RU2013105301A - Газовый датчик - Google Patents

Газовый датчик Download PDF

Info

Publication number
RU2013105301A
RU2013105301A RU2013105301/28A RU2013105301A RU2013105301A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A RU 2013105301/28 A RU2013105301/28 A RU 2013105301/28A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas sensor
semiconductor base
substrate
nanofilm
doped
Prior art date
Application number
RU2013105301/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2526225C1 (ru
Inventor
Ираида Алексеевна Кировская
Полина Евгеньевна Нор
Елена Валерьевна Миронова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет"
Priority to RU2013105301/28A priority Critical patent/RU2526225C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2013105301A publication Critical patent/RU2013105301A/ru
Publication of RU2526225C1 publication Critical patent/RU2526225C1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку.

Claims (1)

  1. Газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку.
RU2013105301/28A 2013-02-07 2013-02-07 Газовый датчик RU2526225C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) 2013-02-07 2013-02-07 Газовый датчик

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) 2013-02-07 2013-02-07 Газовый датчик

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013105301A true RU2013105301A (ru) 2014-08-20
RU2526225C1 RU2526225C1 (ru) 2014-08-20

Family

ID=51384090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) 2013-02-07 2013-02-07 Газовый датчик

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2526225C1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2649654C2 (ru) * 2015-11-13 2018-04-04 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Датчик угарного газа
RU2631010C2 (ru) * 2016-02-25 2017-09-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый анализатор оксида углерода
RU2637791C1 (ru) * 2016-07-12 2017-12-08 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый датчик оксида углерода
RU2652646C1 (ru) * 2017-03-20 2018-04-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Датчик микропримесей аммиака
RU2666575C1 (ru) * 2017-05-10 2018-09-11 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый газовый датчик
RU2760311C1 (ru) * 2021-05-19 2021-11-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) Датчик угарного газа

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2234074A (en) * 1989-07-22 1991-01-23 Atomic Energy Authority Uk Gas sensor
JP2002328109A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 水素ガス検出素子及びその製造方法
RU2274853C1 (ru) * 2004-07-12 2006-04-20 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Датчик диоксида азота
RU2281485C1 (ru) * 2005-02-28 2006-08-10 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Полупроводниковый газовый датчик
JP4779656B2 (ja) * 2006-01-11 2011-09-28 ソニー株式会社 ガスセンサ
RU2398219C1 (ru) * 2009-06-01 2010-08-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Полупроводниковый газоанализатор
RU2469300C1 (ru) * 2011-05-20 2012-12-10 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Полупроводниковый газоанализатор

Also Published As

Publication number Publication date
RU2526225C1 (ru) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013105301A (ru) Газовый датчик
WO2016003225A3 (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2014172159A8 (en) Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet
MX2016002767A (es) Dispositivo fotovoltaico.
TR201906638T4 (tr) İyileştirilmiş kristaliniteye sahip bir organik perovskit malzeme tabakası üretme prosesi.
MX2016005182A (es) Modulo semiconductor con una masa de revestimiento de cemento que cubre un componente semiconductor.
WO2015199489A3 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
TW201612964A (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
EP2988339A3 (en) Light emitting device
RU2013105425A (ru) Нанополупроводниковый газовый датчик
DK3449511T3 (da) Selvlysende solkoncentrator med stor flade baseret på halvledernanokrystaller med indirekte båndgab
WO2015116289A3 (en) Integrated superconductor device and method of fabrication
WO2014210447A3 (en) Photovoltaic device and methods of forming the same
RU2013104409A (ru) Полупроводниковый газовый датчик
RU2013105626A (ru) Полупроводниковый газоанализатор
EP2495769A3 (en) Photovoltaic device with double-junction
MX2015006833A (es) Elemento semiconductor de nitruro y metodo para la fabricacion del mismo.
EP3032589A3 (en) Thin film transistor
PH12016501140A1 (en) Built-in bypass diode
RU2015148896A (ru) Датчик угарного газа
MX2019001200A (es) Una capa absorbente de luz y un dispositivo fotovoltaico que incluye una capa absorbente de luz.
FR3001480B1 (fr) Tuile photovoltaique sur substrat poreux
RU2011121806A (ru) Полупроводниковый газовый датчик
RU2014153162A (ru) Полупроводниковый датчик оксида углерода
TW201614843A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170208