RU2013100562A - Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора - Google Patents

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU2013100562A
RU2013100562A RU2013100562/28A RU2013100562A RU2013100562A RU 2013100562 A RU2013100562 A RU 2013100562A RU 2013100562/28 A RU2013100562/28 A RU 2013100562/28A RU 2013100562 A RU2013100562 A RU 2013100562A RU 2013100562 A RU2013100562 A RU 2013100562A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
semiconductor device
forming contact
stock area
holder
Prior art date
Application number
RU2013100562/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2534439C2 (ru
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева
Патимат Расуловна Захарова
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2013100562/28A priority Critical patent/RU2534439C2/ru
Publication of RU2013100562A publication Critical patent/RU2013100562A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2534439C2 publication Critical patent/RU2534439C2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем,что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С.

Claims (1)

  1. Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем, что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С.
RU2013100562/28A 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора RU2534439C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013100562A true RU2013100562A (ru) 2014-07-20
RU2534439C2 RU2534439C2 (ru) 2014-11-27

Family

ID=51215037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013100562/28A RU2534439C2 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534439C2 (ru)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586143A (ja) * 1981-07-02 1983-01-13 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
DE3337173A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montage von halbleiterbauteilen auf einer traegerplatte
SU1674293A1 (ru) * 1988-06-15 1991-08-30 Калужский Завод Автомотоэлектрооборудования Им.60-Летия Октября Способ соединени полупроводникового кристалла с кристаллодержателем
RU2375787C2 (ru) * 2005-12-27 2009-12-10 Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса

Also Published As

Publication number Publication date
RU2534439C2 (ru) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USD939496S1 (en) Electronic device
JP2015079976A5 (ja) 半導体装置
USD750670S1 (en) Rocker arm
TWD176999S (zh) 電子裝置的承載構件之部分
EA201690210A1 (ru) Структура сборки стекла и способ сборки стекла, использующий эту структуру
JP2014241409A5 (ja) 酸化物半導体膜の作製方法
MY174757A (en) Enhanced porosification
WO2015061686A3 (en) Retinoid x receptor-gamma agonists and retinoid x receptor-alpha antagonists for treatment of cancer
TW201614353A (en) Narrow pre-deposition laser edge deletion
TWD174762S (zh) 電子裝置的承載構件之部分
JP2014182125A5 (ru)
PH12016000452B1 (en) Multilayer ceramic capacitor
TR201902255T4 (tr) Elektrik iletme özelliğine sahip kaplamaya ve bunun üzerine lehimlenen metalik bir banda sahip bir cam levhanın imal edilmesi için yöntem; ilgili cam levha.
FR3004972B1 (fr) Procede de fabrication d'une piece dotee d'un revetement de surface lubrifiant, piece dotee d'un tel revetement et turbomachine
RU2013105301A (ru) Газовый датчик
CL2016000668A1 (es) Célula solar que comprende: sustrato; región semiconductora dispuesta en o sobre el sustrato; y contacto conductor dispuesto en la región semiconductora que incluye partículas metálicas mecánicamente deformadas; y método para fabricar una célula solar
RU2013100562A (ru) Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора
FR3018464B1 (fr) Procede et dispositif de traitement de surface par laser d'une structure metallique, destinee a la fabrication d'un reservoir cryogenique
JP2017011016A5 (ru)
PL3084808T3 (pl) Sposób kształtowania metalowego styku na powierzchni półprzewodnika oraz urządzenie z metalowym stykiem
GB2579608B (en) Activating surfaces for subsequent bonding to another substrate
RU2014115426A (ru) Совмещенная микрополосковая антенна
JP2014207265A5 (ru)
RU2014100773A (ru) Способ формирования контакта к стоковой области транзистора
WO2016030184A9 (de) Optoelektronische vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150110