RU2578718C2 - Водные щелочные очищающие композиции и способы их применения - Google Patents
Водные щелочные очищающие композиции и способы их применения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2578718C2 RU2578718C2 RU2013106936/04A RU2013106936A RU2578718C2 RU 2578718 C2 RU2578718 C2 RU 2578718C2 RU 2013106936/04 A RU2013106936/04 A RU 2013106936/04A RU 2013106936 A RU2013106936 A RU 2013106936A RU 2578718 C2 RU2578718 C2 RU 2578718C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group
- aqueous alkaline
- residues
- cleaning
- optical
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 15
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-3-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(=O)NC(CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 48
- -1 acetylene alcohols Chemical class 0.000 claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 11
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 claims description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- ZAXCZCOUDLENMH-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCCNCCCN ZAXCZCOUDLENMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N lacidipine Chemical compound CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OCC)C1C1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)OC(C)(C)C GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 33
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 20
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Substances [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N monoethanolamine hydrochloride Natural products NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 6
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 3
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(O)C=CC=C1O AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- CDOWNLMZVKJRSC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyterephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(O)=C1 CDOWNLMZVKJRSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004201 L-cysteine Substances 0.000 description 2
- 235000013878 L-cysteine Nutrition 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000005213 alkyl heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001370 alpha-amino acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 235000008206 alpha-amino acids Nutrition 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004367 cycloalkylaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N pinane Chemical compound CC1CCC2C(C)(C)C1C2 XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- NIQIPYGXPZUDDP-UHFFFAOYSA-N 3-aminocyclohexan-1-ol Chemical compound NC1CCCC(O)C1 NIQIPYGXPZUDDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNUOZFHYBCRUOD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxyphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1C(O)=O MNUOZFHYBCRUOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMLXLGZJLAOKJN-UHFFFAOYSA-N 4-aminocyclohexan-1-ol Chemical compound NC1CCC(O)CC1 IMLXLGZJLAOKJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWRVRCAFWBBXTL-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1C(O)=O MWRVRCAFWBBXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- FFFHZYDWPBMWHY-VKHMYHEASA-N L-homocysteine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCS FFFHZYDWPBMWHY-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 240000006240 Linum usitatissimum Species 0.000 description 1
- 235000004431 Linum usitatissimum Nutrition 0.000 description 1
- MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N N,N-diethyl-m-toluamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005119 alkyl cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005215 cycloalkylheteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 229960001673 diethyltoluamide Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC([O-])=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MPVXINJRXRIDDB-VCDGYCQFSA-N dodecanoic acid;(2r,3r,4r,5s)-hexane-1,2,3,4,5,6-hexol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO.CCCCCCCCCCCC(O)=O MPVXINJRXRIDDB-VCDGYCQFSA-N 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGBBUURBHXLGFM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-amine Chemical compound CCCCC(C)N WGBBUURBHXLGFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 229940070765 laurate Drugs 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003020 moisturizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- UNQNIRQQBJCMQR-UHFFFAOYSA-N phosphorine Chemical compound C1=CC=PC=C1 UNQNIRQQBJCMQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229930006728 pinane Natural products 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004905 tetrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/349—Organic compounds containing sulfur additionally containing nitrogen atoms, e.g. nitro, nitroso, amino, imino, nitrilo, nitrile groups containing compounds or their derivatives or thio urea
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/667—Neutral esters, e.g. sorbitan esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/72—Ethers of polyoxyalkylene glycols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/06—Phosphates, including polyphosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2068—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
- C11D3/2086—Hydroxy carboxylic acids-salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/378—(Co)polymerised monomers containing sulfur, e.g. sulfonate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/34—Derivatives of acids of phosphorus
- C11D1/345—Phosphates or phosphites
-
- C11D2111/12—
-
- C11D2111/20—
-
- C11D2111/22—
-
- C11D2111/44—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1208—Pretreatment of the circuit board, e.g. modifying wetting properties; Patterning by using affinity patterns
Abstract
Настоящее изобретение относится к водной щелочной очищающей композиции, свободной от органических растворителей и силикатов, свободных от ионов металлов, причем указанная композиция содержит: (A) от 0,1 до 20 мас. % L-цистеина, (B) от 0,1 до 20 мас. % по меньшей мере одного гидроксид четвертичного аммония, (C) от 0,05 до 15 мас. % по меньшей мере одного хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента, выбранного из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы, (D) от 0,001 до 5 мас. % по меньшей мере одного неионного поверхностно-активного вещества, выбранного из группы ацетиленовых спиртов, алкилоксилированных ацетиленовых спиртов и алкилоксилированных сложных моноэфиров сорбита и одноосновной карбоновой кислоты. Также настоящее изобретение относится к способу обработки подложек и к применению водной щелочной очищающей композиции для обработки подложек. Техническим результатом настоящего изобретения является создание композиции, которая наиболее эффективно удаляет все виды остатков и загрязнений, образованных в ходе подготовки поверхности подложки, осаждения, нанесения гальванического покрытия, травления и химико-механической полировки. 3 н. 9 з.п. ф-лы, 8 пр., 1 табл.
Description
Область изобретения
Настоящее изобретение относится к новым водным щелочным очищающим композициям для обработки подложек, используемых для изготовления электрических и оптических устройств, в частности электрических устройств, включающим композиции, используемые для подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и очистки после химико-механической полировки.
Кроме того, настоящее изобретение относится к новым способам обработки подложек, используемых для изготовления электрических и оптических устройств, в особенности электрических устройств, включая новые способы подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и очистки после химической полировки, причем в этих новых способах применяются новые водные щелочные очищающие композиции.
Цитируемые документы
Документы, цитируемые в настоящей заявке, включены в полном объеме посредством ссылки.
Уровень техники
Для изготовления электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микромеханизмов; ДНК чипов; микроустановок и магнитных головок; предпочтительно ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков; требуются способы высокой точности, которые включают, среди прочего, стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очистки после химической полировки с использованием композиций для высокой степени очистки.
Особая забота должна быть предпринята при изготовлении ИС с БИС или СБИС. Полупроводниковые пластины, используемые для этой цели, включают полупроводниковую подложку, такую как кремний, в которой обозначены области для осаждения различных материалов, имеющих свойства электроизоляторов, проводников или полупроводников.
Для достижения правильного отпечатывания избыточный материал, используемый при формировании различных слоев на подложках, должен быть удален. Далее, чтобы изготовить функциональные и надежные ИС, важно иметь ровные или плоские поверхности полупроводниковых пластин. Таким образом, необходимо удалять и/или полировать некоторые поверхности полупроводниковых пластин в ходе изготовления ИС перед выполнением следующих стадий процесса.
Химико-механическое полирование или планаризация (ХМП) представляет собой процесс, в котором материал удаляют с поверхности подложки, как, например, поверхности полупроводниковой пластины, и эту поверхность полируют (делают плоской) сочетанием физического процесса, такого как истирание, с химическим процессом, таким как окисление или хелатообразование. В его наиболее рудиментарной форме ХМП включает нанесение взвеси, то есть суспензии абразива и активного химиката, на полирующую подушку, которая полирует поверхность полупроводниковой пластины, чтобы достичь удаления, планаризации и полировки. Нежелательно для удаления или полировки включать только физическое или только химическое действие, но скорее желательно синергическое сочетание обоих, чтобы достигать быстрого равномерного удаления. При изготовлении ИС взвесь ХМП также должна быть способна преимущественно удалять пленки, которые содержат сложные слои из металлов и других материалов так, чтобы могли быть произведены высоко плоские поверхности для последующих фотолитографии, копирования, травления и тонкопленочной обработки.
В настоящее время в ИС для внутренних связей металла все более и более используют медь. При узорной инкрустации меди или процессе двойной узорной инкрустации, обычно используемой для металлизации электрической схемы при изготовлении полупроводников, слои, которые должны быть удалены и сделаны плоскими, включают медные слои, имеющие толщину около 1-1,5 мкм, и слои медной затравки, имеющие толщину около 0,05-0,15 мкм. Эти медные слои отделяют от диэлектрического материала с низким k и очень низким k слоем барьерного материала, обычно толщиной около от 5 до 30 нм, который предотвращает диффузию меди в диэлектрический материал с низким k или очень низким k. Ключ к получению хорошей однородности по толщине поверхности пластины после полировки состоит в использовании взвеси ХМП, которая имеет правильные селективности удаления для каждого материала.
Предшествующие операции обработки, включающие подготовку поверхности, осаждение, нанесение гальванического покрытия, травление и химико-механическую полировку подложки пластины различным образом, требуют операций очистки, чтобы гарантировать, что ИС не содержат загрязнений, которые в ином случае вредно воздействовали бы на функцию ИС или даже делали бы их бесполезными для предназначенных им функций.
Одну особенно серьезную проблему представляют собой остатки, которые остаются на подложках после ХМП обработки. Такие остатки включают материал ХМП и соединения, ингибирующие коррозию, такие как бензотриазол (БТА). Таким образом, концентрация ионов меди может превышать максимальную растворимость комплексов ингибиторов меди в ходе ХМП. Следовательно, комплексы ингибиторов меди могут осаждаться из раствора и могут коагулировать в остаток на поверхности. Кроме того, эти остатки могут прилипать к поверхности полирующей подушки и накапливаются, в конечном счете, до заполнения канавок в полирующей подушке. Дополнительно, абразивные частицы и химикаты, содержащиеся во взвесях для ХМП, а также побочные продукты реакции могут оставаться после на поверхности пластины. Кроме того, полировка структур медной узорной инкрустации, содержащих диэлектрические материалы с очень низким k, такие как оксиды, легированные углеродом, или органические пленки, может производить обогащенные углеродом частицы, которые осаждаются на поверхности пластины. Конечно, все эти остатки также могут загрязнять инструментальные средства обработки, используемые в этом процессе, которые входят в контакт со взвесями ХМП. Чтобы изготовлять материалы хуже этих диэлектрических материалов с очень низким k, а также карбид кремния, нитрид кремния или оксинитрид кремния, останавливающие ХМП слои являются очень гидрофобными и, следовательно, их трудно чистить чистящими растворами на основе воды.
Все эти остатки могут вызывать серьезную шероховатость медной металлизации, которую нужно избегать, так как она вызывает слабые электрические характеристики.
Другой процесс, производящий остатки, общий для производства ИС, включает плазменное травление в газовой фазе, чтобы переносить конфигурации разработанных фоторезисторных покрытий на подстилающие слои, которые могут состоять из твердого временного защитного покрытия, межуровневого диэлектрика и слоев, останавливающих травление. Остатки после плазменного травления в газовой фазе, которые могут включать химические элементы, присутствующие на подложке и в ней и в газах плазмы, обычно осаждаются на структурах выводящих устройств (ВУ), и, если их не удаляют, они могут мешать последующему нанесению кремния и формированию контактов.
Чтобы решать эти проблемы до, по меньшей мере, некоторой степени, были разработаны и описаны в уровне техники водные щелочные композиции для очистки и снятия покрытия, содержащие гидроксиды четверичного аммония.
Таким образом, патент США 6465403 В1 раскрывает водные щелочные композиции для снятия покрытия или очистки подложек полупроводниковых пластин, которые содержат
- основания, такие как гидроксид четверичного аммония,
- силикаты, свободные от ионов металлов, такие как силикаты четверичного аммония, и
- металлхелатирующие агенты
в качестве обязательных ингредиентов.
Эти композиции могут, кроме того, содержать
- органические растворители, и
- неионные, анионные, катионные и амфотерные поверхностно-активные вещества.
Эти неионные поверхностно-активные вещества могут быть выбраны из группы, состоящей из ацетиленовых спиртов, этоксилированных ацетиленовых спиртов, фторированных сложных алкиловых эфиров, фторированных полиоксиэтиленовых спиртов, сложных эфиров алифатических кислот и многоатомных спиртов, простых моноалкильных эфиров полиоксиэтиленов, полиоксиэтиленовых диолов, полиоксиэтиленовых сложных эфиров, поверхностно-активных веществ силоксанового типа и простых моноалкиловых эфиров алкиленгликолей.
В частности, пример 29, с колонки 47, строка 10 до колонки 49, строка 8, в сочетании с таблицей 28 раскрывает раствор S8, который состоит из
- деионизированной воды,
- силиката тетраметиламмония,
- гидроксида тетраметиламмония,
- транс-(1,2-циклогексиленнитрил)-тетрауксусной кислоты, и
- цистеина в качестве потенциального усиливающего агента удаления титана.
Однако результаты испытаний, представленные в таблице 28, показывают, что цистеин не оказывает никакого положительного эффекта.
Заявка на патент США 2005/0181961 А1 и патент США 7435712 В2 раскрывают водные щелочные очищающие композиции ХМП, содержащие
- чистящие агенты, такие как гидроксид тетраалкиламмония,
- комплексообразующие агенты, такие как цистеин или этилендиамин, и
- ингибирующие коррозию соединения, такие как цистеин,
в качестве обязательных ингредиентов. Эти композиции могут, кроме того, содержать неионные, анионные, катионные или амфотерные поверхностно-активные вещества или их смеси. Однако эти поверхностно-активные вещества не определены точнее.
Заявка на патент США 2006/0166847 А1, страница 5, абзацы 0082 и 0083 раскрывает водную щелочную очищающую композицию К, содержащую, среди прочего,
- этаноламин,
- гидроксид тетраметиламмония и
- цистеин;
и водную очищающую композицию М, содержащую, среди прочего,
- этаноламин,
- гидроксид тетраметиламмония и
- этилендиамин.
Однако, как может быть взято со страницы 8, таблицы 1 в сочетании с абзацем 0161, обе композиции демонстрируют только слабую эффективность очистки. Кроме того, согласно странице 12, пример 13, абзац 0198 в сочетании с фигурой 9, указанные водные щелочные очищающие композиции также вызывают высокую шероховатость обработанных медных поверхностей.
Водные щелочные композиции для очистки или снятия покрытия по предшествующей технологии восприимчивы к разложению, когда их подвергают действию кислорода, что, в свою очередь, приводит к почернению композиций, так что в итоге сенсоры, связанные с инструментами процесса изготовления, дают ошибочные результаты, которые могут компрометировать функцию и надежность инструмента. Кроме того, такое разложение включает потерю мощности очистки и/или снятия покрытия. Она может становиться настолько обширной в случае длительного действия кислорода, что композиция для очистки или снятия покрытия больше не имеет значительной эффективности.
Предшествующая технология, обсужденная выше, не предлагает никаких указаний относительно того, как эти проблемы могут быть решены. В частности, кажется, что ингредиенты, такие как цистеин или этилендиамин, в лучшем случае не предлагают никаких преимуществ, если они в целом невыгодны, как демонстрируется международной заявкой на патент WO 2006/081406 А1 или заявкой на патент США 2006/0166847 А1, описанными выше.
Что касается цистеина, известно в технологии, что это соединение легко окисляется (см., например, Shayne С.Gad, Handbook of Pharmaceutical Biotechnology, John Wiley and Sons, 2007 г., страница 328). Кроме того, следы тяжелых металлов, в особенности железа и меди, могут разлагать цистеин (см. Rompp Online 2009, "L-cystein"). Следовательно, можно было бы даже меньше ожидать, что водные щелочные очищающие композиции могли бы улучшать решение проблем, описанных выше.
Международная заявка на патент WO 2005/093031 А1 раскрывает улучшенные кислотные химикаты для очистки после ХМП. Кислотный очищающий раствор находится в интервале значений рН от нейтральных до низких и содержит очищающий агент, такой как цистеин или салициловая кислота, и ингибирующее коррозию соединение, такое как цистеин. Однако такие кислотные химикаты имеют тенденцию воздействовать на металлические поверхности в намного большей степени, в особенности в присутствии комплексообразующих агентов и кислорода. Следовательно, специалист не может получить ничего из этой международной заявки относительно того, как он мог бы увеличивать нежелательно низкую стабильность щелочных очищающих композиций, содержащих цистеин.
Предшествующая международная заявка на патент РСТ/ЕР2010/058422, зарегистрированная 16 июня 2010 г. и заявляющая приоритет предварительной заявки на патент США номер 61/221807, зарегистрированной 30 июня 2009 г., описывает водные щелочные очищающие композиции, содержащие
(A) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну первичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу,
(B) по меньшей мере один гидроксид четвертичного аммония,
(C) по меньшей мере один хелатирующий и/или ингибирующий коррозию агент, выбранный из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы, алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере одну гидроксильную группу, и ароматических соединений, имеющих по меньшей мере одну кислотную группу и, по меньшей мере, одну гидроксильную группу, и
(D) по меньшей мере один органический растворитель, имеющий увлажняющие свойства и точку плавления ниже 0°С
в качестве обязательных ингредиентов.
Эти композиции могут, кроме того, содержать функциональные добавки (Е), которые отличаются от основных компонентов (А), (В), (С) и (D) и которые могут быть выбраны из группы, состоящей из антикоррозийных добавок, оснований, усилителей удаления остатков титана, органических растворителей, спиртов, имеющих по меньшей мере одну меркаптогруппу, комплексообразующих или хелатирующих агентов, поверхностно-активных веществ и силикатов, свободных от ионов металлов, которые описаны в патентах США 6465403 В1, с колонки 7, строка 1 до колонки 8, строка 65; США 6200947 В1, колонка 2, строки с 29 по 40, США 6194366 В1, колонка 3, строки с 55 по 60, и США 6492308 В1, колонка 3, строки с 1 по 9, и заявке на патент США 2005/0181961 А1, страница 2, абзац 0019.
Задачи изобретения
Задачей настоящего изобретения является обеспечение новых водных щелочных очищающих композиций для обработки подложек, используемых для изготовления электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микромеханизмов; ДНК чипов, микроустройств и магнитных головок; более предпочтительно ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как смешанный оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков, изготовление которых требует способов высокой точности, включающих, среди прочего, стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очистки после ХМП с использованием композиций для высокой степени очистки.
В частности, новые водные щелочные очищающие композиции больше не должны демонстрировать недостатки композиций по предшествующей технологии, такие как слишком быстрое обесцвечивание, почернение и разложение при выдержке в атмосфере кислорода так, чтобы их можно было легко получать, хранить, транспортировать, обрабатывать и использовать даже после сравнительно долгого хранения без потери эффективности очистки и/или снятия покрытия и без того, чтобы вызывать ошибочные результаты сенсоров, связанных с инструментами процесса изготовления, которые могут компрометировать функцию и надежность этих инструментов.
Новые водные щелочные очищающие композиции должны особенно хорошо подходить для проведения указанных выше стадий очистки, в частности очистки после ХМП полупроводниковых пластин в ходе изготовления ИС с БИС или СБИС, в особенности через узорную инкрустацию меди или процесс двойной инкрустации.
Новые водные щелочные очищающие композиции должны удалять наиболее эффективно все виды остатков и загрязнений, образованных в ходе подготовки поверхности подложки, осаждения, нанесения гальванического покрытия, травления и ХМП, чтобы гарантировать, что подложки, в особенности ИС, не содержат остатков и загрязнений, которые, в ином случае, вредно воздействовали бы на функции электрических и оптических устройств, в особенности ИС, или делали бы их даже бесполезными для предназначенных им функций. В частности, они должны предотвращать придание шероховатости медной металлизации в структурах узорной инкрустации.
Кроме того, новые водные щелочные очищающие композиции должны удалять наиболее эффективно такие остатки и загрязнения не только с подложек, но также и со средств изготовления, которые применяются в различных процессах.
Другой задачей настоящего изобретения является обеспечение новых способов обработки подложек, используемых для изготовления электрических устройств, в частности, полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микромеханизмов; чипов ДНК; микроустройств и магнитных головок; более предпочтительно ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как смешанный оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков, причем в этих новых способах применяются новые водные щелочные очищающие композиции.
В частности, новые способы изготовления электрических и оптических устройств, в особенности электрических устройств, должны включать стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очистки после ХМП, более существенно, стадии очистки после травления и/или после ХМП и, наиболее существенно, стадии очистки после ХМП с использованием новых водных щелочных очищающих композиций.
Эти новые способы изготовления электрических устройств должны особенно хорошо подходить для изготовления ИС с БИС или СБИС, особенно с помощью узорной инкрустации меди и процесса двойной инкрустации. Относительно узорной инкрустации и процесса двойной инкрустации, эти новые способы должны удалять загрязнения и остатки, такие как частицы, состоящие из меди, оксида меди, комплексов с медным ингибитором, или содержащие их абразивы и углерод после стадии ХМП с поверхностей подложек, полировочных подушек и других инструментальных средств обработки, наиболее эффективно без царапания, травления и придания шероховатости медным поверхностям.
Краткое содержание изобретения
Соответственно, были обнаружены новые водные щелочные очищающие композиции, не содержащие органических растворителей и силикатов без ионов металлов, причем указанные композиции содержат
(A) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну первичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу,
(B) по меньшей мере один гидроксид четверичного аммония,
(C) по меньшей мере один хелатирующий и/или ингибирующий коррозию агент, выбранный из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы, и алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере одну гидроксильную группу,
(D) по меньшей мере одно неионное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы ацетиленовых спиртов, алкилоксилированных ацетиленовых спиртов и сложных моноэфиров алкилоксилированного сорбита и одноосновной карбоновой кислоты.
В дальнейшем на новые водные щелочные очищающие композиции ссылаются как на "композиции по изобретению".
Кроме того, были обнаружены новые способы обработки подложек, используемых для изготовления электрических и оптических устройств, причем указанные способы используют по меньшей мере одну композицию по изобретения в по меньшей мере одной стадии процесса.
В дальнейшем на эти новые способы обработки подложек, используемых для изготовления электрических и оптических устройств, ссылаются как на "способы по изобретению".
Последнее, но не менее важное, было обнаружено новое применение композиции по изобретению для обработки подложек, применяемых для изготовления электрических и оптических устройств.
Преимущества настоящего изобретения
С точки зрения предшествующей технологии, описанной выше, было неожиданно обнаружено и не могло ожидаться специалистом, что задачи, лежащие в основе настоящего изобретения, могли быть решены с помощью композиций и способов по изобретению.
Было особенно неожиданно, что композиции по изобретению превосходно подходили для обработки подложек, используемых для изготовления электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микро-механизмов; чипов ДНК; микроустройств и магнитных головок; более предпочтительно, ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как смешанный оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков.
Было еще более неожиданно, что композиции по изобретению наиболее превосходно подходили для высокоточных способов изготовления, включающих, среди прочего, стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очистки после ХМП.
Композиции по изобретению не демонстрировали недостатки композиций по предшествующей технологии, такие как слишком быстрое обесцвечивание, почернение и разложение при выдержке в кислороде так, чтобы их можно было легко получать, хранить, транспортировать, обрабатывать и использовать даже после сравнительно длительного хранения без потери мощности очистки и/или снятия покрытия и без того, чтобы вызывать ошибочные результаты сенсоров, связанные с инструментальными средствами изготовления, которые компрометировали бы функцию и надежность инструментальных средств обработки.
Композиции по изобретению наиболее хорошо подходили для проведения указанных выше стадий очистки, в частности очистки после ХМП полупроводниковых пластин и изготовления ИС с БИС или СБИС, в особенности узорной инкрустацией меди или процессом двойной инкрустации.
Композиции по изобретению удаляли наиболее эффективно все виды остатков и загрязнений, произведенных в ходе подготовки поверхности подложки, осаждения, нанесения гальванического покрытия, травления и ХМП и гарантировали, что эти подложки, в особенности ИС, не содержали остатков и загрязнений, которые в ином случае вредно воздействовали бы на функции электрических и оптических устройств, в особенности ИС, или делали бы их даже бесполезными для предназначенных им функций. В частности, они предотвращали царапание, травление и придание шероховатости медной металлизации в структурах узорной инкрустации.
Кроме того, композиции по изобретению удаляли такие остатки и загрязнения наиболее эффективно не только с подложек, но также и с инструментальных средств обработки, используемых в различных процессах изготовления.
Наиболее неожиданным было то, что способы по изобретению наиболее превосходно подходили для изготовления электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микромеханизмов; чипов ДНК; микроустройств и магнитных головок; более предпочтительно, ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как смешанный оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков.
В частности, способы по изобретению наиболее превосходно подходили для изготовления электрических и оптических устройств, в частности электрических устройств, изготовление которых включало стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очисти после ХМП, более точно, стадии очистки после травления и/или после ХМП и, в особенности, стадии очистки после ХМП.
Способы по изобретению наиболее хорошо подходили для изготовления ИС с БИС или СБИС, особенно с помощью узорной инкрустации меди и процесса двойной инкрустации. Относительно инкрустации меди и процесса двойной инкрустации, способы по изобретению удаляли загрязнения и остатки, такие как частицы, содержащие медь, оксид меди, комплексы ингибиторов меди, или состоящие из них абразивы и углерод, после стадий ХМП с поверхностей подложек, подушек для полировки и других инструментальных средств обработки наиболее эффективно без царапания, травления и придания шероховатости медным поверхностям.
Подробное описание изобретения
В его самом широком объекте настоящее изобретение относится к композициям по изобретению.
Эти композиции по изобретению представляют собой водные щелочные очищающие композиции для обработки подложек, используемых для изготовления электрических и оптических устройств.
"Водные" означает, что композиции по изобретению содержат воду. Содержание воды может широко варьироваться от композиции к композиции.
"Щелочные" означает, что композиции по изобретения имеют pH в интервале от 8 до 14, предпочтительно от 9 до 13 и наиболее предпочтительно от 8,5 до 12,5.
Композиции по изобретению содержат в качестве первого существенного компонента по меньшей мере одну, предпочтительно одну тиоаминокислоту (А), имеющую по меньшей мере одну, предпочтительно одну первичную аминогруппу и по меньшей мере одну, предпочтительно одну меркаптогруппу. Тиоаминокислота (А) может быть синтетического или природного происхождения, предпочтительно аминокислотой природного происхождения. Более предпочтительно, тиоаминокислота (А) представляет собой альфа-аминокислоту. Еще более предпочтительно, меркаптогруппа тиоаминокислоты (А) находится в гамма-положении. Наиболее предпочтительно, тиоаминокислота (А) представляет собой альфа-аминокислоту, имеющую меркаптогруппу в гамма-положении.
Наиболее предпочтительно, тиоаминокислота (А) имеет общую формулу I:
В общей формуле I индекс n представляет собой целое число от 1 до 3, предпочтительно 1 или 2. Наиболее предпочтительно, n равно 1.
Остатки R и R общей формулы I выбраны независимо друг от друга из группы, состоящей из
- атомов водорода;
- прямых и разветвленных, насыщенных и ненасыщенных, предпочтительно насыщенных, замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных, алифатических остатков, имеющих от 1 до 10 атомов углерода, предпочтительно алкильных остатков, в особенности метила, этила, пропила, изопропила, н-бутила, изобутила, вторичного бутила, трет-бутила, пентила, 1-метилбутила, 2-метилбутила, 3-метилбутила, 1-этилпропила, 1,2 диметилпропила, 2,2 диметилпропила, гексила, гептила, октила, изооктила, нонила или децила;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных, насыщенных и ненасыщенных, предпочтительно насыщенных, циклоалкильных остатков, имеющих от 3 до 8 атомов углерода, в частности циклопропила, циклобутила, циклопентила, циклогексила, циклогептила, циклооктила, и остатков, производных от бицикло[2.2.1]циклогептана или норкарана;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных, насыщенных и ненасыщенных, предпочтительно насыщенных алкилциклоалкильных остатков, где алкильная группа имеет от 1 до 4 атомов углерода, а циклоалкильная группа имеет от 3 до 8 атомов углерода, в особенности остатков, производных от метил-, этил-, пропил-, изопропил- или бутилзамещенных циклопропана, циклобутана или циклогексана, пинана или борнана, причем алкилциклоалкильные остатки могут быть связаны с базовой структурой тиоаминокислоты (А) общей формулы I через атом углерода алкильной группы или через атом углерода циклоалкильной группы;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных, арильных остатков, имеющих от 6 до 16 атомов углерода, в особенности фенила или нафтила, или остатков, производных от антрацена или фенантрена;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных алкиларильных остатков, где алкильная группа имеет от 1 до 4 атомов углерода, и арильная группа имеет от 6 до 16 атомов углерода, в особенности метил-, этил-, - пропил-, изопропил- или бутилзамещенный фенил или нафтил, или остатки, производные от метил-, этил-, пропил-, изопропил- или бутилзамещенного антрацена или фенантрена, причем алкиларильные остатки могут быть связаны с базовой структурой тиоаминокислоты (А) общей формулы I через атом углерода алкильной группы или через атом углерода арильной группы;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных циклоалкиларильных остатков, где циклоалкильная группа имеет от 3 до 8 атомов углерода, а арильная группа имеет от 6 до 16 атомов углерода, в частности циклопропил-, циклобутил-, циклопентил-, циклогексил-замещенный фенил, причем циклоалкиларильные остатки могут быть связаны с базовой структурой тиоаминокислоты (А) общей формулы I через атом углерода циклоалкильной группы или через атом углерода арильной группы;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных гетероарильных остатков, имеющих по меньшей мере один гетероатом, выбранный из группы, состоящей из атомов кислорода, серы, азота и фосфора, в особенности остатков, производных от фурана, ксантена, тиофена, пиррола, имидазола, триазолов, тетразола, пиридина, пиридазина, пиримидина, пиразина, триазинов, тетразинов, индола, хинолина, изохинолина, пурина или фосфинина;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных алкилгетероарильных остатков, где алкильная группа имеет от 1 до 4 атомов углерода, в особенности алкильных групп, описанных выше, и гетероарильная группа представляет собой группу, имеющую по меньшей мере один гетероатом, выбранный из группы, состоящей из атомов кислорода, серы, азота и фосфора, в особенности гетероарильных групп, которые описаны выше, причем алкилгетероарильные остатки могут быть связаны с базовой структурой тиоаминокислоты (А) через атом углерода алкильной группы или через атом углерода гетероарильной группы;
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных циклоалкилгетероарильных остатков, где циклоалкильная группа имеет от 3 до 8 атомов углерода, в особенности циклоалкильных групп, которые описаны выше, и гетероарильная группа имеет по меньшей мере один гетероатом, выбранный из группы, состоящей из атомов кислорода, серы, азота и фосфора, в особенности гетероарильных групп, которые описаны здесь прежде; и
- замещенных и незамещенных, предпочтительно незамещенных арилгетероарильных остатков, где арильная группа имеет от 6 до 16 атомов углерода, в особенности арильных групп, которые описаны выше, и гетероарильная группа имеет по меньшей мере один гетероатом, выбранный из группы, состоящей из атомов кислорода, серы, азота и фосфора, в особенности гетероарильных групп, которые описаны здесь прежде.
В ином случае остатки R1 и R2 вместе формируют насыщенное или ненасыщенное, предпочтительно насыщенное, замещенное или незамещенное, предпочтительно незамещенное, кольцо, имеющее от 3 до 6 атомов углерода, где ни один атом углерода либо 1 или 2 атома углерода является или являются замещенным (-и) одним гетероатомом, выбранным из группы, состоящей из атомов кислорода, серы, азота и фосфора.
Остаток R3 общей формулы I представляет собой одиночный остаток R1 или R2 либо ковалентную связь или двухвалентную группу, связывающую атом углерода, несущий аминогруппу и карбоксильную группу, с одним из остатков R1 или R2 либо с кольцом, формируемым остатками R1 и R2. Эта двухвалентная связывающая группа является стабильной в присутствии соли четвертичного аммониевого основания (В), что означает, что она не гидролизуется или гидролизуется только очень медленно до очень малой степени так, что концентрация продуктов гидролиза настолько низка, что они не мешают функции композиций по изобретению.
Предпочтительно двухвалентная связующая группа выбрана из группы, состоящей из:
-О-, -С(О)-, -C(S)-, -С(O)- O -, - O -С(O)-O-, -O-C(S)-O-;
-NR1-, =N-, -N=N-, -NR1-C(O)-, -NR1-NR1-C(O)-, -NR1-NR1-C(S)-, -O-C(O)-NR1-,
-O-C(S)-NR1-, -NR1-C(O)-NR1-, -NR1-C(S)-NR1-;
-S-, -S(O)-, -S(O)2-, -O-S(O)2-, и -NR1-S(O)2-,
где остаток R1 имеет описанные выше значения.
В общем, замещенные остатки R1, R2 и R3, описанные выше, могут содержать любые заместители, пока заместители являются стабильными в присутствии гидроксида четверичного аммония (В), что означает, что они не гидролизуются или гидролизуются только очень медленно до очень малой степени и не вызывают никаких нежелательных реакций, которые могли бы приводить к разложению и/или агломерации и/или формированию осадков в композициях по изобретению или их самих. Предпочтительно эти заместители выбраны из группы, состоящей из:
-OR1, -C(O)-R1, -COOR1, -SO3R1, -P(O)2R1, -N(-R1)2, -NR1-C(O)(-R1)2;
-F, -Cl, -CN и -NO2;
где остаток R1 имеет описанные выше значения.
Дополнительные примеры для тиоаминокислот (А) общей формулы I известны из международной заявки на патент WO 02/22568, со страницы 13, строка 9, до страницы 16, строка 12.
Тиоаминокислоты (А) общей формулы I могут быть рацемическими или энантиомерными смесями, которые могут быть эквимолярными или не эквимолярными, или одной из соответствующих энантиомеров или диастереомеров.
Более предпочтительно, по меньшей мере один из остатков R, R и R, описанных выше, представляет собой атом водорода. Еще более предпочтительно все остатки R1, R2 и R3 представляет собой атомы водорода.
Следовательно, наиболее предпочтительно тиоаминокислота (А) выбрана из цистеина и гомоцистеина, в частности цистеина, в особенности L-цистеина.
Композиции по изобретению содержат в качестве второго существенного компонента по меньшей мере один предпочтительно, один гидроксид четверичного аммония (В). Более предпочтительно, гидроксид четверичного аммония (В) имеет общую формулу II:
В общей формуле II остаток R1 представляет собой имеющий указанное выше значение, кроме атома водорода, в то время как все остатки R1 являются одинаковыми, или по меньшей мере два остатка R1 отличаются друг от друга и все остатки R1 представляют собой одиночные остатки или по меньшей мере два остатка R1 формируют насыщенное или ненасыщенное, замещенное или незамещенное кольцо, имеющее от 3 до 6 атомов углерода, где ни один атом углерода либо 1 или 2 атома углерода замещены одним гетероатомом, выбранным из группы атомов кислорода, серы, азота и фосфора.
Более предпочтительно, остаток R1 общей формулы II выбран из группы, состоящей из прямых и разветвленных, замещенных и незамещенных, насыщенных алифатических остатков, имеющих от 1 до 10, в особенности, от 1 до 4 атомов углерода.
В случае, когда гидроксид четверичного аммония (В) общей формулы II содержит только остатки R1, которые являются незамещенными и насыщенными, все остатки R1 являются предпочтительно одинаковыми.
В случае, когда гидроксид четверичного аммония (В) общей формулы II содержит остатки R1, которые являются замещенными и насыщенными, предпочтительно, что только один из остатков R1 является замещенным.
Особенно предпочтительно, гидроксид четверичного аммония (Б) общей формулы II содержит группы метила, этила, пропила, изопропила, н-бутила, втор-бутила, изобутила, трет-бутила, н-пентила, 2-гидроксиэтила, 2- и 3-гидроксипропила и/или 4-гидрокси-н-бутила, в особенности, группы метила и/или 2-гидроксиэтила.
Наиболее предпочтительно, используют гидроксид тетраметиламмония (ТМАН) и/или холин, особенно ТМАН.
Композиции по изобретению содержат в качестве третьего существенного компонента по меньшей мере один хелатирующий и/или ингибирующий коррозию агент (С), выбранный из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две, предпочтительно две первичных аминогруппы, и алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере одну, предпочтительно одну гидроксильную группу.
Предпочтительно, алифатический амин (С), имеющий по меньшей мере две первичные аминогруппы, выбран из группы, состоящей из этилендиамина, пропилендиамина, н-бутилендиамина, диэтилентриамина, дипропилентриамина, ди-н-бутилентриамина, триэтилентетрамина, трипропилентетрамина, и три-н-бутилентетрамина, более предпочтительно этилендиамина и диэтилентриамина, наиболее предпочтительно этилендиамина или диэтилентриамина.
Предпочтительно, циклоалифатический амин (С) выбран из группы, состоящей из 1,2-, 1,3-и 1,4-диаминоциклогексана;
Предпочтительно, алифатический амин (С), имеющий по меньшей мере одну гидроксильную группу, выбран из группы, состоящей из этаноламина, диэтаноламина и триэтаноламина, наиболее предпочтительно этаноламина.
Предпочтительно, циклоалифатический амин (С), имеющий по меньшей мере одну гидроксильную группу, выбран из группы, состоящей из 2-, 3- и 4-гидроксициклогексиламина.
Особенно предпочтительно, хелатирующий и/или ингибирующий коррозию агент (С) выбран из группы, состоящей из этилендиамина и диэтилентриамина.
Композиции по изобретению содержат в качестве четвертого существенного компонента по меньшей мере одно, предпочтительно одно неионное поверхностно-активное вещество (D), выбранное из группы
- ацетиленовых спиртов, предпочтительно ацетиленовых моноспиртов и диолов;
- алкилоксилированных, предпочтительно этоксилированных ацетиленовых спиртов, предпочтительно ацетиленовых моноспиртов и диолов; и
- алкилоксилированных, предпочтительно этоксилированных сложных моноэфиров сорбита и одноосновной карбоновой кислоты, предпочтительно сложных моноэфиров жирных кислот.
Наиболее предпочтительно, ацетиленовые моноспирты и диолы (D) и их этоксилированные производные (D) выбраны из группы, состоящей из 3,5-диметил-1-гексин-3-ола, 2,4,7,9-тетраметил-5-децин-4,7-диола и 2,5,8,11-тетраметил-6-додецин-5,8-диола и их этоксилированных производных.
Более предпочтительно, этоксилированные сложные моноэфиры сорбита и жирной кислоты (D) выбраны из группы, состоящей из этоксилированных сложных моноэфиров сорбита и жирных кислот, имеющих от 20 до 100, наиболее предпочтительно от 20 до 80 этоксигрупп в молекуле. Более предпочтительно, остатки жирной кислоты выбраны из группы, состоящей из остатков жирной кислоты, имеющей от 10 до 20 атомов углерода. Наиболее предпочтительно, остатки жирной кислоты выбраны из группы, состоящей из лаурата, пальмитата, стеарата и олеата.
Возможно, композиции по изобретению могут содержать по меньшей мере одну функциональную добавку (Е), которая отличается от основных компонентов (А), (В), (С) и (D). Предпочтительно, функциональная добавка (Е) выбрана из группы, состоящей из ингибиторов коррозии, оснований, комплексообразующих или хелатирующих агентов, агентов, формирующих пленку, поверхностно-активных веществ и агентов, регулирующих рН.
Предпочтительно, комплексообразующие или хелатирующие, пленкообразующие и/или ингибирующие коррозию агенты (Е) выбраны из группы, состоящей из ароматических соединений, имеющих по меньшей мере одну, предпочтительно одну кислотную группу, в частности по меньшей мере одну, предпочтительно одну группу карбоновых кислот, и по меньшей мере одну, предпочтительно одну гидроксильную группу, и содержащих азот циклических соединений.
Более предпочтительно, ароматическое соединение (С), имеющее по меньшей мере одну, предпочтительно одну группу карбоновых кислот и по меньшей мере одну, предпочтительно одну гидроксильную группу, выбрано из группы, состоящей из салициловой кислоты, 3- и 4-гидроксифталевой кислоты, 2-гидрокситерефталевой кислоты, и 3-, 4-, 5- и 6-гидроксисалициловой кислоты, наиболее предпочтительно салициловой кислоты.
Более предпочтительно, содержащее азот циклическое соединение (Е) выбрано из группы, состоящей из имидазола, триазола, бензотриазола, бензимидазола и бензотиадиазола и их производных с гидроксильными, амино-, имино-, карбокси-, меркапто-, нитро- и алкильными заместителями, в частности 1,2,4-триазола.
Более предпочтительно, поверхностно-активные вещества (Е) выбраны из группы, состоящей из обычных и известных неионных и ионных, катионных и амфотерных поверхностно-активных веществ, которые описаны, например, в патенте США 6465403 В1, колонка 8, строки с 17 по 65.
Более предпочтительно, основание (Е) представляет собой аммиак.
Более предпочтительно, регулирующий рН агент (Е) выбран из группы алифатических карбоновых кислот, предпочтительно муравьиной кислоты, уксусной кислоты, пропионовой кислоты, молочной кислоты, винной кислоты и лимонной кислоты.
Композиции по изобретению могут содержать существенные компоненты (А), (В), (С) и (D) и, возможно, (Е) в широко варьирующихся количествах. Таким образом, композиции по изобретению могут быть высококонцентрированными растворами, которые содержат только малые количества воды.
Предпочтительно, композиции по изобретению представляет собой разбавленные или высокоразбавленные водные композиции, то есть, они содержат более 50 мас.%, более предпочтительно более 75 мас.% и наиболее предпочтительно более 90 мас.% воды, причем каждое процентное содержание по весу рассчитано относительно полного веса композиции по изобретению.
Концентрация тиоаминокислоты (А) в композиции по изобретению может варьироваться широко и, следовательно, может регулироваться, наиболее предпочтительно, по требованиям специфической композиции по изобретению и способа по изобретению. Предпочтительно, композиция по изобретению содержит, относительно полного веса композиции, от 0,1 до 20 мас.%, более предпочтительно от 0,1 до 15 мас.% и наиболее предпочтительно от 0,1 до 10 мас.% тиоаминокислоты (А).
Аналогично, концентрация гидроксида четверичного аммония (В) в композиции по изобретению может варьироваться широко и, следовательно, может регулироваться, наиболее предпочтительно, по требованиям специфической композиции по изобретению и способа по изобретению. Предпочтительно, композиция по изобретению содержит, относительно полного веса композиции, от 0,1 до 20 мас.%, более предпочтительно от 0,1 до 15 мас.% и наиболее предпочтительно от 0,1 до 10 мас.% гидроокиси четверичного аммония (В).
Кроме того, концентрация хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента (С) в композиции по изобретению может варьироваться широко и, следовательно, может регулироваться, наиболее предпочтительно, по требованиям специфической композиции по изобретению и способа по изобретению. Предпочтительно, композиция по изобретению содержит, относительно полного веса композиции, от 0,05 до 15 мас.%, более предпочтительно от 0,1 до 12,5 мас.% и наиболее предпочтительно от 0,1 до 10 мас.% хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента (С).
Также концентрация неионного поверхностно-активного вещества (D) в композиции по изобретению может варьироваться широко и, следовательно, может регулироваться, наиболее предпочтительно, по требованиям специфической композиции по изобретению и способа по изобретению. Предпочтительно, композиция по изобретению содержит, относительно полного веса композиции, от 0,001 до 5 мас.%, предпочтительно от 0,005 до 4 мас.% и наиболее предпочтительно в интервале от 0,01 до 3 мас.% неионного поверхностно-активного вещества (D).
Также концентрация, по меньшей мере, одной функциональной добавки (Е) может широко варьироваться и, следовательно, может регулироваться, наиболее предпочтительно, по требованиям композиции по изобретению и способа по изобретению. Наиболее предпочтительно, по меньшей мере, одну функциональную добавку (Е) используют в эффективных концентрациях, обычных и известных специалисту.
Композиции по изобретению могут быть получены обычными и стандартными процессами смешивания, и устройства смешивания, такие как сосуды с перемешиванием, смесители для растворения, мешалки с высоким усилием сдвига, ультразвуковые мешалки, гомогенизирующие форсунки или противоточные мешалки могут быть использованы для проведения смешивания компонентов композиций в желательных количествах.
Композиции по изобретению превосходно подходят для способов по изобретению.
Кроме того, композиции по изобретению также превосходно подходят для очистки всех видов инструментальных средств обработки, таких как полирующие подушки, сенсоры, форсунки, трубы и/или конструктивные детали используемого оборудования, причем эти инструментальные средства входят в контакт с другими жидкостями для обработки, используемыми в изготовлении электрических или оптических устройств.
Главная цель способов по изобретению, однако, состоит в обработке подложек, используемых для изготовления электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС); жидкокристаллических панелей; органических электролюминесцентных панелей; печатных плат; микромеханизмов; чипов ДНК; микроустановок и магнитных головок; предпочтительно ИС с интеграцией высокого уровня (БИС) или интеграцией сверхвысокого уровня (СБИС); а также оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотошаблоны, линзы и призмы; неорганических электропроводных пленок, таких как смешанный оксид индия и олова (ITO); оптических интегральных микросхем; оптических переключающих элементов; оптических волноводов; оптических монокристаллов, таких как торцы оптических волокон и сцинтилляторы; монокристаллов твердотельных лазеров; сапфировых подложек для синих лазерных светодиодов; полупроводниковых монокристаллов; и стеклянных подложек для магнитных дисков.
Существенно, что способы по изобретению используют по меньшей мере одну композицию по изобретению в по меньшей мере одной стадии процесса.
Предпочтительно, способы по изобретению включают стадии подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и/или очистки после ХМП, в особенности стадии очистки после ХМП.
Способы по изобретению особенно хорошо подходят для обработки подложек, используемых для изготовления ИС с БИС или СБИС, в особенности в выводящих устройствах (ВУ).
Способы по изобретению наиболее хорошо подходят для очистки после ХМП полупроводниковых пластин в изготовлении ИС с БИС или СБИС, в особенности узорной инкрустацией меди или процессом двойной инкрустации.
Как известно в технологии, типичное оборудование для ХМП состоит из вращающейся плиты, которая покрыта полирующей подушкой. Пластину устанавливают на носитель или держатель, причем ее верхняя сторона обращена вниз к полирующей подушке. Этот носитель закрепляет пластину в горизонтальном положении. Это специфическое расположение полирующего и зажимного приспособления также известно как дизайн жесткой плиты. Носитель может удерживать несущую подушку, которая находится между удерживающей поверхностью носителя и поверхностью пластины, которая не полируется. Эта подушка может функционировать как прокладка для пластины.
Ниже носителя также располагают плиту большего диаметра, обычно горизонтально, и устанавливают поверхность параллельно таковой у пластины, подлежащей полировке. Его полирующая подушка входит в контакт с поверхностью пластины в ходе процесса планаризации. В течение процесса ХМП по изобретению агент ХМП (А), в частности агент ХМП по изобретению, наносят на полирующую подушку в виде непрерывного потока или по каплям.
Как носитель, так и плиту заставляют вращаться вокруг их соответствующих валов, расположенных перпендикулярно носителю и этой плите. Вращающийся вал носителя может оставаться фиксированным в положении относительно вращающей плиты или может колебаться горизонтально относительно этой плиты. Направление вращения носителя обычно, хотя не обязательно, является таким же, как таковое плиты. Скорости вращения для носителя и плиты обычно, хотя не обязательно, устанавливают на различных величинах.
Обычно температуру плиты устанавливают при температурах между 10 и 70°С.
Для других деталей ссылка делается на международную заявку на патент WO 2004/063301 А1, в частности со страницы 16, абзац 0036 до страницы 18, абзац 0040, в сочетании с фиг.1.
После стадии ХМП поверхность полупроводниковой пластины вводят в контакт с композицией по изобретению в течение времени и при температуре, достаточных для очистки от нежелательные загрязнений и остатков на поверхности подложки. При необходимости подложки промывают, чтобы удалить композицию по изобретению и загрязнения и остатки, и сушат, чтобы удалить избыточные растворители или промывающие агенты.
Предпочтительно, в способах по изобретению применяется ванна или нанесение распылением, чтобы подвергать подложку воздействию этой композиции. Время очистки в ванне или распылением обычно составляет от одной минуты до 30 минут, предпочтительно, от 5 минут до 20 минут. Температуры очистки в ванне или распылением составляют обычно от 10°С до 90°С, предпочтительно, от 20°С до 50°С. Однако могут также быть использованы способы очистки мегазвуковые и ультразвуковые, предпочтительно мегазвуковые.
Если требуется, продолжительности промывки составляют обычно от 10 секунд до 5 минут при комнатной температуре, предпочтительно, от 30 секунд до 2 минут при комнатной температуре. Предпочтительно, для промывки подложек используют деионизированную воду.
Если требуется, сушка подложек может быть выполнена с использованием любого сочетания воздушного испарения, нагревания, центрифугирования или воздействия сжатого газа. Предпочтительная методика сушки состоит в центрифугировании под потоком фильтрованного инертного газа, такого как азот, за период времени, пока подложка не станет сухой.
Примеры
Примеры с 1 по 4
Получение водных щелочных очищающих композиций, содержащих L-цистеин.
Водные щелочные очищающие композиции примеров с 1 по 4 получали смешиванием их ингредиентов и гомогенизацией получаемых смесей. Таблица 1 суммирует эти композиции.
Таблица 1 | ||||||
Составы водных щелочных очищающих композиций (остальное: вода) | ||||||
Пример | ТМАНа)/ мас.% | ДЭТАb)/ мас.% | Цистеин / мас.% | Поверхностно-активное вещество | Формирующий пленку агентc) | Регулирующий pH агентf) |
1 | 10 | 7 | 8 | 0,2c) | 2 | 1,5 |
2 | 0,5 | 0,35 | 0,4 | 0,0 ld) | 0,1 | 0,07 |
3 | 10 | 7 | 8 | 0,2f) | 2 | 1,5 |
4 | 0,5 | 0,35 | 0,4 | 0,0 lf) | 0,1 | 0,07 |
a) гидроксид тетраметиламмония;
b) диэтилентриамин;
c) 3,5-диметил-1-гексин-3-ол;
d) лаурат полиоксиэтиленсорбита;
e) 1,2,4-триазол;
f) лимонная кислота.
Концентрированные композиции примеров 1 и 3 были стабильны при длительном хранении, когда воздух был исключен. Следовательно, они могли быть наиболее предпочтительно произведены, сохранены, обработаны и отправлены. Таким образом, возможно доставлять эти концентрированные композиции наиболее экономно заказчику, кто мог легко разбавлять их перед использованием.
Разбавленные композиции примеров 2 и 4 были аналогично стабильны даже после сравнительно длительной выдержке в кислороде и демонстрировали особенно высокую эффективность очистки только с очень малым изменением шероховатости поверхности в ходе очистки поверхностей меди.
Композиции, содержащие этилендиамин вместо диэтилентриамина, демонстрировали те же самые предпочтительные свойства и эффекты.
Примеры с 5 по 6
Оценки травления водными щелочными композициями примеров 2 и 4.
Композицию примера 2 использовали для примера 5, а композицию примера 4 использовали для примера 6.
Оценки травления измеряли методом Напсона (Napson) зондом с 4 точками и подтверждали методом атомно-силовой микроскопии (АСМ).
С этой целью образцы пластин химически осажденной меди (ХОМ) погружали в различные водные щелочные очищающие композиции при комнатной температуре в течение 1 часа (измерения зондом с 4 точками) или 1 минуты (измерения АСМ). После этого пластины ХОМ вынимали из композиций, промывали водой и сушили в потоке азота при комнатной температуре. Пластины ХОМ примеров 5 и 6 не разъедались и не демонстрировали никаких изменений в шероховатости их поверхности.
Композиции, содержащие этилендиамин вместо диэтилентриамина, демонстрировали те же предпочтительные свойства и эффекты.
Примеры 7 и 8 и сравнительный эксперимент С1
Эффективность очистки водными щелочными очищающими композициями примеров 2 и 4 (примеры 7 и 8) в сравнении с деионизированной водой (сравнительный эксперимент С1).
Композицию примера 2 использовали для примера 7; а композицию примера 4 использовали для примера 8. Деионизированную воду использовали для сравнительного эксперимента С1.
Эффективность очистки водными щелочными очищающими композициями испытывали следующим образом. Образцы медных пластин ХОМ загрязняли агентами ХМП, содержащими частицы двуокиси кремния, имеющие средний диаметр первичных частиц 30 нм, как измерено методом рассеяния света лазера.
После этого загрязненные образцы медных пластин ХОМ обрабатывали композициями примеров 2 или 4 и, для целей сравнения, деионизированной водой в течение одной минуты каждый. После этого поверхности обработанных образцов медных пластин ХОМ проверяли на наличие остатков частиц методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Тогда как поверхности образцов медных пластин ХОМ, обработанные композициями примеров 2 и 4, не содержали частиц двуокиси кремния, поверхности образцов медных пластин ХОМ, обработанные деионизированной водой, все еще были покрыты значительными количествами частиц двуокиси кремния.
Композиции, содержащие этилендиамин вместо диэтилентриамина, демонстрировали те же предпочтительные свойства и эффекты.
Claims (12)
1. Водная щелочная очищающая композиция, свободная от органических растворителей и силикатов, свободных от ионов металлов, причем указанная композиция содержит
(A) от 0,1 до 20 мас. % L-цистеина,
(B) от 0,1 до 20 мас. % по меньшей мере одного гидроксид четвертичного аммония,
(C) от 0,05 до 15 мас. % по меньшей мере одного хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента, выбранного из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы,
(D) от 0,001 до 5 мас. % по меньшей мере одного неионного поверхностно-активного вещества, выбранного из группы ацетиленовых спиртов, алкилоксилированных ацетиленовых спиртов и алкилоксилированных сложных моноэфиров сорбита и одноосновной карбоновой кислоты.
(A) от 0,1 до 20 мас. % L-цистеина,
(B) от 0,1 до 20 мас. % по меньшей мере одного гидроксид четвертичного аммония,
(C) от 0,05 до 15 мас. % по меньшей мере одного хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента, выбранного из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы,
(D) от 0,001 до 5 мас. % по меньшей мере одного неионного поверхностно-активного вещества, выбранного из группы ацетиленовых спиртов, алкилоксилированных ацетиленовых спиртов и алкилоксилированных сложных моноэфиров сорбита и одноосновной карбоновой кислоты.
2. Водная щелочная очищающая композиция по п. 1, где гидроксид четверичного аммония (В) имеет общую формулу II:
N(-R1)4 +OН- (II),
где остаток R1 имеет приведенные выше значения за исключением атома водорода, тогда как все остатки R1 являются одинаковыми, или по меньшей мере два остатка R1 отличаются друг от друга, и все остатки R1 представляют собой одиночные остатки, или по меньшей мере два остатка R1 формируют насыщенное или ненасыщенное, замещенное или незамещенное кольцо, имеющее от 3 до 6 атомов углерода, где ни один атом углерода, либо 1 или 2 атома углерода замещен(-ы) одним гетероатомом, выбранным из группы атомов кислорода, серы, азота и фосфора.
N(-R1)4 +OН- (II),
где остаток R1 имеет приведенные выше значения за исключением атома водорода, тогда как все остатки R1 являются одинаковыми, или по меньшей мере два остатка R1 отличаются друг от друга, и все остатки R1 представляют собой одиночные остатки, или по меньшей мере два остатка R1 формируют насыщенное или ненасыщенное, замещенное или незамещенное кольцо, имеющее от 3 до 6 атомов углерода, где ни один атом углерода, либо 1 или 2 атома углерода замещен(-ы) одним гетероатомом, выбранным из группы атомов кислорода, серы, азота и фосфора.
3. Водная щелочная очищающая композиция по п. 2, где остаток R1 общей формулы (II) представляет собой метил.
4. Водная щелочная очищающая композиция по п. 1, где алифатический амин (С), имеющий по меньшей мере две первичные аминогруппы, выбирается из группы, состоящей из этилендиамина, пропилендиамина, н-бутилендиамина, диэтилентриамина, дипропилентриамина, ди-н-бутилентриамина, триэтилентетрамина, трипропилентетрамина и три-н-бутилентетрамина; циклоалифатический амин (С) выбирается из группы, состоящей из 1,2-, 1,3- и 1,4-диаминоциклогексана.
5. Водная щелочная очищающая композиция по п. 1, где неионное поверхностно-активное вещество (D) выбирается из группы, состоящей из ацетиленовых моноспиртов и диолов; алкилоксилированных ацетиленовых моноспиртов и диолов; и алкилоксилированных сложных моноэфиров сорбита и жирной одноосновной карбоновой кислоты.
6. Водная щелочная очищающая композиция по любому из п.п. 1-5, дополнительно содержащая по меньшей мере одну функциональную добавку (Е), которая отличается от компонентов (А), (В), (С) и (D).
7. Водная щелочная очищающая композиция по п. 6, где функциональная добавка (Е) выбирается из группы, состоящей из ингибиторов коррозии, оснований, комплексообразующих или хелатирующих агентов, формирующих пленку агентов, поверхностно-активных веществ и агентов, регулирующих рН.
8. Способ обработки подложек, применяемых для изготовления электрических и оптических устройств, причем указанный способ содержит стадию контакта поверхности подложки по меньшей мере один раз с по меньшей мере одной водной щелочной очищающей композицией по любому из п.п. 1-7.
9. Способ по п. 8, где стадия способа представляет собой по меньшей мере одну стадию подготовки поверхности, стадию очистки перед гофрированием, стадию очистки после травления, или стадию очистки после химической полировки.
10. Способ по п. 8 или 9, где электрические устройства представляют собой полупроводниковые интегральные схемы (ИС); жидкокристаллические панели; органические электролюминесцентные панели; печатные платы; микро-машины; ДНК чипы; микроустановки и магнитные головки; а оптические устройства представляют собой оптические стекла; неорганические электропроводные пленки; оптические интегральные схемы; оптические переключающие элементы; оптические волноводы; оптические монокристаллы; монокристаллы твердотельных лазеров; сапфировые подложки для синих лазерных светодиодов; полупроводниковые монокристаллы; и стеклянные подложки для магнитных дисков.
11. Применение водной щелочной очищающей композиции по любому из п.п. 1-7 для обработки подложек, применяемых для изготовления электрических и оптических устройств.
12. Применение по п. 11 для подготовки поверхности, очистки перед гофрированием, очистки после травления и очистки после химико-механической полировки подложек.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36536210P | 2010-07-19 | 2010-07-19 | |
US61/365,362 | 2010-07-19 | ||
PCT/IB2011/053099 WO2012011020A2 (en) | 2010-07-19 | 2011-07-12 | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013106936A RU2013106936A (ru) | 2014-08-27 |
RU2578718C2 true RU2578718C2 (ru) | 2016-03-27 |
Family
ID=45497224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013106936/04A RU2578718C2 (ru) | 2010-07-19 | 2011-07-12 | Водные щелочные очищающие композиции и способы их применения |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8927476B2 (ru) |
EP (1) | EP2596091B1 (ru) |
JP (1) | JP5864569B2 (ru) |
KR (1) | KR101855538B1 (ru) |
CN (1) | CN103003405B (ru) |
IL (1) | IL223341A (ru) |
MY (1) | MY163493A (ru) |
RU (1) | RU2578718C2 (ru) |
SG (1) | SG186294A1 (ru) |
TW (1) | TWI558809B (ru) |
WO (1) | WO2012011020A2 (ru) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG192847A1 (en) | 2011-03-18 | 2013-09-30 | Basf Se | Method for manufacturing integrated circuit devices, optical devices, micromachines and mechanical precision devices having patterned material layers with line-space dimensions of 50 nm and less |
JP2014154625A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 |
EP2940115B1 (en) | 2014-04-30 | 2018-10-17 | The Procter and Gamble Company | Cleaning composition |
EP2940113A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-04 | The Procter and Gamble Company | Cleaning composition |
EP2940112A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-04 | The Procter and Gamble Company | Cleaning composition |
EP2940117B1 (en) | 2014-04-30 | 2020-08-19 | The Procter and Gamble Company | Cleaning composition containing a polyetheramine |
KR101799946B1 (ko) | 2014-11-18 | 2017-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 연마 후 세정조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
KR102058426B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2019-12-24 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 화학적 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법 |
JP6800411B2 (ja) * | 2015-01-13 | 2020-12-16 | シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド | 洗浄用組成物及びcmp後の半導体ウエハーの洗浄方法 |
CN106211598B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-18 | 广东成德电子科技股份有限公司 | 一种印制电路板的有机退膜剂及其制备方法 |
US11401441B2 (en) | 2017-08-17 | 2022-08-02 | Versum Materials Us, Llc | Chemical mechanical planarization (CMP) composition and methods therefore for copper and through silica via (TSV) applications |
CN111763573A (zh) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种碱性玻璃基板清洗液组合物 |
US20230132051A1 (en) * | 2019-12-20 | 2023-04-27 | Cameron International Corporation | Coupling agents for use in corrosion inhibiting compositions |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2104331C1 (ru) * | 1989-10-26 | 1998-02-10 | Кабусики Кайся Тосиба | Очищающее средство (варианты) |
US6310019B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-10-30 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent for a semi-conductor substrate |
US6740629B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-05-25 | Jsr Corporation | Composition for washing a polishing pad and method for washing a polishing pad |
WO2007110719A2 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Improved alkaline solutions for post cmp cleaning processes |
EP2028262A2 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-25 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Improved alkaline chemistry for post-cmp cleaning |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6465403B1 (en) | 1998-05-18 | 2002-10-15 | David C. Skee | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
KR20000053521A (ko) | 1999-01-20 | 2000-08-25 | 고사이 아끼오 | 금속 부식 방지제 및 세척액 |
US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
US6492308B1 (en) | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6194366B1 (en) | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
NZ525143A (en) | 2000-09-14 | 2005-12-23 | Gruenenthal Chemie | Beta-thio-amino acids |
US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
CN1639846A (zh) * | 2002-01-28 | 2005-07-13 | 三菱化学株式会社 | 半导体器件用基板的清洗液及清洗方法 |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
US7435712B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
US7087564B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-08-08 | Air Liquide America, L.P. | Acidic chemistry for post-CMP cleaning |
JP4059877B2 (ja) | 2004-10-14 | 2008-03-12 | トヨタ自動車株式会社 | ハイブリッド駆動装置 |
KR101331747B1 (ko) | 2005-01-27 | 2013-11-20 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 반도체 기판 처리 조성물 |
US7923423B2 (en) | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
US7534753B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
MY156414A (en) * | 2007-09-14 | 2016-02-26 | Sanyo Chemical Ind Ltd | Cleaning agent for electronic material |
US20090291873A1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers |
JP5873718B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2016-03-01 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅の洗浄及び保護配合物 |
US20100105595A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Wai Mun Lee | Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds |
WO2011000758A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
WO2011000694A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
-
2011
- 2011-07-12 WO PCT/IB2011/053099 patent/WO2012011020A2/en active Application Filing
- 2011-07-12 KR KR1020137003714A patent/KR101855538B1/ko active Search and Examination
- 2011-07-12 JP JP2013520254A patent/JP5864569B2/ja active Active
- 2011-07-12 US US13/805,891 patent/US8927476B2/en active Active
- 2011-07-12 RU RU2013106936/04A patent/RU2578718C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-12 SG SG2012091146A patent/SG186294A1/en unknown
- 2011-07-12 EP EP11809351.7A patent/EP2596091B1/en active Active
- 2011-07-12 CN CN201180035135.6A patent/CN103003405B/zh active Active
- 2011-07-12 MY MYPI2012005247A patent/MY163493A/en unknown
- 2011-07-19 TW TW100125515A patent/TWI558809B/zh active
-
2012
- 2012-11-29 IL IL223341A patent/IL223341A/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2104331C1 (ru) * | 1989-10-26 | 1998-02-10 | Кабусики Кайся Тосиба | Очищающее средство (варианты) |
US6310019B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-10-30 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent for a semi-conductor substrate |
US6740629B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-05-25 | Jsr Corporation | Composition for washing a polishing pad and method for washing a polishing pad |
WO2007110719A2 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Improved alkaline solutions for post cmp cleaning processes |
EP2028262A2 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-25 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Improved alkaline chemistry for post-cmp cleaning |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG186294A1 (en) | 2013-02-28 |
MY163493A (en) | 2017-09-15 |
TWI558809B (zh) | 2016-11-21 |
WO2012011020A2 (en) | 2012-01-26 |
JP2013533360A (ja) | 2013-08-22 |
WO2012011020A3 (en) | 2012-03-15 |
EP2596091A2 (en) | 2013-05-29 |
KR20130093092A (ko) | 2013-08-21 |
US20130157919A1 (en) | 2013-06-20 |
TW201213537A (en) | 2012-04-01 |
KR101855538B1 (ko) | 2018-05-04 |
EP2596091B1 (en) | 2019-09-18 |
JP5864569B2 (ja) | 2016-02-17 |
RU2013106936A (ru) | 2014-08-27 |
CN103003405A (zh) | 2013-03-27 |
EP2596091A4 (en) | 2017-03-22 |
US8927476B2 (en) | 2015-01-06 |
IL223341A (en) | 2017-02-28 |
CN103003405B (zh) | 2016-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2578718C2 (ru) | Водные щелочные очищающие композиции и способы их применения | |
KR100748410B1 (ko) | 기판표면 세정액 및 세정방법 | |
TWI513815B (zh) | 供附有金屬佈線之半導體用清洗劑 | |
EP2449076B1 (en) | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use | |
WO2002094462A1 (fr) | Procede de nettoyage de la surface d'un substrat | |
TW201102425A (en) | Formulations and method for post-CMP cleaning | |
TW200304962A (en) | Liquid detergent for semiconductor device substrate and method of cleaning | |
RU2631870C2 (ru) | Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту | |
JP2003289060A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法 | |
JPWO2004042811A1 (ja) | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 | |
KR20000053521A (ko) | 금속 부식 방지제 및 세척액 | |
TWI794152B (zh) | 用於化學機械研磨後清潔之組成物 | |
JP2019502802A (ja) | 化学機械研磨後の洗浄組成物 | |
JP2003013266A (ja) | 基板洗浄剤 | |
JP6932147B2 (ja) | 化学機械研磨後洗浄のための組成物 | |
WO2011000694A1 (en) | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use | |
JP2012044118A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
JP2012049387A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180713 |