RU2518589C2 - Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков - Google Patents

Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков Download PDF

Info

Publication number
RU2518589C2
RU2518589C2 RU2011140530/28A RU2011140530A RU2518589C2 RU 2518589 C2 RU2518589 C2 RU 2518589C2 RU 2011140530/28 A RU2011140530/28 A RU 2011140530/28A RU 2011140530 A RU2011140530 A RU 2011140530A RU 2518589 C2 RU2518589 C2 RU 2518589C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photodiode
reference photodiode
voltage
breakdown
dark current
Prior art date
Application number
RU2011140530/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011140530A (ru
Inventor
Томас ФРАХ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011140530A publication Critical patent/RU2011140530A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2518589C2 publication Critical patent/RU2518589C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
    • G01T7/005—Details of radiation-measuring instruments calibration techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/248—Silicon photomultipliers [SiPM], e.g. an avalanche photodiode [APD] array on a common Si substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
    • G01T1/40—Stabilisation of spectrometers
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
    • A61B6/03—Computed tomography [CT]
    • A61B6/037—Emission tomography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Nuclear Medicine (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области диагностической визуализации. Сущность изобретения заключается в том, что модуль детектора излучения для использования в визуализации содержит множество детекторных пикселов, причем каждый детекторный пиксел включает в себя сцинтиллятор (35), оптически связанный с по меньшей мере одним сенсорным фотодиодом (34), работающим в режиме счетчика Гейгера; по меньшей мере один экранированный от света опорный фотодиод (36), который работает в режиме счетчика Гейгера при таких же условиях, что и по меньшей мере один сенсорный фотодиод (34); схему управления (42), которая измеряет напряжение (84) пробоя на опорном фотодиоде (36) импульсов (68) темнового тока, сгенерированных посредством опорного фотодиода (36) при пробое опорного фотодиода (36); регулирует напряжение (80) смещения на по меньшей мере одном опорном фотодиоде (36) и по меньшей мере одном сенсорном фотодиоде (34) для приведения импульсов (68) темнового тока, сгенерированных по меньшей мере одним опорным фотодиодом (36), по существу в равенство с предварительно выбранным характерным логическим уровнем (70) напряжения. Технический результат - повышение чувствительности фотодиодов. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к области диагностической визуализации. Изобретение имеет конкретное применение при использовании в детекторах излучения для таких медицинских устройств радионуклидной визуализации, использующих пропускание излучения или радиофармацевтические препараты, как, например, устройства для визуализации на основе однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (SPECT), устройства для визуализации на основе позитронно-эмиссионной томографии (PET), устройства для плоскостной рентгеновской визуализации и т.п., и будет описываться с конкретной ссылкой на такие устройства. Должно быть понятно, что изобретение также может быть применимо и для иных способов лучевой визуализации и в системах и способах, использующих детекторы излучения, таких областях как, например, астрономия и просвечивание багажа в аэропортах.
В SPECT, радиофармацевтический препарат вводится в визуализируемый объект, а один или несколько детекторов излучения, обычно называемых гамма-камерами, используются для обнаружения радиофармацевтического препарата при помощи испускания излучения, вызываемого посредством актов радиоактивного распада. Как правило, каждая гамма-камера включает в себя матрицу детекторов излучения и ячеистый коллиматор, расположенный перед матрицей детекторов излучения. Ячеистый коллиматор определяет линию или коническую с малым углом линию визирования, чтобы обнаруженное излучение содержало данные проекции. Если гамма-камеры перемещаются в диапазоне угловых ракурсов, например, в угловом диапазоне 180° или 360°, то полученные в результате данные проецирования могут быть восстановлены с использованием фильтрованной обратной проекции, ожидания максимизации или другого метода получения изображения для получения изображения распределения радиофармацевтического препарата в визуализируемом объекте. Предпочтительно, радиофармацевтический препарат может быть разработан так, что концентрируется в выбранных тканях для обеспечения выборочной визуализации этих выбранных тканей.
В PET, радиофармацевтический препарат вводится в визуализируемый объект, в котором события радиоактивного распада радиофармацевтического препарата генерируют позитроны. Каждый позитрон взаимодействует с электроном для создания события аннигиляции материи/антиматерии, которое испускает два противоположно направленных гамма-луча. При использовании схемы обнаружения совпадений, матрица детекторов излучения, окружающая визуализируемый объект, обнаруживает события совпадения противоположно направленных гамма-лучей, соответствующих аннигиляции позитронно-электронной пары. Линия ответа (LOR), соединяющая два совпадающих обнаружения, содержит положение события аннигиляции позитронно-электронной пары. Такие линии ответа являются аналогичными данными проецирования и могут быть восстановлены для получения двух- или трехмерного изображения. Во время-пролетной PET (TOF-PET) малый временной интервал между обнаружением двух событий совпадения γ-лучей используется для локализации события аннигиляции вдоль LOR.
При плоскостной рентгеновской визуализации источник излучения облучает объект, а матрица детекторов излучения, расположенная на противоположной стороне объекта, обнаруживает пропускаемое излучение. Вследствие ослабления излучения посредством ткани в визуализируемом объекте, обнаруженное излучение предоставляет собой двумерное плоскостное представление костей или других твердых, поглощающих излучение анатомических образований в визуализируемом объекте. Такая, основанная на пропускании визуализация усовершенствована в визуализации при помощи компьютерной томографии (CT), в которой источник излучения вращается вокруг визуализируемого объекта для обеспечения ракурсов пропускания или данных проекции в расширенном угловом диапазоне, например в пределах промежутка 180° или 360° угловых ракурсов. При использовании фильтрованной обратной проекции или другой технологии восстановления изображения, эти данные проекции, полученные при помощи излучения, восстанавливаются в двух- или трехмерное представление изображения.
Для SPECT, PET и других видов основанной на излучении медицинской визуализации требуются компактные и надежные модули детекторов излучения. В прошлом, модули детекторов излучения SPECT и PET, как правило, состояли из матрицы фотоэлектронных умножителей (PMT), оптически связанных со сцинтиллирующими кристаллами. Сцинтиллирующий кристалл поглощает частицу излучения и преобразует ее во вспышку света, которая измеряется посредством фотоэлектронного умножителя. Фотоэлектронные умножители обеспечивают высокие характеристики обнаружения и усиления (~106), но они являются громоздкими, хрупкими, требуют наличия высокого напряжения, и являются очень чувствительными к магнитным полям. В некоторых системах обнаружения излучения, фотоэлектронные умножители были заменены на фотодиоды, которые производят аналоговый сигнал, пропорциональный интенсивности вспышек света. Даже при том, что фотодиоды предлагают экономичную, низковольтную альтернативу фотоэлектронным умножителям в ситуациях повышенной яркости, они не обеспечивают адекватного усиления в сфере применения считывания при пониженной яркости (малоинтенсивный поток гамма-лучей), таким образом, приводя к плохому отношению «сигнал-шум».
Для устранения этих трудностей, были разработаны детекторы на кремниевых фотоэлектронных умножителях (SiPM), которые обеспечивают высокую эффективность и стабильность трубок фотоэлектронных умножителей наряду с экономичными, низковольтными качествами фотодиодов. В детекторах SiPM используется массив малых лавинных фотодиодов (APD), каждый из которых оптически связан с соответствующим сцинтиллирующим кристаллом. APD электрически смещаются в области пробоя. В этой области APD становятся чувствительными к одиночным несущим, таким, как те, которые могут быть вызваны падающим фотоном. Эти несущие, электроны и/или дырки также могут генерироваться термически, таким образом, приводя к темновой скорости счета, которая вызывает шум. Как электроны, так и дырки могут инициировать пробой диода, тем самым формируя сильный выходной сигнал. В аналоговом SiPM, выходной сигнал состоит из кумулятивного заряда большого количества пассивно охлаждаемых диодов. Напротив, цифровые SiPM обнаруживают события пробоя по отдельности на основе импульсов напряжения, которые переводятся в цифровую форму посредством логических вентилей и подсчитываются посредством цифровых счетчиков, которые располагаются близко к APD.
В режиме цифрового счетчика Гейгера, APD пробиваются в ответ на фотон света из события излучения в соответствующем сцинтиллирующем кристалле и формируют выходной импульс. Выходные импульсы, функционирующие как бинарные единицы, подсчитываются для определения количества фотонов, сформированных событием излучения, падающего на соответствующий сцинтиллятор. Этот подсчет фотонов соответствует энергии детектируемого события излучения.
Будучи чувствительным к отдельным фотонным событиям, напряжение пробоя каждого APD подвержено влиянию различных факторов внешних условий, таких как магнитные поля и температура. Дрейф напряжения пробоя приводит к соответствующему изменению избыточного напряжения. На детектирование фотонов оказывают влияние изменения избыточного напряжения, в связи с тем, что: (1) избыточное напряжение определяет напряженность поля внутри устройства, таким образом, приводя к дрейфу вероятности детектирования фотона, и (2) импульс заряда, произведенный во время пробоя, пропорционален произведению емкости диода и избыточного напряжения. Аналоговые SiPM, которые подсчитывают детектированные фотоны в качестве измеренного сигнала заряда, подвергаются влиянию обоих факторов и становятся очень чувствительными к внешним условиям. Величина темнового тока (DCR) удваивается приблизительно каждые 8°C. Чтобы уменьшить DCR датчика и избегать ошибок вследствие изменений в APD может быть использовано охлаждение, но даже при охлаждении могут происходить колебания температуры.
В настоящей заявке рассматривается новое и улучшенное устройство детектора с радионуклидной визуализацией и способ, который преодолевает вышеупомянутые и другие проблемы.
В соответствии с одним аспектом, предоставляется модуль детектора излучения. В каждом из множества пикселов детектора имеется сцинтиллятор, оптически связанный с по меньшей мере одним сенсорным фотодиодом, управляемым в режиме счетчика Гейгера. По меньшей мере один опорный фотодиод экранирован от света и работает при таких же условиях, что и по меньшей мере один сенсорный фотодиод. Модуль включает в себя схему управления, которая измеряет напряжение пробоя через опорный фотодиод и регулирует напряжение смещения на по меньшей мере одном опорном фотодиоде и по меньшей мере одном сенсорном фотодиоде. Это приводит импульсы темнового тока, сгенерированные посредством по меньшей мере одного опорного фотодиода, в существенное равенство с характерным логическим уровнем напряжения.
В соответствии с другим аспектом, предоставляется способ компенсации дрейфа в чувствительности части матрицы детекторов излучения. Напряжение смещения прикладывается к множеству сенсорных фотодиодов и к параллельно соединенному опорному фотодиоду. Опорный фотодиод покрыт непрозрачным покрытием, препятствующим приему света от ассоциированного сцинтиллятора. Напряжение смещения смещает фотодиоды в режим счетчика Гейгера, чувствительный к одиночным фотонам. После пробоя опорного фотодиода измеряется напряжение пробоя опорного фотодиода. Определяется разность между значением преобразованного в цифровую форму импульса с опорного фотодиода и логическим уровнем напряжения. Напряжение смещения регулируется для минимизации разности.
Одно преимущество состоит в улучшенном управлении напряжением пробоя для лавинных фотодиодов, работающих в режиме счетчика Гейгера.
Другое преимущество заключается в компенсации некоторых внешних факторов, которые влияют на чувствительность фотодиодов.
Другое преимущество заключается в гибкости использования изобретения, как в аналоговых, так и в цифровых системах.
Другое преимущество заключается в обеспечении свободы для разработчика системы в ослаблении требований по температурной стабилизации без ухудшения эффективности системы.
Другие дополнительные преимущества и выгоды станут очевидными специалистам в данной области техники на основе изучения нижеследующего подробного описания.
Настоящая заявка может предусматривать выполнение в форме на основе различных компонентов и конфигураций компонентов, и различных этапов и конфигураций этапов. Чертежи предоставлены исключительно в целях иллюстрации предпочтительных вариантов осуществления и не должны рассматриваться в качестве ограничения настоящей заявки.
Фиг.1 является схематичной иллюстрацией сканера для радионуклидной визуализации в соответствии с настоящей заявкой;
Фиг.2 изображает частичный разрез модуля детектора в соответствии с настоящей заявкой;
Фиг.3 является схемой последовательности операций, изображающей контуры обратной связи для управления смещением и для управления температурой;
Фиг.4 изображает определенные компоненты схемы для реализации контуров обратной связи по Фиг.3;
Фиг.5 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем по Фиг.3 и 4, с точным напряжением смещения;
Фиг.6 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем из Фиг.3 и 4, со слишком высоким напряжением смещения;
Фиг.7 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем по Фиг.3 и 4, со слишком низким напряжением смещения.
Согласно Фиг.1, диагностическое устройство 10 визуализации включает в себя корпус (гантри) 12 и опорную часть 14. В пределах корпуса 12 заключена матрица детекторов. Матрица детекторов включает в себя множество отдельных модулей 16 детекторов. Матрица может включать в себя сотни или тысячи модулей 16 детекторов излучения. Несмотря на то что один конкретный вариант осуществления описывается со ссылкой на сканер позитронно-эмиссионной томографии (PET), следует понимать, что настоящая заявка также пригодна и для других медицинских сфер применения, таких, как однофотонная эмиссионная компьютерная томография (SPECT), а также рентгеновская астрофизика, телескопы для регистрации гамма-лучей, рентгенография, безопасность и промышленные применения. В целом, настоящая заявка находит применение в визуализации рентгеновского излучения, гамма-лучей или заряженных частиц с высокой энергией и пространственным разрешением. Матрица располагается таким образом, чтобы детекторные элементы 16 были расположены рядом с областью 18 визуализации и были ориентированы для приема излучения из области 18 визуализации. Опорная часть 14 имеет возможность перемещения к области 18 визуализации и от нее. Это позволяет матрице детекторов быть чувствительной к множеству представлений объекта без необходимости повторной установки объекта на опорную часть 14. Матрица детекторов может являться кольцом детекторов 16, несколькими кольцами, одним или несколькими дискретными плоскими или дуговыми панелями или подобным.
В PET, пары гамма-лучей формируются событием позитронной аннигиляции в области визуализации и распространяются в приблизительно противоположных направлениях. Такое событие может создаваться при распаде атомного ядра 82Rb. Эти гамма-лучи детектируются как пары, с небольшим временным интервалом (порядка наносекунд или их долей) между детектированиями, если один гамма-луч проходит дальше для достижения детектора, чем другой. Соответственно, в сканерах PET матрица детекторов, как правило, окружает область визуализации.
Перед началом сканирования PET, объекту вводится радиофармацевтический препарат. При одном обычном исследовании, радиофармацевтический препарат содержит радиоактивный элемент, такой, как 82Rb, связанный с маркерной молекулой. Маркерная молекула связана с визуализируемой областью и имеет тенденцию собираться в ней через проходящие в теле процессы. Например, быстро размножающиеся раковые клетки имеют тенденцию к расходу аномально высокого количества энергии при их размножении. Радиофармацевтический препарат может быть связан с молекулой, такой, как глюкоза или ее аналог, которую клетка, как правило, усваивает для создания энергии, которая собирается в таких областях и появляется на изображении как "горячие точки". Такой маркер также является полезным при визуализации перфузии сердца, поскольку сердце расходует относительно большое количество энергии. Другие методы контролируют маркерные молекулы, текущие в кровеносной системе. В таком методе является предпочтительным маркировать молекулу, которая медленно поглощается тканями тела.
Если гамма-луч попадает в матрицу детекторов, то генерируется временной сигнал. Пусковой процессор 20 контролирует каждый детектор 16 на наличие пика энергии, например, суммарную область под импульсом, характерную для энергии гамма-лучей, сформированных посредством радиофармацевтического препарата. Пусковой процессор 20 проверяет часы 22 и отмечает каждый обнаруженный гамма-луч временной меткой приема переднего фронта. Временная метка, оценка энергии и оценка положения сначала используются посредством проверочного процессора 24 для определения, действительны ли данные события, например совпадает ли пара событий, имеет ли она надлежащую энергию и т.п. Принятые пары определяют линии отклика (LOR). Поскольку гамма-лучи распространяются со скоростью света, если продетектированные гамма-лучи поступают с разнесением более нескольких наносекунд, то они, вероятно, не были сгенерированы посредством одного и того же события аннигиляции и, обычно, отклоняются. Синхронизация особенно важна во время-пролетной PET (TOF-PET), поскольку мельчайшее различие в, по существу, одновременных совпадающих событиях используется для дополнительной локализации события аннигиляции вдоль LOR. Поскольку разрешение по времени событий становится более точным, то также повышается и точность, с которой событие может быть локализовано вдоль его LOR.
LOR сохраняются в буферном запоминающем устройстве 26. В одном варианте осуществления, LOR сохраняются в формате режима списка. Таким образом, события сохраняются в хронологическом порядке с периодически вставляемыми индикаторами времени. Альтернативно, события могут иметь индивидуальные временные отметки. Восстановительный процессор восстанавливает все или часть LOR в представление изображения объекта с использованием отфильтрованной обратной проекции или других подходящих алгоритмов восстановления. Затем, восстановление может быть отображено пользователю на устройстве 30 отображения, отпечатано, сохранено для последующего использования и т.п.
В одном варианте осуществления каждый детекторный модуль 16 включает в себя множество фотодиодов. При управлении фотодиодами в режиме счетчика Гейгера, применяется обратное напряжение смещения, чтобы обеспечить чувствительность фотодиодов к одиночным фотонам света, сформированного посредством связанных с ними сцинтилляционных кристаллов, оптически связанных с фотодиодами. Сцинтилляторы выбираются для обеспечения высокой силы сопротивления для падающего излучения с быстрым временем затухания сцинтилляционной вспышки. Некоторые подходящие для сцинтиллятора материалы включают в себя LSO, LYSO, MLS, LGSO, LaBr, CsI(Ti) и их сочетания. Напряжение смещения применяется таким образом, что фотодиоды производят лавинный ток при попадании излучаемых фотонов, вследствие чего они называются лавинными фотодиодами (APD). Оптимальное напряжение смещения является чувствительным к нескольким факторам, таким как температура, давление, внешний свет и т.п. Схема 32 управления напряжением смещения контролирует детекторные модули 16 и регулирует приложенное напряжение смещения, в соответствии с имеющимися условиями.
Согласно Фиг.2, мозаичный детекторный модуль 16 включает в себя, по меньшей мере, один сенсорный APD 34, и более конкретно, один или несколько SiPM, каждый из которых включает в себя множество APD 34, оптически связанных со сцинтилляционным кристаллом 35. Кроме того, каждый модуль 16 также включает в себя, по меньшей мере, один опорный детектор 36, такой, как опорный APD. Опорные APD 36 закрываются непрозрачным кожухом, таким, как металлическая крышка, для предотвращения попадания света (внешнего света или вспышек сцинтилляции) на опорный APD 36. Опорные APD 36 помещаются среди сенсорных APD 34, поскольку является желательным иметь сенсорные APD 34 и опорные APD 36, работающие в одной и той же среде, за исключением приема света. В иллюстрированном варианте осуществления, сенсорные APD 34 и опорные APD 36 сформированы на общей подложке 38.
Слой 40 цифровых схем электронно соединен с сенсорными фотодиодами 34 и опорными фотодиодами 36. Слой 40 цифровых схем включает в себя схему, которая собирает и обнаруживает заданную информацию детектирования фотонов, такую, как идентификация модуля детектора излучения, идентификация пиксела, временные метки и подсчет фотонов. Цифровые схемы также могут включать в себя схему цифрового смещения, схему цифрового запуска и схему считывания данных. Схемы 32 управления смещением могут быть расположены в слое 40 цифровой схемы. Альтернативно, схемы 32 управления смещением могут быть расположены на отдельном кристалле или кристалле интегральной микросхемы.
Согласно Фиг.3, схемы 32 управления смещением включают в себя первый контур 42 обратной связи для управления смещением. Вместо детектирования фотогенерированных электронно-дырочных пар, опорный APD 36 обнаруживает термически генерированные электронно-дырочные пары или темновой ток. Термически генерированные электронно-дырочные пары создаются посредством генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводнике и могут вызвать лавинный ток при отсутствии излучаемых фотонов, производя шум в системе. Напряжение смещения на APD 34, 36 может настраиваться так, чтобы сделать APD 34,36 более или менее чувствительными, в соответствии с внешней средой.
Если опорный APD 36 пробивается, то аналого-цифровой преобразователь (ADC) 44 преобразует полученное в результате напряжение анода в цифровое значение, эквивалентное напряжению пробоя. Аналого-цифровой (AD) преобразователь преобразует напряжение анода после ослабления лавинного тока через диод (во время пробоя нет никакого тока, текущего вне диода). Ток внутри диода разряжает емкость диода и, таким образом, приводит к падению напряжения на аноде (катод фиксируется на фиксированном уровне напряжения, в то время как анод остается плавающим, поскольку транзистор сброса остается открытым). Внутренний ток прекращает течь, когда напряжение в диоде достигает напряжения пробоя, и ниже этого напряжения нет никакой возможности умножения, и, следовательно, основная часть тока прекращается, и только очень малый ток утечки продолжает разряжать диод. Сигнал обрабатывается и превращается обратно в аналоговый сигнал посредством цифро-аналогового преобразователя 40 (DAC), и он используется для настройки источника 48 переменного напряжения, который смещает в обратном направлении сенсорные APD 34 и опорные APD 36. Лавинный ток, порядок которого составляет 106 электронов на фотон, продолжает протекать до тех пор, пока напряжение в диоде не достигнет напряжения пробоя. Время возникновения этого события, как правило, составляет 200-300 пс, в зависимости от избыточного напряжения, емкости диода и внутреннего сопротивления. После этого никакой ток не течет, а напряжение анода отражает напряжение пробоя. Это установившееся напряжение анода измеряется посредством аналого-цифрового (AD) преобразователя, а напряжение смещения регулируется таким образом, чтобы напряжение анода равнялось логическому уровню. Перезаряжающий транзистор 50 используется для повторной зарядки диода до уровня выше напряжения пробоя для следующего цикла измерения. Этот импульс перезарядки составляет примерно 10-15 по времени, а время до следующей разрядки может находиться в диапазоне миллисекунды. Более подробное обсуждение контура 42 управления смещением приведено ниже со ссылкой на Фиг.4.
На Фиг.3 также иллюстрируется второй контур 52 управления температурой. Цифровые импульсы из ADC 44 подсчитываются посредством счетчика 54 темновых импульсов в пределах предварительно определенного временного интервала. Альтернативно, счетчик 54 темновых импульсов может обнаруживать и подсчитывать активность контура 50 перезарядки. Счетчик 54 темновых импульсов выводит цифровое значение, характерное для темновой скорости счета. Поскольку температура пропорциональна темновой скорости счета, запускающее устройство 56 использует темновую скорость счета для запуска первичного элемента 58 управления температурой, такого как охлаждающий элемент на основе эффекта Пельтье, для быстрой точной настройки рабочей температуры APD 34, 36. Вторичный охлаждающий элемент 60, который может использовать воду, воздух или другие хладагенты, может быть использован для удаления тепла из системы. Ограничение температурного колебания желательно, чтобы ограничить колебания температуры, чтобы всегда получать одинаковое количество счета на фотон.
Согласно Фиг.4, опорный APD 36 смещается в обратном направлении источником 48 переменного напряжения. Анод соединяется с транзистором 62, который используется для перезарядки опорного APD 36 до выбранного напряжения выше напряжения пробоя опорного APD 36. Это выполняется посредством приложения коротких импульсов к затвору транзистора 62 схемами 64 выборки и перезарядки, переводя транзистор 62 в проводящее состояние. В одном варианте осуществления, транзистор 62 является транзистором NMOS (n-канальный МОП-прибор). После этой перезарядки, опорный APD 36 остается чувствительным к носителям и, в конечном счете, будет пробит. Согласно Фиг.5 и Фиг.4, во время пробоя, напряжение в узле 66 быстро увеличивается с нуля, формируя импульс 68 напряжения, до напряжения, соответствующего текущим рабочим условиям модуля 16. Желательно, чтобы напряжение было настолько близким к логическому уровню 70 напряжения, насколько это возможно. Импульс напряжения 68 детектируется посредством инвертора 72, который переводит сигнал в цифровую форму и передает его на схему 64 выборки и перезарядки и на счетчик 54 величины темнового тока. Схема 64 выборки и перезарядки запускает ADC 44 для измерения фактического напряжения после импульса 68 на пробитом опорном APD 36. Как только измерение выполнено, измерение фильтруется 73 и передается на контур 42 обратной связи управления напряжением смещения. Более конкретно, контроллер 75 напряжения смещения управляет выходным напряжением источника 48 переменного напряжения, более подробно описанным ниже. Кроме того, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, который перезаряжает опорный APD 36, сбрасывая его, так что он снова является чувствительным к носителям. В то время как опорный диод 36 пробит, напряжение на узле 76 падает до нуля, как обозначено посредством формы 78 сигнала.
Если импульс 68 напряжения равен логическому уровню 70 напряжения, то напряжение 80 смещения равно целевому значению. Следовательно, сигнал 82 управления напряжением смещения, произведенный посредством контура 42 обратной связи для управления смещением является правильным, а именно равен половине логического уровня 70 напряжения. Если напряжение 80 смещения равно целевому значению, то не требуется никаких коррекций.
Фиг.6 изображает ситуацию, в которой напряжение 80 смещения является слишком высоким и корректируется. Такая ситуация может быть вызвана сдвигом в напряжении 84 пробоя APD 34, 36, обусловленным, например, более низкой внешней температурой. В этом случае, напряжение, измеренное посредством ADC 44 (то есть, напряжение импульса 68), превышает логический уровень 70 напряжения на разность 86. В этой ситуации, контур 42 обратной связи для управления смещением предписывает источнику 48 переменного напряжения понизить напряжение 80 смещения, таким образом, минимизируя различие 86 между импульсом 68 напряжения и логически уровнем 70 напряжения. Как и в предыдущем примере на Фиг.5, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, сбрасывающий опорный APD 36.
Подобным образом, Фиг.7 изображает ситуацию, в которой напряжение 80 смещения является слишком низким. Такая ситуация может быть вызвана более высокой внешней температурой. В этом случае, напряжение, измеренное посредством ADC 44 (то есть, напряжение импульса 68), меньше логического уровня 70 напряжения на разность 86, которая, в этом случае, имеет отрицательное значение. В этой ситуации, контур 42 обратной связи для управления смещением предписывает источнику 48 переменного напряжения повысить напряжение 80 смещения, снова минимизируя различие 86 между импульсом 68 напряжения и логическим уровнем 70 напряжения. И снова, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, сбрасывая опорный APD 36. В иллюстрированных вариантах осуществления выполняется изменение напряжения смещения, в то время как опорный APD 36 находится в состоянии пробоя. Это позволяет ADC 44 контролировать разность 86 в режиме реального времени.
В одном варианте осуществления, схема, изображенная на Фиг.3 и 4, может быть интегрирована в том же самый кристалл интегральной микросхемы, рядом с APD 34, 36, если напряжение смещения генерируется посредством генератора накачки заряда на чипе, и если площадь чипа достаточна. Части контура могут быть расположены на отдельных чипах, таким образом, позволяя применение в соединении с аналоговыми кремниевыми фотоэлектронными умножителями.
В другом варианте осуществления, контур 42 управления смещением может быть реализован только аналоговым способом, исключая необходимость в ADC 44 и DAC 46. В этом варианте осуществления, опорный фотодиод 36 управляется на напряжении пробоя посредством подвода хорошо определенного тока (приблизительно 1 мА) и использования полученного напряжения в качестве сигнала управления для источника 48 переменного напряжения. Этот вариант осуществления может иметь такое преимущество, что вся схема получается более компактной. В цифровых вариантах осуществления, ADC 44 также может быть повторно использован для контроля других напряжений. Это может быть полезно для функционального и параметрического тестирования на уровне подложки кристалла и во время процесса включения сенсорного модуля под напряжение.
Настоящая заявка была описана со ссылкой на предпочтительные варианты осуществления. На основе изучения предшествующего подробного описания, могут быть созданы модификации и изменения до других вариантов осуществления. Подразумевается, что настоящая заявка рассматривается как включающая в себя все такие модификации и изменения, поскольку они попадают под объем приложенной формулы изобретения или ее эквивалентов.

Claims (15)

1. Модуль детектора излучения для использования в визуализации, содержащий
множество детекторных пикселов, причем каждый детекторный пиксел включает в себя сцинтиллятор (35), оптически связанный с по меньшей мере одним сенсорным фотодиодом (34), работающим в режиме счетчика Гейгера;
по меньшей мере один экранированный от света опорный фотодиод (36), который работает в режиме счетчика Гейгера при таких же условиях, что и по меньшей мере один сенсорный фотодиод (34);
схему управления (42), которая
измеряет напряжение (84) пробоя на опорном фотодиоде (36) импульсов (68) темнового тока, сгенерированных посредством опорного фотодиода (36) при пробое опорного фотодиода (36);
регулирует напряжение (80) смещения на по меньшей мере одном опорном фотодиоде (36) и по меньшей мере одном сенсорном фотодиоде (34) для приведения импульсов (68) темнового тока, сгенерированных по меньшей мере одним опорным фотодиодом (36), по существу в равенство с предварительно выбранным характерным логическим уровнем (70) напряжения.
2. Модуль детектора излучения по п.1, дополнительно включающий в себя первичный охлаждающий элемент (58), такой как охлаждающий элемент на основе эффекта Пельтье, термически связанный с по меньшей мере одним сенсорным фотодиодом (34) и, по меньшей мере, одним опорным фотодиодом (36) для удаления тепла от по меньшей мере одного сенсорного фотодиода (34) и по меньшей мере одного опорного фотодиода (36).
3. Модуль детектора излучения по п.2, дополнительно включающий в себя контроллер (52) температуры, который управляет первичным охлаждающим элементом (58) на основе частоты детектированных импульсов темнового тока из по меньшей мере одного опорного фотодиода (36), сообщаемой посредством счетчика (54) темновых импульсов.
4. Модуль детектора излучения по п.2 или 3, дополнительно включающий в себя вторичный охлаждающий элемент (60), который переносит тепло от первичного охлаждающего элемента (58) во внешнюю среду.
5. Модуль детектора излучения по любому из пп.1-3, дополнительно включающий в себя счетчик (54) темновых импульсов, который подсчитывает импульсы (68) темнового тока (68), сгенерированные посредством по меньшей мере одного опорного фотодиода (36).
6. Модуль детектора излучения по любому из пп.1-3, в котором счетчик (54) темновых импульсов имеет характерный логический уровень (70) напряжения, при котором принятый импульс идентифицируется и подсчитывается как импульс темнового тока.
7. Модуль детектора излучения по любому из пп.1-3, в котором схема (42) управления включает в себя перезаряжающий транзистор (62), который становится проводящим после приема сигнала от контроллера (64) выборки и перезарядки, возвращая опорный фотодиод (36) в состояние без пробоя, и дополнительно включающий в себя счетчик (54) темновых импульсов, который подсчитывает импульсы (74) сброса, генерируемые для сброса по меньшей мере одного опорного фотодиода (36) в режим счетчика Гейгера.
8. Модуль детектора излучения по любому из пп.1-3, в котором схема (42) управления включает в себя аналого-цифровой преобразователь (44), который измеряет напряжение (84) пробоя по меньшей мере одного опорного фотодиода (36).
9. Модуль детектора излучения по п.8, в котором схема (42) управления включает в себя инвертор (72), который
воспринимает импульсы (68) темнового тока, генерируемые по меньшей мере одним опорным фотодиодом (36);
преобразует импульсы (68) темнового тока в цифровую форму;
передает преобразованные в цифровую форму импульсы темнового тока на контроллер (64) выборки и перезарядки, который предписывает аналого-цифровому преобразователю (44) измерить напряжение импульсов (68) темнового тока.
10. Модуль детектора излучения по п.8, в котором схема (42) управления включает в себя контроллер (75) напряжения смещения, который предписывает источнику (48) переменного напряжения настраивать напряжение (80) смещения на основе измерения аналого-цифрового преобразователя (44).
11. Диагностическое устройство визуализации, содержащее:
гантри (12), определяющую область (18) визуализации;
опорную часть (14) для поддержки объекта, который выборочно поступательно перемещается в область (18) визуализации и из нее;
матрицу детекторов, которая включает в себя множество детекторных модулей (16) по любому из пп.1-10;
процессор (24) проверки событий, который анализирует обнаруженное излучение для определения, возникает ли детектированное излучение из достоверных событий;
буферное запоминающее устройство (26) хранения событий для хранения событий, достоверность которых подтверждена посредством процессора (24) проверки событий;
процессор (28) восстановления, который восстанавливает достоверные события в представление изображения.
12. Способ компенсации дрейфа чувствительности части матрицы детекторов излучения, содержащий этапы, на которых:
прикладывают напряжение (80) смещения к матрице сенсорных фотодиодов (34) и параллельно соединенному опорному фотодиоду (36), который закрыт непрозрачным покрытием, предотвращающим прием света опорным фотодиодом (36) от связанного с ним сцинтиллятора, причем напряжение смещения смещает фотодиоды (34, 36) в режим счетчика Гейгера и восприятия одиночных фотонов;
отслеживают пробой опорного фотодиода (36), измеряя напряжения (84) пробоя опорного фотодиода (36);
определяют разность (86) между значением преобразованного в цифровую форму импульса (68) из опорного фотодиода (36) и логическим уровнем (70) напряжения;
регулируют по меньшей мере одно из напряжения (80) смещения и температуры в детекторе для минимизации разности (86).
13. Способ по п.12, в котором этапы измерения, определения и настройки выполняются в течение временного интервала, когда по меньшей мере один опорный фотодиод (36) находится состоянии пробоя, и дополнительно включающий в себя сброс по меньшей мере одного опорного фотодиода (36).
14. Способ по п.12 или 13, дополнительно включающий в себя регулирование температуры опорного фотодиода (36), тем самым изменяя напряжение (84) пробоя опорного фотодиода (36) для минимизации разности (86).
15. Машиночитаемый носитель, имеющий сохраненные на нем исполняемые компьютером инструкции для выполнения способа по любому из пп.12-14.
RU2011140530/28A 2009-03-06 2010-02-05 Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков RU2518589C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15792309P 2009-03-06 2009-03-06
US61/157,923 2009-03-06
PCT/IB2010/050539 WO2010100574A2 (en) 2009-03-06 2010-02-05 Advanced temperature compensation and control circuit for single photon counters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011140530A RU2011140530A (ru) 2013-04-20
RU2518589C2 true RU2518589C2 (ru) 2014-06-10

Family

ID=42710061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011140530/28A RU2518589C2 (ru) 2009-03-06 2010-02-05 Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8921754B2 (ru)
EP (1) EP2404196B1 (ru)
JP (1) JP5616368B2 (ru)
KR (1) KR101689352B1 (ru)
CN (1) CN102341727B (ru)
RU (1) RU2518589C2 (ru)
WO (1) WO2010100574A2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2585613C2 (ru) * 2014-10-01 2016-05-27 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей
RU2799105C1 (ru) * 2023-04-04 2023-07-04 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Система термостабилизации детектора излучения

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8017915B2 (en) 2008-03-14 2011-09-13 Reflexion Medical, Inc. Method and apparatus for emission guided radiation therapy
US8476594B2 (en) * 2008-12-15 2013-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Temperature compensation circuit for silicon photomultipliers and other single photon counters
IT1402806B1 (it) * 2010-11-29 2013-09-18 St Microelectronics Srl Dispositivo fotomoltiplicatore incapsulato di materiale semiconduttore, in particolare per l'utilizzo in macchine per l'esecuzione della tomografia ad emissione di positroni.
EP2584379A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-24 Berthold Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zum Betreiben eines Szintillationszählers und Szintillationszähler
DE102012204766B4 (de) * 2012-03-26 2015-07-02 Siemens Aktiengesellschaft Röntgendetektor mit photonenzählenden direktwandelnden Detektorelementen und Verfahren zur Temperaturkonstanthaltung des Röntgendetektors
CN103385730A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 北京大基康明医疗设备有限公司 Pet设备
US8907290B2 (en) * 2012-06-08 2014-12-09 General Electric Company Methods and systems for gain calibration of gamma ray detectors
DE102012213404B3 (de) * 2012-07-31 2014-01-23 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Temperaturstabilisierung, Röntgenstrahlungsdetektor und CT-System
WO2014058501A1 (en) 2012-10-11 2014-04-17 Laird Technologies, Inc. Systems and methods for cooling x-ray tubes and detectors
JP6017916B2 (ja) * 2012-10-16 2016-11-02 株式会社豊田中央研究所 光検出器
GB2510890A (en) * 2013-02-18 2014-08-20 St Microelectronics Res & Dev Method and apparatus
US9470520B2 (en) 2013-03-14 2016-10-18 Apparate International C.V. LiDAR scanner
JP6257916B2 (ja) * 2013-04-26 2018-01-10 東芝メディカルシステムズ株式会社 光検出装置、放射線検出装置、放射線分析装置及び光検出方法
WO2014184714A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector
US11064142B1 (en) 2013-09-11 2021-07-13 Varex Imaging Corporation Imaging system with a digital conversion circuit for generating a digital correlated signal sample and related imaging method
WO2015063650A1 (en) 2013-11-01 2015-05-07 Koninklijke Philips N.V. Motion actuated aed communicator
KR101702007B1 (ko) * 2013-11-21 2017-02-02 한국전기연구원 엑스레이 디텍터 및 이를 이용한 엑스레이 신호 감지 방법
EP3072162B1 (en) * 2013-11-22 2020-09-30 Uatc, Llc Lidar scanner calibration
US9541656B2 (en) 2013-12-20 2017-01-10 General Electric Company System and method for compensating temperature gain variation in radiation detectors
WO2015092630A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Koninklijke Philips N.V. Improved temperature stability for a digital positron emission tomography (pet) detector
CN103647261B (zh) * 2013-12-28 2016-06-22 盖洪儒 便携式x射线机专用模块保护器
US9364187B2 (en) * 2014-05-03 2016-06-14 General Electric Company Packaging design for CT detector
CN104180790B (zh) * 2014-09-03 2017-02-15 重庆航伟光电科技有限公司 一种Si‑APD器件
CN104199502B (zh) * 2014-09-03 2016-08-31 重庆航伟光电科技有限公司 一种Si-APD的偏压方法
TWI544303B (zh) 2015-01-30 2016-08-01 財團法人工業技術研究院 單光子雪崩光電二極體的超額偏壓控制系統與方法
US9606245B1 (en) 2015-03-24 2017-03-28 The Research Foundation For The State University Of New York Autonomous gamma, X-ray, and particle detector
EP3081963B1 (en) 2015-04-15 2020-11-11 ams AG Avalanche diode arrangement and method for providing a detection signal
JP2017049226A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 富士電機株式会社 放射線検出装置
GB2542811A (en) * 2015-09-30 2017-04-05 Stmicroelectronics (Research & Development) Ltd Sensing apparatus having a light sensitive detector
EP3380870A1 (en) * 2015-11-26 2018-10-03 Koninklijke Philips N.V. Dark current compensation
JP6602652B2 (ja) * 2015-12-01 2019-11-06 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 フォトンカウンティング撮像装置及びｘ線検出装置
CN105548848B (zh) * 2015-12-11 2018-09-21 中派科技（深圳）有限责任公司 用于测量击穿电压的装置、设备及方法
CN105572721B (zh) * 2015-12-11 2019-03-22 中派科技（深圳）有限责任公司 用于测量传感器增益的装置、设备及方法
KR102323217B1 (ko) 2015-12-21 2021-11-08 삼성전자주식회사 매크로 픽셀의 노이즈를 제어하는 뎁스 센서, 3차원 카메라 및 제어 방법
CN107202903B (zh) * 2016-03-18 2020-04-10 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 样本分析仪及其样本分析方法
US10564299B2 (en) 2016-05-03 2020-02-18 General Electric Company Temperature compensation for silicon photomultiplier based detector
US10054698B2 (en) * 2016-08-31 2018-08-21 General Electric Company Temperature stabilization for detector heads
DE102016220492A1 (de) * 2016-10-19 2018-04-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ladungslawinen-Photodetektor-System
US10695586B2 (en) 2016-11-15 2020-06-30 Reflexion Medical, Inc. System for emission-guided high-energy photon delivery
CN106596597B (zh) * 2016-12-08 2019-10-11 同方威视技术股份有限公司 辐射探测装置、方法以及数据处理方法和处理器
JP6741613B2 (ja) * 2017-03-07 2020-08-19 株式会社日立製作所 放射線撮像装置
GB2560376B (en) * 2017-03-10 2020-02-12 Toshiba Kk On-Chip Integration of a Bias Tee and a Single Photon Detector
JP6696695B2 (ja) * 2017-03-16 2020-05-20 株式会社東芝 光検出装置およびこれを用いた被写体検知システム
CN106896400A (zh) * 2017-03-16 2017-06-27 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种伽马探测系统中硅光电倍增管工作电压设置方法
WO2018183748A1 (en) 2017-03-30 2018-10-04 Reflexion Medical, Inc. Radiation therapy systems and methods with tumor tracking
JP6643270B2 (ja) * 2017-03-31 2020-02-12 株式会社デンソー 光検出器
JP6741703B2 (ja) * 2017-03-31 2020-08-19 株式会社デンソー 光検出器
WO2018181978A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社デンソー 光検出器
DE102017205738A1 (de) * 2017-04-04 2018-10-04 Vega Grieshaber Kg Radiometrisches Messgerät mit integrierter Kühlung
JP6659617B2 (ja) * 2017-04-12 2020-03-04 株式会社デンソー 光検出器
JP6968593B2 (ja) * 2017-06-28 2021-11-17 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 Ｘ線ｃｔ装置
EP4342521A3 (en) 2017-07-11 2024-05-08 RefleXion Medical Inc. Methods for pet detector afterglow management
EP3428574A1 (en) * 2017-07-11 2019-01-16 Fondazione Bruno Kessler Device for measuring a distance and method for measuring said distance
JP6958054B2 (ja) * 2017-07-20 2021-11-02 株式会社豊田中央研究所 光検出器
US10667774B2 (en) 2017-07-20 2020-06-02 Canon Medical Systems Corporation X-ray CT apparatus
CN107219548B (zh) * 2017-07-31 2023-10-27 四川省核地质调查研究所 一种便携式反康普顿探测仪
CN111148471B (zh) 2017-08-09 2023-08-22 反射医疗公司 用于发射引导放射治疗中的故障检测的系统和方法
CN108168694B (zh) * 2017-11-13 2023-11-28 中国科学技术大学 辐照环境用低暗计数单光子探测装置及方法
WO2019099551A1 (en) 2017-11-14 2019-05-23 Reflexion Medical, Inc. Systems and methods for patient monitoring for radiotherapy
JP6835042B2 (ja) * 2018-06-22 2021-02-24 株式会社デンソー 測距装置
EP3614433B1 (en) * 2018-08-21 2022-04-06 ams International AG Image sensor, image sensor arrangement and computed tomography apparatus including the same
EP3697081B1 (en) 2019-02-12 2023-09-27 ams Sensors Belgium BVBA Image sensor system, electronic device and method for operating an image sensor
CN110133710B (zh) * 2019-04-24 2021-02-26 苏州瑞派宁科技有限公司 一种信号校正的方法及装置
CN110196430B (zh) * 2019-05-15 2021-05-14 深圳市速腾聚创科技有限公司 一种应用于单光子阵列传感器的温度补偿电路及方法
US10834345B1 (en) * 2019-06-20 2020-11-10 Semiconductor Components Industries, Llc Temperature and non-uniformity compensation circuitry for silicon photomultiplier
EP3832353A1 (en) 2019-12-06 2021-06-09 Koninklijke Philips N.V. Sub-pixel time skew correction for positron emission tomography (pet)
RU196655U1 (ru) * 2019-12-11 2020-03-11 ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "КуРэйт" (ООО "КуРэйт") Детектор одиночных фотонов
WO2021118411A1 (ru) * 2019-12-11 2021-06-17 Общество С Ограниченной Ответственностью "Курэйт" Детектор одиночных фотонов
CN111121984B (zh) * 2019-12-17 2021-09-24 重庆邮电大学 一种可双模式工作的雪崩光电探测器
US11282971B2 (en) * 2020-02-10 2022-03-22 Applied Materials Israel Ltd. High-gain stable avalanche photo-diode formed within a first semiconductor epitaxial layer of a highly thermally conductive and electrically insulating substrate
JP7381361B2 (ja) 2020-02-14 2023-11-15 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 Ｘ線ｃｔ装置
CN115039052B (zh) * 2020-03-13 2024-04-12 华为技术有限公司 偏置电压调节方法、装置及光模块
KR102278791B1 (ko) * 2020-05-07 2021-07-20 한국과학기술원 실리콘 광증배소자 동작전압 탐색 시스템
WO2022066906A1 (en) * 2020-09-23 2022-03-31 Luca Medical Systems, Inc. Systems and methods for measuring and tracking energy emitted by a radiation source
CN112353411B (zh) * 2020-11-10 2022-05-24 明峰医疗系统股份有限公司 Sipm温度漂移自适应系统及补偿方法
DE102020216576B3 (de) * 2020-12-28 2021-12-30 Siemens Healthcare Gmbh Röntgendetektoreinheit mit einer anpassbaren Spannungsversorgung und Verfahren zum Betrieb einer Röntgendetektoreinheit
EP4254017A1 (en) * 2022-03-28 2023-10-04 Koninklijke Philips N.V. Photon counting detector and photon counting method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2140660C1 (ru) * 1998-02-10 1999-10-27 Уральский государственный технический университет Способ обнаружения слабых потоков ионизирующих излучений
US20060124832A1 (en) * 2004-09-27 2006-06-15 Lightspin Technologies, Inc. Wide dynamic range photodetector
EP1993146A1 (en) * 2006-03-06 2008-11-19 Nihon University Optical communication wavelength band high speed single photon detector

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2533073A1 (fr) 1982-09-14 1984-03-16 Telecommunications Sa Procede et dispositif de stabilisation d'une photodiode a avalanche
JPH01302190A (ja) * 1988-05-31 1989-12-06 Shimadzu Corp マルチスライスリングｅｃｔ装置
FI103074B1 (fi) * 1996-07-17 1999-04-15 Valtion Teknillinen Spektrometri
US6222660B1 (en) * 1998-06-09 2001-04-24 Tektronix, Inc. Adaptive power supply for avalanche photodiode
JP2001267621A (ja) 2000-03-23 2001-09-28 Hioki Ee Corp 光検出装置
US6313459B1 (en) * 2000-05-31 2001-11-06 Nortel Networks Limited Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver
US7224908B2 (en) * 2000-10-13 2007-05-29 Kiribati Wireless Ventures, Llc Attenuation and calibration systems and methods for use with a laser detector in an optical communication system
US6858829B2 (en) 2001-06-20 2005-02-22 Agilent Technologies, Inc. Avalanche photodiode array biasing device and avalanche photodiode structure
US7155133B2 (en) 2002-02-12 2006-12-26 Finisar Corporation Avalanche photodiode controller circuit for fiber optics transceiver
US7332702B2 (en) 2002-08-05 2008-02-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical receiver and a method for manufacturing the same
WO2004099865A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-18 Massachusetts Institute Of Technology Digital photon-counting geiger-mode avalanche photodiode solid-state monolithic intensity imaging focal-plane with scalable readout circuitry
WO2006105533A2 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Finisar Corporation Detector diodes with bias control loop
US8395127B1 (en) 2005-04-22 2013-03-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Digital silicon photomultiplier for TOF PET
KR101273965B1 (ko) * 2005-04-22 2013-06-12 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 검출기 픽셀, 방사선 검출기, ｔｏｆ-ｐｅｔ 영상화 시스템, 신틸레이터와 함께 수행되는 방법, 및 의료 영상을 생성하는 방법
JP4793630B2 (ja) * 2005-10-26 2011-10-12 住友電気工業株式会社 一心双方向光モジュール及び一心双方向光送受信器
WO2007120674A2 (en) * 2006-04-10 2007-10-25 Quantum Molecular Technologies, Inc. Imaging apparatus and systems, and related methods
DE102007019296B4 (de) * 2007-04-24 2009-06-25 Siemens Ag Vorrichtung aus einer Kombination eines Magnetresonanztomographen und eines Positronen-Emissions-Tomographen
US20090121142A1 (en) 2007-07-20 2009-05-14 Bjorn Heismann Radiation detector module, radiation detector and imaging tomography device
US7767975B2 (en) * 2007-12-04 2010-08-03 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Ionizing radiation detector
US8022351B2 (en) * 2008-02-14 2011-09-20 California Institute Of Technology Single photon detection with self-quenching multiplication

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2140660C1 (ru) * 1998-02-10 1999-10-27 Уральский государственный технический университет Способ обнаружения слабых потоков ионизирующих излучений
US20060124832A1 (en) * 2004-09-27 2006-06-15 Lightspin Technologies, Inc. Wide dynamic range photodetector
EP1993146A1 (en) * 2006-03-06 2008-11-19 Nihon University Optical communication wavelength band high speed single photon detector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2585613C2 (ru) * 2014-10-01 2016-05-27 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Способ коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотоэлектрических преобразователей
RU2799105C1 (ru) * 2023-04-04 2023-07-04 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Система термостабилизации детектора излучения

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110136828A (ko) 2011-12-21
US20110291017A1 (en) 2011-12-01
EP2404196A2 (en) 2012-01-11
US8921754B2 (en) 2014-12-30
JP5616368B2 (ja) 2014-10-29
US20150076357A1 (en) 2015-03-19
CN102341727B (zh) 2014-04-23
KR101689352B1 (ko) 2017-01-02
CN102341727A (zh) 2012-02-01
EP2404196B1 (en) 2013-10-16
RU2011140530A (ru) 2013-04-20
WO2010100574A2 (en) 2010-09-10
US11079501B2 (en) 2021-08-03
US20190137636A1 (en) 2019-05-09
JP2012519843A (ja) 2012-08-30
WO2010100574A3 (en) 2011-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2518589C2 (ru) Усовершенствованная температурная компенсация и схема управления для однофотонных счетчиков
EP2376942B1 (en) Temperature compensation circuit for silicon photomultipliers and other single photon counters
KR101690318B1 (ko) 디지털 실리콘 광전자증배기들의 시간 분해능을 개선하기 위한 방법
US9271694B2 (en) System and method of simplifying a direct control scheme for a detector
US7138635B2 (en) Detector module for CT and/or PET and/or SPECT tomography
US20070263764A1 (en) Detector Module for Detecting Ionizing Radiation
US9869781B2 (en) Active pulse shaping of solid state photomultiplier signals
JP2007271406A (ja) エネルギー較正方法，エネルギー関心領域の設定方法、放射線検出装置及び核医学診断装置
Spanoudaki et al. Pet & SPECT instrumentation
JP7022125B2 (ja) 光センサの信号処理方法
Lee et al. Geiger-mode avalanche photodiodes for PET/MRI
Zanzonico Instrumentation for Positron Emission Tomography
Del Guerra et al. PET Detectors
Brasse et al. Instrumentation Challenges in (S) PE (C) T Systems
Fürst et al. Effects of temperature and bias voltage on the properties of a PET detector module based on the individual readout of 1× 1 mm2 LYSO crystals by monolithic arrays of SiPMs
Castro et al. Small prototype gamma camera based on wavelength-shifting fibres

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160206