RU2013105301A - Газовый датчик - Google Patents
Газовый датчик Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013105301A RU2013105301A RU2013105301/28A RU2013105301A RU2013105301A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A RU 2013105301/28 A RU2013105301/28 A RU 2013105301/28A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A RU 2013105301 A RU2013105301 A RU 2013105301A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas sensor
- semiconductor base
- substrate
- nanofilm
- doped
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку.
Claims (1)
- Газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | Газовый датчик |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | Газовый датчик |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013105301A true RU2013105301A (ru) | 2014-08-20 |
| RU2526225C1 RU2526225C1 (ru) | 2014-08-20 |
Family
ID=51384090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013105301/28A RU2526225C1 (ru) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | Газовый датчик |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2526225C1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2649654C2 (ru) * | 2015-11-13 | 2018-04-04 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Датчик угарного газа |
| RU2631010C2 (ru) * | 2016-02-25 | 2017-09-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый анализатор оксида углерода |
| RU2637791C1 (ru) * | 2016-07-12 | 2017-12-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый датчик оксида углерода |
| RU2652646C1 (ru) * | 2017-03-20 | 2018-04-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Датчик микропримесей аммиака |
| RU2666575C1 (ru) * | 2017-05-10 | 2018-09-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый газовый датчик |
| RU2760311C1 (ru) * | 2021-05-19 | 2021-11-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) | Датчик угарного газа |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2234074A (en) * | 1989-07-22 | 1991-01-23 | Atomic Energy Authority Uk | Gas sensor |
| JP2002328109A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 水素ガス検出素子及びその製造方法 |
| RU2274853C1 (ru) * | 2004-07-12 | 2006-04-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" | Датчик диоксида азота |
| RU2281485C1 (ru) * | 2005-02-28 | 2006-08-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" | Полупроводниковый газовый датчик |
| JP4779656B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-09-28 | ソニー株式会社 | ガスセンサ |
| RU2398219C1 (ru) * | 2009-06-01 | 2010-08-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" | Полупроводниковый газоанализатор |
| RU2469300C1 (ru) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" | Полупроводниковый газоанализатор |
-
2013
- 2013-02-07 RU RU2013105301/28A patent/RU2526225C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2526225C1 (ru) | 2014-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013105301A (ru) | Газовый датчик | |
| WO2016003225A3 (ko) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| EP2879189A3 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| WO2014172159A8 (en) | Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet | |
| MX2016002767A (es) | Dispositivo fotovoltaico. | |
| WO2015194791A3 (ko) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| TR201906638T4 (tr) | İyileştirilmiş kristaliniteye sahip bir organik perovskit malzeme tabakası üretme prosesi. | |
| TW201613116A (en) | Perovskite solar cell | |
| MX363041B (es) | Modulo semiconductor con una masa de revestimiento de cemento que cubre un componente semiconductor. | |
| WO2015199489A3 (ko) | 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 | |
| EP2988339A3 (en) | Light emitting device | |
| RU2013105425A (ru) | Нанополупроводниковый газовый датчик | |
| DK3449511T3 (da) | Selvlysende solkoncentrator med stor flade baseret på halvledernanokrystaller med indirekte båndgab | |
| WO2016195458A3 (ko) | 이중 스피로형 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 | |
| RU2013104409A (ru) | Полупроводниковый газовый датчик | |
| RU2013105626A (ru) | Полупроводниковый газоанализатор | |
| EP2495769A3 (en) | Photovoltaic device with double-junction | |
| MX2015006833A (es) | Elemento semiconductor de nitruro y metodo para la fabricacion del mismo. | |
| EP3032589A3 (en) | Thin film transistor | |
| PH12016501140A1 (en) | Built-in bypass diode | |
| RU2015148896A (ru) | Датчик угарного газа | |
| MX2019001200A (es) | Una capa absorbente de luz y un dispositivo fotovoltaico que incluye una capa absorbente de luz. | |
| TW201613033A (en) | Memory structure and manufacturing method therefor | |
| FR3001480B1 (fr) | Tuile photovoltaique sur substrat poreux | |
| RU2011121806A (ru) | Полупроводниковый газовый датчик |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170208 |