RU2534439C2 - Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора - Google Patents

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU2534439C2
RU2534439C2 RU2013100562/28A RU2013100562A RU2534439C2 RU 2534439 C2 RU2534439 C2 RU 2534439C2 RU 2013100562/28 A RU2013100562/28 A RU 2013100562/28A RU 2013100562 A RU2013100562 A RU 2013100562A RU 2534439 C2 RU2534439 C2 RU 2534439C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chip
crystal
solder
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Application number
RU2013100562/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013100562A (ru
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева
Патимат Расуловна Захарова
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2013100562/28A priority Critical patent/RU2534439C2/ru
Publication of RU2013100562A publication Critical patent/RU2013100562A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2534439C2 publication Critical patent/RU2534439C2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора на посадочную поверхность кристалла напыляют последовательно в едином технологическом цикле два металла: титан-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 секунд. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с основанием корпуса, 100% распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержетелем [1]. Сущность изобретения заключается в том, что на соединяемые поверхности кристалла и кристаллодержателя наносят слои металла: на кристалл - магний, на основание - алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450-750°С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до формирования паяного соединения.
Недостатком способа является сложная технология, высокие температуры, низкая производительность процесса.
Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем [2]. Сущность способа заключается в напылении на обратную сторону пластин слоя металлов хром-никель (Cr-Ni), между поверхностями кристалла и основания размещают припойную прокладку оловянно-свинцовую, нагревают детали до формирования паяного соединения.
Недостатком способа является ненадежность контактного соединения.
Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Сущность способа заключается в том, что на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле два металла: хром-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 с. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с кристаллодержателем, равномерное распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.
Качество посадки контролируется методом отрыва с определенным усилием и визуально под микроскопом. При проведении контроля посадки кристалла с двухслойной металлизацией кристалл не отрывается от основания корпуса при приложении соответствующего усилия, а при приложении большего усилия разламывается сам кремний. Это объясняет то, что посадка кристалла качественная. При визуальном контроле под микроскопом со всех сторон кристалла по периметру проступает припой на 0,3-1,0 мм от края, что показывает удовлетворительное распределение припоя по всей площади кристалла. Кроме того, контроль площади распределения припоя по основанию кристалла с помощью рентгеновского микроскопа показал равномерное распределение припойного слоя по площади кристалла без пор, что улучшает тепловые свойства прибора.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят в установке вакуумного напыления, в которой размещены полупроводниковые пластины. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процесс проводят в едином технологическом цикле, на поверхности полупроводника формируется тонкая металлическая пленка. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 96-98%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 99-100%.
Использование данного способа позволяет повысить надежность контакта кристалла с кристаллодержателем при проведении процесса напыления слоя металлов: хром-германий в едином технологическом цикле.
ЛИТЕРАТУРА
1. АС СССР №1674293, Н01L 21/58, 30.08.91.
2. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321.

Claims (1)

  1. Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем, что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С.
RU2013100562/28A 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора RU2534439C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013100562A RU2013100562A (ru) 2014-07-20
RU2534439C2 true RU2534439C2 (ru) 2014-11-27

Family

ID=51215037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534439C2 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480261A (en) * 1981-07-02 1984-10-30 Matsushita Electronics Corporation Contact structure for a semiconductor substrate on a mounting body
EP0142692A1 (de) * 1983-10-12 1985-05-29 Siemens Aktiengesellschaft Montage von Halbleiterbauteilen auf einer Trägerplatte
SU1674293A1 (ru) * 1988-06-15 1991-08-30 Калужский Завод Автомотоэлектрооборудования Им.60-Летия Октября Способ соединени полупроводникового кристалла с кристаллодержателем
RU2173913C2 (ru) * 1999-07-15 2001-09-20 Дагестанский государственный технический университет Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
RU2375787C2 (ru) * 2005-12-27 2009-12-10 Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480261A (en) * 1981-07-02 1984-10-30 Matsushita Electronics Corporation Contact structure for a semiconductor substrate on a mounting body
EP0142692A1 (de) * 1983-10-12 1985-05-29 Siemens Aktiengesellschaft Montage von Halbleiterbauteilen auf einer Trägerplatte
SU1674293A1 (ru) * 1988-06-15 1991-08-30 Калужский Завод Автомотоэлектрооборудования Им.60-Летия Октября Способ соединени полупроводникового кристалла с кристаллодержателем
RU2173913C2 (ru) * 1999-07-15 2001-09-20 Дагестанский государственный технический университет Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
RU2375787C2 (ru) * 2005-12-27 2009-12-10 Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013100562A (ru) 2014-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI527119B (zh) 用於高功率密度晶片之金屬熱接合物
US9764416B2 (en) Power module substrate, heat-sink-attached power module substrate, and heat-sink-attached power module
TWI401825B (zh) 發光二極體晶片的固晶方法及固晶完成之發光二極體
US9683278B2 (en) Diffusion solder bonding using solder preforms
IT1114116B (it) Struttura circuitale raffreddata mediante conduzione e processo per la sua fabbricazione
CN109643685A (zh) 晶片载置台
TWI621230B (zh) 用來控制積體電路封裝扭曲的可移除式基板
CN105938790B (zh) 制造半导体器件的方法
US7851334B2 (en) Apparatus and method for producing semiconductor modules
JP7176048B2 (ja) 半導体ダイと受動熱交換器との間に熱界面接合を形成するための装置及び方法
RU2570226C1 (ru) Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность
JP2009252897A (ja) 接合体の製造方法及び接合体の製造装置
RU2375787C2 (ru) Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса
RU2534439C2 (ru) Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора
US10607962B2 (en) Method for manufacturing semiconductor chips
JP6651924B2 (ja) 接合体の製造方法、及び、パワーモジュール用基板の製造方法
CA3030260C (en) Method of production of thermoelectric micro-coolers (variants)
RU2534449C2 (ru) Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора
RU2343586C1 (ru) Способ формирования контактного слоя титан-германий
RU2359360C1 (ru) Способ посадки кремниевого кристалла
US20150270238A1 (en) Jointed structure and method of manufacturing same
RU2815323C1 (ru) Способ монтажа кристалла кремниевого транзистора
RU2786366C2 (ru) СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge)
RU2792837C2 (ru) Способ посадки кристалла на основание корпуса
TWI598929B (zh) A method of manufacturing a power module substrate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150110