, в котором, по меньшей мере, одна катушка возбуждения и, по меньшей мере, одна измерительная катушка являются отдельными обмотками и электромагнитно связаны между собой.
18. Система измерения импеданса для бесконтактного и неинвазивного измерения и анализа заданных химических и физических свойств газообразных, жидких и твердых объектов, содержащая:
(A) по меньшей мере, один импедансный датчик резонансного типа по п. 1,
(Б) по меньшей мере, один источник переменного тока с качанием частоты, подключенный с помощью электрического соединения, по меньшей мере, к одной катушке возбуждения,
(B) по меньшей мере, одна система обработки данных связанная, по меньшей мере, с одним резонансным импедансным датчиком или, по меньшей мере, с одной измерительной катушкой, при этом L С R параметры указанной, по меньшей мере, одной измерительной катушки обеспечивают условия резонанса для измерения импеданса объекта исследования на заданной частоте или в предопределенном диапазоне частот,
(Г) систему управления, связанную, по меньшей мере, с одним источником переменного тока и, по меньшей мере, с одной системой обработки данных.
19. Система по п. 18, дополнительно содержащая приспособление для размещения объекта исследования в непосредственной близости от датчика(датчиков), в результате чего электромагнитное поле, индуцированное, по меньшей мере, одной измерительной катушкой (катушками), способно проникать в объект исследования.
20. Система по п. 19, дополнительно содержащая резервуар для размещения в нем указанного газообразного, жидкого или сыпучего материала объекта исследования.
21. Система по п. 20, в которой:
(i) датчик установлен по окружности указанного резервуара, при этом указанный датчик выполнен в виде цилиндрического многокатушечного индуктора; и
(ii) указанный датчик расположен на наружной или внутренней стенке упомянутого резервуара.
22. Система по п. 21, дополнительно содержащая участок трубы, на котором установлен, по меньшей мере, один датчик.
23. Система по п. 21, дополнительно содержащая, по меньшей мере, один обводной трубопровод или группу каналов, при этом, по меньшей мере, один датчик установлен на указанном, по меньшей мере, одном обводном трубопроводе или группе каналов.
24. Система по п. 18, дополнительно содержащая средство определения условий окружающей среды снаружи объекта исследования с целью получения контрольной информации, применимой для компенсации погрешности измерений.
25. Система по п. 24, в которой указанное средство определения условий окружающей среды представляет собой, по меньшей мере, один дополнительный импедансный датчик.
26. Система по п. 18, в которой, по меньшей мере, (i) одна система обработки данных имеет высокий входной импеданс.
27. Система по п. 18, в которой указанный, по меньшей мере, один источник переменного тока имеет регулируемый выходной ток.
28. Способ измерения химических и физических свойств объекта с помощью, по меньшей мере, одного импедансного датчика резонансного типа по п. 1 или 2, включающий:
(А) измерение резонансной частоты (собственной частоты) и амплитуды указанного датчика(датчиков) в отсутствие объекта исследований;
(Б) использование объекта исследования, содержащего, по меньшей мере, одно анализируемое вещество, в непосредственной близости от указанного датчика (датчиков),
чтобы обеспечить проникновение указанного электромагнитного поля, созданного указанным датчиком (датчиками), в указанный объект исследований.
(В) измерение резонансной частоты и амплитуды датчика (датчиков) в присутствии указанного объекта,
(Г) вычисление изменений амплитуды и резонансной частоты, вызванных электромагнитным взаимодействием между датчиком (датчиками) и объектом, с целью определения импеданса объекта исследования, и
(Д) сопоставление импеданса с предопределенными данными калибровки с целью определения химических и физических свойств объекта исследования.
29. Способ по п. 28, дополнительно включающий контроль происходящих в реальном времени изменений импеданса и сопоставление химических и физических свойств объекта исследования с упомянутыми происходящими в реальном времени изменениями импеданса.
30. Способ по п. 28, дополнительно включающий приложение дополнительного внешнего воздействия (воздействий) на указанный объект исследования, чтобы повысить чувствительность, по меньшей мере, одного датчика.
31. Способ по п. 30, в котором дополнительное внешнее воздействие выбирают из группы, включающей УФ излучение, ИК излучение, магнитное поле, электростатическое поле и акустическую волну (ультразвук).
32. Способ по п. 30, дополнительно включающий приложение дополнительного внешнего воздействия (воздействий) на указанный объект исследования, чтобы повысить чувствительность, по меньшей мере, одного датчика.
33. Способ по п. 32, в котором указанное дополнительное внешнее воздействие (воздействия) выбирают из группы, состоящей из УФ, ИК, магнитного поля, электростатического поля и акустической волны (ультразвука).
RU2012116010A 2009-09-22 2010-09-22 Системы и способы измерения импеданса для определения компонентов твердых и текучих объектов RU2629901C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24458409P 2009-09-22 2009-09-22
US61/244,584 2009-09-22
PCT/US2010/049824 WO2011038003A1 (en) 2009-09-22 2010-09-22 Impedance sensing systems and methods for use in measuring constituents in solid and fluid objects

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012116010A RU2012116010A (ru) 2013-10-27
RU2629901C2 true RU2629901C2 (ru) 2017-09-04

Family

ID=43480477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012116010A RU2629901C2 (ru) 2009-09-22 2010-09-22 Системы и способы измерения импеданса для определения компонентов твердых и текучих объектов

Country Status (11)

Country Link
US (1) US8547110B2 (ru)
EP (1) EP2480878B1 (ru)
JP (1) JP5666597B2 (ru)
KR (1) KR101526039B1 (ru)
CN (1) CN102575998B (ru)
AU (1) AU2010298385B2 (ru)
CA (1) CA2775144C (ru)
IL (1) IL218707A (ru)
NZ (1) NZ598827A (ru)
RU (1) RU2629901C2 (ru)
WO (1) WO2011038003A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2781536C2 (ru) * 2018-08-06 2022-10-13 Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн Устройство вихретоковой дефектоскопии и способ вихретоковой дефектоскопии
US11598750B2 (en) 2018-08-06 2023-03-07 Toshiba Energy Systems & Solutions Corporation Eddy current flaw detection device and eddy current flaw detection method

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10914698B2 (en) 2006-11-16 2021-02-09 General Electric Company Sensing method and system
US10539524B2 (en) * 2006-11-16 2020-01-21 General Electric Company Resonant sensing system and method for monitoring properties of an industrial fluid
US9538657B2 (en) 2012-06-29 2017-01-03 General Electric Company Resonant sensor and an associated sensing method
US9589686B2 (en) 2006-11-16 2017-03-07 General Electric Company Apparatus for detecting contaminants in a liquid and a system for use thereof
US9658178B2 (en) 2012-09-28 2017-05-23 General Electric Company Sensor systems for measuring an interface level in a multi-phase fluid composition
US9389296B2 (en) * 2012-07-26 2016-07-12 General Electric Company Method for sensor reader calibration
US9536122B2 (en) 2014-11-04 2017-01-03 General Electric Company Disposable multivariable sensing devices having radio frequency based sensors
CN102575998B (zh) 2009-09-22 2016-03-30 Adem有限公司 用于测量固体和液体对象构成的阻抗传感系统及方法
EP2619561B1 (en) * 2010-09-22 2015-04-22 DeLaval Holding AB Determination of attributes of liquid substances
US8542023B2 (en) * 2010-11-09 2013-09-24 General Electric Company Highly selective chemical and biological sensors
CN102539928B (zh) * 2010-12-21 2016-03-16 香港科技大学 应用于分析水泥基材料孔结构的非接触式阻抗测量仪
US8542024B2 (en) * 2010-12-23 2013-09-24 General Electric Company Temperature-independent chemical and biological sensors
US9528814B2 (en) * 2011-05-19 2016-12-27 NeoVision, LLC Apparatus and method of using impedance resonance sensor for thickness measurement
CA2838067A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Vidyo, Inc. Systems and methods for improved interactive content sharing in video communication systems
GB201115612D0 (en) * 2011-09-09 2011-10-26 Pilkington Group Ltd Measuring a property of molten glass
US20130073097A1 (en) * 2011-09-19 2013-03-21 Dennis Vidovich Area soil moisture and fertilization sensor
US9225069B2 (en) 2011-10-18 2015-12-29 California Institute Of Technology Efficient active multi-drive radiator
US9465089B2 (en) 2011-12-01 2016-10-11 Neovision Llc NMR spectroscopy device based on resonance type impedance (IR) sensor and method of NMR spectra acquisition
US8952708B2 (en) 2011-12-02 2015-02-10 Neovision Llc Impedance resonance sensor for real time monitoring of different processes and methods of using same
US9687169B2 (en) * 2011-12-08 2017-06-27 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. System, controller, and method for determining conductance of an object
WO2013123090A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-22 California Institute Of Technology Sensing radiation metrics through mode-pickup sensors
WO2013172896A2 (en) 2012-02-17 2013-11-21 California Institute Of Technology Dynamic polarization modulation and control
JP2014003250A (ja) * 2012-06-21 2014-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法および成膜装置
WO2014018927A1 (en) 2012-07-26 2014-01-30 California Institute Of Technology Optically driven active radiator
US10598650B2 (en) 2012-08-22 2020-03-24 General Electric Company System and method for measuring an operative condition of a machine
US9746452B2 (en) 2012-08-22 2017-08-29 General Electric Company Wireless system and method for measuring an operative condition of a machine
WO2014043165A2 (en) 2012-09-11 2014-03-20 Vidyo, Inc. System and method for agent-based integration of instant messaging and video communication systems
US10684268B2 (en) 2012-09-28 2020-06-16 Bl Technologies, Inc. Sensor systems for measuring an interface level in a multi-phase fluid composition
JP6312118B2 (ja) * 2013-05-16 2018-04-18 学校法人東京理科大学 電気特性測定装置、電気特性測定方法およびプログラム
US9410910B1 (en) 2013-05-23 2016-08-09 D-2 Inc. Hybrid conductivity sensor
EP3102929B1 (en) 2014-02-05 2018-09-26 Vayyar Imaging Ltd. System for characterizing non-solid substances
CN103940859B (zh) * 2014-05-13 2016-07-27 爱德森(厦门)电子有限公司 一种并联谐振电路电容检测非金属材料不连续性的方法
EP4018924A1 (en) * 2014-10-08 2022-06-29 Aristotle University of Thessaloniki - Elke Method for the detection and characterisation of bubbles in liquids and device therefor, respectively system
US20160121452A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
AU2015268746B2 (en) * 2014-12-30 2017-09-07 Ge Infrastructure Technology Llc Sensing method and system
RU2621271C2 (ru) * 2015-01-12 2017-06-01 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова" Устройство для исследования гидрофизических характеристик и свойств жидкости и способ его применения
EP3245507B1 (en) 2015-01-15 2019-11-06 Transtech Systems, Inc. Measurement and monitoring of physical properties of material under test (mut) from a vehicle
DE102015201023B4 (de) * 2015-01-22 2016-09-15 Siemens Healthcare Gmbh MR-Feldsonden mit Zusatzwindungen zur Verbesserung der Homogenität und zur Eingrenzung des Mess-Volumens
US9733231B2 (en) * 2015-02-04 2017-08-15 Texas Instruments Incorporated Spectrographic material analysis using multi-frequency inductive sensing
US10545107B2 (en) 2015-04-26 2020-01-28 Vayyar Imaging Ltd System, device and methods for measuring substances' dielectric properties using microwave sensors
WO2016174679A2 (en) 2015-04-27 2016-11-03 Vayyar Imaging Ltd System and methods for calibrating an antenna array using targets
WO2016174680A1 (en) 2015-04-29 2016-11-03 Vayyar Imaging Ltd System, device and methods for localization and orientation of a radio frequency antenna array
US10690760B2 (en) 2015-05-05 2020-06-23 Vayyar Imaging Ltd System and methods for three dimensional modeling of an object using a radio frequency device
US10809372B2 (en) 2015-05-11 2020-10-20 Vayyar Imaging Ltd. System, device and methods for imaging of objects using electromagnetic array
US10290948B2 (en) 2015-08-02 2019-05-14 Vayyar Imaging Ltd System and method for radio frequency penetration imaging of an object
AT517604B1 (de) * 2015-10-06 2017-03-15 Siemens Ag Oesterreich Messfühler
CA2994237A1 (en) * 2015-11-19 2017-05-26 Saint-Gobain Glass France Alarm pane arrangement
CN105488262B (zh) * 2015-11-25 2019-06-04 南方电网科学研究院有限责任公司 宽频直流电力电阻器的设计方法及系统
US10436896B2 (en) 2015-11-29 2019-10-08 Vayyar Imaging Ltd. System, device and method for imaging of objects using signal clustering
US10060895B2 (en) * 2015-12-27 2018-08-28 Light of Detection, Ltd. Devices and methods for identifying a biological or chemical residue in an liquid sample
JP6779633B2 (ja) * 2016-02-23 2020-11-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR20190037281A (ko) 2016-08-02 2019-04-05 쌩-고벵 글래스 프랑스 경보 판유리 조립체
WO2018024565A1 (de) 2016-08-02 2018-02-08 Saint-Gobain Glass France Alarmscheibenanordnung
US9902068B1 (en) * 2016-12-29 2018-02-27 Texas Instruments Incorporated Impedance signature analyzer to control automated actions
CN107192759B (zh) * 2017-06-09 2019-08-27 湖南大学 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统
CN109307688B (zh) * 2017-07-27 2021-06-01 通用电气公司 感测系统和方法
CN108226830B (zh) * 2018-01-05 2020-09-08 重庆大学 一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构
KR102125246B1 (ko) * 2018-03-20 2020-06-24 한양대학교 에리카산학협력단 건축 구조물 부식 측정 센서 어셈블리 및 이를 이용한 부식 측정 방법
US10908200B2 (en) * 2018-03-29 2021-02-02 Cirrus Logic, Inc. Resonant phase sensing of resistive-inductive-capacitive sensors
KR102528061B1 (ko) * 2018-08-31 2023-05-02 건국대학교 산학협력단 식물 배양기 외부에서의 유도전류 측정을 통한 식물 배양기 수분 함량 측정 방법 및 장치
KR102541151B1 (ko) * 2018-08-31 2023-06-08 건국대학교 산학협력단 인덕턴스 측정을 통한 식물의 건강상태 측정 방법 및 장치
CN109145513B (zh) * 2018-09-30 2023-11-07 南京航空航天大学 基于电磁场组合激励控制的非接触式力触觉再现系统及方法
US10883953B2 (en) 2018-10-16 2021-01-05 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device for sensing impedance changes in a medium
EP3899513A4 (en) * 2018-12-19 2022-09-21 Abbott Diabetes Care Inc. SYSTEMS, DEVICES AND METHODS FOR RF DETECTION OF ANALYTE SENSOR MEASUREMENTS
US11435269B1 (en) 2019-01-03 2022-09-06 Honeywell Federal Manufacturings Technologies, Llc In situ data acquisition and real-time analysis system
US11300534B2 (en) 2019-09-06 2022-04-12 General Electric Company Monolithic gas-sensing chip assembly and method
CN110672677A (zh) * 2019-10-14 2020-01-10 昆明理工大学 一种肥液组分在线检测装置及其检测方法
CN111122392B (zh) * 2019-12-04 2021-01-26 北京航空航天大学 一种气溶胶吸湿特性综合测量仪器
CN111343560B (zh) * 2020-03-17 2021-06-18 厦门傅里叶电子有限公司 一种手机喇叭谐振频率fo测试和跟踪方法
ES2788801A1 (es) * 2020-06-05 2020-10-22 Univ Madrid Politecnica Sistema y metodo de medicion de degradacion o contaminacion de fluidos mediante un sensor inductivo de nucleo hueco
DE102020132286A1 (de) 2020-07-23 2022-01-27 AST (Advanced Sensor Technologies) International GmbH Sensorvorrichtung und Verfahren zum Erfassen mindestens einer Eigenschaft eines Mediums
CN112557260A (zh) * 2020-11-24 2021-03-26 北京信息科技大学 基于高磁导率铁芯的金属磨损颗粒检测传感器及检测方法
DE102021103803A1 (de) 2021-02-18 2022-08-18 Technische Universität Chemnitz, Körperschaft des öffentlichen Rechts Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung materialinterner mechanischer Zustände eines Werkstücks
CN113125314A (zh) * 2021-04-08 2021-07-16 北京信息科技大学 一种外包裹高磁导率材料的高灵敏度金属磨损颗粒检测传感器
CN113916943B (zh) * 2021-10-11 2024-03-01 国家海洋技术中心 一种海水电导率测量方法及系统
CN116294415B (zh) * 2023-04-06 2024-09-24 珠海格力电器股份有限公司 一种冰箱控制方法、装置及冰箱

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2583724A (en) * 1948-05-08 1952-01-29 Socony Vacuum Oil Co Inc Magnetic flowmeter
GB1471480A (en) * 1973-07-23 1977-04-27 Inst Elektroswarki Patona Contactless inductance interface pickup
SU903795A1 (ru) * 1980-01-04 1982-02-07 Предприятие П/Я Р-6303 Устройство дл очистки электрографических пластин
SU960616A1 (ru) * 1981-01-04 1982-09-23 Предприятие П/Я А-3869 Вихретоковый резонансный преобразователь
US6448795B1 (en) * 1999-02-12 2002-09-10 Alexei Ermakov Three coil apparatus for inductive measurements of conductance
US6511851B1 (en) * 1997-04-16 2003-01-28 Kaiku Limited Identifying changes in composition of liquids

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1566042A (en) 1924-12-17 1925-12-15 Frank A Schmidt Safety tread
DE2061018C3 (de) * 1970-12-11 1974-05-02 Laukien Guenther Verfahren zur Aufnahme von Spinresonanzspektren und hierfuer geeignetes Spinresonanz-Spektrometer
US4058766A (en) 1976-06-21 1977-11-15 Agridustrial Electronics, Inc. Multiple-frequency permittivity tester
US4334604A (en) * 1979-03-15 1982-06-15 Casino Investment Limited Coin detecting apparatus for distinguishing genuine coins from slugs, spurious coins and the like
US4433286A (en) * 1979-04-09 1984-02-21 Georgetown University Identification of materials using their complex dielectric response
SU1408391A1 (ru) * 1986-06-18 1988-07-07 Московский Инженерно-Физический Институт Зонд дл измерени магнитного пол объемных резонаторов
DE3817574A1 (de) * 1988-05-24 1989-11-30 Fraunhofer Ges Forschung Wirbelstromsensor
US5132617A (en) * 1990-05-16 1992-07-21 International Business Machines Corp. Method of measuring changes in impedance of a variable impedance load by disposing an impedance connected coil within the air gap of a magnetic core
US5213655A (en) * 1990-05-16 1993-05-25 International Business Machines Corporation Device and method for detecting an end point in polishing operation
US5242524A (en) * 1990-05-16 1993-09-07 International Business Machines Corporation Device for detecting an end point in polishing operations
US5550478A (en) * 1991-03-12 1996-08-27 Chrysler Corporation Housing for flexible fuel sensor
US5091704A (en) * 1991-03-12 1992-02-25 Chrysler Corporation Oscillator having resonator coil immersed in a liquid mixture to determine relative amounts of two liquids
US5343146A (en) * 1992-10-05 1994-08-30 De Felsko Corporation Combination coating thickness gauge using a magnetic flux density sensor and an eddy current search coil
US5516399A (en) * 1994-06-30 1996-05-14 International Business Machines Corporation Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching
US5541510A (en) * 1995-04-06 1996-07-30 Kaman Instrumentation Corporation Multi-Parameter eddy current measuring system with parameter compensation technical field
US5660672A (en) * 1995-04-10 1997-08-26 International Business Machines Corporation In-situ monitoring of conductive films on semiconductor wafers
US5559428A (en) * 1995-04-10 1996-09-24 International Business Machines Corporation In-situ monitoring of the change in thickness of films
US5663637A (en) * 1996-03-19 1997-09-02 International Business Machines Corporation Rotary signal coupling for chemical mechanical polishing endpoint detection with a westech tool
US5770948A (en) * 1996-03-19 1998-06-23 International Business Machines Corporation Rotary signal coupling for chemical mechanical polishing endpoint detection with a strasbaugh tool
US5644221A (en) * 1996-03-19 1997-07-01 International Business Machines Corporation Endpoint detection for chemical mechanical polishing using frequency or amplitude mode
US5659492A (en) * 1996-03-19 1997-08-19 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing endpoint process control
SE508354C2 (sv) * 1996-07-05 1998-09-28 Asea Atom Ab Förfarande och anordning för bestämning av skikttjocklek
EP0819944A1 (en) * 1996-07-16 1998-01-21 Lucent Technologies Inc. Eddy current sensor
US6242927B1 (en) * 1997-04-09 2001-06-05 Case Corporation Method and apparatus measuring parameters of material
US6377039B1 (en) * 1997-11-14 2002-04-23 Jentek Sensors, Incorporated Method for characterizing coating and substrates
US6163154A (en) * 1997-12-23 2000-12-19 Magnetic Diagnostics, Inc. Small scale NMR spectroscopic apparatus and method
CA2331644A1 (en) * 1998-05-12 1999-11-18 Neil J. Goldfine Methods for utilizing dielectrometry signals using estimation grids
JPH11337656A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Sumitomo Special Metals Co Ltd 金属検知方法及び金属検知装置
US6404199B1 (en) * 1998-11-25 2002-06-11 Philips Medical Systems (Cleveland), Inc. Quadrature RF coil for vertical field MRI systems
FR2795524B1 (fr) * 1999-06-23 2001-08-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure rmn portable
US6310480B1 (en) * 1999-09-13 2001-10-30 Foxboro Nmr Ltd Flow-through probe for NMR spectrometers
US6707540B1 (en) * 1999-12-23 2004-03-16 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current and optical measurements
US6433541B1 (en) * 1999-12-23 2002-08-13 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current measurements during the process for removing the film
KR100718737B1 (ko) * 2000-01-17 2007-05-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱 장치
JP4874465B2 (ja) * 2000-03-28 2012-02-15 株式会社東芝 渦電流損失測定センサ
US6741076B2 (en) * 2000-04-07 2004-05-25 Cuong Duy Le Eddy current measuring system for monitoring and controlling a CMP process
US6407546B1 (en) * 2000-04-07 2002-06-18 Cuong Duy Le Non-contact technique for using an eddy current probe for measuring the thickness of metal layers disposed on semi-conductor wafer products
US6762604B2 (en) * 2000-04-07 2004-07-13 Cuong Duy Le Standalone eddy current measuring system for thickness estimation of conductive films
US7374477B2 (en) * 2002-02-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Polishing pads useful for endpoint detection in chemical mechanical polishing
US6924641B1 (en) * 2000-05-19 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing
JP3916375B2 (ja) * 2000-06-02 2007-05-16 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法および装置
US6878038B2 (en) * 2000-07-10 2005-04-12 Applied Materials Inc. Combined eddy current sensing and optical monitoring for chemical mechanical polishing
WO2002004916A2 (en) * 2000-07-10 2002-01-17 Ndt Instruments Ltd. Method and apparatus for determining the composition of fluids
US6602724B2 (en) * 2000-07-27 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of a metal layer with polishing rate monitoring
US6923711B2 (en) * 2000-10-17 2005-08-02 Speedfam-Ipec Corporation Multizone carrier with process monitoring system for chemical-mechanical planarization tool
TW541425B (en) * 2000-10-20 2003-07-11 Ebara Corp Frequency measuring device, polishing device using the same and eddy current sensor
US6966816B2 (en) * 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
US6593738B2 (en) * 2001-09-17 2003-07-15 Boris Kesil Method and apparatus for measuring thickness of conductive films with the use of inductive and capacitive sensors
US7043402B2 (en) * 2001-12-20 2006-05-09 The Precision Instrument Corp. On-line oil condition sensor system for rotating and reciprocating machinery
US7128718B2 (en) * 2002-03-22 2006-10-31 Cordis Corporation Guidewire with deflectable tip
US7024268B1 (en) * 2002-03-22 2006-04-04 Applied Materials Inc. Feedback controlled polishing processes
DE10216587B4 (de) * 2002-04-14 2004-08-05 Michael Dr. Bruder Unilaterale NMR-Sonde zur Materialanalyse und deren Verwendung als Sensor
IL153894A (en) * 2003-01-12 2010-05-31 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for measuring the thickness of thin conductive layers
US7016795B2 (en) * 2003-02-04 2006-03-21 Applied Materials Inc. Signal improvement in eddy current sensing
US6891380B2 (en) * 2003-06-02 2005-05-10 Multimetrixs, Llc System and method for measuring characteristics of materials with the use of a composite sensor
US6977503B2 (en) * 2003-02-10 2005-12-20 Quantum Magnetics, Inc. System and method for single-sided magnetic resonance imaging
US7008296B2 (en) * 2003-06-18 2006-03-07 Applied Materials, Inc. Data processing for monitoring chemical mechanical polishing
US7071684B2 (en) * 2003-07-25 2006-07-04 Red Ko Volodymyr Method of non-contact measuring electrical conductivity of electrolytes with using primary measuring transformer
US7074109B1 (en) * 2003-08-18 2006-07-11 Applied Materials Chemical mechanical polishing control system and method
JP4451111B2 (ja) * 2003-10-20 2010-04-14 株式会社荏原製作所 渦電流センサ
US7135870B2 (en) * 2004-05-04 2006-11-14 Kam Controls Incorporated Device for determining the composition of a fluid mixture
US7514938B2 (en) * 2004-05-11 2009-04-07 Board Of Regents Of The University And College System Of Nevada, On Behalf Of The University Of Nevada, Reno Dielectric relaxation spectroscopy apparatus and methods of use
US7219024B2 (en) * 2004-05-26 2007-05-15 Transtech Systems, Inc. Material analysis including density and moisture content determinations
WO2005123335A1 (en) * 2004-06-21 2005-12-29 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
KR100600706B1 (ko) * 2004-07-09 2006-07-14 삼성전자주식회사 자기공명흡수법을 이용한 무혈혈당 측정장치 및 측정 방법
JP4022628B2 (ja) * 2004-08-18 2007-12-19 国立大学法人信州大学 複合材の配合比同定法
US7332902B1 (en) 2004-11-02 2008-02-19 Environmental Metrology Corporation Micro sensor for electrochemically monitoring residue in micro channels
GB2425842A (en) * 2005-05-05 2006-11-08 Plant Bioscience Ltd Magnetic resonance sensor with rotatable magnetic rods placed around the sample
US20080199359A1 (en) * 2005-07-04 2008-08-21 Senviro Pty Ltd Soil Moisture Sensor
WO2007003218A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Commissariat A L'energie Atomique Apparatus for high-resolution nmr spectroscopy and/or imaging with an improved filling factor and rf field amplitude
US7198545B1 (en) * 2005-10-25 2007-04-03 Novellus Systems, Inc. Method of calibration and data evaluation for eddy current metrology systems
KR100660916B1 (ko) * 2006-02-09 2006-12-26 삼성전자주식회사 트렌치들의 패턴 밀도 및 깊이를 매개 변수로 이용하는도전층 평탄화 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
WO2007095573A2 (en) 2006-02-14 2007-08-23 Ndsu Research Foundation Electrochemical impedance spectroscopy method and system
US7912661B2 (en) * 2006-03-31 2011-03-22 Kmg2 Sensors Corporation Impedance analysis technique for frequency domain characterization of magnetoelastic sensor element by measuring steady-state vibration of element while undergoing constant sine-wave excitation
JP4971685B2 (ja) * 2006-05-25 2012-07-11 株式会社日立製作所 核磁気共鳴プローブコイル
JP5232379B2 (ja) * 2006-11-09 2013-07-10 株式会社日立製作所 Nmr計測用プローブ、およびそれを用いたnmr装置
KR101083908B1 (ko) 2006-12-18 2011-11-15 슈레이더 일렉트로닉스 리미티드 Emf 파의 전파를 이용하는 연료 조성 감지 시스템 및 방법
US8482298B2 (en) 2006-12-18 2013-07-09 Schrader Electronics Ltd. Liquid level and composition sensing systems and methods using EMF wave propagation
CN101583785A (zh) 2006-12-18 2009-11-18 施拉德尔电子学有限公司 使用emf波的传播的燃料成分传感系统和方法
NL1033148C2 (nl) * 2006-12-29 2008-07-01 Univ Delft Tech Elektrische meetinrichting, werkwijze en computer programma product.
US7659731B2 (en) * 2007-02-15 2010-02-09 Delphi Technologies, Inc. Liquid properties sensor circuit
EP2150807B1 (de) 2007-05-31 2014-07-02 Endress+Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH+Co. KG Induktiver leitfähigkeitssensor
JP5224752B2 (ja) * 2007-09-03 2013-07-03 株式会社東京精密 研磨完了時点の予測方法とその装置
US7821257B2 (en) * 2007-09-03 2010-10-26 Tokyo Seimitsu Co., Ltd Method and device for forecasting/detecting polishing end point and method and device for monitoring real-time film thickness
US7911205B2 (en) 2007-09-25 2011-03-22 General Electric Company Electromagnetic resonance frequency inspection systems and methods
DE102007054858A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-20 Continental Automotive France Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Kraftstoffanteils in einem Motoröl eines Kraftfahrzeugs
JP2012531585A (ja) * 2009-06-26 2012-12-10 シュレイダー エレクトロニクス リミテッド Emf波伝播を利用した液体の水位および品質の感知装置システムおよび方法
CN102575998B (zh) 2009-09-22 2016-03-30 Adem有限公司 用于测量固体和液体对象构成的阻抗传感系统及方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2583724A (en) * 1948-05-08 1952-01-29 Socony Vacuum Oil Co Inc Magnetic flowmeter
GB1471480A (en) * 1973-07-23 1977-04-27 Inst Elektroswarki Patona Contactless inductance interface pickup
SU903795A1 (ru) * 1980-01-04 1982-02-07 Предприятие П/Я Р-6303 Устройство дл очистки электрографических пластин
SU960616A1 (ru) * 1981-01-04 1982-09-23 Предприятие П/Я А-3869 Вихретоковый резонансный преобразователь
US6511851B1 (en) * 1997-04-16 2003-01-28 Kaiku Limited Identifying changes in composition of liquids
US6448795B1 (en) * 1999-02-12 2002-09-10 Alexei Ermakov Three coil apparatus for inductive measurements of conductance

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2781536C2 (ru) * 2018-08-06 2022-10-13 Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн Устройство вихретоковой дефектоскопии и способ вихретоковой дефектоскопии
US11598750B2 (en) 2018-08-06 2023-03-07 Toshiba Energy Systems & Solutions Corporation Eddy current flaw detection device and eddy current flaw detection method

Also Published As

Publication number Publication date
AU2010298385A1 (en) 2012-04-12
US20110068807A1 (en) 2011-03-24
KR20120074295A (ko) 2012-07-05
EP2480878B1 (en) 2019-04-17
US8547110B2 (en) 2013-10-01
CA2775144C (en) 2018-07-17
CA2775144A1 (en) 2011-03-31
JP2013512414A (ja) 2013-04-11
CN102575998B (zh) 2016-03-30
JP5666597B2 (ja) 2015-02-12
RU2012116010A (ru) 2013-10-27
EP2480878A1 (en) 2012-08-01
IL218707A0 (en) 2012-05-31
CN102575998A (zh) 2012-07-11
NZ598827A (en) 2014-03-28
WO2011038003A1 (en) 2011-03-31
KR101526039B1 (ko) 2015-06-04
AU2010298385B2 (en) 2014-03-27
IL218707A (en) 2016-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2629901C2 (ru) Системы и способы измерения импеданса для определения компонентов твердых и текучих объектов
US9097639B2 (en) Systems for analysis of fluids
JP2013512414A5 (ru)
US9816945B2 (en) System and method for determining properties of liquids
US5514337A (en) Chemical sensor using eddy current or resonant electromagnetic circuit detection
US9176000B2 (en) System for measurement of fluid levels in multi-phase fluids
EP2939185A1 (en) Methods for analysis of fluids using resonant sensors
WO2007053129A1 (en) Eddy-current method and system for contactlessly determining resistance
Lu et al. A high-frequency phase feature for the measurement of magnetic permeability using eddy current sensor
US6448795B1 (en) Three coil apparatus for inductive measurements of conductance
EP2062178A2 (en) A non-destructive on-line method for measuring predetermined physical, electrochemical, chemical or biological state transformation of a substance and a system thereof
Shi et al. Comprehensive detection method for multi-contaminants in hydraulic oil based on inductance-resistance-capacitance analysis
WO2011149413A1 (en) Coil comprising a winding comprising a multi-axial cable
Liu et al. RLC parameters measurement and fusion for high-sensitivity inductive sensors
Hofmann et al. Transponder-based sensor for monitoring electrical properties of biological cell solutions
US20090129982A1 (en) Method and Apparatus for On-Line Measurement of a Chemical Characteristic of a Chemical Process
CN106053544A (zh) 感应式工业型管道内复电导率在线检测装置和方法
Chen et al. Pulsed eddy current testing for gap measurement of metal casing
Wu et al. A simplified model for non-destructive thickness measurement immune to the lift-off effect
Tashiro et al. Experimental confirmation of cylindrical electromagnetic sensor design for liquid detection application
Petrovich et al. Method for determining bond energy in nanostructured water
Gutsul et al. Electrodeless investigation of conductivity of liquid in capillaries with due regard for skin effect
RU2710526C2 (ru) Система с зондом кельвина с вращающейся внешней поверхностью зонда
UA54354C2 (en) Method for testing powder materials by eddy currents

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20160930

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20161227