RU2375787C2 - Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса - Google Patents
Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса Download PDFInfo
- Publication number
- RU2375787C2 RU2375787C2 RU2005141101/28A RU2005141101A RU2375787C2 RU 2375787 C2 RU2375787 C2 RU 2375787C2 RU 2005141101/28 A RU2005141101/28 A RU 2005141101/28A RU 2005141101 A RU2005141101 A RU 2005141101A RU 2375787 C2 RU2375787 C2 RU 2375787C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- base
- crystal
- chip
- housing
- seating
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверхность кристалла два металла титан - германий, процесс проводят в едином технологическом цикле, а пайку кристалла к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Известен способ посадки кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора [АС СССР №1674293, Н01L 21/58, 30.08.91]. Сущность изобретения заключается в том, что на соединяемые поверхности кристалла и основание корпуса наносят слои металла: на кристалл - магний, на основание - алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450-750°С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до формирования паяного соединения.
Недостатками способа являются сложная технология, высокие температуры, низкая производительность процесса.
Известен способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса [Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974 г., стр.318-321]. Сущность способа заключается в напылении на обратную сторону пластин слоя металлов хром-никель (Cr-Ni), между поверхностями кристалла и основания размещают припойную прокладку оловянно-свинцовую, нагревают детали до сформирования паяного соединения.
Недостатком способа является ненадежность контактного соединения.
Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Сущность способа заключается в том, что на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле два металла: титан-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 300-320°С в течение 3-5 с. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с основанием корпуса, 100% распределение припоя но поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.
Качество посадки контролируется методом отрыва с определенным усилием и визуально под микроскопом. При проведении контроля посадки кристалла с двухслойной металлизацией кристалл не отрывается от основания корпуса при приложении соответствующего усилия, а при приложении большего усилия разламывается сам кремний. Это объясняет то, что посадка кристалла качественная. При визуальном контроле под микроскопом со всех сторон кристалла но периметру проступает припой на 0,5-1,0 мм от края, что показывает удовлетворительное распределение припоя по всей площади кристалла. Кроме того, контроль площади распределения припоя по основанию кристалла с помощью рентгеновского микроскопа показал 100% распределение припойного слоя по площади кристалла без пор, что улучшает тепловые свойства прибора.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами
ПРИМЕР 1. Процесс проводят в установке вакуумного напыления, в которой размещены кремниевые пластины. Задают режимы напыления металлов титан-германий. Процесс проводят в едином технологическом цикле, на поверхности полупроводника формируется тонкая металлическая пленка. Процент выхода годных на операции “Посадка кристалла” составляет 96-98%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Задают режимы напыления металлов: титан-германий. Процент выхода годных на операции “Посадка кристалла” составляет 99-100%.
Использование данного способа позволяет повысить надежность контакта кристалла с основанием корпуса при проведении процесса напыления слоя металлов титан-германий в едином технологическом цикле.
Claims (1)
- Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, отличающийся тем, что напыляют на посадочную поверхность кристалла два металла титан - германий, процесс проводят в едином технологическом цикле, а пайку кристалла к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005141101/28A RU2375787C2 (ru) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005141101/28A RU2375787C2 (ru) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005141101A RU2005141101A (ru) | 2007-07-10 |
RU2375787C2 true RU2375787C2 (ru) | 2009-12-10 |
Family
ID=38316349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005141101/28A RU2375787C2 (ru) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2375787C2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534449C2 (ru) * | 2013-03-05 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора |
RU2534439C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора |
RU2792837C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ посадки кристалла на основание корпуса |
-
2005
- 2005-12-27 RU RU2005141101/28A patent/RU2375787C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
МАЗЕЛЬ Е.З., ПРЕСС Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974, с.318-321. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534439C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора |
RU2534449C2 (ru) * | 2013-03-05 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора |
RU2792837C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ посадки кристалла на основание корпуса |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2005141101A (ru) | 2007-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8293582B2 (en) | Method of substrate bonding with bonding material having rare Earth metal | |
US8472208B2 (en) | Submount and method of manufacturing the same | |
TWI527119B (zh) | 用於高功率密度晶片之金屬熱接合物 | |
JP3485390B2 (ja) | 静電チャック | |
TWI430377B (zh) | 用於減緩介金屬化合物成長之方法 | |
JP2006261569A (ja) | サブマウントおよびその製造方法 | |
US9418961B2 (en) | Apparatus and method of substrate to substrate bonding for three dimensional (3D) IC interconnects | |
KR20010073192A (ko) | 기판에 반도체 칩을 땜납하는 방법 및 장치 | |
RU2375787C2 (ru) | Способ посадки кремниевого кристалла на основание корпуса | |
RU2570226C1 (ru) | Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность | |
US9349704B2 (en) | Jointed structure and method of manufacturing same | |
CA3030260C (en) | Method of production of thermoelectric micro-coolers (variants) | |
RU2359360C1 (ru) | Способ посадки кремниевого кристалла | |
RU2534439C2 (ru) | Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора | |
RU2815323C1 (ru) | Способ монтажа кристалла кремниевого транзистора | |
JPH02186645A (ja) | 集積回路用の真空式ダイ取り付け方法 | |
RU2534449C2 (ru) | Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора | |
RU2343586C1 (ru) | Способ формирования контактного слоя титан-германий | |
RU2786366C2 (ru) | СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) | |
RU2173913C2 (ru) | Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора | |
RU2792837C2 (ru) | Способ посадки кристалла на основание корпуса | |
JPH03187228A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
RU2347297C1 (ru) | Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность | |
TW578250B (en) | Testing method of flip-chip junction | |
RU2798772C2 (ru) | Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091020 |